「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

A p-type body 5 is formed on one side of a drift region 11 contained in an n-type semiconductor substrate 1, and an n^+-type source diffusion region 7S is formed on the body 5.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板１が含むドリフト領域１１の一方の側方にはＰ型ボディ部５を形成し、ボディ部５上にはＮ^+型ソース拡散領域７Ｓを形成する。 - 特許庁

To provide an independent power source type crime prevention post enlarging an irradiation region with little power consumption and allowing the imaging of the whole irradiation region.例文帳に追加

少ない消費電力によって照射領域の拡大を図れるようにすると共に、照射領域全域の撮像を可能にした独立電源型防犯柱を提供すること。 - 特許庁

Positive potential PVdd is supplied to the source region 55 via a contact C1, and the drain region 56 is connected to the anode of an organic EL element 14 via a contact C2.例文帳に追加

ソース領域５５は、コンタクトＣ１を介して正電位ＰＶｄｄが供給されており、ドレイン領域５６はコンタクトＣ２を介して有機ＥＬ素子１４のアノードに接続されている。 - 特許庁

To provide a plane light source device with downsizing aimed at by heightening a ratio of an effective region, and with light more evenly emitted through reduction of luminance unevenness in the effective region.例文帳に追加

有効領域の占める割合を高くすることにより小型化が図れ、その有効領域内の輝度ムラを低減して光がより均一に出射される面光源装置を提供する。 - 特許庁

An insulating gate semiconductor device is made of silicon carbide, and a sacrificial layer 14 having an equal concentration profile of phosphorus is formed at least on the well region 3 and the surface of the source region 4.例文帳に追加

炭化珪素からなる絶縁ゲート半導体装置であって、少なくともウェル領域３、ソース領域４の表面に、等しい燐の濃度プロファイルを持つ犠牲層１４を形成する。 - 特許庁

Due to the asymmetric design of the source region and the drain region, the parasitic capacitance change can be substantially reduced when a misaligment of the upper and lower metal layers occurs.例文帳に追加

ソース領域とドレイン領域が非対称な設計によって、上部金属層と下部金属層とのミスアライメントが生じた際の、寄生容量の変化を実質的に低減することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can set a substrate potential in a MOS transistor at a potential different from those in a source region and a drain region and inhibit a substrate potential float.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタにおける基板電位をソース領域及びドレイン領域とは異なる電位にすることができ、かつ基板電位の浮きを防止できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Then, the polycrystalline silicon 119 and the insulating film 116 are etched, the sidewall of an NMOS is formed, and the collector take-out region of the NPN and the source/drain region of the NMOS are formed.例文帳に追加

次に、多結晶シリコン１１９と絶縁膜１１６をエッチングし、ＮＭＯＳのサイドウォールを形成し、ＮＰＮのコレクタ取出し領域とＮＭＯＳのソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

The height of the top face of an element-isolation insulating film 4 in a drain-side region is constituted so as to be lower than that H2 of the element-isolation insulating film 4 in a source-side region A2.例文帳に追加

ドレイン側領域の素子分離絶縁膜４の上面高さを、ソース側の領域Ａ２の素子分離絶縁膜４の上面高さＨ２に比較して低く構成している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film semiconductor layer, which is able to efficiently activate impurities injected to a source region and a drain region, without using complicated devices.例文帳に追加

ソース領域とドレイン領域に注入された不純物の活性化を、複雑な装置を用いることなく、効率良く行うことが可能な薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A part of a short-circuit electrode 35 for shunting a source region 13 and a base region 25 is positioned on the upper surface 53 of a gate electrode 17 through a first interlayer insulating film 31.例文帳に追加

ソース領域１３とベース領域２５を短絡するショート電極３５の一部は、第１の層間絶縁膜３１を介してゲート電極１７の上面５３の上に位置している。 - 特許庁

Then, a through-oxide film 12 is formed on the PMOS transistor region 9 and the NMOS transistor region 8, and then source/drain regions 11 are provided to the PMOS transistor and the NMOS transistor.例文帳に追加

次に、ＰＭＯＳトランジスタ及びＮＭＯＳトランジスタ領域にスルー酸化膜１２を形成した後、ＰＭＯＳトランジスタ及びＮＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域１１を形成する。 - 特許庁

Therefore, the apparatus can pass a source gas which exists on the surface of the shower plate in the non-heated region, toward a gas exhaust port side, and further can make a stagnant region hardly formed at a corner.例文帳に追加

それにより、非加熱領域部のシャワープレート表面に存在する原料ガスをガス排出口側へ流し、さらに角部に淀み領域が発生しにくくすることができる。 - 特許庁

The opening 66 has a pair of linear edges extending towards the channel with a space in accordance with the size of the source region 42 and drain region 44 in the channel width direction thereof.例文帳に追加

開口部６６はソース領域４２及びドレイン領域４４のチャネル幅方向のサイズに応じた間隔を置いてチャネル方向に延びる一対の直線状のエッジを有する。 - 特許庁

A gate electrode G is provided in the p type base region 4 with a gate insulating film 7 interposed so as to form a channel between the n+type source region 5 and n-type epitaxial layer 2.例文帳に追加

ｎ＋型ソース領域５とｎ−型エピタキシャル層２との間にチャネルを形成するためｐ型ベース領域４にゲート絶縁膜７を介してゲート電極Ｇが設けられている。 - 特許庁

Then the n^+ amorphous silicon film is etched through a second opening part 12b of the resist layer 12, and a source region 5b and a drain region 5c are patterned to form a semiconductor layer 5.例文帳に追加

その後、レジスト層１２の第２開口部１２ｂを介してｎ^+アモルファスシリコン膜をエッチングして、ソース領域５ｂ及びドレイン領域５ｃをパターニングして半導体層５を形成する。 - 特許庁

The high-voltage line 32 is disposed in such a way that it does not overlap the low-voltage lines 28 and 29, and covers the upper space between the source region 25 and the drain region 26.例文帳に追加

高電圧配線３２は、低電圧配線２８、２９と上下方向に重ならないように、かつ、ソース領域２５およびドレイン領域２６間の上を覆うように設けられている。 - 特許庁

To solve the problems wherein parasitic bipolar transistor operation results since a breakdown current passes under a source region for surrounding a back gate region in a conventional semiconductor device.例文帳に追加

従来の半導体装置においては、ブレイクダウン電流が、バックゲート領域を包囲しているソース領域の下を通ることになるため、寄生バイポーラトランジスタ動作が引き起こされてしまう。 - 特許庁

Thereafter, the N well 16 is covered with the resist and N-type impurity ions are implanted to form a rediffusion region which is continuous with a source and drain region 39a in a P well 17.例文帳に追加

その後、Ｎウェル１６がレジストで覆われ、Ｎ型の不純物イオンが注入され、Ｐウェル１７内のソース・ドレイン領域３９ａと連続する再拡散領域が形成される。 - 特許庁

In a base substrate made of the silicon carbide semiconductor, a second trench 5 which penetrates the n^+ source region 4 from the front surface and reaches the p-base region 3 is formed while separated from a first trench 7.例文帳に追加

この炭化珪素半導体でできた基体に、そのおもて面から、第１トレンチ７と離れて、ｎ^+ソース領域４を貫通し、ｐベース領域３に達する第２トレンチ５を形成する。 - 特許庁

To secure the symmetry of current in a single cell by forming a drain region and a source region symmetrically about a gate electrode, regardless of the placing state of a wafer.例文帳に追加

ウエハの設置状態にかかわらず、ドレイン領域およびソース領域をゲート電極に対して対称に形成することにより、単一セルにおける電流の対称性を確保する。 - 特許庁

The fluorescent image display system features that the maximum peak intensity of the excitation light source in the visible region is ≥1/1000 and ≤1/10 of the maximum peak intensity in the UV region.例文帳に追加

励起光源の可視光部の最大ピーク強度が紫外部の最大ピーク強度の１／１０００以上１／１０以下であることを特徴とする蛍光画像表示システム。 - 特許庁

A source/drain region 64 is formed in each region defined by the pair of word lines wl and an adjacent isolation film 52 being traversed by the pair of word lines wl.例文帳に追加

隣接した一対のワードラインｗｌと、これら一対のワードラインｗｌが横切る隣接した素子分離膜５２とで画定された領域の各々にソース／ドレーン領域６４が形成される。 - 特許庁

This semiconductor device includes a fixed electric potential insulating electrode 11 having the same electric potential as a source region 6 and a variable electric potential insulating electrode 9 having the same electric potential as a gate region 7.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、ソース領域６と同電位となる固定電位絶縁電極１１とゲート領域７と同電位となる可変電位絶縁電極９とを有する。 - 特許庁

To activate a stress given in the gate width direction in a channel region toward the direction of increasing the mobility, and to prevent a leakage when a silicide layer is formed on the surface of a source drain region.例文帳に追加

チャネル領域のゲート幅方向に与える応力を移動度が向上する方向に働かすとともに、ソース・ドレイン領域表面にシリサイド層を形成した際のリークを防止する。 - 特許庁

A substrate 20 is prepared having an N^+-type drain region, an N-type drift region 22, and a number of body regions 23 and source regions 24 for constituting a number of FET cells.例文帳に追加

Ｎ^+形ドレイン領域２１とＮ形ドリフト領域２２と多数のＦＥＴセルを構成するための多数のボデイ領域２３及びソ−ス領域２４を有する基板２０を用意する。 - 特許庁

To simplify the constitution of a pulse power source for applying a pulse voltage having both a low-electric field long pulse region and a high-electric field short pulse region to a liquid material in a sterilization treating part.例文帳に追加

殺菌処理部中の液状物に、低電界長パルス領域と高電界短パルス領域とを併せ持つパルス電圧を印加するパルス電源の構成を簡素化する。 - 特許庁

Thus, a depletion layer from the PN junction of a source region does not reach the drain region and is easily spread, thus relaxing an electric field and improving a breakdown voltage.例文帳に追加

そのため、ソース領域のＰＮ接合部からの空乏層がドレイン領域にリーチスルーすることなく広がりやすくなり電界緩和されるので、耐圧を向上させることができる。 - 特許庁

On the other hand, the projection aligner is constructed in such a way that a light source 1, different types of optical systems 4, 5, 6 and 7, a mask stage region 107 and a wafer stage region 109 can be individually purged.例文帳に追加

一方、投影露光装置においては、光源１、各種光学系４、５、６、７、マスクステージ領域１０７、ウエーハステージ領域１０９をそれぞれ個別にパージできる構造にする。 - 特許庁

The groove-embedded gate electrode 3 is provided to a substrate equipped with a p-type well layer 2, a p-type channel doped layer 4, and n-type diffusion layers 5 serving as a source region and a drain region.例文帳に追加

ｐ型ウエル層２と、ｐ型チャネルドープ層４と、ソース領域およびドレイン領域となるｎ型拡散層５とを有する基板に溝埋め込み型のゲート電極３が設けられている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for easily providing an asymmetrical SOI (Silicon On Insulator) field effect transistor formed with an inactive ion implantation region only on a source region side.例文帳に追加

ソース領域側だけに不活性イオン注入領域が形成される非対称型ＳＯＩ電界効果トランジスタを容易に実現する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a MOS transistor having a salicide structure, a silicide film 9a to 9c is formed on a surface of a gate electrode 7a, a source region 4a, and a drain region 5b.例文帳に追加

サリサイド構造とするＭＯＳトランジスタに関しては、ゲート電極７ａ、ソース領域４ａ及びドレイン領域５ｂの表面にシリサイド膜９ａ〜９ｃが形成されるようにする。 - 特許庁

The method also comprises the steps of forming the extension region 21 after annealing for the sidewall oxidation of the layer 13 and high temperature RTA treating for activating a source/drain region 20.例文帳に追加

また、ポリシリコン層１３の側壁酸化のためのアニール処理、およびソース・ドレイン領域２０の活性化のための高温ＲＴＡ処理の後で、エクステンション領域２１の形成が行われる。 - 特許庁

In this case, a region which is not connected to the source electrode 24 and a post 30 is formed so as to be thin to utilize the region formed so as to be thin as a buffering plate.例文帳に追加

そして、ソース電極２４、ポスト３０とも接続しない領域を薄く形成することで、この薄く形成した領域を緩衝板として利用することに特徴がある。 - 特許庁

Even when the gate electrode 24 is applied with a relatively high voltage, the forward current flowing a p-n junction comprising a body region and a source region is limited by the resistant part 25.例文帳に追加

ゲート電極２４に比較的高電圧が印加されても、ボディ領域とソース領域とで構成されるｐｎ接合に流れる順方向電流は抵抗部５２によって制限される。 - 特許庁

In a second region 4b of an n^+ type source region 4, a place at some depth from a top surface has a relatively low impurity concentration instead of high impurity concentration.例文帳に追加

ｎ^+型ソース領域４の第２領域４ｂについて、最表面からある程度の深さの場所については、高不純物濃度とせず、比較的低不純物濃度となるようにする。 - 特許庁

The semiconductor device has a plurality of trenches formed in stripes in a source-drain direction and also has a channel region formed at an upper-side part of a region sandwiched between a side face of a trench and the trench.例文帳に追加

ソースドレイン方向に複数のトレンチをストライプ状に形成し、そのトレンチの側面およびトレンチに挟まれた領域の上辺部にチャネル領域を形成する半導体装置とする。 - 特許庁

The capacitor structure includes a gate-drain capacitance configured so as to dynamically change with variation in reverse voltages applied between the source region 24 and the drain region 21.例文帳に追加

上記キャパシタ構造は、ソース領域２４とドレイン領域２１との間に印加された逆電圧が変化するにつれて、動的に変化するように構成されたゲート−ドレイン容量を含む。 - 特許庁

An NMOS transistor 3 of a semiconductor device includes a semiconductor substrate 1 having an n-channel region, an n-type source/drain region 4, a gate insulating film 7, and a gate electrode 8.例文帳に追加

半導体装置のＮＭＯＳトランジスタ３は、ｎチャネル領域を有する半導体基板１と、ｎ型ソース／ドレイン領域４と、ゲート絶縁膜７と、ゲート電極８とを含んでいる。 - 特許庁

The extension region 151 of a low concentration is formed by a first dose amount and, thereafter, the main diffusion region 152 of the source/drain is formed by a second dose amount bigger than the first dose amount.例文帳に追加

第１のドーズ量で低濃度のエクステンション領域１５１を形成後、第１のドーズ量より大きい第２のドーズ量でもってソース／ドレインの主拡散領域１５２を形成する。 - 特許庁

Also. a source semiconductor region formed on the substrate forms a part of the one side of the sidewall of the groove part 5 and a drain semiconductor region forms a part of the other side of the sidewall of the groove part 5.例文帳に追加

また、基板に形成されたソース半導体領域は溝部５の片側の側壁の一部を成し、ドレイン半導体領域は溝部５のもう片側の側壁の一部を成している。 - 特許庁

Generally, an integrated circuit structure comprises a semiconductor region that includes a main surface formed along a plane and a first source/ drain dope region formed in the main surface.例文帳に追加

一般的に集積回路構造は、平面に沿って形成された主表面および主表面中に形成された第１のソース／ドレイン・ドープ領域を備えた半導体領域を備えている。 - 特許庁

A drain region 15A and a source region 15B are formed in regions which are made less in film thickness than the ridge structure portion of the semiconductor layer and adjacent to the channel body.例文帳に追加

半導体層におけるリッジ構造部分よりも薄い膜厚とされた領域であって、チャネルボディに隣接する領域にドレイン領域１５Ａとソース領域１５Ｂとを形成する。 - 特許庁

A depletion region 17 depleted by a depletion part 18 is formed in a part between a drain electrode 11 and a source electrode 12 in the two-dimensional electron gas region 16.例文帳に追加

２次元電子ガス領域１６におけるドレイン電極１１とソース電極１２との間の一部には、空乏化部１８により空乏化された空乏領域１７が形成されている。 - 特許庁

Finally, a drain region 8 and a source region 9 having an impurity concentration gradient in the lateral direction are formed by conducting ion implantation and annealing, using the insulating gate 6 as a mask.例文帳に追加

次に、絶縁ゲート６をマスクとしてイオン注入及びアニール処理を行うことにより、横方向に不純物濃度勾配を持つドレイン領域８及びソース領域９を形成する。 - 特許庁