「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

The lighting region by the light source part 11 is located on one side against the plane passing the center line of the straight tube fluorescent lamp 10.例文帳に追加

光源部１１による照明領域は、直管蛍光灯１０の中心線を通る平面に対して一方側に位置される。 - 特許庁

Lead wiring layers 11a and 11c are electrically connected to each pair of source/drain region 3 of a monitor transistor MT.例文帳に追加

モニタトランジスタＭＴの１対のソース／ドレイン領域３の各々に、引き出し配線層１１ａ、１１ｃが電気的に接続されている。 - 特許庁

Further, under a gate electrode of the selective gate transistor, a shape of the source/drain diffusion layer region of this selective gate transistor (23, 24) is made asymmetry.例文帳に追加

そして、選択ゲートトランジスタのゲート電極下で、この選択ゲートトランジスタのソース／ドレイン拡散層領域(23,24)の形状を非対称とする。 - 特許庁

To provide the structure of a BiCMOS transistor in which the source/ drain region of a MOS transistor will not be etched excessively, and the manufacture thereof.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域が過度にエッチングされないＢｉＣＭＯＳトランジスタの構造および製造方法を提供する。 - 特許庁

A source electrode 17 and a Schottky gate electrode 19 are provided on the main surface 15a of the gallium nitride semiconductor region 15.例文帳に追加

ソース電極１７およびショットキゲート電極１９は、窒化ガリウム系半導体領域１５の主面１５ａ上に設けられている。 - 特許庁

A first polycrystalline cobalt silicide film 10a is selectively left on a gate electrode 4 and a high concentration source drain region 7.例文帳に追加

ゲート電極４及び高濃度ソース・ドレイン領域７上に多結晶体の第１のコバルトシリサイド膜１０ａを選択的に残置させる。 - 特許庁

Therein, the light source of a spectral characteristic having an intensity peak in an R color wavelength region such as a three wavelength type LED is used.例文帳に追加

光源としては、Ｒ色波長領域に強度ピークがある分光特性のもの、例えば３波長方式ＬＥＤを用いる。 - 特許庁

After first sidewalls 7 are formed at side surfaces of the gate electrode 4, a source-drain region 8 is formed by using these first sidewalls 7 as masks.例文帳に追加

ゲート電極４の側面に第１のサイドウォール７が形成された後、これらをマスクとしてソース・ドレイン領域８が形成される。 - 特許庁

An n-type source region 4 is formed to be a multilayer structure having a first layer 4a as an upper layer and a second layer 4b as a lower layer.例文帳に追加

ｎ型ソース領域４を上層部となる第１層４ａおよび下層部となる第２層４ｂを備えた多層構造にする。 - 特許庁

A source layer 30 is formed of semiconductor material whose forbidden band width is wider than that of an adjacent channel region.例文帳に追加

また、ソース層３０が、隣接するチャネル領域の禁制帯幅よりも広い禁制帯幅を有する半導体材料で形成される。 - 特許庁

The display device of the invention comprises a pixel region including a plurality of pixels, a source driver, a first gate driver, and a second gate driver.例文帳に追加

本発明の表示装置は、複数の画素を含む画素領域と、ソースドライバと、第１のゲートドライバと、第２のゲートドライバとを有する。 - 特許庁

Source/drain diffusion layers S, D are formed within the supporting board so as to sandwich a channel region under the first part of the gate electrode.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層Ｓ、Ｄは、ゲート電極の第１部分の下方のチャネル領域を挟むように支持基板内に形成される。 - 特許庁

Dangling bonds reside in the source/drain region 3 and the channel 4 formed of thin film polycrystalline silicon to deteriorate the transistor in characteristics.例文帳に追加

薄膜多結晶シリコンで形成されたソース・ドレイン領域３及びチャネル部４にはダングリングボンドがあり、トランジスタの特性が劣化する。 - 特許庁

A reverse bias voltage is applied to the light modulation region 2 by a voltage source 12 through the p-side electrode 8 and the n-side common electrode 7.例文帳に追加

光変調領域2にはp側電極8とn側共通電極とを介して電圧源12によって逆バイアス電圧が印加される。 - 特許庁

Exhaust gas is irradiated with an ultraviolet light containing a vacuum ultraviolet region from the first light source to decompose the hazardous organic substances in the exhaust gas.例文帳に追加

第１光源は、真空紫外領域を含む紫外光を排ガスに照射し、排ガス中の有害有機物を分解する。 - 特許庁

A serial inductance element 2 contained in the electric power system 1 is replaced with an equivalent current source 8, for region division.例文帳に追加

電力系統１に含まれる直列インダクタンス要素２を等価電流源８に置き換えることにより、領域分割を行なう。 - 特許庁

Finally, an n-type source-drain region 15a is formed by implanting arsenic ions 14 using the sidewall 13 and the gate electrode 8a as a mask.例文帳に追加

サイドウォール１３及びゲート電極８ａをマスクとして砒素イオン１４を注入してｎ型ソース／ドレイン領域１５ａを形成する。 - 特許庁

The organic electronic material layer 13 in the region where the source electrode and/or drain electrode is provided is removed up to the predetermined depth.例文帳に追加

ソース電極及び／またはドレイン電極を設ける領域における有機電子材料層１３を、所定の深さまで除去する。 - 特許庁

The word line functions as the gate electrode 104 on a channel region provided between the source/drain diffusion regions 107a and 107b.例文帳に追加

ワード線は、ソース／ドレイン拡散領域１０７ａ，１０７ｂの間のチャネル領域上において、ゲート電極１０４として機能する。 - 特許庁

An electron beam irradiation device comprises an electron beam source (2) located in a vacuum container (1) and an electron beam transmission film (6) mounted on an opening region.例文帳に追加

真空容器（１）の中に配置される電子線源（２）と、開口部位に取り付けられる電子線透過膜（６）とから形成されている。 - 特許庁

The whole store is illuminated by a main light source 13 with the light of a spectral distribution in which the wavelength region having melatonin secretion suppression effect is reduced.例文帳に追加

主光源13により、メラトニン分泌抑制効果のある波長域を低減した分光分布の光で、店内全体を照明する。 - 特許庁

A semiconductor layer constituting the write-in transistor is provided so as to bridge between a gate electrode and a source region of the readout transistor.例文帳に追加

書き込みトランジスタを構成する半導体層は、読み出しトランジスタのゲート電極とソース領域の間を架橋するように設ける。 - 特許庁

A converging ion beam is irradiated from a beam source 5 installed in a top part of the vacuum chamber 4 to the mixed gas supply region.例文帳に追加

そして、この混合ガス供給領域に真空チャンバ４の頂部に設置したビーム源５から収束イオンビームを照射する。 - 特許庁

A gate electrode includes a first portion 5a, positioned above the channel region and a second portion 5b positioned above the source/drain regions.例文帳に追加

ゲート電極は、チャネル領域の上方に位置する第１部分５ａと、ソース／ドレイン領域の上方に位置する第２部分５ｂとを有する。 - 特許庁

The light source 26 is arranged so that a position of an end part of a vehicle width direction in an effective light-emitting region is matched with the focal point.例文帳に追加

光源２６は、その有効な発光領域の車幅方向の端部の位置が焦点と一致するように配置されている。 - 特許庁

The light guide plate 4 is formed so that a flat surface part which serves the effective emission region L is thinner than the height of the light source device 5.例文帳に追加

導光板４は、有効出射領域Ｌをなす平坦面の部分が光源装置５の高さよりも薄く形成されている。 - 特許庁

In a surface-side part of the drift region 1, base regions 3b and source regions 4 are formed, to be connected with the columnar base regions 3a.例文帳に追加

ドリフト領域１の表面側に柱状ベ−ス領域３ａに連続するベ−ス領域３ｂとソ−ス領域４とを設ける。 - 特許庁

The light source light is reflected by the light emitting side reflecting plate and emitted parallel with the substrate toward the coordinate input region.例文帳に追加

光源光は、光出射側反射板によって反射され、座標入力領域の方向へ、基板と平行に出射される。 - 特許庁

To provide a thin magnetic element, indicating a high inductance value and having little magnetic loss in a high-frequency region, a manufacturing method for mass-producing the magnetic elements in an easy method, and a power source module provided with the magnetic element.例文帳に追加

高いインダクタンス値示すとともに、高周波域での磁気損失が少ない、薄型の磁性素子を提供する。 - 特許庁

The first unit prism is arranged on the outside of a region containing a position facing the light source out of the light inlet side surfaces of the base part.例文帳に追加

第１単位プリズムは、基部の入光側面のうちの、光源に直面するようになる位置を含む領域外に、配置されている。 - 特許庁

To reduce a calculation time required for an inspection and the amount of storage region used by a computer in the inspection of a source code of a software program.例文帳に追加

ソフトウェアプログラムのソースコードの検査において、検査に要する計算時間と計算機が利用する記憶領域の量を削減する。 - 特許庁

The liquid crystal deflecting element 19 is provided in between a light source unit 18 and a polygon mirror 12, and the laser light detector 20 is provided, in a region which is located upstream of the main scanning direction and outside the end part of a picture region.例文帳に追加

液晶偏向素子１９は、光源ユニット１８とポリゴンミラー１２との間に設け、レーザ光検出器２０は、主走査方向上流で且つ画像領域端部の外側の領域に設ける。 - 特許庁

First, an SiGe layer 3 is formed on an Si substrate 1, and of the SiGe layer 3, a part sandwiched by a source forming region and a drain forming region is etched to be eliminated, and thus, a trench is formed.例文帳に追加

まず始めに、Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層３を形成し、ＳｉＧｅ層３のうちのソース形成領域とドレイン形成領域とに挟まれた部分をエッチングして取り除き、トレンチを形成する。 - 特許庁

To efficiently apply mechanical stress toward a channel region from source and drain regions in a thin-line element region by adopting a simple configuration, and to improve carrier mobility.例文帳に追加

簡単な構成を採ることで、細線状素子領域に於けるソース領域及びドレイン領域からチャネル領域に向かって機械的な応力を効率良く印加し、キャリヤ移動度を向上させようとする。 - 特許庁

Before a metal layer 41 is made to withdraw with a resist withdrawal method, portions of an active layer 6 that become a source region 12 and a drain region 13 are doped with an impurity using the resist 42 and the metal layer 41 as a mask.例文帳に追加

レジスト後退法で金属層41を後退させる前に、レジスト42および金属層41をマスクとして活性層６のソース領域12およびドレイン領域13となる部分に不純物をドーピングする。 - 特許庁

A channel connecting a p-type source region and a p-type drain region is set in the <100> direction or in the vicinity thereof so that the mobility of holes is maximized in the channel layer.例文帳に追加

ｐ型ソース領域とｐ型ドレイン領域とを結ぶチャネル方向を、前記チャネル層中における正孔の移動度が最大になるように＜１００＞方向あるいはその近傍の方向に設定する。 - 特許庁

For the above, the outermost turn T1 and the turn T2 at the center region are connected in parallel with an RF power source 130, and the turns T2, T3 at the center region are serially connected to each other.例文帳に追加

このために、最外郭のターンＴ１と中心領域のターンＴ２はＲＦ電源１３０に並列に連結され、中心領域のターンＴ２, Ｔ３は互いに直列に連結される。 - 特許庁

Each memory cell comprises diffused layers 2 and 3, which is formed on the surface of a p-type silicon substrate 1, to be a source/drain region, and a channel region 4 formed between the diffused layers 2 and 3.例文帳に追加

本発明の各メモリセルは、ｐ型シリコン基板１表面に形成されたソース／ドレイン領域となる拡散層２，３と、これら拡散層２，３の間に形成されたチャネル領域４とを有する。 - 特許庁

A MOSFET structure may be incorporated into the device near the source region, or the MOSFET structure may be omitted to produce a high-voltage transistor having a stand-alone drift region.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ構造は、ソース領域近傍のデバイスに組み込まれるか、あるいはＭＯＳＦＥＴ構造を省略して、スタンドアロンのドリフト領域を有する高電圧トランジスタ構造を製造することができる。 - 特許庁

To provide a transistor element capable of securing excellent electrical junction between a source region and a drain region, and a channel layer, and preventing drop of on-current, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ソース領域及びドレイン領域と、チャネル層との間で、良好な電気的接合を確保でき、かつオン電流の低下を防ぐことのできるトランジスタ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A gate electrode 16 is formed on a P-type silicon layer 12 of an SOI substrate via gate insulating film 15, an n+ type source region 13 and a drain region 14 are formed, and a MOS transistor is formed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のｐ型シリコン層１２に、ゲート絶縁膜１５を介してゲート電極１６が形成され、ｎ^+型ソース領域１３及びドレイン領域１４が形成されて、ＭＯＳトランジスタが作られる。 - 特許庁

A surface insulating film 9 is formed on a region which covers the entire region of the wall surface 8 and the bottom surface of the drain trench 6 and reaches a source electrode 18 on the top surface of the n-type GaN layer 5.例文帳に追加

ドレイントレンチ６の壁面８および底面の全域を覆い、ｎ型ＧａＮ層５の頂面においてソース電極１８に至る領域には、表面絶縁膜９が形成されている。 - 特許庁

A memory transistor 100 of a non-volatile semiconductor memory device is provided with a source region 12 and a drain region 14 formed in a silicon substrate 10 and a gate insulating layer (a first insulating layer) 20.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置のメモリトランジスタ１００は、シリコン基板１０内に形成されたソース領域１２およびドレイン領域１４と、ゲート絶縁層（第１の絶縁層）２０とを有する。 - 特許庁

By the above structure, injection and drawing-out of free carriers (positive holes) are performed from both sides of the source region 4, and free carriers (positive holes) are movable also in a Y axis direction through an isolation region 17.例文帳に追加

そのことで、ソース領域４の両側から自由キャリア（正孔）の注入及び引き抜きを行い、且つ、分離領域１７を介してＹ軸方向にも自由キャリア（正孔）の移動可能とする。 - 特許庁

Direct contact with a source region is not provided in the p-body region 6 of the MOSFET, and electrical connection with the p-type junctions at the ends of the Schottky junction is provided via the MOSFET.例文帳に追加

また、ＭＯＳＦＥＴのｐボディ領域６内でソース領域と直接のコンタクトせず、前記ショットキー接合の端部のｐ型領域にＭＯＳＦＥＴを介して電気的に接続される構造を有する。 - 特許庁