「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

The light source unit 10 for a lighting fixture, for instance, a guide light, for irradiating light to a region corresponding to a setting place, is provided with an LED 11A as a light source.例文帳に追加

設置場所に応じた領域へ光を照射する照明器具、例えば誘導灯の光源ユニット１０において、光源ユニット１０は、光源としてのＬＥＤ１１Ａを備える。 - 特許庁

To provide a light source unit radiating exciting light to a large region of a phosphor layer, and a projector for projecting a high-quality image having the light source unit.例文帳に追加

蛍光体層の広い領域に励起光を照射可能な光源ユニットと、この光源ユニットを備えることにより高品質な画像の投影が可能なプロジェクタと、を提供する - 特許庁

At the GaAs substrate 102, a source via hole 116, which penetrates the GaAs substrate 102 and opens the source via hole region 106 and the rear surface of the GaAs substrate 102, is formed.例文帳に追加

また，ＧａＡｓ基板１０２には，ソースバイアホール領域１０６とＧａＡｓ基板１０２裏面とで開口しＧａＡｓ基板１０２を貫通するソースバイアホール１１６が形成される。 - 特許庁

Moreover, a formation width L of the source electrode 4 connected to the node N1 is caused to be smaller than the sum of gate-source electrode overlap widths a1 and a2 in a region B of the transistor terminal portion.例文帳に追加

そして、ノードＮ１に接続されたソース電極４の形成幅Ｌをトランジスタ端部の領域Ｂでのゲート・ソース電極重なり幅ａ１及びａ２の和よりも小さくしている。 - 特許庁

A P-type diffusion layer 32 as a channel region is formed to the substrate on the source side of the gate electrode 30, and a source diffusion layer 34 is formed on the substrate in the P-type diffusion layer 32.例文帳に追加

ゲート電極３０のソース側の基板にはチャネル領域となるＰ型拡散層３２が形成され、Ｐ型拡散層３２内の基板にはソース拡散層３４が形成されている。 - 特許庁

So, the wiring route of the source wiring 213 is not limited by the route of the inter-drain wiring 224, and is wired to cover the common source diffusion region 301 more widely.例文帳に追加

従って、ソース配線２１３の配線経路は、ドレイン間配線２２４の経路に制約を受けることが無く、共有ソース拡散領域３０１上をより広く覆うように配線できる。 - 特許庁

Two power source lines transmitting power source voltage from the outside to a display region are formed on the upper end and lower end of a substrate, in the display device using the demultiplexer, respectively.例文帳に追加

逆多重化器を利用した表示装置で、外部からの電源電圧を表示領域に伝達する二つの電源線が基板の上端と下端に各々形成されている。 - 特許庁

When the position of the surface light source and the bright and dark pitch are appropriately set, it is possible to light up each part region of the object to be observed (10) at small angles by oblique lighting from each bright part of the surface light source.例文帳に追加

面光源の位置と明暗のピッチとが適正に設定されれば、被観察物（１０）の各部分領域は、面光源の各明部により小角度で斜光照明される。 - 特許庁

To provide a planar light source device having such a composition as to hardly cause color irregularity or brightness unevenness between display region units in the planar light source device of a partial driving method.例文帳に追加

部分駆動方式の面状光源装置において、色ムラあるいは輝度ムラが表示領域ユニット間において生じ難い構成を有する面状光源装置を提供する。 - 特許庁

The microchannel heat exchanger coupled to a heat source and configured for cooling the heat source comprises a first set of fingers 118B, 118C for feeding fluid of a first temperature to a heat exchange region.例文帳に追加

熱源に連結され、熱源を冷却するマイクロチャネル熱交換器は、熱交換領域に第１の温度の流体を供給するフィンガの第１の組１１８Ｂ，１１８Ｃを備える。 - 特許庁

Each thin film transistor 110 comprises: a drain contact structure D; a source contact structure S; and an organic semiconductor region 115 arranged between the source contact structure and the drain contact structure.例文帳に追加

各薄膜トランジスタ１１０は、ドレインコンタクト構造Ｄと、ソースコンタクト構造Ｓと、ソースコンタクト構造とドレインコンタクト構造との間に配置された有機半導体領域１１５とを含む。 - 特許庁

Furthermore, dummy gate bus lines and dummy source bus lines with wide breadths are formed along the edges adjacent to pixels and distant from the gate bus lines or the source bus lines in the effective display region 45.例文帳に追加

さらに、有効表示領域４５におけるゲートバス配線あるいはソースバス配線がなく画素が在る辺に沿って幅広のダミーゲートバス配線またはダミーソースバス配線を形成する。 - 特許庁

In addition to this, at least one of the electron source and the hole source basically includes one or many of inorganic materials, and the light emitting region includes one or many of organic material layers.例文帳に追加

この他、電子源とホール源の少なくとも一方は基本的に、１種或いは多種の無機材料からなり、発光領域は、１種或いは多種の有機材料層を含む。 - 特許庁

A source electrode 15 and a drain electrode 14 are provided to the region to provide the source electrode and drain electrode on the gate insulating layer 12 and/or organic electronic material layer 13.例文帳に追加

ゲート絶縁層１２及び／または有機電子材料層１３の上のソース電極、及びドレイン電極を設ける領域に、ソース電極１５及びドレイン電極１４を設ける。 - 特許庁

In a transistor TR for a switching, first source/drain regions 11 are connected to the storage node electrode layers 4, and a second source/drain region 12 is connected to a bit line 23.例文帳に追加

スイッチング用のトランジスタＴＲは、その第１のソース・ドレイン領域１１がストレージノード電極層４に接続され、第２のソース・ドレイン領域１２がビット線２３に接続されている。 - 特許庁

In the semiconductor device having SOI structure, positions of a gate electrode 6 and a channel region 4 formed on a semiconductor substrate 1 and the positions of source and drain regions 3, 5 formed on the opposite sides of the channel region are determined uniquely and the thickness of semiconductor corresponding to the channel region is set thinner than that of semiconductor corresponding to the source-drain region.例文帳に追加

ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、半導体基板上に形成されたゲート電極とチャンネル領域、このチャンネル領域の両側に形成されるソース・ドレイン領域の位置が一義的に決められる構造であり、かつ、前記チャンネル領域に対応する半導体の厚さが前記ソース・ドレイン領域に対応する半導体層よりも薄く構成されている。 - 特許庁

The projection apparatus is equipped with: a polychromatic light source; a uniformizing means which uniformizes the light from the polychromatic light source to provide a uniformized illumination region; a base condenser relay lens which magnifies the uniformized illumination region to form a magnified uniformized illumination region and introduces the magnified uniformized illumination region into a dichroic separator; and a projection lens which projects a multicolor image onto a display surface.例文帳に追加

本発明の投影装置は、多色光源と、多色光源からの光を均一化して、均一照明領域を提供する均一化手段と、均一照明領域を拡大して、拡大均一照明領域を形成し、拡大均一照明領域をダイクロイックセパレータに導くベース集光リレーレンズと、ディスプレイ表面に対して多色画像を投影する投影レンズとを備える。 - 特許庁

In a semiconductor device, having a lateral type FET in which a source region and a drain region are formed on the main surface of a semiconductor substrate, either of the source region or the drain region which are formed on the main surface of the substrate is connected with an electrode formed on the main surface side of the substrate, and the other is connected with an electrode formed on the rear side of the substrate.例文帳に追加

半導体基板主面にソース領域，ドレイン領域が形成された横型ＦＥＴを有する半導体装置において、前記半導体基板主面に形成されたソース領域，ドレイン領域の一方が、半導体基板主面側に形成された電極に接続され、他方が半導体基板裏面側に形成された電極に接続されている。 - 特許庁

A semiconductor device 100 is of a BiCMOS type in which in PMOS and NMOS regions 18 and 20, as in prior art BiCMOS semiconductor device, a P+-region 48 (source/drain region), an N+-region 44 (source/drain region) and a gate electrode 40 are silicided in their surface layers, for example, as a silicide layer 70.例文帳に追加

本半導体装置１００は、ＢｉＣＭＯＳ半導体装置であって、ＰＭＯＳ領域１８及びＮＭＯＳ領域２０では、従来のＢｉＣＭＯＳ半導体装置と同様に、Ｐ^+ 領域４８（ソース／ドレイン領域）、Ｎ^+ 領域４４（ソース／ドレイン領域）及びゲート電極４０の表層がシリサイド化され、例えばＣｏＳｉからなるシリサイド層７０が形成されている。 - 特許庁

A polycrystalline group IV semiconductor layer 2 is deposited on an insulating substrate 1, ions of any one of group IV element or rate gas element 3 are implanted at least into a source/drain formation region and a channel formation region in the layer to amorphize the region, and then ions of conduction type determining impurities 5 are implanted into the amorphized source/drain formation region of the group IV semiconductor layer 4.例文帳に追加

絶縁性基板１上に多結晶ＩＶ族半導体層２を堆積したのち、少なくともソース・ドレイン形成領域及びチャネル形成領域にＩＶ族元素或いは希ガス元素３のいずれかをイオン注入してアモルファス化したのち、アモルファス化したＩＶ族半導体層４のソース・ドレイン形成領域に導電型決定不純物５をイオン注入する。 - 特許庁

A drain region and a source region are formed on the SOI layer, wherein the source region is in contact with the insulating layer, while the drain region is not in contact with the insulating layer.例文帳に追加

本発明の第１の態様は、半導体支持基板と、前記半導体支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成されたＳＯＩ層とからなるＳＯＩ基板構造を有する半導体装置において、前記ＳＯＩ層には、ドレイン領域とソース領域とが形成され、前記ソース領域は前記絶縁層に接するが、前記ドレイン領域は前記絶縁層に接しないことを特徴とする。 - 特許庁

A lightly doped region Y where both n+-type impurities and p+-type impurities do not exist is made on a gate electrode 14 by providing a predetermined interval between the openings of ion implantation masks, when forming the source/drain diffusion layer 37 in an n MOSFET region and the source/drain region 38 in a p MOSFET region in a self alignment process at the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極に自己整合的にｎＭＯＳＦＥＴ領域のソース／ドレイン拡散層３７およびｐＭＯＳＦＥＴ領域のソース／ドレイン拡散層３８を形成する際に、それぞれのイオン注入マスクの開口部間に所定の間隔を設けて、ゲート電極１４上に、ｎ＋型不純物とｐ＋型不純物とがともに存在しない低濃度な領域Ｙを形成する。 - 特許庁

The threshold voltage is controlled by constituting a gate electrode region constituted of a polysilicon, forming an opposite conductivity type completely depleted region to source and drain regions to be brought into contact with a gate oxide film in the gate region, and constituting a residual gate region brought into contact with the gate oxide film of the same conductivity type as those of the high concentration source and drain regions.例文帳に追加

ポリシリコンにより構成されるゲート電極領域を構成し、ソース及びドレイン領域とは反対導電型の完全空乏化された領域をゲート領域中かつゲート酸化膜に接して形成し、それと接触する残りのゲート領域は、高濃度かつソース領域及びドレイン領域とは同じ導電型で構成することにより、しきい値電圧を制御する。 - 特許庁

A cell includes a current source including: a transistor M1-1 arranged in a region 10-1 and connected to either a power source or ground; a transistor M2-1 arranged in a region 20-1 and directly or indirectly cascode-connected to the transistor M1-1; and metal wiring L-1 for electrically connecting the region 10-1 and the region 20-1.例文帳に追加

セルは、領域１０−１に配置され電源及びグランドのいずれか一方に接続されるトランジスタＭ１−１と、領域２０−１に配置されトランジスタＭ１−１と直接的または間接的にカスコード接続されるトランジスタＭ２−１と、領域１０−１と領域２０−１とを電気的に接続する金属配線Ｌ−１とを含む電流源を含む。 - 特許庁

In the gravity direction, a region where the light source package 100P is mounted is below a region where the drive package 22P is mounted on the mounting surface of the control board 14B, and the uppermost position of the region where the light source package 100P is mounted is below the lowermost position of the region where the drive package 22P is mounted.例文帳に追加

そして、重力方向に関して、制御基板１４Ｂの実装面において、光源パッケージ１００Ｐが実装される領域は駆動パッケージ２２Ｐが実装される領域よりも下方にあり、光源パッケージ１００Ｐが実装される領域における最も上側の位置は、駆動パッケージ２２Ｐが実装される領域における最も下側の位置よりも下方に位置している。 - 特許庁

In the flow imaging region, a still image of the specimen liquid is captured by using an illumination source 13 and an image capturing device 19.例文帳に追加

画像化領域内で、照明源１３及び画像捕捉装置１９を使用して検体溶液の静止画像を撮影する。 - 特許庁

A field effect transistor 10 comprises a source ohmic contact 12, a drain ohmic contact 14, a gate contact 16, and an active region 18.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１０は、ソースオーミックコンタクト１２と、ドレインオーミックコンタクト１４、ゲートコンタクト１６、および活性領域１８を含む。 - 特許庁

Because the source lights are not cast into the adjacent irradiation region owing to the reflection plate 5, lighting or not can be distinguished clearly.例文帳に追加

各光源光は、反射板５によって隣接する照射領域内に入射されないので、点灯の有無が明瞭となる。 - 特許庁

A region where a source diffuser 7 and a body diffuser 8 are formed is partitioned by trenches 4 into rows of regions.例文帳に追加

トレンチ部４によって、ソース拡散部７およびボディ拡散部８の形成される領域が列状の領域に区分される。 - 特許庁

A body contact region is sandwiched between source regions in order to achieve a larger maximum allowable voltage with small area.例文帳に追加

より大きな最大許容電圧を少ない面積で実現する為に、ボディコンタクト領域をソース領域で挟んだ構成とする。 - 特許庁

An occupancy rate of the first region 34A in the light modulating layer 34 is increased as it goes away from a light source 20.例文帳に追加

第１領域３４Ａの、光変調層３４における占有率が、光源２０から遠ざかるにつれて高くなっている。 - 特許庁

To prevent a short circuit between a contact and a gate electrode connected to a source-drain region in a gate structure formed by a gate last process.例文帳に追加

ゲートラストプロセスで形成されたゲート構造において、ソース・ドレイン領域に接続するコンタクトとゲート電極とのショートを防ぐ。 - 特許庁

Independently controllable control gates (54a, 54b) are insulated from the source/drain region and coupled capacitively with the floating gate.例文帳に追加

独立制御可能制御ゲート（５４ａ、５４ｂ）がソース／ドレイン領域から絶縁され且つ浮遊ゲートに容量的に結合する。 - 特許庁

After activating the source and drain region 10 by applying annealing to the base 1, the laminated stress film 11 is removed.例文帳に追加

次に、下地１に熱処理を行い前記ソース・ドレイン領域１０を活性化した後、積層した応力膜１１を除去する。 - 特許庁

Therefore, it is possible to improve junction leakage current characteristics by providing a silicide 130 having the uniform junction with the source/drain region.例文帳に追加

よって、ソース／ドレーン領域と均一な接合を有するシリサイド１３０を備えて接合漏れ電流特性を向上させられる。 - 特許庁

An n-type source/drain diffusion layer 15 is formed on the surface of a p-type Si substrate 11 via a channel region 12.例文帳に追加

Ｐ型のＳｉ基板１１表面に、チャネル領域１２を隔ててＮ型のソース／ドレイン拡散層１５が形成されている。 - 特許庁

The entirety can be applied to an element which is functioned as a transistor as a whole, in addition to a source region 54 and a gate electrode 60.例文帳に追加

ソース領域５４とゲート電極６０を加えて、全体としてはトランジスタとして機能する素子に適用することもできる。 - 特許庁

A silicon/germanium region is formed by implanting germanium ions into the source and drain regions of a polycrystalline silicon transistor.例文帳に追加

多結晶シリコントランジスタのソースおよびドレイン領域にゲルマニウムイオンを注入することにより、シリコンゲルマニウム領域を形成する。 - 特許庁

A universal contact 13 is electrically connected to the source region 3 exposed on the bottom surface peripheral portion of the universal contact hole 7.例文帳に追加

ユニバーサルコンタクト１３はユニバーサルコンタクトホール７底面周縁部に露出するソース領域３に電気的に接続されている。 - 特許庁

Ina first region, the gradient of capacitive power to the inductively coupled source [dPCAP/dPRF] is greater than 0.例文帳に追加

第1領域では、誘導性結合した源にかけられる電力に対する容量性電力のグラディエント［∂Ｐ_cap／∂Ｐ_RF］は0より大きい。 - 特許庁

In the semiconductor device, a conductive pattern linking a source region and the resistive element are made of the same materials.例文帳に追加

半導体素子はソース領域を連結する導電パターンと抵抗素子とが同一の物質からなっていることを特徴とする。 - 特許庁

This illumination device is so constituted as to have a light source by which the region to be irradiated of a liquid crystal panel is synchronized with a scanning signal of a display image.例文帳に追加

液晶パネルの被照射領域が表示画像の走査信号に同期する光源を有するように構成する。 - 特許庁

Source-drain regions 108 are each formed in a region located between the side wall insulating film 105 and LOCOS oxide film 104.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域１０８は側壁絶縁膜１０５とＬＯＣＯＳ酸化膜１０４との間の領域に形成されている。 - 特許庁

To provide a lighting system which can form an irradiation region of a long linear shape by a small number of light source modules.例文帳に追加

長い線状の照射範囲を少数の光源モジュールによって形成することができる照明装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a light source device capable of intensively arranging efficiently a plurality of solid light-emitting elements in a limited region.例文帳に追加

限られた領域内に複数の固体発光素子を効率よく集約配置することができる光源装置を提供する。 - 特許庁