「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the light source image projected on the irradiation region below the cut-off line CL centered around the elbow portion becomes thick (wide in width), and the region in which adjoining light source images a, a are overlapped is increased, thereby, color unevenness and luminous intensity unevenness in light distribution are not conspicuous and visibility of front area is improved.例文帳に追加

エルボー部を中心にカットオフラインＣＬ下方の照射領域に投影される光源像は太く（幅広に）なって、隣接光源像ａ，ａ同士の重なる領域が増え、配光における色ムラや光度ムラが目立たず、前方視認性が改善される。 - 特許庁

A plurality of trench regions 12 are provided in a first conductivity type well region 2 provided to a semiconductor substrate 1, and a source electrode 10 is bonded in contact with a second conductivity type source region 6 provided on a substrate surface between the trench regions 12.例文帳に追加

半導体基板１に設けられた第１導電型ウェル領域２に、トレンチ領域１２を複数本設けられており、ソース電極１０は、前記トレンチ領域１２の間の基板表面に設けられた第２導電型ソース領域６とオーミック接合されている。 - 特許庁

In the semiconductor device, a dummy gate is used a mask for forming the source/drain region in a self- alignment manner, and at the same time the gate electrode is formed in self- alignment manner, thus forming the fine element without generating matching deviation between the source/drain region and gate electrode.例文帳に追加

この半導体装置は、ダミーゲートをマスクにして自己整合的にソース／ドレイン領域を形成すると共に自己整合的にゲート電極を形成している為、ソース／ドレイン領域とゲート電極に合わせずれが生じず微細化された素子を形成することができる。 - 特許庁

The chemical sensor includes: a first semiconductor region in which a channel region of a second conductivity type is formed between a drain region of a first conductivity type and a source region of a first conductivity type; and a sensitive membrane formed on the second conductivity type channel region; a sensor element for detecting a target substance in liquid; and a controlling mechanism for controlling and floating the potential of the second conductivity type channel region.例文帳に追加

第１導電型のドレイン領域と第１導電型のソース領域との間に第２導電型のチャネル領域が形成された第１半導体領域と、第２導電型のチャネル領域上に形成された感応膜と、を含み、液体中の被検出物質を検出する感応素子と、第２導電型のチャネル領域の電位を制御し、且つフローティング化する制御機構と、を具備する。 - 特許庁

A source wiring 32 formed of AlSiCu is formed on the interlayer insulating film 28 via the barrier metal film 30, and the source wiring 32 is electrically connected to the source region 27 via the conductor plug 31 and the barrier metal film 30.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜２８上にバリアメタル膜３０を介してＡｌＳｉＣｕからなるソース配線３２が形成され、ソース配線３２は導電体プラグ３１とバリアメタル膜３０とを介してソース領域２７に電気的に接続されている。 - 特許庁

A metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) in a non-volatile memory cell has a source, a drain and a channel region between the source and the drain, and all of them are formed in a substrate of opposite conductivity type to the conductivity type of the source and drain.例文帳に追加

非揮発性メモリセル内の酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）は、ソースと、ドレインと、ソースとドレイン間のチャネル領域とを有し、これら全てがソース及びドレインの導電型と逆導電型の基板内に形成されている。 - 特許庁

Each unit conversion element has a first conversion region M directing light beams incident from the corresponding light source among a plurality of light sources and light beams incident from at least one light source other than the corresponding light source to the specified direction.例文帳に追加

単位変換素子のそれぞれは、複数の光源の内の対応する光源から入射した光線と、対応する光源以外の少なくとも１つの光源から入射した光線とを、所定の方向に向ける第１変換領域Ｍを有する。 - 特許庁

Thus, the percentage of light from a light source reflected on the inner surface of the joint part 20A can be lowered by placing the light source in a region opposite to the projecting and recessed part 23 and causing the light from the light source to enter the projecting and recessed part 23.例文帳に追加

これにより、光源を凹凸部２３との対向領域に置き、光源からの光を凹凸部２３に入射させることにより、光源からの光が接合部２０Ａの内側の表面で反射される割合を低くすることが可能である。 - 特許庁

The P^+ source layer 9 is provided in the center part on the left side of the element formation region 20 so that its end part overlaps a gate insulating film.例文帳に追加

Ｐ^＋ソース層９は、端部がゲート絶縁膜とオーバーラップするように、素子形成領域２０の左側中央部に設けられる。 - 特許庁

It includes adjusting the pass region center frequency of the band-pass filter itself, according to the shift of the rated frequency of the system power source.例文帳に追加

系統電源の定格周波数のずれに応じて、バンドパスフィルタ自体の通過域中心周波数を調整することも含む。 - 特許庁

A branch end 141 extending on the P_- region 11 of the body arranged on the source side is disposed in the gate electrode 14.例文帳に追加

ゲート電極１４において、ソース側に設けられたボディーのＰ^-領域１１上に延在する分岐端部１４１が設けられている。 - 特許庁

A first gate structure 132 is arranged on the first active region 105 between the first and second source/drain regions 150, 152.例文帳に追加

第１及び第２ソース／ドレイン領域１５０、１５２間の第１アクティブ領域１０５上には第１ゲート構造物１３２が配置される。 - 特許庁

The mask for vapor deposition is further provided with a linear reinforcing member 16 added to the invalid region 12 of the vapor deposition source facing surface 15.例文帳に追加

そして、該蒸着源対向面１５の該無効領域１２に付加された線状の補強部材１６を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing storage device which can form with higher accuracy a high impurity concentration region between source and drain.例文帳に追加

ソース・ドレイン間に不純物の高濃度領域を精度良く形成することのできる半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A resist film is patterned by the backside exposure, and an impurity ion is implanted in the active silicon layer 40 to form a source- drain region using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

次に、このレジストパターンをマスクとしてアクティブシリコン層４０に不純物イオンを注入し、ソース・ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

To improve an electrical characteristic when effectively forming a source/drain region with an embedded Si mixed crystal layer, in relation to a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置に関し、ソース・ドレイン領域を実効的に埋込Ｓｉ混晶層で構成する際の電気的特性を向上する - 特許庁

This method is available for preventing formation of a short circuit between the FUSI and a contact to a source and/or drain region.例文帳に追加

この方法は、ＦＵＳＩとソース及び／又はドレイン領域へのコンタクトとの間の短絡形成を防止するのに使用可能である。 - 特許庁

A parallel capacitance element 3 contained in the electric power system 1 is replaced with a equivalent voltage source 9, for region division.例文帳に追加

また、電力系統１に含まれる並列キャパシタンス要素３を等価電圧源９に置き換えることにより、領域分割を行なう。 - 特許庁

On a first surface of the device, respective source regions of the main element and the sub-element are formed while insulated through a separation region.例文帳に追加

本装置の第１の面に、メイン素子及びサブ素子の各ソース領域が、分離領域を介して絶縁されるように形成される。 - 特許庁

To provide a light source device capable of converging light well on a converging region even with one having a large number of light sources.例文帳に追加

光源の数が多い光源装置においても、十分に集光領域に集光させることのできる光源装置を提供する。 - 特許庁

To provide a lighting optical system capable of performing lighting with an effective light source of high uniformity in shape, irrespective of a place for a lighting region.例文帳に追加

照明領域の場所によらず、形状の均一性の高い有効光源で照明可能な照明光学系を提供すること。 - 特許庁

The first and the second light source groups are each independent and moreover are controlled to be lighted for every prescribed divided region 30.例文帳に追加

第１の光源グループと第２の光源グループはそれぞれ独立して、かつ、所定の分割領域３０毎に点灯制御される。 - 特許庁

A second conductive type high concentration impurity layer 170 is formed in an element formation region 110, and functions as a source and drain.例文帳に追加

第２導電型高濃度不純物層１７０は、素子形成領域１１０に形成されており、ソース及びドレインとして機能する。 - 特許庁

To simultaneously suppress a reverse narrow channel effect and junction leak current between a source/drain region and the substrate of a MISFET.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴにおいて、逆狭チャネル効果と、ソース／ドレイン領域と基板との間での接合リーク電流と、を同時に抑制する。 - 特許庁

The trench is then filled with a high conductivity material such as metal that makes contact to both the source and the body region.例文帳に追加

続いてそのトレンチは、ソースおよび基体領域の双方へのコンタクトを形成する金属のような高導電性材料で充填される。 - 特許庁

The main MOS transistor contains a first gate wiring for receiving an external signal, a first source/drain region of a first conductivity type, and a body.例文帳に追加

メインＭＯＳトランジスタは外部信号を受ける第１ゲート配線と、第１導電型の第１ソース／ドレイン領域と、ボディーとを含む。 - 特許庁

The infinitesimal region of the light source 1, whose diameter is 0.1 μm to 100 μm and whose length is 0.1 μm to 10 mm, is a point or linear.例文帳に追加

光源１の微小領域は、径が０.１μｍ〜１００μｍ、長さが０.１μｍ〜１０ｍｍの点状あるいは線状である。 - 特許庁

The first contact part (17') is formed in the first insulation films (16, 21 and 22) and extends from the lower electrode (6) to the source region (13).例文帳に追加

第１コンタクト部（１７’）は、第１絶縁膜（１６、２１、２２）中に形成され、下部電極（６）からソース領域（１３）に延びている。 - 特許庁

Reflected light reflected by the reflector is diffusedly reflected by a diffusible reflecting surface formed in the non-emissive region of the light emitting source.例文帳に追加

反射鏡にて反射された反射光は発光源の非発光領域に形成した拡散反射面によって拡散反射される。 - 特許庁

In the vertical MOS semiconductor device 1, a source region is formed of double diffusion structures 5 and 6 of different impurity concentrations.例文帳に追加

本発明の縦型ＭＯＳ半導体装置１では、ソース領域を不純物濃度の異なる二重拡散構造５、６により形成する。 - 特許庁

To alleviate negative effect of presence of an end-of-range (EOR) region near the desired source/drain junction depth in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の所望のソース／ドレイン接合深さの近傍にある、エンドオブレンジ（ＥＯＲ）領域の存在の、負の影響を低減する。 - 特許庁

A titanium silicide layer is formed on a portion in contact with the data line 6a of a high concentration source region 1d of the TFT element 30.例文帳に追加

ＴＦＴ素子３０の高濃度ソース領域１ｄのうちデータ線６ａと接する部位には、チタンシリサイドの層が形成されている。 - 特許庁

A constant current is injected into the light gain region 3 from a first current source 11 through a p-side electrode 9 and an n-side common electrode 7.例文帳に追加

光利得領域には、p側電極9とn側共通電極7とを介して第1電流源11から定電流が注入される。 - 特許庁

A field insulating film 15 is disposed on the surface of a semiconductor substrate 1, between the gate insulating film 7 and an N+ source region 11s.例文帳に追加

ゲート絶縁膜７とＮ＋ソース領域１１ｓの間の半導体基板１表面にフィールド絶縁膜１５配置されている。 - 特許庁

Regions 57A and 57A' outside the partial transistors A1 and A2 are connected each other to form a drain and an inside region 55A is used as a source.例文帳に追加

部分トランジスタＡ１、Ａ２の外側の領域５７Ａ、５７Ａ’を互いに結線してドレインとし、内側の領域５５Ａはソースとする。 - 特許庁

A region where a source electrode 10 is in contact with a channel layer 7 is formed over the n-type semiconductor layers 21, 2.例文帳に追加

また、このｎ型半導体層２１，２の上の領域には、ソース電極１０とチャネル層７とが接する領域が設けられている。 - 特許庁

The record "Masamoto Ko Tabi Hikitsuke" (the diary of Masamoto KUJO) about his direct rule written at that time is a precious historical source in order to know how a rural region was like in those days. 例文帳に追加

そのとき記した直接支配した際の記録『政基公旅引付』は当時の地方の様子を知る貴重な史料である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A gate region 40 is formed under the gate insulation film 52, and first and second source drain regions 48, 50 are formed on both sides.例文帳に追加

ゲート絶縁膜５２の下にゲート領域４０を形成し、その両側に第１および第２ソースドレイン領域４８，５０を形成する。 - 特許庁

To effectively reduce resistance between a source region and a substrate without increasing an element size in a transistor having substrate connection parts.例文帳に追加

基板接続部を有するトランジスタにおいて、素子サイズを大きくせずにソース領域と基板との間の抵抗を効果的に低減する。 - 特許庁

Then a p-type impurity region is formed by implanting ions into a source cell SC1, by using the gate electrodes 142a-142c as masks.例文帳に追加

その後、それらゲート電極をマスクとしてソースセルＳＣ１に対してイオン注入を行って、Ｐ型の不純物領域を形成する。 - 特許庁

A light control element 101b limits the visually recognizable region of the images formed by the light emitted by a light source array 101a.例文帳に追加

光源アレイ１０１ａにより発せられた光から構成される画像の視認領域を光線制御素子１０１ｂが制限する。 - 特許庁

As a result, a drain layer 5 is formed so as to be positioned from under the tunnel film 7 region nearer to a source layer 6 side than the tunnel film 7.例文帳に追加

これにより、トンネル膜７の下からトンネル膜７よりもソース層６側にかけて位置するようにドレイン層５を形成する。 - 特許庁

The linking signals for the respective sound receivers are separated to the signal in the time region in the frequency bin for each sound source.例文帳に追加

そして、各受音装置に対する連結信号を、各音源に対する当該周波数ビンにおける時間領域の信号に分離する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has small parasitic resistance of a source/drain region, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、ソース／ドレイン領域の寄生抵抗の小さい半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Also, in the case of a silicon carbide MESFET, the similar effect is obtained, if the p-type region is provided on a source electrode side.例文帳に追加

なお、炭化シリコンＭＥＳＦＥＴの場合には、ソース電極側にｐ形領域を設ければ、上記と同様の効果が得られる。 - 特許庁