「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

Furthermore, a metal film is formed on the semiconductor thin film 5, with an interlayer insulation film interposed in between to block the source region side and drain region side, and the metal film is patterned to make wirings 8D, 8S and 8Z so that the channel region does not become blocked.例文帳に追加

更に、半導体薄膜５の上に層間絶縁膜を介して金属膜を成膜し、ソース領域側及びドレイン領域側を遮閉する一方、チャネル領域を遮閉しない様に金属膜をパタニングして配線８Ｄ，８Ｓ，８Ｚに加工する。 - 特許庁

A compressive stress is applied to a channel region of a PFET by a structure including an independent stress-producing dielectric element that entirely underlies the bottom surface of an active semiconductor region in which a source, a drain and a channel region of the PFET are disposed.例文帳に追加

ＰＦＥＴのソース、ドレイン、及びチャネル領域が配置される活性半導体領域の底面の下全面に存在する独立した応力を発生する誘電体エレメントを含む構造体によって、圧縮応力がＰＦＥＴのチャネル領域に加えられる。 - 特許庁

An n--type drift layer and a p-type base region are laminated on an n+-type silicon carbide substrate, an n+-type source region is formed in a prescribed area in a surface layer part within a base region, and a gate trench is formed by a trench groove reaching the drift layer.例文帳に追加

本発明は、n+型炭化珪素基板上に、n-型ドリフト層とp型ベース領域を積層すると共に、ベース領域内の表層部における所定領域にn^+型ソース領域を形成し、かつ、前記ドリフト層に達するトレンチ溝によりゲートトレンチを形成する。 - 特許庁

Thus, the first image can be visually recognized in the regular reflected light region, the first printing layer can be visually recognized in the first diffused reflected light region, and the second image can be visually recognized in the second diffused reflected light region respectively according to the positional relationship of a light source, printed matter and an observer.例文帳に追加

光源、印刷物及び観察者の位置関係によって、正反射光領域で第一の画像が視認され、第一の拡散反射光領域で第一の印刷層が視認され、第二の拡散反射光領域で第二の画像が視認される。 - 特許庁

While in the semiconductor element 1, the region between the drain electrode 11 and the source electrode 12 is conductive by generating electrons 20 and holes in the depletion region 17 under the condition that the depletion region 17 is irradiated with light having larger energy than a bandgap in the electronic transit layer 14.例文帳に追加

一方、半導体素子１は、電子走行層１４のバンドギャップよりも大きなエネルギを持つ光を空乏領域１７に受けた状態で、空乏領域１７に電子２０と正孔とが生成されることでドレイン電極１１・ソース電極１２間が導通する。 - 特許庁

The source region 8 and the drain region 7 are formed in the semiconductor layer 2 to interpose the gate electrode 5, and the body region 9 taking body potential is arranged on a side surface of the semiconductor layer 2 on the side opposite to the side surface thereof with the gate electrode 5 formed thereon.例文帳に追加

ソース領域８及びドレイン領域７は、ゲート電極５を挟むように半導体層２内に形成され、ボディ電位を取るボディ領域９は、ゲート電極５が形成された半導体層２の側面の反対側の側面に設けられている。 - 特許庁

A picture conversion server 20 performs picture tone conversion on the image region surrounded with the window image in the source image, pastes an image of the image region on which picture tone conversion has been performed, to the image region surrounded with the window image and sends a resultant image to the user terminal 10.例文帳に追加

絵画変換サーバ２０は原画像中でウインドウ画像によって囲まれた画像領域を画調変換し、画調変換された画像領域の画像を、ウインドウ画像によって囲まれた画像領域に貼り付けてユーザ端末１０へ送出する。 - 特許庁

A predetermined region of plate glass 11 is irradiated with inspection light from a light source and the diffused and reflected light from the predetermined region is received by a line CCD camera 13 arranged at a position shifted from the optical axis Lr of the regularly reflected light from the predetermined region.例文帳に追加

光源１２から板ガラス１１の所定の領域に検査光が照射され、その所定の領域からの拡散反射光は、前記所定の領域からの正反射光の光軸Ｌｒから外れた位置に配設されたラインＣＣＤカメラ１３で受光される。 - 特許庁

Also, arsenic, etc. are selectively ion-injected into the p-well region 23 from the inclined direction of the longitudinal direction of the trench 25 which is inclined at an angle not smaller than 10° and not larger than 30°, relative to the direction vertical to the surface of a substrate to form an n^+-source region by activating the p-well region 23.例文帳に追加

基板表面の鉛直方向に対してトレンチ２５の長手方向に１０度以上３０度以下の角度で傾く斜め方向からｐウェル領域２３に選択的に砒素等をイオン注入し、活性化させてｎ^+ソース領域を形成する。 - 特許庁

A MOS thyristor 100 comprises a p+ type anode layer (first semiconductor layer) 10, an n- type base region (second semiconductor layer) 14, a p+ type base region (third semiconductor layer) 16, and an n+ type impurity diffused layer (fourth semiconductor layer) 18 functioning as a source region.例文帳に追加

ＭＯＳサイリスタ１００は、ｐ^+型アノード層（第１半導体層）１０、ｎ^-型ベース領域（第２半導体層）１４、ｐ^-型ベース領域（第３半導体層）１６、およびソース領域として機能するｎ^+型不純物拡散層（第４半導体層）１８を有する。 - 特許庁

In a semiconductor device, a first conductivity source region 301 and a drain region 401, a second conductivity channel region 501, and gate electrode regions 201 and 202 coexist in a plane 101 parallel to the surface of a single crystal semiconductor substrate.例文帳に追加

この半導体装置では、第１導電型のソース領域３０１およびドレイン領域４０１と、第２導電型のチャネル領域５０１と、ゲート電極領域２０１,２０２とが、単結晶半導体基板の表面に平行な面１０１内に並存している。 - 特許庁

In a transistor used as a MOS capacitative element, impurities having mutually opposite polarities are added to two impurity regions existent with a channel formation region in between, which are used as a source region or a drain region.例文帳に追加

本発明は、ＭＯＳ容量素子として用いるトランジスタにおいて、チャネル形成領域を間に挟んで存在する２つの不純物領域に、互いに極性の異なる不純物を添加し、ソース領域またはドレイン領域として用いることを特徴とする。 - 特許庁

A gate electrode 21 is provided on the well region 19 between a first conductivity type source region 17 formed of a second group III nitride system semiconductor and a first conductivity type drift region 15 formed of a first group III nitride system semiconductor.例文帳に追加

ゲート電極２１は、第２のIII族窒化物系半導体から成る第１導電型のソース領域１７と第１のIII族窒化物系半導体から成る第１導電型のドリフト領域１５との間に設けられたウエル領域１９上に設けられている。 - 特許庁

The field-effect transistor can have a semiconductor substrate surface prevented from being made amorphous in a region where a heavily-doped impurity is ion-implanted even in such a case by providing a buffer film 41 over parts constituting the source region and drain region.例文帳に追加

本発明の電界効果型トランジスタは、ソース領域およびドレイン領域を構成する部分の上部に緩衝膜を設けることで、高濃度不純物のイオン注入を行っても、この領域の半導体基板表面がアモルファス化することを防ぐことができる。 - 特許庁

The region defined by the arrangement of the reflecting members, that is, the region where the beams reflected by the reflecting members becomes the objective region of the sound collection, by entering beams from a laser beam source into reflecting members to cause a plurality of reflections.例文帳に追加

レーザ光源などからの光を反射部材に入射し、複数回の反射を起こさせることにより、反射部材の配置により規定される領域、即ち、反射部材により反射された光が伝搬している領域が、音収集の対象領域となる。 - 特許庁

The heat removal roller 31 is abutted to the paper non passing region which is a region outside the paper passing region of an A5 size paper which is the minimum size paper in the width direction among the regions on the surface of the pressurizing roller 21 corresponding to a halogen lamp 15a for A4 size width heating which is a heat source.例文帳に追加

除熱ローラ３１は、熱源であるＡ４サイズ幅加熱用ハロゲンランプ１５ａに対応する加圧ローラ２１表面の領域のうち、最小サイズ用紙であるＡ５サイズ用紙の通紙域の幅方向外側の領域である非通紙域に当接する。 - 特許庁

A second wirable region 21 is arranged in a direction orthogonal to the first wirable region 20, and a second power source wire 32 at a layer the same to a layer at which the first power wire 31 is wired is arranged at the second wirable region 21.例文帳に追加

基本単位ブロック１２−１の上には、第１の配線可能領域２０と直交方向に第２の配線可能領域２１が設けられ、この第２の配線可能領域２１に第１の電源配線３１と同層の第２の電源配線３２が設けられている。 - 特許庁

A field effect transistor includes an N^+ type SiC substrate 2 and an N^- type drain region 1 which are first conductive type semiconductor substrates, and on a first main surface side of the N^+ type SiC substrate 2, a P-type well region 3, an N^+ type source region 5, and a gate electrode 7.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、第一導電型の半導体基体であるＮ^+型ＳｉＣ基板２及びＮ^-型ドレイン領域１と、Ｎ^+型ＳｉＣ基板２の第一主面側に、Ｐ型ウエル領域３とＮ^+型ソース領域５とゲート電極７とを有する。 - 特許庁

In a state of the shutter mechanism 14 opened, the region to be irradiated is irradiated with the light supplied directly to the region to be irradiated from the light source lamp 10 and light reflected on the reflecting plate 12 to be supplied to the region to be irradiated.例文帳に追加

シャッタ機構１４が開いた状態では、光源ランプ１０から直接被照射領域に供給される光と、光源ランプ１０から反射板１２に反射して被照射領域に供給される光とにより、被照射領域が照射される。 - 特許庁

In the manufacturing method of the TFT LCD pixel unit, in addition to formation of a first insulating layer (gate insulating layer) and a passivation layer, a second insulating layer is adopted to cover a gate island and an opening part is formed such that a channel region, a source region and a drain region of the TFT are exposed on the gate island.例文帳に追加

第一の絶縁層（ゲート絶縁層）及びパッシベーション層を形成する事に加えて、第二の絶縁層でゲート・アイランドが覆われ、ゲート・アイランド上にＴＦＴのチャネル領域、ソース領域、ドレイン領域が露出されるように開口部を形成する。 - 特許庁

Here, inside the element region EA, a region CA where neither a diffused layer of the source diffused layer nor the drain diffused layer is formed is provided as a contact region of a gate electrode layer composed of polycrystal silicon and a gate wiring EG composed of aluminium.例文帳に追加

ここで、素子領域ＥＡの内側には、それらソース拡散層およびドレイン拡散層のいずれの拡散層も形成されない領域ＣＡが、多結晶シリコンからなるゲート電極層とアルミニウムからなるゲート配線ＥＧとのコンタクト領域として設けられる。 - 特許庁

The thin film transistor 14 has, on a translucent substrate 1, a gate insulating film 4 and a gate electrode 6 laminated on a semiconductor layer 3 of polycrystalline silicon, and a source region 8, a drain region 9, and a channel region 10 of the semiconductor layer 3.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１４は、透光性基板１上において、多結晶シリコンの半導体層３上に積層するゲート絶縁膜４およびゲート電極６、及び、上記半導体層３のソース領域８、ドレイン領域９およびチャネル領域１０を有する。 - 特許庁

In the light source 64, the linear side is disposed obliquely with respect to the optical axis so that the plurality of first reflection parts 66 and the plurality of second reflection parts 68 are positioned in a region with a larger area between the left side region and the right side region.例文帳に追加

光源６４は、複数の第１反射部６６および複数の第２反射部６８が、左側の領域および右側の領域のうち面積の大きい領域に位置するように、直線状の一辺が光軸に対して斜めに配置されている。 - 特許庁

A photoresist film 80 is formed on semiconductor substrates 10, 20 and patterned, in order to expose a source line region 85 in a flash memory array region 90 and a polysilicon film region 40 in CMOS circuit regions 100, 110.例文帳に追加

半導体基板１０、２０上にホトレジスト膜８０を形成し、フラッシュ・メモリ・アレイ領域９０内のソース線領域８５及びＣＭＯＳ回路領域１００、１１０内の多結晶シリコン膜領域４０を露出するためにホトレジスト層８０にパターニングを施す。 - 特許庁

A VSS power source line extended from a VSS terminal is branched in the middle, a branched first VSS power source line SL1 is extended clockwise along a display region 10 on an insulation substrate 1 and another branched second VSS power source line SL2 is extended counter-clockwise along the display region 10 on the insulation substrate 1.例文帳に追加

ＶＳＳ端子から延びたＶＳＳ電源線を途中で分岐させ、分岐した第１のＶＳＳ電源線ＳＬ１は絶縁基板１上を表示領域１０に沿って時計回りに延在させ、分岐したもう１本の第２のＶＳＳ電源線ＳＬ２は、絶縁基板１上を表示領域１０に沿って反時計回りに延在させる。 - 特許庁

The electronic equipment includes a heat source; a container for storing the heat source in the inside and having a radiating and transmitting region for transmitting radiation from the heat source; a casing for storing the container and having an opening exposing the radiating and transmitting region to the outside; and a sensor for detecting the radiation emitted from the opening and reflected by the outside obstruction.例文帳に追加

熱源と、熱源を内部に収容しかつ前記熱源からの輻射を透過させる輻射透過領域を有する容器と、容器を収容しかつ輻射透過領域を外部に露出させる開口を有する筐体と、開口から放出され外部の障害物により反射された輻射を検出するセンサとを備える電子機器である。 - 特許庁

The MTF measurement device projects a chart image on an imaging element 100 of an MTF measurement object by irradiating a chart 1 having a light nontransparent region with light from a light source 2 (chart image formed by shielding light from the light source with the light nontransparent region and transmitting light from the light source through transmitting regions around them).例文帳に追加

光非透過領域を有するチャート１に光源２から光を照射することにより、ＭＴＦの測定対象である撮像素子１００にチャート像（光非透過領域により光源からの光が遮断されるとともにその周囲の光透過領域により光源からの光が透過することによって形成されるチャート像）を投影させる。 - 特許庁

An element region EA is zoned in a lattice shape, and also to each region zoned in the lattice shape, a source cell SC forming the source diffused layer and a drain cell DC forming the drain diffused layer are allocated with regard to a column and a row of the same lattice alternately, respectively.例文帳に追加

素子領域ＥＡが格子状に区画されるとともに、それら格子状に区画された各領域には、同格子の縦列および横列についてそれぞれ交互に、ソース拡散層が形成されるソースセルＳＣとドレイン拡散層が形成されるドレインセルＤＣとが割り当てられる。 - 特許庁

Among respective memory cells 10, with respect to the memory cell 10 to be a data writing object of a first logic level, a high-voltage source voltage is applied to a source region thereof and a low voltage is applied to a drain region thereof so that a write current flows in the memory cell 10.例文帳に追加

メモリセル１０各々の内で第１論理レベルのデータ書き込み対象となるメモリセル１０に対しては、そのソース領域に高電圧のソース電圧を印加すると共に、そのドレイン領域には低電圧を印加することによりこのメモリセル１０内に書込電流を流す。 - 特許庁

The semiconductor device contains a second conductivity-type first transistor formed in a substrate 6 comprising first conductivity-type impurities, and a second conductivity type second transistor which is formed in the substrate 6 and in which a source region is used in common with the source region Sc for the first transistor.例文帳に追加

半導体装置は、第１導電型の不純物を含む基板６内に形成された第２導電型の第１のトランジスタと、基板６内に形成されそのソース領域が前記第１のトランジスタのソース領域Ｓｃと共用される第２導電型の第２のトランジスタとを含む。 - 特許庁

A region determining part 12 determines whether the region of the subject M is a foot or not for a point source 4 disposed outside the subject M based on the information on the form (absorption correction data) obtained by gamma rays which are emitted from the point source 4 and which transmit the subject M.例文帳に追加

被検体Ｍの外部にある点線源４について、その点線源４から照射されて被検体Ｍを透過したγ線により求められた形態情報（吸収補正データ）に基づいて、部位判定部１２は被検体Ｍの部位を足部である・足部でないと判定する。 - 特許庁

The source and drain regions of a memory cell transistor are formed on a semiconductor substrate, and after the gate electrode structure of the memory cell transistor and a selection transistor are formed on the semiconductor substrate, the source region of the selection transistor is formed to partially overlap the drain region of the memory cell transistor.例文帳に追加

半導体基板にメモリセルトランジスタのソース及びドレイン領域を形成し、半導体基板上にメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタのゲート電極構造を形成した後に、メモリセルトランジスタのドレイン領域と部分的に重ねて選択トランジスタのソース領域を形成する。 - 特許庁

This optoelectronic device is provided with a pixel electrode (9a) and a TFT(thin film transistor) (30), which is connected to the pixel electrode and a source lead electrode and a drain lead electrode which are electrically connected respectively to the source region and the drain region of the TFT on a TFT array substrate (10).例文帳に追加

電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦＴ（３０）と、ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域に夫々電気的に接続されたソース引き出し電極及びドレイン引き出し電極とを備える。 - 特許庁

A conductive film 112 as a pixel electrode is formed (Fig. (C)) and subjected to patterning operation using the same photomask to form a pixel electrode 119, source wiring 117, a drain electrode 118, a source region 115, a drain region 116 and an amorphous semiconductor film 114 for channel formation (Fig. (D)).例文帳に追加

画素電極となる導電膜１１２を形成し（図（Ｃ））、同一のフォトマスクにてパターニングすることにより、画素電極１１９、ソース配線１１７及びドレイン電極１１８、ソース領域１１５及びドレイン領域１１６、チャネルが形成される非晶質半導体膜１１４を形成する（図（Ｄ））。 - 特許庁

The oxide semiconductor film 40 and a gate electrode 20 are formed holding a gate insulating film 30 therebetween on a substrate 10, and a source region 42 and a drain region 43 to be electrically connected with a source electrode 62 and a drain electrode 63, respectively, are formed on the oxide semiconductor film 40.例文帳に追加

基板１０上に、ゲート絶縁膜３０を挟んで酸化物半導体膜４０とゲート電極２０を形成し、酸化物半導体膜４０に、ソース電極６２およびドレイン電極６３とそれぞれ電気的に接続されるソース領域４２およびドレイン領域４３を形成する。 - 特許庁

A first layer metal interconnection 49, a second layer metal interconnetion 50, and a third layer metal interconnection 52 are laminated on the upper surface of the source/drain heavily-doped region 48, and neither a contact hole nor a via hole is used for the connection from the source/drain heavily-doped region 48 to the third metal interconnection.例文帳に追加

ソース・ドレイン高濃度領域４８の上表面には第１層目の金属配線４９と第２層目の金属配線５０と第３層目の金属配線５２が積層され、ソース・ドレイン高濃度領域４８から第３金属配線までの接続にコンタクトホールやビアホールなどを利用していない。 - 特許庁

A conductive film 118 formed as a pixel electrode is formed (Fig. (C)) and subjected to patterning operation using the same photomask to form a pixel electrode 127, source wiring 125, a drain electrode 126, a source region 123, a drain region 124 and an amorphous semiconductor film 122 for channel formation (Fig. (D)).例文帳に追加

画素電極となる導電膜１１８を形成し（図（Ｃ））、同一のフォトマスクにてパターニングすることにより、画素電極１２７、ソース配線１２５及びドレイン電極１２６、ソース領域１２３及びドレイン領域１２４、チャネルが形成される非晶質半導体膜１２２を形成する（図（Ｄ））。 - 特許庁

The land 6 is equipped with an electronic part mounting region 9 where a light source part 5 is arranged, and openings 13 which regulate the mounting position of the light source part 5 on the land 6, are provided on the land 6 avoiding the electronic part mounting region 9 but close to it.例文帳に追加

ランド６は光源部品５が配置される電子部品搭載領域９を有し、ランド６における電子部品搭載領域９を除く部分であって電子部品搭載領域９の近傍に、ランド６上において光源部品５の搭載位置を規制する開口１３を形成した。 - 特許庁

The hair growth-stimulating device using light includes: a light source part having the plurality of light sources and irradiating the skin with near infrared light; a control unit for controlling lighting of the light sources in the light source part; and an irradiation region determining means for determining a region to be irradiated with near infrared light.例文帳に追加

本発明の光育毛器は、複数の光源を有し、皮膚に対して近赤外光を照射する光源部と、上記光源部における光源の点灯を制御する制御部と、上記近赤外光を照射すべき部位を判断する照射部位判断手段と、を備える。 - 特許庁

The field effect transistor 2 has a first and a second source/drain region 28 arranged on either side face of a gate electrode 4 with a channel region 26 formed in the interior of a semiconductor substrate 24 in a position interposed between the first and second source/drain regions 28 directly under the gate electrode 4.例文帳に追加

電界効果トランジスタ２は、ゲート電極４のいずれかの側面に配置された第１および第２ソース／ドレイン領域２８を備え、第１および第２ソース／ドレイン領域２８に挟まれた、ゲート電極４の直下に位置する半導体基板２４内に、チャネル領域２６が形成される。 - 特許庁

When the voltage is impressed on the high dielectric constant insulating region 5 as the anode voltage is impressed, dielectric polarization is brought about, thereby electrons existing at the cathode substrate 1 and the electron emission source 2 are attracted to the tip part 2a of the electron emission source 2 that contacts the high dielectric constant insulating region 5.例文帳に追加

アノード電圧が印加されることにより高誘電率絶縁領域５に電圧が印加されると、誘電分極が起こるため、陰極基板１および電子放出源２に存する電子が高誘電率絶縁領域５に接している電子放出源２の尖端部２ａに引き寄せられる。 - 特許庁

Out of the white light incident on the transparent substrate 11 side from a light source, only the light in the specified wavelength region determined by the magnitude of voltage applied between the transparent electrodes 16, 17 is selectively reflected and the light outside the specified wavelength region is returned to the light source side.例文帳に追加

光源から透明基板１１側に入射された白色光は、透明電極１６，１７に印加される電圧の大きさにより指定された特定波長域の光のみが選択的に反射され特定波長域の光以外の光は光源側に戻される。 - 特許庁

The semiconductor device includes the FIN-shaped semiconductor 10 having a source region at one side and a drain region at the other side, and a gate electrode 17 formed to surround the FIN-shaped semiconductor 10 via a gate insulation film between the source and drain regions.例文帳に追加

本発明は、一方にソース領域、他方にドレイン領域が形成されたＦＩＮ状の半導体部１０と、ソース領域とドレイン領域との間で、ＦＩＮ状の半導体部１０をゲート絶縁膜を介して囲むように形成されたゲート電極１７とを備える半導体装置である。 - 特許庁

The selector gate switch transistor includes a gate insulation film formed on a semiconductor substrate, a gate electrode formed on the gate insulation film, and a first source/drain region and a second source/drain region provided in the semiconductor substrate so as to sandwich the gate electrode.例文帳に追加

そして、この選択ゲートスイッチトランジスタが、半導体基板上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極と、半導体基板中に、ゲート電極を挟むように設けられる第１のソース・ドレイン領域と第２のソース・ドレイン領域とを備えている。 - 特許庁

The source terminals 4a, 4b are connected with the source electrodes 13a, 13b, extending on the surface of the semiconductor chip 2 and disposed evenly, in a region other than gate electrode 14a, 14b formation region on the surface of the semiconductor chip 2 via the bump electrode 16.例文帳に追加

ソース端子４ａ，４ｂは、半導体チップ２の表面上に延在し、半導体チップ２の表面のゲート用電極１４ａ，１４ｂ形成領域以外の領域にまんべんなく配置されたソース用電極１３ａ，１３ｂとバンプ電極１６を介して接続されている。 - 特許庁