「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

Two or more different impurity concentration regions are simultaneously formed by forming a source-drain diffused layer of the MOS transistor of a region for introducing an impurity and a region for not introducing the impurity.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタのソース・ドレイン拡散層を不純物を導入する領域と導入しない領域により、２つ以上の異なる不純物濃度の領域を同時に形成することを特徴とする。 - 特許庁

The nitride layer or the like used as a mask is removed by etching, conductive material layers 117 and 116 are deposited on the residual part of the gate polysilicon layer 112, the source region 106, and the emitter region 114.例文帳に追加

マスクとした窒化物層等を、エッチングにより除去し、導電材層１１７，１１６を、残りのゲートポリシリコン層１１２上及びソース領域１０６及びエミッタ領域１１４上に堆積させる。 - 特許庁

A nickel layer 17 is formed on a group III-V compound semiconductor layer 4, and by heating them using RTA treatment, a source region 5 and a drain region 6 composed of a nickel group III-V alloy (Ni-In_xGa_1-xAs_yP_1-y alloy) are formed.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体層４上にニッケル層17を形成し、RTA処理により加熱することで、ニッケルIII−Ｖ族合金（Ni-In_xGa_1-xAs_yP_1-y合金）からなるソース領域５及びドレイン領域６が形成される。 - 特許庁

To provide a backlight unit in which uniformity of luminance in a whole display region is improved, a light source technology such as region luminance control is embodied, and a slim device is attained, and a display.例文帳に追加

全体ディスプレイ領域で輝度の均一性を向上させ、領域輝度制御のような光源技術を具現し、装置のスリム化を実現するバックライトユニット及びディスプレイ装置を提供することができる。 - 特許庁

An MOSFET 2 comprises a source region 12, a drain region 13, and a base electrode 20, which acts as a gate electrode and is formed through a gate insulating film 16, on a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ２は半導体基板１１に形成されたソース領域１２、ドレイン領域１３、ゲート絶縁膜１６を介して形成されたゲート電極としての下地電極２０により構成されている。 - 特許庁

A p-type body region 3 and a gate electrode 5 have a p-type body region protrusion 3a and a gate electrode protrusion 5a protruding partially in the longitudinal direction of a gate on a source side.例文帳に追加

Ｐ型ボディ領域３及びゲート電極５はソース側において、ゲート長方向に一部突出したＰ型ボディ領域突出部３ａ及びゲート電極突出部５ａを有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can raise the Vth at the lower portion of a fin and can constrain leak current by a sub-channel between the source region and the drain region, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

フィン下部でのＶthの上昇が得られると共に、サブチャネルによるソース領域とドレイン領域との間のリーク電流を抑えることを可能とした半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device such that, when a self-align contact is formed, a contact never comes into contact with parts where silicide is not formed in an extension region and a source drain region.例文帳に追加

セルフアラインコンタクトを形成する際に、エクステンション領域及びソースドレイン領域におけるシリサイド化されていない部分とコンタクトとが接触することがない半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

Consequently, the offset region is reduced on the source region side of the vertical MOS semiconductor device 1 where the forming position of the upper end face of the gate electrode is varied and an increase in on-resistance can be suppressed.例文帳に追加

その結果、縦型ＭＯＳ半導体装置１では、ゲート電極の上端面の形成位置がばらつくソース領域側において、オフセット領域を低減し、ＯＮ抵抗値の増大を抑制できる。 - 特許庁

To prevent occurrence of data corruption even if data transfer is performed using a burst transfer function when a transfer source region and a transfer destination region for data overlap each other.例文帳に追加

データの転送元領域と転送先領域とが重なった場合において、バースト転送機能を用いて転送を行った場合であっても、データ破壊の発生を防止することを目的とする。 - 特許庁

Thus, the ring shaped gate electrode 15 can prevent the entry of light that leaks from a wiring layer 20 due to scattering, diffraction or the like, into a source adjacent region 17 as an electric charge storage region.例文帳に追加

これにより、配線層２０での散乱、回折などで漏れた光が電荷蓄積領域であるソース近傍領域１７に入射することを、リング状ゲート電極１５で防止することができる。 - 特許庁

On the semiconductor film 109a, source-drain regions 109b and 109c are formed through the introduction of impurities, and a region where no impurities are introduced is served as a channel region 109d.例文帳に追加

半導体膜１０９ａには不純物の導入によってソース・ドレイン領域１０９ｂ、１０９ｃが形成され、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域１０９ｄとなっている。 - 特許庁

For a range of impurity concentration in the impurity region, impurity addition is made within a concentration range so that the source and drain regions and the impurity region can form a pn junction diode.例文帳に追加

そして、不純物領域の不純物濃度の範囲は、ソース領域及びドレイン領域と、不純物領域と、がＰＮ接合ダイオードを形成できる濃度範囲で添加されているものとする。 - 特許庁

Further, disposed are a plurality of programming gates 9 which are formed on the laminated layer film 8 and isolated each other from the control gate 7 in a direction forward to the drain region 3 from the source region 2.例文帳に追加

また、積層膜８上であって、ソース領域２からドレイン領域３の方向に向かって、制御ゲート７と離間形成され、かつ互いに離間形成された複数のプログラミングゲート９とを備える。 - 特許庁

Offsets are arranged by forming LOCOS regions 9 between the ends of an electrode of the gate G and a first diffusion region 8 to be the source/drain region.例文帳に追加

ゲートＧの電極端とソース／ドレインとなる第１の拡散領域８の間に、酸化領域であるＬＯＣＯＳ領域９を形成して、ゲート領域Ｇとソース／ドレインとの間にオフセットを設ける。 - 特許庁

Therefore, a surge voltage ΔV_DS is restrained from occurring between the drain region (a first semiconductor layer 20) and the source region (a third semiconductor layer 70) when the semiconductor device is switched off.例文帳に追加

したがって、半導体装置１がオフするときにドレイン領域（第１の半導体層２０）とソース領域（第３の半導体層７０）間に発生するサージ電圧ΔＶ_ＤＳの発生を抑制する。 - 特許庁

A first interconnection layer 194 is formed on the silicide layer, and a first runner 196 to be connected with the source region and a second runner 198 to be connected with the drain region are arranged.例文帳に追加

第１の相互接続層１９４が、珪化物層上に形成されており、ソース領域に接続される第１のランナー１９６と、ドレイン領域に接続される第２のランナー１９８とが配置される。 - 特許庁

A first insulating layer, a semiconductor layer, and an ohmic contact layer formed on a source region and on a drain region of the semiconductor layer and exposing a channel are successively formed on a gate line and a gate electrode.例文帳に追加

ゲートラインとゲート電極に第一の絶縁層と、半導体層と、半導体層のソース領域とドレイン領域に形成され、チャネルを露出させるオーミック接触層と、が順次形成される。 - 特許庁

Thereafter, the silicide process (including at least a kind of Ni, Ti, Co, Pd, Pt, and Er) is conducted to each gate electrode, source region and drain region of the n-channel MISFET and p-channel MISFET.例文帳に追加

その後、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴおよびＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴの各ゲート電極、ソース領域およびドレイン領域にシリサイド化（Ni,Ti,Co,Pd,Pt,Erのうち少なくとも一種類を含む）を行う。 - 特許庁

A source-drain diffusion region 4 and a channel region 3 are formed on a polysilicon thin film formed on a substrate 1 such as a glass, and a gate electrode 6 is further formed via a gate insulating film 5.例文帳に追加

ガラス等の基板１上に形成されたポリシリコン薄膜にソースドレイン拡散層４とチャネル領域３が形成され、更に、ゲート絶縁膜５を介してゲート電極６が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device 10 is provided with the p-type partial region 52 consisting of a nitride gallium-based semiconductor containing a p-type impurity, and the source region 54 consisting of a nitride gallium-based semiconductor containing an n-type impurity.例文帳に追加

半導体装置１０は、ｐ型の不純物を含む窒化ガリウム系半導体のｐ型部分領域５２とｎ型の不純物を含む窒化ガリウム系半導体のソース領域５４を備えている。 - 特許庁

To provide a novel phosphor which gives an emission spectrum in the green color region by excitation using an excitation source in the ultraviolet region, has high emission efficiency, and is excellent in light resistance and life characteristics.例文帳に追加

紫外線領域の励起源を用い、蛍光体を励起して緑色領域に発光スペクトルを有する発光効率が高く、耐光性やライフ特性にも優れた新規蛍光体の提供。 - 特許庁

The semiconductor device has a plurality of trenches formed in stripes in a source-drain direction and also has a channel region formed on side surfaces of the trench, the bottom surface, and an upper surface of a region sandwiched between the trenches.例文帳に追加

ソースドレイン方向に複数のトレンチをストライプ状に形成し、そのトレンチの側面および底面ならびにトレンチに挟まれた領域の上面にチャネル領域を形成する半導体装置とする。 - 特許庁

In addition, the transistor is also provided with at least a part of region in the lower side of the source/drain electrodes 70, for example, a type-n impurity region 90 formed on the barrier layer 50, spacer layer 40, and channel layer 30.例文帳に追加

そして、ソース／ドレイン電極７０下側の少なくとも一部の領域、例えば、バリア層５０、スペーサ層４０、チャネル層３０のに形成されるｎ型不純物領域９０を備える。 - 特許庁

A second radiation source is arranged so as to emit radiation to a second region of the insulating layer and a second electric contact is arranged so as to apply a second bias voltage to the second region.例文帳に追加

第２の放射線源は、絶縁層の第２の領域へ放射線を放出するように構成され、且つ、第２の電気接点は、第２の領域へ第２のバイアス電圧を印加するように構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which resistance of a source region and a drain region of a thin film transistor is reduced and a short channel effect is suppressed and an S value is reduced, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

薄膜トランジスタのソース領域およびドレイン領域の低抵抗化、および短チャネル効果を抑制しＳ値を低減した半導体装置およびその作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To realize a fine MOS transistor wherein a thin gate oxide film is arranged, metal is used as gate material, a source/drain region is formed by self alignment, a channel region is shallow and a gate length is at most 0.5 μm.例文帳に追加

薄いゲート酸化膜を有し、金属をゲート材料とし、セルファラインでソース／ドレイン領域が形成された、浅いチャネル領域の、０．５μｍ以下のゲート長を持つ微細なＭＯＳトランジスタを実現する。 - 特許庁

An bearing calculating means 102 calculates a point of view and the bearing of a light source corresponding to the model surface in the region from a plurality of projection coordinate system vectors and a normal corresponding to the model plane in the region.例文帳に追加

方位算出手段１０２が、複数の投影座標系ベクトル及び領域のモデル平面に対する法線から、領域でのモデル表面に対する視点及び光源の方位を算出する。 - 特許庁

A metal gate electrode G is formed via an insulating layer, in a region between the source/drain regions SD1 and SD2 on the surface of the substrate region SS, and an FET (field effect transistor) element part F11 is formed.例文帳に追加

サブストレート領域ＳＳ表面のソース／ドレイン領域ＳＤ１及びＳＤ２の間の領域に絶縁層を介して金属ゲート電極Ｇを形成して、ＦＥＴ素子部Ｆ１１とする。 - 特許庁

After that, in each gate electrode, source region, and drain region of N-channel type MISFET and P-channel type MISFET, silicidation (at least one of Ni, Ti, Co, Pd, Pt, and Er is included) is performed.例文帳に追加

その後、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴおよびＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴの各ゲート電極、ソース領域およびドレイン領域にシリサイド化（Ni,Ti,Co,Pd,Pt,Erのうち少なくとも一種類を含む）を行う。 - 特許庁

The parasitic transistor is removed in a place in contact with the element separating region as the part not covered with the gate electrode 10, in the source 12 and drain 13 respectively formed in the element forming region.例文帳に追加

素子形成領域にそれぞれ形成したソース１２およびドレイン１３における、ゲート電極１０に覆われない部分であって、かつ素子分離領域に接する寄生トランジスタ部分が除去されている。 - 特許庁

A source/drain region is adjacent to the channel and includes a group-IV region formed of a doped group-IV semiconductor material selected from the group consisting essentially of silicon, germanium, and combinations thereof.例文帳に追加

ソース/ドレイン領域はチャネルに隣接し、本質的に、シリコン、ゲルマニウム、及び、それらの組み合わせからなる群から選択されるドープされたIV族半導体材料から形成されるIV族領域を含む。 - 特許庁

The N-type source regions 7 are formed in a forms such that they do not exist on a center line L obtained by connecting the center of an N+-type drain region 6 and the center of the P-type base region 4.例文帳に追加

但し、このＮ^＋型ソース領域７は、Ｎ^＋型ドレイン領域６の中心とＰ型ベース領域４の中心とを結んだ中心線Ｌ上には存在しないような外形に形成されている。 - 特許庁

By having the diode 44 provided, the input IGBT is turned on, and an electric current flows to the diode 44 that would have passed from the drift region 54 to the source region 61 of the NMOS via a p-well 60.例文帳に追加

ダイオード４４を設けることにより、入力ＩＧＢＴがオンしてドリフト領域５４からＰ−ウエル６０を介してＮＭＯＳのソース領域６１に流れる電流が、ダイオード４４を流れる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device excellent in productivity capable of efficiently performing the activation of a dopant and the reduction of contact resistance in a source region and a drain region.例文帳に追加

ソース領域及びドレイン領域における不純物の活性化及びコンタクト抵抗の低減を効率良く行うことができる、生産性に優れた半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A distance L between the gate electrode 2b and another gate electrode 2e is larger than the distance between the electrodes 2a and 2b, and an n+ source region 33b is formed in this region in a self-aligned manner.例文帳に追加

ゲート電極２ｂと他のゲート電極２ｅとの間隔Ｌは、ゲート電極２ａ、２ｂ間の間隔よりも大きく、この領域に自己整合的にｎ^+ソース領域３３ｂが形成されている。 - 特許庁

The high-voltage transistor structure equipped with a stand-alone drift region can be manufactured while a MOSFET structure is built in a device near a source region or omitted.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ構造は、ソース領域近傍のデバイスに組み込まれるか、あるいはＭＯＳＦＥＴ構造を省略して、スタンドアロンのドリフト領域を有する高電圧トランジスタ構造を製造することができる。 - 特許庁

Accordingly, when ions for forming the source/drain region of a MOS (metal oxide semiconductor) transistor are implanted, the ions can be implanted into the active region 7 that is further inside than the width W_U2 of the upper electrode 22.例文帳に追加

そのため、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域を形成するためのイオン注入の際に、上部電極２２の幅Ｗ_U2よりも内側の活性領域７にも、イオンを注入可能である。 - 特許庁

Then, annealing is performed to activate boron in an oxygen-containing atmosphere, thereby forming an oxide film 31 on the gate electrode 8 in the region Rsi and a highly doped source/drain region 6.例文帳に追加

その後、酸素を含む雰囲気下においてボロンを活性するためのアニールを行い、シリサイド化領域Ｒsiのゲート電極８及び高濃度ソース・ドレイン領域６の上に酸化膜３１を形成する。 - 特許庁

In the channel region of the poly-crystal silicon film 3, a plurality of single crystal regions 102 connecting between the source/ drain region 101 are formed vertical to the transparent insulating substrate 1.例文帳に追加

そして、多結晶シリコン膜３のチャネル領域中において、各ソース・ドレイン領域１０１間を繋ぐ単結晶領域１０２が、透明絶縁性基板１に対して垂直に複数形成されている。 - 特許庁

A lighting device includes: a strip lighting structure for distributing light from each region of the lighting device; and a light source that can be controlled so as to selectively supply the light to each region.例文帳に追加

照明装置は、上記照明装置の各区域から配光するためのストリップ照明構造体と、上記各区域に光を選択的に供給するように制御可能な光源とを含む。 - 特許庁

After that, impurities are selectively injected in the polysilicon thin film 3 via the gate insulating film 4 by using an ion-doping method or the like, and a source/drain region 7 and an LDD region 8 are formed at the same time.例文帳に追加

その後、イオンドーピング法等によりゲート絶縁膜４を介して、ポリシリコン薄膜３に選択的に不純物を導入すると、ソース・ドレイン領域７とＬＤＤ領域８が同時に形成される。 - 特許庁

The recess gate of the semiconductor device includes a substrate 110, a metal layer 165, a polysilicon layer, and a source region and a drain region formed adjacent to the polysilicon layer and spaced from the metal layer 165.例文帳に追加

半導体素子のリセスゲートは、基板１１０と、金属層１６５と、ポリシリコン層と、ポリシリコン層に隣接し、金属層１６５から離隔され、形成されたソース領域及びドレーン領域と、を含む。 - 特許庁

Ions are implanted with a dammy gate electrode formed right on a channel formation region of a semiconductor substrate 1 as a mask to form a source and drain region 5 self-alignedly against the dummy gate electrode.例文帳に追加

半導体基板１のチャネル形成領域直上に形成したダミーゲート電極４ａをマスクにイオン注入し、ダミーゲート電極に対して自己整合的にソース・ドレイン領域５を形成する。 - 特許庁

A portion of a body region of the semiconductor fin is exposed on a top surface of the semiconductor fin between two source regions 62 having a doping of a conductivity type opposite to a body region 20 of the semiconductor fin.例文帳に追加

半導体フィンのボディ領域２０とは反対の導電型のドーピングを有する２つのソース領域６２間の半導体フィンの上面で半導体フィンのボディ領域の一部分が露出される。 - 特許庁