「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

The imaging apparatus is provided with an electronic zoom for electronically zooming a prescribed image region in source image data outputted from an imaging element.例文帳に追加

撮像素子から出力される元画像データの内、所定の画像領域を電子的にズームする電子ズームを備える。 - 特許庁

Consequently, a source-drain expansion region 14 is formed on the surface of the substrate 17 simultaneously with the formation of an amorphous layer 18.例文帳に追加

これにより、基板１７表面にアモルファス層１８を形成すると同時に、ソース・ドレイン拡散領域１４を形成する。 - 特許庁

Similarly, the length of the spacer 101 in the longitudinal direction is longer than that of an electron source region 2 in the longitudinal direction.例文帳に追加

また、同様に、スペーサ１０１の長手方向における長さは、該長手方向における電子源領域２の長さよりも長い。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of increasing the contact area between a source region and a contact plug.例文帳に追加

本発明の目的は、ソース領域とコンタクトプラグとの接触面積の増大を図ることができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁

To improve a gate-source withstand voltage in a gate lead wiring region, in a trench gate type semiconductor device of a mesh structure.例文帳に追加

メッシュ構造のトレンチゲート型半導体装置において、ゲート引き出し配線領域におけるゲート・ソース間耐圧を向上させる。 - 特許庁

The p-conductive-type region (14) is provided apart from the n-conductive-type channel layer (18) and is electrically coupled to the source (13).例文帳に追加

このｐ導電型領域（１４）をｎ導電型チャネル領域（１８）から隔ててソース（１３）に電気的に結合させる。 - 特許庁

To promote microfabrication of a semiconductor device in which the potential of a source diffusion layer is made equal with that of a well region (semiconductor wafer).例文帳に追加

ソース拡散層とウェル領域（半導体基板）との電位を同電位とする半導体装置の微細化を促進させる。 - 特許庁

N-type source/drain regions SD1 and SD2 are buried and formed, keeping a specified interval in a P-type substrate region SS.例文帳に追加

Ｐ型サブストレート領域ＳＳに、所定間隔を存してＮ型ソース／ドレイン領域ＳＤ１及びＳＤ２を埋設形成する。 - 特許庁

The light guide plate 3 has a tapered portion 3a which is thick on the light source 1 side and thin on the effective display region Ar side.例文帳に追加

導光板３は、光源１側は厚く、有効表示領域Ａｒ側は薄くなるようなテーパー部３ａを有する。 - 特許庁

On the p-type diffusing layer 5, an n-type diffusing layer 7 as a source region and a p-type diffusing layer 6 are formed.例文帳に追加

Ｐ型の拡散層５には、ソース領域としてのＮ型の拡散層７と、Ｐ型の拡散層６とが形成されている。 - 特許庁

To implement a picture tone conversion apparatus which easily converts a desired region of a source image into various picture tones without trimming.例文帳に追加

トリミングすること無く原画像の所望領域を容易かつ各種の画調に変換する画調変換装置を実現する。 - 特許庁

Under a diffusion layer 20 and a source region 16, a diffusion layer having a higher impurity concentration than the diffusion layer 20 is formed, in contact with the diffusion layer 20.例文帳に追加

ドレイン領域１５にサージ電圧が印加された場合、拡散層３１と３２の相互間でブレークダウンが発生する。 - 特許庁

An inner ring 16 fixed to the same potential as a source electrode 14 is formed at the peripheral edge of the active region 1.例文帳に追加

この活性領域１の周縁部には、ソース電極１４と同電位に固定された内側リング１６が形成されている。 - 特許庁

To provide an image reading apparatus which does not irradiate light outside the region of an object to be read even in the lengthwise direction of a light source.例文帳に追加

光源の長さ方向についても読取対象物の領域外に光を照射しない画像読取装置を提供する。 - 特許庁

Since the projecting part comes close to the first diffusion plate, light emitted from each light source never leaks to the adjacent display region.例文帳に追加

突出部が第１拡散板に近接しているため、各光源の発光が隣接する表示領域に漏れることがない。 - 特許庁

To provide a power source device providing an excellent light modulation operation even in a region large in the depth of light modulation; and to provide a luminaire.例文帳に追加

調光深度の深い領域でも良好な調光動作が得られる電源装置及び照明器具を提供する。 - 特許庁

A part colored by the coloring light source 4 is recognized as the metal region, and the printed board 100 is inspected.例文帳に追加

着色光源４によって着色された部分を金属領域と認識して、プリント配線板１００の検査を行う。 - 特許庁

On the sidewalls of the first and second laminated gates 20a, 20b which are present respectively on the side of the source region 2, sidewall spacer is not provided.例文帳に追加

第１および第２積層ゲート２０ａ，２０ｂの、ソース領域２側の側壁にはサイドウォールスペーサが設けられていない。 - 特許庁

Thus, the polysilicon film 86 and the polysilicon film which is a control gate can be laminated on the source line formation region 88.例文帳に追加

このため、ソース線形成領域８８上には、ポリシリコン膜８６とコントロールゲートとなるポリシリコン膜とが積層されることになる。 - 特許庁

A laser beam LR is irradiated from a laser light source 12 up to an outer region beyond a machining width t1 of the cutting line 25.例文帳に追加

カッティングライン２５の加工幅ｔ１よりも外側領域まで、レーザ光源装置１２からレーザー光線ＬＲを照射する。 - 特許庁

A body contact region 130 is sandwiched by source regions for realizing maximum allowance voltage with a small area.例文帳に追加

大きな最大許容電圧を少ない面積で実現する為に、ボディコンタクト領域１３０をソース領域で挟んだ構成とする。 - 特許庁

Then a memory source-drain region SDm is formed by ion implantation D01 using the dummy gate DG as an ion implantation mask.例文帳に追加

その後、ダミーゲートＤＧをイオン注入マスクとしたイオン注入Ｄ０１によって、メモリソース・ドレイン領域ＳＤｍを形成する。 - 特許庁

Then, the metal silicide layer 13 is formed on the gate electrodes 6a, 6b and the source/drain region with salicide technology.例文帳に追加

それから、サリサイド技術によりゲート電極６ａ，６ｂおよびソース・ドレイン領域上に金属シリサイド層１３を形成する。 - 特許庁

In between the southern and southwestern sides is the remains of "mizu-no-te guruwa" (castle compound built to protect the source of a castle's water) - rare in the Tanba region. 例文帳に追加

また、この南側と南西側の中間部分に「曲輪水の手曲輪」と丹波地方では珍しい曲輪跡がある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a semiconductor device including a local interconnection structure wherein the size of a source/drain region never increases.例文帳に追加

ソースドレイン領域のサイズが増大することがない局所配線構造を備えた半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

The depth of the p-type well region 415 is smaller than the funneling length from the bottom face of the source/drain regions 417a, 417b.例文帳に追加

Ｐ型ウェル領域４１５の深さは、ソース／ドレイン領域４１７ａ、４１７ｂの底面からのファネリング長よりも小さい。 - 特許庁

A source/drain region 12a that is formed on a substrate 10 is electrically connected to a gate electrode 14 by the local wiring structure.例文帳に追加

基板１０に形成されたソース・ドレイン領域１２ａとゲート電極１４を局所配線構造で電気的に接続する。 - 特許庁

An activated carbon with a high acting capacity is arranged in a first canister (adsorption) region on a fuel source side of an emission control system canister.例文帳に追加

エミッション制御システムキャニスターの燃料源側に高作用能力活性炭を、第１のキャニスター（吸着）領域に設ける。 - 特許庁

In a polysilicon liquid crystal display device, a pixel region 1, a source driver 2 and a gate driver 3 are formed on one substrate 5.例文帳に追加

このポリシリコン液晶表示装置は、画素部１とソースドライバ２とゲートドライバ３が同一基板５上に形成されている。 - 特許庁

The second gate structure 52 is formed on the source region 25 through a second insulating film 32 thicker than the first insulating film 31.例文帳に追加

第２ゲート構造５２は、第１絶縁膜３１より厚い第２絶縁膜３２を介してソース領域２５上に形成される。 - 特許庁

Wavelength conversion extending the whole visible region is permitted only by a single light source and a small number of optical components.例文帳に追加

またこの方法によれば単一の光源と少数の光学部品のみにより可視域全域に及ぶ波長変換が可能となる。 - 特許庁

The system further includes a light source 116 arranged near the second major face 108 within the viewing region 105 for generating light.例文帳に追加

本システムは、光を生成するため視野領域105内で第２の主面108に近接して位置付けられた光源116を更に含む。 - 特許庁

A source/drain region is formed on both sides of the Y direction of a laminated gate electrode 6 and on the upper side of the silicone oxide film 8.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域が積層ゲート電極６のＹ方向両脇で且つシリコン酸化膜８の上側に形成されている。 - 特許庁

A pair of source/drain regions are formed in the surface of the semiconductor substrate so as to pinch a region below the gate electrode.例文帳に追加

半導体基板の表面内には、ゲート電極の下の領域を挟むように１対のソース／ドレイン領域が形成される。 - 特許庁

In the region D, a switching transistor containing a gate electrode 7 and n^+ type source drain regions 5a-5c, and a capacitor are formed.例文帳に追加

領域Ｄではゲート電極７およびＮ＋型ソース・ドレイン領域５ａ〜５ｃを含むスイッチングトランジスタとキャパシタが形成される。 - 特許庁

After that, an extension region 7 of the source/drain is epitaxially grown on the exposed surface of the preprocessed semiconductor substrate 1.例文帳に追加

その後、前処理された半導体基板１の露出表面上に、ソース・ドレインのエクステンション領域７をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The epitaxial layer 3 has a source region 9 formed along its surface 31 and a side surface 12 of the contact trench 11.例文帳に追加

エピタキシャル層３において、その表面３１およびコンタクトトレンチ１１の側面１２に沿うソース領域９を形成する。 - 特許庁

An electron beam 2 emitted from an electron beam source 1 illuminates the predetermined region of a reticle 4 via an illumination optical system 3.例文帳に追加

電子線源１から放出された電子線２は、照明光学系３を介してレチクル４の所定の領域を照明する。 - 特許庁

Phosphorus is introduced as the donor into the channel region 104 in a lower concentration than in the source 102 and the drain 103.例文帳に追加

ここで、チャネル領域１０４には、ソース１０２及びドレイン１０３より低い濃度で、リンがドナーとして導入されている。 - 特許庁

To provide a multi-mesa FET structure having a doped sidewall for a source/drain region and its forming method.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域のためのドープされた側壁を有するマルチ・メサ型ＦＥＴ構造およびその形成方法を提供する。 - 特許庁

The SiGe layer 7 is formed within a front surface of the semiconductor substrate used as a source-drain region of the PMOS transistor 100.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層７は、ＰＭＯＳトランジスタ１００のソース・ドレイン領域となる半導体基板の表面内に形成される。 - 特許庁

Electron beams 10 are emitted from the electron beam source 1 of the irradiation region of the excitation light 11 and accelerated by an anode 5.例文帳に追加

励起光１１の照射領域の電子線源１からは、電子線１０が放出され、陽極５によって加速される。 - 特許庁

The source region of the main vertical FET and that of the detection FET are separated in a first lateral direction for electrical insulation.例文帳に追加

メイン垂直ＦＥＴ及び検知ＦＥＴのソース領域は、第１の横方向で分離され電気的に絶縁されている。 - 特許庁

The source region being shared is coupled with global bit lines (17, 18) by bottom block select transistors (19, 21).例文帳に追加

共用されるソース領域を、底部ブロック・セレクト・トランジスタ（１９、２１）によってグローバル・ビット線（１７、１８）に結合するものである。 - 特許庁

A source 16c of the first drive transistor Q3 and the first well contact region 16d share a first contact part 80.例文帳に追加

第１駆動トランジスタＱ３のソース１６ｃと、第１ウエルコンタクト領域１６ｄとは、第１コンタクト部８０を共用している。 - 特許庁