「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor device having a switching circuit including an FET provided on a semiconductor layer on an insulating layer comprises: a first gate electrode and a second gate electrode provided in juxtaposition in a direction toward a drain region from a source region between the source region and the drain region of the FET; and a control terminal electrically connected to the intermediate region between the first gate electrode and the second gate electrode.例文帳に追加

実施形態に係る半導体装置は、絶縁膜の上の半導体層に設けられたＦＥＴを含むスイッチ回路を有する半導体装置であって、前記ＦＥＴのソース領域とドレイン領域との間に、前記ソース領域から前記ドレイン領域に向かう方向に並んで設けられた第１のゲート電極および第２のゲート電極と、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との間の中間領域に電気的に接続された制御端子と、を備える。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor board 100 which has a cavity 102; a source region 108, a drain region 108, and the channel region formed above the cavity 102; a gate electrode 106 which is formed on the channel region via a gate insulating film 105; and a stress generating film 112 which has a first portion formed on the upper surface of the cavity 102 and gives the channel region a distortion.例文帳に追加

空洞１０２を有し、空洞の上方にソース領域１０８、ドレイン領域１０８及びチャネル領域を有する半導体基板１００と、チャネル領域上にゲート絶縁膜１０５を介して形成されたゲート電極１０６と、空洞の上面に形成された第１の部分を有し、チャネル領域に歪みを与える応力発生膜１１２とを備える。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming an impurity region 18 in which a rare gas element (also called rare gas) is added by using a mask 17 for a semiconductor film having a crystal structure, gettering to segregate a metal element contained in the semiconductor film to the impurity region 18 by heat treating, and then forming a source region or a drain region of the impurity region 18.例文帳に追加

本発明は結晶構造を有する半導体膜へマスク１７を用いて希ガス元素（希ガスとも呼ばれる）を添加した不純物領域１８を形成し、半導体膜に含まれる金属元素を加熱処理により前記不純物領域１８に偏析させるゲッタリングを行った後、前記不純物領域１８をソース領域またはドレイン領域とする。 - 特許庁

The optical member 16 is at least provided at a light source 15 side with a Fresnel lens face 24 having at an outer edge part a negative total reflection region 24c where a reflection direction against light beams from a center of the light source 15 is in a negative direction against a reference axis A passing the center of the light source 15.例文帳に追加

光学部材16は、少なくとも光源15の中心からの光線に対する反射方向が光源15の中心を通る基準軸Ａに対して負方向となる負全反射領域24cを外縁部に有するフレネルレンズ面24を光源15側に備える。 - 特許庁

In an image display device constituted of a panel in which a thin film type electron source is arranged in a matrix shape, a curvature is installed at the corner of the electron emission region EMT formed on the inside of the electron source opening EMA of the electron source ELS formed on image signal wirings d1, d2, d3, intersecting scanning signal wirings s1, s2.例文帳に追加

走査信号配線ｓ１，ｓ２に交差する画像信号配線ｄ１，ｄ２，ｄ３・・・の上に形成された電子源ＥＬＳの電子源開口ＥＭＡの内側に形成される電子放出領域ＥＭＴの角部に曲率を設ける。 - 特許庁

Respective color lights LR, LG, LB emitted from the light source group 11 are incident from the side surface directions to the same region of the diffuse reflector 15A.例文帳に追加

拡散反射面１５Ａの同一部位に、光源群１１から発せられた各色光ＬＲ，ＬＧ，ＬＢが側面方向から入射する。 - 特許庁

An n^+-type source region 133 of an nMOSFET and connected to a VS terminal is formed in the main surface of the p-well 131.例文帳に追加

ｎＭＯＳＦＥＴが有する、ＶＳ端子に接続されたｎ^+型ソース領域１３３は、ｐウェル１３１の主面内に形成されている。 - 特許庁

An n^+-type source region 133 connected to a COM terminal and owned by an nMOSFET is formed in the main surface of a p-well 131.例文帳に追加

ｎＭＯＳＦＥＴが有する、ＣＯＭ端子に接続されたｎ^+型ソース領域１３３は、ｐウェル１３１の主面内に形成されている。 - 特許庁

A diffusion layer 170 is formed on a portion of a substrate 100 situating at a device forming region 104, to serve as a source and a drain of a transistor 110.例文帳に追加

拡散領域１７０は素子形成領域１０４に位置する基板１００に形成され、トランジスタ１１０のソース及びドレインとなる。 - 特許庁

To solve the problem that a hard-to-remove compound is formed on a silicon semiconductor substrate when a diffusion region is formed using a liquid state impurity source.例文帳に追加

液状不純物源を使用して拡散領域を形成すると、除去し難い化合物がシリコン半導体基板上に形成される。 - 特許庁

To prevent consumption of a wiring resource which is ascribed to connecting portions between power source wiring and other wiring, and to prevent reduction of a region for arranging a substrate contact.例文帳に追加

電源配線と他の配線との接続部分に起因する配線リソースの消費や基板コンタクト配置領域の縮小を防止する。 - 特許庁

The second body part 350 has a second channel region 350a, and second source/drain regions 350b and 350c located on both its sides.例文帳に追加

前記第２ボディー部３５０は、第２チャンネル領域３５０ａとその両側に位置した第２ソース／ドレーン領域３５０ｂ、３５０ｃを有する。 - 特許庁

The transistor 10 (first transistor) is an MOSFET; and has source regions 102, 106, a drain region 104 and a gate electrode 110.例文帳に追加

トランジスタ１０（第１のトランジスタ）は、ＭＯＳＦＥＴであり、ソース領域１０２，１０６、ドレイン領域１０４、およびゲート電極１１０を有している。 - 特許庁

Laser beams for a measurement are projected in a region, in which the pulse laser beams for the annealing are projected, from a light source for a measurement.例文帳に追加

アニール対象物の表面のうち、アニール用パルスレーザビームが入射した領域に、測定用光源から測定用レーザビームが入射される。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device capable of more efficiently performing light emission control of a light source, in the liquid crystal display device of which a display region is divided into a plurality of areas.例文帳に追加

表示領域が複数のエリアに分割された液晶表示装置において、より効率の良い光源の発光制御を行う。 - 特許庁

The yellow light source 1 comprises a plurality of yellow LEDs whose irradiation is directed to a region ranging from an approximately horizontal direction to an obliquely upper direction.例文帳に追加

黄色光源１は黄色LED である複数の黄色LED をその照射方向が略水平から斜め上方の範囲となるようにしている。 - 特許庁

Diffusion regions 170 are formed in a substrate 100 located in the element formation region 104 and serve as a source and a drain of a transistor 110.例文帳に追加

拡散領域１７０は素子形成領域１０４に位置する基板１００に形成され、トランジスタ１１０のソース及びドレインとなる。 - 特許庁

To reduce a leak current that occurs in a pn-junction region between a gate and a source in a trench type junction FET using a silicon carbide substrate.例文帳に追加

炭化珪素基板を用いた接合型ＦＥＴにおいて、ゲート・ソース間のｐｎ接合領域において生じるリーク電流を低減する。 - 特許庁

The cells can be programmed to have one of a number of charge levels trapped in the gate insulator adjacent to the first source/drain region.例文帳に追加

セルは、第１のソース／ドレイン領域に隣接したゲート絶縁物にトラップされた多数の電荷レベルの１つを有するようプログラムすることができる。 - 特許庁

Side walls 32a of, for example, 38 nm in width are disposed on both sides of a gate electrode 29a of a transistor A having a small source-drain region.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域が小さいトランジスタＡのゲート電極２９ａの両側には例えば幅が３８ｎｍのサイドウォール３２ａを配置する。 - 特許庁

To provide a light source, emitting light in an intermediate-infrared region having a wavelength of 4-μm band wherein the absorption becomes strongest for many environmental gases.例文帳に追加

多くの環境ガスにおいて最も吸収が強くなる波長４μｍ帯の中赤外領域にて発光する光源を実現する。 - 特許庁

Subsequently, a source-drain region 25 is formed by ordinary B or As ion implantation.例文帳に追加

サイドウオールを除去してＳＤエクステンション領域２６及びポケット領域２７形成のためのイオン注入を行い、再び側壁２８を形成する。 - 特許庁

To improve the yield of the source/drain dielectric strength of a transistor by reducing the stresses produced in the circumference of an element isolation region.例文帳に追加

素子分離領域の周辺に生じる応力を低減してトランジスタのソース／ドレイン耐圧の歩留を向上させることを目的とする。 - 特許庁

Owing to this fillet CN1, an obtuse angle is included at the boundary between the source/drain active layers 6c1, 6d1 and an element isolation region 5b.例文帳に追加

この面取りＣＮ１により、ソース／ドレイン活性層６ｃ１，６ｄ１と素子分離領域５ｂとの境界に鈍角が含まれるようになる。 - 特許庁

To reduce crystal defects that are introduced into a source formation region in a semiconductor device for forming a sidewall using a TEOS film.例文帳に追加

ＴＥＯＳ膜を用いてサイドウォールを形成する半導体装置において、ソース形成領域に導入される結晶欠陥を低減する。 - 特許庁

The transistor 20 (second transistor) is also an MOSFET, and has source regions 202, 206, a drain region 204 and a gate electrode 210.例文帳に追加

トランジスタ２０（第２のトランジスタ）も、ＭＯＳＦＥＴであり、ソース領域２０２，２０６、ドレイン領域２０４、およびゲート電極２１０を有している。 - 特許庁

In this case, the number of piece, the area and the ratio of the drain layer are larger than those of the source layer in the vicinity of the outer periphery of the element region EA.例文帳に追加

そして、素子領域ＥＡの外周付近においては、ソース層よりもドレイン層のほうが、個数や面積の比率が大きくなっている。 - 特許庁

At the ends of the n-type body region 4, there are provided the places wherein the gate electrode 7 is not adjacent to the p^+-source regions 8.例文帳に追加

更に、Ｎ型ボディ領域４の端において、ゲート電極７とＰ^＋ソース領域８とが隣接していない箇所を有するものである。 - 特許庁

A channel region is positioned in the surface layer of a silicon substrate 1 and is sandwiched in between N-type source/drain regions 31.例文帳に追加

シリコン基板１の表面層にチャネル領域が位置し、このチャネル領域を挟むようにＮ型ソース／ドレイン領域３１が形成されている。 - 特許庁

A conductive channel region is formed on the top surface of the first drain/source electrode, and electrically connected to it.例文帳に追加

導電性チャネル領域が、第１のドレーン／ソース電極の上面上に形成され、第１のドレーン／ソース電極と電気的に接触している。 - 特許庁

The assistant MOS transistor contains a second gate wiring and a second source/drain region of a second conductivity type which is opposite to the first conductivity type.例文帳に追加

アシスタンスＭＯＳトランジスタは第２ゲート配線と、第１導電型と反対である第２導電型の第２ソース／ドレイン領域とを含む。 - 特許庁

A pair of source and drain regions 13 is formed on the surface of the projected portion to hold the lower region of the first portion of the gate electrode.例文帳に追加

１対のソース／ドレイン領域１３が、ゲート電極の第１部分の下方の領域を挟むように突出部の表面に形成される。 - 特許庁

Then a cell 10C is arranged in a region surrounded by the upper layer power source wires 41 and 51 and the upper layer grounding wires 42 and 52 of the hard macro 10.例文帳に追加

次に、ハードマクロ１０の上層電源線４１,５１及び上層接地線４２,５２に囲まれる領域に、セル１０Ｃを配置する。 - 特許庁

A contact plug 17 is provided in the first interlayer insulating film and the second interlayer insulating film, and contacts the wiring layer and source/drain region.例文帳に追加

コンタクトプラグ１７は、第１層間絶縁膜および第２層間絶縁膜内に設けられ、配線層およびソース／ドレイン領域に接する。 - 特許庁

Combustion improving gas G supplied from a gas supply source 21 is introduced through a gas pipe 22 into a laser beam irradiation region in the depositions 2.例文帳に追加

ガス供給源２１から供給される助燃ガスＧは、ガス管２２を経て、付着物２におけるレーザ光照射領域に導入される。 - 特許庁

A gate electrode layer 18 provided on a semiconductor substrate 16 with an insulating film in between comprises a hole 20 through which the source region 15 is exposed.例文帳に追加

半導体基板１６上に絶縁膜を介して設けられたゲート電極層１８は、ソース領域１５が露出する孔２０を備える。 - 特許庁

A width of a light source region in a direction orthogonal to a length direction is smaller than a width of a liquid crystal panel in an orthogonal direction.例文帳に追加

光源領域の長さ方向に対して直交する方向での幅は、液晶パネルの当該直交する方向での幅よりも小さい。 - 特許庁

Bumps 14, 15 for logic signals are formed along short sides 104 of the source driver IC 101 and along a long side 103 nearer to a display region.例文帳に追加

さらにロジック信号１４、１５はソースドライバＩＣ１０１の短辺１０４及び表示領域側の長辺１０３に沿って形成されている。 - 特許庁

Since the source and drain regions 4 are provided being overlaid with each other on an inter-layer insulation film, the active region and the cell area the reduced.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域４が層間絶縁膜上に重なって設けられているため装置の活性領域及びセル面積を縮小できる。 - 特許庁

A case 8 of the light emitting unit 6 is stored with a light source 9 for irradiating the detection region P of the conveyance path 3 with the rays of light.例文帳に追加

発光ユニット６のケース８内には、搬送路３の検出領域Ｐに向けて光を照射する光源９が収容されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a MOS field-effect transistor for forming a silicon-containing layer on a source/drain region easily.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域上にシリコン含有層を容易に形成することができるＭＯＳ電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a MOS transistor which has a channel of a three-dimensional structure and can prevent the reduction of source/drain contact region, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

三次元構造のチャンネルを備え、ソース／ドレインコンタクト面積の減少を防止できるモストランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The gate insulation film of a pixel TFT is constituted of two layers of insulation films 113 and 118 as well and the LDD region is provided on both source and drain.例文帳に追加

画素ＴＦＴのゲート絶縁膜も２層の絶縁膜１１３，１１８で構成し、ソース・ドレインの双方にＬＤＤ領域を設ける。 - 特許庁

Consequently, the parasitic capacitance between the gate electrode 13 and a source/drain region including wiring can be reduced and the transistor element can operate at a high speed.例文帳に追加

ゲート電極と配線を含むソース／ドレイン領域との間の寄生容量を低減することができ素子の高速動作が可能となる。 - 特許庁

The erasion information storing memory region is constituted of non-volatile memories so that the information can be held even if a power source is cut off.例文帳に追加

消去情報記憶メモリ領域は、電源が切断されてもその情報を保持することができるよう不揮発性メモリで構成される。 - 特許庁