「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索

A sub-pixel electrode 43a directly (not via capacitance connection) connected to a source electrode 42 of a TFT is disposed in the sub-pixel region A1 and a sub-pixel electrode 43b capacitively connected to a control electrode 42a connected to the source electrode 42 is disposed in the sub-pixel region A2.例文帳に追加

副画素領域Ａ１にはＴＦＴのソース電極４２ａに直接（容量結合を介すことなく）接続された副画素電極４３ａが配置され、副画素領域Ａ２にはソース電極４２ａと接続した制御電極４２ａに容量結合した副画素電極４３ｂが配置されている。 - 特許庁

In the vapor deposition system where an organic film is vapor-deposited on a substrate using a planar vapor deposition source 10 having two-dimensionally distributed crucibles 11, regarding the planar vapor deposition source 10, the arrangement density of the crucibles 11 in the peripheral region 10b is made higher than the arrangement density of the crucibles 11 in the inside region 10a.例文帳に追加

２次元的に分布する坩堝１１を有する平面蒸着源１０を用いて基板上に有機膜を蒸着する蒸着装置において、平面蒸着源１０の内部領域１０ａにおける坩堝１１の配置密度より、周辺領域１０ｂの坩堝１１の配置密度の方を高くする。 - 特許庁

An n-type source 11s is formed in the well region 23 for p-type channel next to the gate electrode 11g, and an n-type drain 11d is formed in the n-type medium-concentration drain region 24 provided with a space from the gate electrode 11g.例文帳に追加

Ｐ型チャネル用ウエル領域２３にゲート電極１１ｇに隣接してＮ型ソース１１ｓが形成され、Ｎ型中濃度ドレイン領域２４にゲート電極１１ｇとは間隔をもってＮ型ドレイン１１ｄが形成されている。 - 特許庁

A device isolation oxide film is etched to form a silicon fin that protrudes, and then a gate electrode and a source/drain region, of which tops are flattened, are formed after a channel region being formed on a sidewall of the silicon fin by means of inclined ion implantation.例文帳に追加

素子分離酸化膜を食刻して突出されたシリコンフィンを形成し、傾斜イオン注入でシリコンフィンの側壁にチャンネル領域を形成したあと上部が平坦化したゲート電極とソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

In the thin film transistor substrate, an active layer exposed on a channel region of the thin film transistor is protruded from the channel region to the outside, by a width of preferably 30% or less to the width of a source line.例文帳に追加

本発明の一つの観点による薄膜トランジスタ基板では、薄膜トランジスタのチャンネル領域に露出した活性層がチャンネル領域から外に、ソースラインの幅に対して好ましくは30％以下の幅まで突出している。 - 特許庁

Then, the field oxide films 4 are made at the same time in the element isolating region of a semiconductor substrate 1, and above between the regions where the electrode ends of the resistance elements are made, and then a silicide layer is made on the source and drain region.例文帳に追加

そして、フィールド酸化膜４は、半導体基板１の素子分離領域と、抵抗素子の電極端子が形成される領域間上部とに、同時に形成し、その後、ソース・ドレイン領域上にシリサイド層を形成する。 - 特許庁

The method for processing the bipolar junction transistor comprises the steps of forming at least three layers on a semiconductor substrate, sequentially forming an embedding collector region for the BJT and a source region for the MOSFET, and then forming two windows or trenches on the layer.例文帳に追加

半導体基板上に少なくとも３つの層を形成し、ＢＪＴ用の埋め込みコレクタ領域およびＭＯＳＦＥＴ用のソース領域を順番に形成した後、この層に２つのウインドウまたはトレンチを形成する。 - 特許庁

A source region (3) in ohmic contact with the first electrode (10) and an anti-latch-up region (4) in ohmic contact with the first electrode (10) are, in a vertical cross-section, only formed in the IGBT-cell (110).例文帳に追加

垂直断面において、ＩＧＢＴセル（１１０）内にのみ、第１の電極（１０）とオーミック接触しているソース領域（３）と、第１の電極（１０）とオーミック接触している反ラッチアップ領域（４）とが形成されている。 - 特許庁

A filter 60 for cutting the light other than the light having a peak wavelength region of the spectral sensitivity of the UV correction fluid 40 packed in an omission part is arranged at a UV light source and the UV correction fluid is irradiated with the light L1 having the peak wavelength region.例文帳に追加

欠落部に充填したＵＶ修正液４０の分光感度のピーク波長域以外の光をカットするフィルタ６０をＵＶ光源に設け、ピーク波長域の光Ｌ１をＵＶ修正液に照射すること。 - 特許庁

From among five types of pad electrodes P1-P5, two types are selected to be connected to a source region S and a drain region D of each MOS transistor, so that any two combinations of the pad electrodes will not overlap each other so that each MOS transistor is measured separately.例文帳に追加

５つのパッド電極Ｐ１〜Ｐ５の中から、重複する組み合わせがないようにソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄとの接続がなされ、それぞれのＭＯＳトランジスタを独立に測定できるようにしている。 - 特許庁

Light emitted from a light source 20 and entering a light guide plate 10 is transmitted through the transmission region 30A, and is scattered in the scattering region 30B, to output a plurality of linear illumination light beams in the front direction.例文帳に追加

これにより、光源２０から射出され、導光板１０内に入射した光は、透過領域３０Ａを透過し、散乱領域３０Ｂにおいて散乱されるので、正面方向に複数の線状照明光が出力される。 - 特許庁

Thereafter, the oxide semiconductor film 40 whose sheet resistance value is ≥10^8 Ω/square is partially irradiated with ultraviolet light L, and the sheet resistance value in the source region 42 and the drain region 43 is reduced to be <10^6 Ω/square.例文帳に追加

その後、シート抵抗値が１０^８Ω／□以上の酸化物半導体膜４０に、部分的に紫外光Ｌを照射して、そのソース領域４２およびドレイン領域４３におけるシート抵抗値を１０^６Ω／□未満にまで低減させる。 - 特許庁

Moreover, an n-type floating diffusion 33, n-type drain region 34, and an n-type source region 35 of the gate electrode 32 are also formed in the side of the first surface more than the photodiode 21 with the overlapping plane kept therewith.例文帳に追加

さらに、フォトダイオード２１と平面的に重なりをもって、フォトダイオード２１よりも第１面側に、ｎ型のフローティングディフュージョン３３と、ゲート電極３２のｎ型のドレイン領域３４およびｎ型のソース領域３５が形成されている。 - 特許庁

A local interconnect 235 extends through the upper isolation layer 204 and connects the field shield to a selected doped semiconductor region of the device (e.g., a source/drain region 211, 212 of a FET or a cathode or anode of a diode).例文帳に追加

ローカル相互接続が、上側絶縁分離層を通って延在しており、デバイスの選択されたドープした半導体領域（例えば、ＦＥＴのソース／ドレイン領域またはダイオードのカソードもしくはアノード）にフィールド・シールドを接続する。 - 特許庁

A determination value control part 12 variably controls the first determination value D1 at each image region PBij in the photographing image corresponding to one frame in response to the luminance value in the image region PBij specified as the correlation source.例文帳に追加

また、判定値制御部１２は、相関元として特定された画像領域ＰＢｉｊ内の輝度値に応じて、第１の判定値Ｄ１の値を、一フレーム相当の撮像画像における画像領域ＰＢｉｊ毎に可変に制御する。 - 特許庁

A second N base layer 3 and a first N^- base layer 22 are epitaxially grown on a N^+ drain layer 21 successively, a P base region 23 is selectively formed on its surface, and a N^+ source region 24 is selectively formed on a surface in it.例文帳に追加

N^+ドレイン層21上に第２のNベース層3及び第１のN^-ベース層22を順次エピタキシャル成長し、その表面部分にPベース領域23を選択的に形成し、その中の表面部分にN^+ソース領域24を選択的に形成する。 - 特許庁

Thus, since a film thickness of the gate insulting film 4 located in the source region 3 and the well region 10 of high concentration impurities is formed thick, enhancing characteristics of increasing an dielectric breakdown voltage of the gate insulating film is realized.例文帳に追加

これにより、高濃度不純物のソース領域３およびウェル領域１０に位置するゲート絶縁膜４の膜厚を厚く形成されるので、ゲート絶縁膜の絶縁耐圧を高めるなど特性向上を図ることができる。 - 特許庁

As a result, the first region and the second region can be formed without using a power source device and the increase in the scale of the equipment can be suppressed, the degradation in the flexibility of the layout of the equipment can be suppressed and the cost increase of the equipment can be suppressed.例文帳に追加

これにより、電源装置を用いずに、第１領域および第２領域を形成することができ、装置の大型化を抑制し、装置内のレイアウトの自由度の低下を抑制し、装置のコストアップを抑制することができる。 - 特許庁

Therefore, a part of the region of the light guide plate can be illuminated by lighting only a light source at one end, and only the predetermined region of the liquid crystal panel can be illuminated, resulting in power saving.例文帳に追加

よって、一端の光源のみの点灯により導光板の一部の領域を明るくすることができるので、これにより液晶パネルの所定の領域のみを照射することができ、省電力化を図ることが可能となる。 - 特許庁

This semiconductor device comprises a gate 40, a gate oxide layer 41 beneath the gate 40, a source region 42 and a drain region 43 having a junction depth 45, a channel length 44, a halo injection part 46, a compensated injection part 47, and a side distribution tail 48.例文帳に追加

ゲート４０、ゲート４０の下のゲート酸化物層４１、接合深さ４５を有するソース領域４２とドレイン領域４３、チャネル長４４、ハロー注入部４６、補償注入部４７と側部分布テール４８を有する。 - 特許庁

A coefficient input region display means 8 is for displaying an input region for inputting a coefficient and a flow-in source compartment or a flow-out destination compartment for each term determined by the term determination means 6.例文帳に追加

係数入力領域表示手段８は、項決定手段６によって決定された項のそれぞれについて、係数および流入元コンパートメントまたは流出先コンパートメントを入力するための入力領域を表示する。 - 特許庁

In the charge injections, a positive voltage Vd is applied to the drain region 8d with the reference of the voltage Vs of the source region 8s and the voltage Vg of a polarity, according to a charge to be injected, is applied to the gate electrode 4.例文帳に追加

これらの電荷の注入時に、ソース領域８ｓの電圧Ｖｓを基準にドレイン領域８ｄに正の電圧Ｖｄを印加し、注入しようとする電荷に応じた極性の電圧Ｖｇをゲート電極４に印加する。 - 特許庁

While the source region 24a and the drain region 24b are in a state of being covered, an active layer 25 made of a polycrystalline semiconductor thin film is formed by the reactive thermal CVD method, by utilizing the reactive energy of the plurality of different gases.例文帳に追加

ソース領域２４ａおよびドレイン領域２４ｂを覆う状態で、複数の異なるガスの反応エネルギーを利用する反応性熱ＣＶＤ法によって、多結晶性の半導体薄膜からなる活性層２５を形成する。 - 特許庁

To provide a printed matter in which two images are visually recognized under different observation conditions, that is, in a diffusion light region and in a specular reflection light region under a visible light source by using precise dot constitution.例文帳に追加

本発明は、緻密な網点構成を用いることにより、可視光源下における拡散光領域及び正反射光領域という異なる観察条件において、二つの画像を視認可能な印刷物を提供する。 - 特許庁

A logic n-type MIS transistor QL1 formed in the logic region RL has a logic source-drain region SD2 including logic extension regions LD2 formed below both side walls of the logic gate electrode GE2.例文帳に追加

また、ロジック領域ＲＬに形成されたロジック用ｎ型ＭＩＳトランジスタＱＬ１は、ロジック用ゲート電極ＧＥ２の両側壁側下に形成されたロジック用エクステンション領域ＬＤ２を含むロジック用ソース・ドレイン領域ＳＤ２を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents increases of parasitic transistor performance, a leak current, and a capacity between a gate electrode and a source region and a drain region, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、寄生トランジスタ動作、ゲート電極とソース領域及びドレイン領域との間のリーク電流及び容量の増大を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Accordingly, the excessive injection of the free carrier (positive hole) from the gate region 9 is inhibited, and a large number of free carriers (electrons) can be injected from the source region 4, thus easily obtaining a desired DC signal current amplification factor.例文帳に追加

その結果、ゲート領域９からの自由キャリア（正孔）の過剰な注入を抑止し、ソース領域４から多量の自由キャリア（電子）を注入することができ、所望の直流信号電流増幅率を容易に得ることができる。 - 特許庁

In an open MIS semiconductor device, N+-type source regions 7, whose flat outer forms are octagonal, are selectively formed in a p-type base region 4 so that they are adjacent to the side edges of a P+-type base region 5.例文帳に追加

開示されているＭＩＳ型半導体装置は、Ｐ型ベース領域４にはＰ^^＋型ベース領域５の側縁部に隣接するように選択的に平面形状の外形が八角形のＮ^＋型ソース領域７が形成されている。 - 特許庁

A PMOS transistor Q21 formed in a PMOS forming region A2 is constituted so that a source and drain region 25 is formed by passing through the buried oxide film 4 to a threshold voltage diffusion layer 28 of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ＰＭＯＳ形成領域Ａ２に形成されるＰＭＯＳトランジスタＱ２１において、ソース・ドレイン領域２５は埋め込み酸化膜４を貫通して半導体基板１の閾値電圧制御拡散層２８に達して形成される。 - 特許庁

To suppress a crystal defect caused by damage by ion implantation and preventing the fluctuation of an operation threshold Vt of a semiconductor device when the density of a contact region inserted into a lower part of a source region is increased.例文帳に追加

ソース領域の下部に入り込ませるコンタクト領域の濃度を濃くする場合に、イオン注入のダメージによる結晶欠陥を抑制できるようにすると共に、半導体装置の動作しきい値Ｖｔが変動することを防止する。 - 特許庁

A gate electrode 250 of submicron order depending on the width of the slit ST is formed by utilizing the slit ST (refer to Fig. 3(c)), and then a source region and a drain region are formed oppositely while holding the gate electrode 250 between.例文帳に追加

このスリットＳＴを利用することで、スリットＳＴの幅に応じたサブミクロンオーダのゲート電極２５０を形成し（図３（ｃ）参照）、その後、ゲート電極２５０を挟んで対向配置されたソース領域及びドレイン領域を形成する。 - 特許庁

An active layer 2 (semiconductor layer) is formed by poly-crystalizing amorphous silicon on an insulating substrate 1 by laser annealing, and a drain region 2d and a source region 2s are formed so as to face each other in the active layer 2.例文帳に追加

絶縁基板１にアモルファスシリコンをレーザーアニールにより多結晶化してなる能動層２（半導体層）が形成され、この能動層２の中に、互いに対向してドレイン領域２ｄとソース領域２ｓが形成されている。 - 特許庁

The gate electrode 13 and the sidewall 14 are used as a mask, arsenic ions (As^+) are implanted into the silicon substrate 11 at comparatively low implantation energy, and a first shallow source region 35a and a first shallow drain region 35b are formed.例文帳に追加

次に、ゲート電極１３及びサイドウォール１４をマスクとして、シリコン基板１１内に、砒素イオン（Ａｓ^+ ）を比較的低い注入エネルギーで注入して、浅い第１のソース領域３５ａ及びドレイン領域３５ｂを形成する。 - 特許庁

A current path in the semiconductor layer 13 at the time of on operation goes through a region close to a side surface of the trench groove 30 without substantially going through a surface region of the semiconductor layer 13 between the source electrode 52 and the drain electrode 53.例文帳に追加

半導体層１３におけるオン動作時の電流経路は、ソース電極５２とドレイン電極５３の間の半導体層１３の表面領域を実質的に経由せず、上記トレンチ溝３０の側面近傍を経由する。 - 特許庁

An object plane for exposure is exposed by using a halftone phase shift mask 14 having a reference region where the light from a light source can be transmitted and an amplitude phase modulation region where part of the light is transmitted.例文帳に追加

光源から放射された光の通過を許す基準領域と光の一部の通過を許す振幅位相変調領域とを有するハーフトーン型位相シフトマスク（１４）を用いて露光対象面を露光する方法である。 - 特許庁

The cylindrical mirror 16 has a reflecting surface, as part of an ellipse, having its focus on an irradiated region of the solar cell 20, and reflects the linear light emitted by the light source 11 to the irradiated region of the solar cell 20.例文帳に追加

円筒鏡１６は、太陽電池セル２０の照射領域を焦点とする略楕円の一部である反射面を有し、光源１１から出射されたライン状の光を太陽電池セル２０の照射領域へ反射する。 - 特許庁

Then, a fluorine-injected layer 25 is formed at both the ends of the gate insulating film 22, and at the surface section of the p-type extension region 24 and the p-type source/drain region 26 located between the gate electrode 23 and the silicide layer 27b.例文帳に追加

そして、ゲート絶縁膜２２の両端部、及び、ゲート電極２３とシリサイド層２７ｂとの間に位置するＰ型エクステンション領域２４とＰ型ソース・ドレイン領域２６の表面部にフッ素注入層２５が形成されている。 - 特許庁

A light source 1 with which a backlight of a color image display is provided includes a semiconductor light-emitting device which is a combination of a solid-state light-emitting element that emits light of a blue or deep blue region or an ultraviolet region and a fluorescent substance.例文帳に追加

カラー画像表示装置のバックライトが備える光源１は、青色または深青色領域もしくは紫外領域の光を発する固体発光素子と、蛍光体をと組み合わせた半導体発光装置を有する。 - 特許庁

The p^+ type diffusion layer 110 is formed in the region neighboring a first end part 102a in the source region side of the Locos oxide layer 102 and is doped with an impurity having conductivity type that is reverse to that of the n^- type active layer 101.例文帳に追加

ｐ＋拡散層１１０は、Ｌｏｃｏｓ酸化層１０２のソース領域側の第１端部１０２ａに隣接する領域に形成され、ｎ−活性層１０１とは導電型が逆の不純物が注入される。 - 特許庁

This charge holding life evaluation method is carried out through such a manner where a floating gate electrode 6 is arranged between a source region 2 and a drain region 3 on a silicon substrate 1 through the intermediary of a tunnel film 5, and a control gate electrode 8 is provided on the electrode 6 through the intermediary of an insulating film 7.例文帳に追加

シリコン基板１のソース・ドレイン領域２，３間での基板１の上にトンネル膜５を介してフローティングゲート電極６が配置され、電極６の上に絶縁膜７を介してコントロールゲート電極８が延設されている。 - 特許庁

With this, since the effective light-emitting region of the light source 26 exists only at one side of a vehicle width direction Ay to a back side focal point F, a region of the other side from a vertical line of the vehicle front center is not irradiated.例文帳に追加

これにより、光源２６の有効な発光領域が後側焦点Ｆに対して車幅方向Ａｙの片側にしか存在しないため、車両前方中央の鉛直線より片側の領域が照射されないことになる。 - 特許庁

The first emission light W1 in the visible region of light emitted from a light source 3 is switched by a modulation part 9, and the second emission light W2 in the near ultraviolet region is allowed to pass through the modulation part 9 to irradiate a medium 2.例文帳に追加

光源３から出射される光のうち、可視領域の第１の出射光Ｗ１を変調部９でスイッチングし、近赤外領域の第２の出射光Ｗ２は変調部９を透過させてメディア２に照射する。 - 特許庁

A current passing through the P-type region 7b in the periphery of the channel is controlled by a PN junction formed by the first and second N-type regions and the P-type source region 14 so as to stabilize the characteristics of the PMOSTFT.例文帳に追加

第１および第２のＮ型領域とＰ型であるソース領域１４に形成されるＰＮ接合によってチャネル部周辺のＰ型領域７ｂを通過する電流を抑制し、ＰＭＯＳＴＦＴの特性を安定化する。 - 特許庁

This structure is provided with a p-type layer 3a in a lower part of a center part of a p-type base region 3 connected between adjacent cells, specifically, a lower part of a body p-type layer 5 brought into contact with a source electrode 12 within the p-type base region 3.例文帳に追加

隣接するセル同士間で繋がったｐ型ベース領域３の中央部の下部、具体的にはｐ型ベース領域３のうちソース電極１２と接触させられるボディｐ型層５の下部にｐ型層３ａを備える。 - 特許庁

In other words, the number of combinations for which there is no overlapping of two combinations among five types of pads is 5C2=5×4/2=10, therefore pads can be connected to the source region and a drain region of each of the ten MOS transistors with no overlapping of any two pairs of pads.例文帳に追加

すなわち、５つパッドの中から２つの重複しない組み合わせの数は_5Ｃ_2=５×４／２＝１０であり、１０個のＭＯＳトランジスタのソース領域及びドレイン領域に重複せずに５つのパッドを接続できる。 - 特許庁