「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(50ページ目) - Weblio英語例文検索

When performing the in-situ restoration of an underground region contaminated with a cyanide compound by utilizing the activity of micro- organisms, a nutritive substance exclusive of nitrogen source is supplied to the object region to be restored in the state that the ground surface of the region which is to be an object to be restored in the contaminated underground region is covered with a low-air permeable artificial structure.例文帳に追加

シアン化合物により汚染された地下領域を微生物の活動を利用して原位置修復する際、該汚染地下領域のうち修復対象とする領域の地表面を通気性の低い人工構造物で覆った状態で、当該修復対象領域に、窒素源を除外した栄養物質を供給することを特徴とする。 - 特許庁

A memory cell 1 is equipped with an N-type drain region 17 formed in a region which is located at the upper part of a semiconductor substrate 10, adjacent to a floating gate electrode 16, and apart from a control gate electrode 13 and an N-type source region 18 formed in a region which is located adjacent to the control gate electrode 13 and apart from the floating gate 16.例文帳に追加

メモリセル１は、半導体基板１０の上部であって、制御ゲート電極１３に対する浮遊ゲート電極１６側の領域に形成されたｎ型のドレイン領域１７と制御ゲート電極１３に対する浮遊ゲート電極１６と反対側の領域に形成されたｎ型のソース領域１８とを有している。 - 特許庁

A gate insulating film 450 at a part of a channel forming region 410 overlapping the boundary regions 412 and 413 contiguous to the drain region 430 and the source region 420 is formed thicker than the gate insulating film 450 at a part overlapping the central part 411 of the channel forming region 410 in the longitudinal direction of channel.例文帳に追加

チャネル形成領域４１０のうち、ドレイン領域４３０およびソース領域４２０に隣接する境界領域４１２、４１３と重なる部分のゲート絶縁膜４５０の膜厚は、チャネル形成領域４１０のチャネル長方向における中央部分４１１と重なる部分のゲート絶縁膜４５０の膜厚に比して厚い。 - 特許庁

The display optical system has a light source 101 which emits light by using coherent light, a first region and a second region to which the light is made incident, and a polarization control means 100 which gives a difference between the polarized state of the light component made incident to the first region and the polarized state of the light component made incident to the second region.例文帳に追加

表示光学系は、コヒーレンス性を有する光を用いて光を発する光源１０１と、該光が入射する第１の領域および第２の領域を有し、該光のうち第１の領域に入射した光成分の偏光状態と第２の領域に入射した光成分の偏光状態とを異ならせる偏光制御手段１００とを有する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a buried p (or n) channel type MOSFET whose n (or p) type impurity concentration in a buried channel region 7 of a buried p (or n) channel region gradually increases toward a p++ source region 5 and a p++ drain region 6, in the lengthwise direction of a channel like a line shown in the accompanying drawing.例文帳に追加

埋め込みｐ（又はｎ）チャネル領域である埋め込みチャネル領域７に於けるｎ（又はｐ）型不純物濃度が図に付記した線図に見られるようにチャネル長方向に於いてｐ^++ソース領域５側及びｐ^++ドレイン領域６側に向かって漸増するように分布している埋め込みｐ（又はｎ）チャネル型ＭＯＳＦＥＴが含まれている。 - 特許庁

The mask is provided with the half-exposure mask structure of a channel region, a drain electrode mask structure and a source electrode mask structure, and the half-exposure mask structure of the channel region is further provided with the outer periphery half-exposure mask structure of the channel region extended from a part corresponding to the channel region of the thin film transistor and positioned on the outer side of the part.例文帳に追加

該マスクは、チャンネル領域の半露光マスク構造と、ドレイン電極マスク構造と、ソース電極マスク構造とを備え、前記チャンネル領域の半露光マスク構造は更に、該薄膜トランジスタのチャンネル領域に対応する部分から延在し、且つ該部分の外側に位置するチャンネル領域の外周半露光マスク構造を有する。 - 特許庁

This semiconductor storage device is characterized by that memory transistors M11 to M22, each having a source region and a drain region formed at a surface part of a semiconductor across a channel forming region, a gate insulating film which is provided on the channel-forming region and includes a charge storage means, and a gate electrode on the gate insulating film are arranged in the word direction and the bit direction.例文帳に追加

半導体の表面部分にチャネル形成領域を挟んで形成されたソース領域およびドレイン領域と、当該チャネル形成領域上に設けられ内部に電荷蓄積手段を含むゲート絶縁膜と、当該ゲート絶縁膜上のゲート電極とを備えたメモリトランジスタＭ１１〜Ｍ２２がワード方向とビット方向に複数配置されている。 - 特許庁

A first impurity region 4ad acting line a source region and a second impurity region 4ae acting like a drain region are formed through ion implantation by using a resist pattern for forming a gate electrode of a transistor as a mask, and the gate electrode 9 including lower electrodes 6a, 8a and an upper electrode 7a is formed by using the resist pattern for a mask.例文帳に追加

トランジスタのゲート電極を形成するためのレジストパターンをマスクとしてイオン注入によりソース領域となる第１不純物領域４ａｄとドレイン領域となる第２不純物領域４ａｅが形成され、そのレジストパターンをマスクとして下部電極６ａ，８ａと上部電極７ａを有するゲート電極９が形成される。 - 特許庁

A polycrystalline silicon layer 150d having a source region 153d, drain region 155d, channel region 154d and lightly doped region 152d is formed in a pixel area on an insulating substrate, then two-layered gate insulating films 401, 402 are formed thereon, and then a gate electrode 124d is formed via the insulating film 401 thereon.例文帳に追加

絶縁基板上の画素部にソース領域１５３ｄ、ドレイン領域１５５ｄ、チャネル領域１５４ｄ及び低濃度ドーピング領域１５２ｄを有する多結晶シリコン層１５０ｄが形成され、その上に２層のゲート絶縁膜４０１、４０２が形成され、その上に絶縁膜４０１を介してゲート電極１２４ｄが形成される。 - 特許庁

Finally, impurities are implanted in the semiconductor layer 2 using an insulating sidewall 11 formed on the opposite side parts of the gate electrode 9 and the gate electrode 9 as an impurity implantation mask to form an offset region 10 beneath the sidewall 11 thus forming a source region 12 and a drain region 13 on the outside of the offset region 10.例文帳に追加

その後、ゲート電極９の両側部に壁状に形成した絶縁性のサイドウォール１１と、ゲート電極９とを不純物注入マスクとし、半導体層２に対して不純物を注入することにより、該サイドウォール１１の下方にオフセット領域１０を形成し、オフセット領域１０の外側に、ソース領域１２及びドレイン領域１３を形成する。 - 特許庁

The placement table 12 has a gas propagation region 121 for diffusing gas toward an outer periphery from a central gas supply source 15 for introducing the gas for temperature adjustment; and a substantial support region 122 radially expanded from the periphery of the gas supply source for supporting the substrate 10 to be treated by electrostatic adsorption in the gas propagation region 121.例文帳に追加

載置台１２は、温度調整用のガスを導入するための中央のガス供給部１５からガスを外周に向って拡散させるガス伝播領域１２１を有すると共に、ガス伝播領域１２１において被処理基板１０を静電吸着により支持するためのガス供給部周辺から放射状に伸びた実質的な支持領域１２２を有する。 - 特許庁

The light emitting element 1 comprises a silicon substrate 5, a metal compound region 6 formed on a region including the surface of the silicon substrate 5, an aluminum nitride layer 7 formed on the metal compound region 6, a reaction source supply layer 8 formed on the aluminum nitride layer 7 and containing gallium and indium, and a light emitting function layer formed on the reaction source supply layer 8.例文帳に追加

発光素子１は、シリコン基板５と、シリコン基板５の表面を含む領域に形成された金属化合物領域６と、金属化合物領域６上に形成された窒化アルミニウム層７と、窒化アルミニウム層７上に形成され、ガリウムとインジウムとを含む反応源供給層８と、反応源供給層８上に形成された発光機能層９とを備えている。 - 特許庁

In a semiconductor device provided with a gate electrode, which is formed on a P-type semiconductor substrate via a gate insulating film and N-type source/drain regions on the substrate surface adjacent to the gate electrode, the source/drain regions 10, 11 are formed by the N-well region, and the P-well region is also formed below the channel region 9 under a gate electrode 14.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、該ゲート電極に隣接するように前記基板表層にＮ型のソース・ドレイン領域を有する半導体装置において、前記ソース・ドレイン領域１０，１１がＮウエル領域で形成され、かつ前記ゲート電極１４下のチャネル領域９下にＰウエル領域が形成されているものである。 - 特許庁

To provide a magnetic field detecting device capable of substantially preventing detection of a magnetic field generated from a magnetic field source existing in a specific region of space.例文帳に追加

特定の空間領域に存在する磁場発生源からの磁場を実質的に検出されないようにすることができる磁場検出装置を提供する。 - 特許庁

To provide light source apparatus capable of reducing distortion of an irradiated region observed by an observation section, and to provide an exposure apparatus and a device manufacturing methods.例文帳に追加

観察部によって観察された被照射領域の歪みを低減させることができる光源装置、露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

An X-ray system (100) is provided utilizing an X-ray source (102) and a detector to create X-ray data in a region of interest.例文帳に追加

Ｘ線源（１０２）及び検出器を利用して関心領域（１７４）内のＸ線データを作成しているＸ線システム（１００）を提供する。 - 特許庁

It is at least one surface region illuminated by the radiation from the light source (30), and the optical member is substantially symmetric around a rotational symmetry axis (5).例文帳に追加

光源（３０）の放射によって作用される少なくとも１つの表面の領域で、光学部材は回転対称軸（５）に対して実質的に対称である。 - 特許庁

Source/drain diffusion region 1107 of a memory element on the same row is electrically connected in common with a bit line 1132 through a contact.例文帳に追加

同一列のメモリ素子のソース／ドレイン拡散領域１１０７は、ビット線１１３２に対してコンタクトを介して電気的に共通に接続されている。 - 特許庁

A grounded source transistor (TR) M1 is biased in a current saturation region under a bias condition to obtain a minimum noise figure of field-effect transistors connected in cascade.例文帳に追加

カスコード接続の電界効果トランジスタの最小雑音指数を得るバイアス条件 は、ソース接地トランジスタＭ１が電流飽和領域にバイアスされることにある。 - 特許庁

The patient lies on the mattress 2 and a radiation source 5 is moved so that a tube bulb is located right above a region to be radiophotographed to thereby take a radiograph.例文帳に追加

患者は敷布団２の上に横たわり、放射線撮影を行いたい部位の真上に管球が来るように放射線源５を移動し、撮影を行う。 - 特許庁

To lower the parasitic resistance of a source/drain region by greatly improving a margin of junction leakage of an MOSFET, having an LDD structure and a salicide structure.例文帳に追加

ＬＤＤ構造とサリサイド構造を有するＭＯＳＦＥＴの接合リークのマージンを大幅に向上させ、ソース・ドレイン領域の寄生抵抗を低減させる。 - 特許庁

A light shielding region 23B of the shutter member 23 crosses the optical path and shuts off the illumination light from the light source during the relative movement of the micoromirrors M (m and n).例文帳に追加

マイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）の相対移動時にはシャッタ部材２３の遮光領域２３Ｂが光路を横切って光源からの照明光を遮断する。 - 特許庁

A power source pin 22 of a cell 21 is connected to the planar power supply pattern wiring layer (low-speed operation circuit region portion) 100kL as a stacked via.例文帳に追加

セル２１の電源ピン２２を面状電源供給パターン配線層（低速動作回路領域部分）１００ｋＬにスタックドビアとして接続する。 - 特許庁

To provide a drive control device for enabling selective activation in a region, in which the efficiency of the first and second source of power are high.例文帳に追加

第１動力源および第２動力源が効率の高い領域で選択的に作動させられる車両用駆動制御装置を提供する。 - 特許庁

The impurity of the same conductive type, as a well 201, is doped in a channel region between source/drain diffusing layers 205 so as not to contact the diffusing layers 205.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層２０５の間のチャネル領域に、ウェル２０１と同導電型の不純物を拡散層２０５と接触しないようにドーピングする。 - 特許庁

Third wiring 33 is extended vertically to the first wiring 31 in the upper layer of a region where the first and second internal power source lines exist.例文帳に追加

第３の配線３３は、第１および第２の内部電源線が存在する領域の上層において、第１の配線３１に対して垂直方向に延びる。 - 特許庁

A MOSFET 1 is provided with an n^+SiC substrate 10, an n^-SiC layer 20, a p well 21, an n^+ source region 22, and an insulation layer 35.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１は、ｎ^＋ＳｉＣ基板１０と、ｎ^−ＳｉＣ層２０と、ｐウェル２１と、ｎ^＋ソース領域２２と、絶縁層３５とを備えている。 - 特許庁

Incident light from the light source 4 has illuminace equal to or larger than a certain value in an incident angle range of 20 from the critical angle of the linear region of the input surface 2.例文帳に追加

光源４からの入射光は入力面２の線状領域で臨界角から２０度の入射角範囲である値以上の照度をもつ。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses generation of short-channel effects while suppressing an increase in parasitic resistance of a source-drain region, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域の寄生抵抗の上昇を抑えつつ短チャネル効果の発生を抑えた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The light-emitting phosphor region is moved relative to the illuminated spot so as to reduce optical quenching and photobleaching, and prolong the lifetime of the light source configuration.例文帳に追加

発光蛍光体領域は消光と光退色を低減するように照射スポットに対して動かされ、これにより光源構成の寿命を延ばす。 - 特許庁

The input light source (e.g., laser) provides a high-intensity input light to the illuminated spot 224, which thereby causes the light-emitting phosphor region to emit a high-intensity output light.例文帳に追加

入射光源（例えばレーザー）は照射スポットに高輝度入射光を供給し、発光蛍光体領域に高輝度出射光を放射させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a p-type MOSFET having a silicide layer of superior heat resistance in a source-drain region, and to provide a method of fabricating the semiconductor device.例文帳に追加

耐熱性に優れたシリサイド層をソース・ドレイン領域に有するｐ型ＭＯＳＦＥＴを備える半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A gate electrode 33 is arranged via a gate insulating film 31 on the region of the base layer 15 caught between the drift layer 13 and the source layer 21.例文帳に追加

ドリフト層１３とソース層２１とで挟まれたベース層１５の領域の上にはゲート絶縁膜３１を介してゲート電極３３が配設される。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus in which a resistance in a drain (or source) region decreasing together with advance of fining is kept to a specified resistance value or more.例文帳に追加

微細化の進行と共に減少するドレイン（またはソース）領域の抵抗を所定抵抗値以上に維持することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The active matrix substrate has a peripheral region with a gate driver 21 (a second electrical circuit) and a source driver 22 (a first electrical circuit).例文帳に追加

本発明のアクティブマトリクス基板は、ゲートドライバ２１（第２の電気回路）およびソースドライバ２２（第１の電気回路）が設けられた周辺領域を有している。 - 特許庁

As a result, the dark region of the image displayed on the liquid crystal panel 21 is not irradiated with light of the light source unit 30, and the contrast of the displayed image gets higher.例文帳に追加

その結果、液晶パネル２１に表示された画像の暗い領域は光源ユニット３０で照射されなくなり、表示される画像は高コントラストになる。 - 特許庁

Then after a conductive film is buried in the trench by forming an insulating separation film, a transistor comprising a gate, a drain, and a source is formed in the predetermined region.例文帳に追加

次に、前記トレンチに絶縁分離膜を形成して導電膜を埋め込んだ後、所定の領域にゲート、ドレイン、ソースからなるトランジスタを形成する。 - 特許庁

A trench 22 of a width about 1 μm is formed at a part, where an n+ type source region 104 is formed with an electrode 1 being embedded therein.例文帳に追加

ｎ＋型ソース領域１０４の形成された部分に、幅１μｍ程度のトレンチ溝２２が形成され、ここに埋め込み電極１が埋め込まれている。 - 特許庁

Element separating films 102, a gate insulating film 103, a gate electrode 104, side walls 105, and the source-drain region 106 are formed on a silicon substrate 101 (Fig. a).例文帳に追加

シリコン基板１０１上に、素子分離膜１０２、ゲート絶縁膜１０３、ゲート電極１０４、サイドウォール１０５、ソース・ドレイン領域１０６を形成する〔（ａ）〕。 - 特許庁

Specifically, the direction of the light source 40 is specified based on relative coordinates of a point B3 of the bright region R3 to a central point P.例文帳に追加

具体的には、光源４０の光源方向特定は、明領域Ｒ３の点Ｂ３の中心点Ｐに対する相対座標に基づいてなされる。 - 特許庁

An X-ray detector 150 is positioned at a predetermined distance from the X-ray source to acquire X-ray image data representative of the region of the object.例文帳に追加

Ｘ線検出器１５０は、Ｘ線源から所定の距離に配置されており、対象の領域を表わすＸ線画像データを取得する。 - 特許庁

A step resist having a different thickness is formed of a second region 156, a channel precursor 161a, and a source/drain precursor 165a by using one halftone mask.例文帳に追加

１つのハーフトーンマスクを用いて、第２領域１５６とチャネル前駆体１６１ａとソース・ドレイン前駆体１６５ａとで膜厚の異なる段差レジストを形成する。 - 特許庁

A MOSFET 1 includes an n^+SiC substrate 10, an n^-SiC layer 20, a p-well 21, an n^+source region 22, and an insulating layer 35.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１は、ｎ^＋ＳｉＣ基板１０と、ｎ^−ＳｉＣ層２０と、ｐウェル２１と、ｎ^＋ソース領域２２と、絶縁層３５とを備えている。 - 特許庁

To provide a device and method for controlling an X-ray source, capable of controlling a radiation dose to a region of interest to a more proper quantity.例文帳に追加

興味ある部位への放射線量をより適正な量に調節することを可能にするＸ線源の調節方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a field emission type electron source having an emission current density in a specified region higher than that in other regions, and provide the manufacturing method thereof.例文帳に追加

特定の領域における放射電流密度が他の領域に比べて高くなる電界放射型電子源およびその製造方法を提供する。 - 特許庁