「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

Thermal treatment is performed, and a metal silicide film is formed selectively above a gate electrode 103a and a high concentration source/drain region 107a.例文帳に追加

そして、熱処理を行うことにより、ゲート電極１０３ａ及び高濃度ソース・ドレイン領域１０７ａの上部に選択的に金属シリサイド膜を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a first layer of a semiconductor material and a field-effect transistor having a first source/drain region formed in the first layer.例文帳に追加

半導体デバイスは半導体材料の第１の層と、第１の層中に形成された第１のソース／ドレイン領域を有する電界効果トランジスタを含む。 - 特許庁

An n-type impurity is doped into the source and drain region 3 by ion doping method through the interlayer dielectric 6 covering the semiconductor film 4.例文帳に追加

ソースおよびドレイン領域３には、半導体膜４を覆う層間絶縁膜６を介してイオンドーピング法によりｎ型不純物がドープされている。 - 特許庁

To perform exposure transfer in a wavelength region from vacuum ultraviolet to infrared without depending on the wavelength of an exposure light source.例文帳に追加

露光光源の波長に依存することなく、真空紫外から赤外までの波長域で露光転写を行なうことができるマスクレス露光装置を提供する。 - 特許庁

Another wavelength-conversion mechanism of the device is a wavelength-conversion region, optically coupled to the light source that converts the original light into second converted light.例文帳に追加

装置の別の波長変換機構は、光源に光学結合され、元の光を第２の変換された光に変換する波長変換領域である。 - 特許庁

Then, by connecting an emitter electrode (7) and the n-type source region on the trench side wall, the element is micronized and the ON resistance is reduced as well.例文帳に追加

そして、エミッタ電極（７）とｎ型ソース領域との接続を、トレンチ側壁で行うことにより、素子の微細化も実現でき、オン抵抗の低減も可能となる。 - 特許庁

A wavelength region selective illumination device 1 selects the light of a plurality of wavelength regions from a light source having spectral distribution of a wide band and emits it as illuminating light.例文帳に追加

波長域選択照明装置１は、広帯域の分光分布をもつ光源から複数の波長域の光を選択して照明光として出射する。 - 特許庁

To efficiently illuminate an illumination region extending with a prescribed width with sufficient luminance and good luminance uniformity using a light source composed of an LED element.例文帳に追加

所定幅で伸延する照明領域をＬＥＤ素子からなる光源を用いて十分な輝度と良好な輝度均斉度で効率よく照明する。 - 特許庁

A source drain region 103 with its plain orientation of the surface as a (111) plain is selectively formed on the upper layer of the silicon substrate 100 with its plain orientation as (100) plain.例文帳に追加

面方位が（１００）面のシリコン基板１００の上層部に表面の面方位が（１１１）面のソース・ドレイン領域１０３が選択的に形成される。 - 特許庁

A contact hole is formed in this interlayer insulation film 17 so as to form a contact which reaches a source/drain diffusion region 11 and a gate electrode 14.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散領域１１及びゲート電極１４に達するコンタクトを形成するため、この層間絶縁膜１７にコンタクトホールが形成される。 - 特許庁

A semiconductor device 100 comprises a first gate electrode 108, a fourth source-drain region 114b, and a common contact 112 electrically connecting them.例文帳に追加

半導体装置１００は、第１のゲート電極１０８と、第４のソース・ドレイン領域１１４ｂと、これらを電気的に接続する共通コンタクト１１２と、を含む。 - 特許庁

After that, a semiconductor material with a lattice constant different from that of the semiconductor substrate 1 is embedded in the second groove 10 to form a source-drain region 6a.例文帳に追加

その後、第２の溝１０に半導体基板１と格子定数の異なる半導体材料を埋め込みソース・ドレイン領域６ａを形成する。 - 特許庁

Also a concentration of the catalyst elements at the boundary of the channel forming region and the lightly doped regions is made less than one of the source/drain regions.例文帳に追加

また、チャネル形成領域と低濃度不純物領域の境界において、該触媒元素の濃度はソース／ドレイン領域よりも小さくしている。 - 特許庁

High output laser light from a second energy source is introduced onto a preheated local region, and the temperature is raised furthermore for annealing.例文帳に追加

第２のエネルギー源からの高出力レーザー光は、それからプレヒートされた局所領域上へと導かれアニーリングのために温度をさらに上昇させる。 - 特許庁

To improve a roll-off characteristic of threshold voltage and BVD_ss by relaxing gradient of LDD junction using phosphor (P) dopant diffusion in a source/drain region.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域のリン（Ｐ）ドーパント拡散を使用してＬＤＤ接合の勾配を緩和して、しきい値電圧のロールオフ特性並びにＢＶＤssを改善する。 - 特許庁

Since the source line can be formed using an impurity region formed on a semiconductor substrate or a wire parallel to a word line, the configuration can be simplified.例文帳に追加

ソース線は、半導体基板上に形成された不純物領域や、ワード線に平行な配線を用いることができるので、構造が単純となる。 - 特許庁

Furthermore, the conventional source/drain diffusion region can be replaced by including the formation of the electrical junction by impressing the voltage to the sub gate.例文帳に追加

さらに、本発明はサブゲートに電圧を印加することにより電気接合の形成を誘起し、従来のソース／ドレイン拡張領域を置換することができる。 - 特許庁

The condenser lens 13 on the side of the light source is controlled by an actuator 17 by using the reflected light from the support 1 so that its focus comes to the region above a pit.例文帳に追加

支持体１からの反射光を用いて光源側集光レンズ１３の焦点がピット上に来るようにアクチュエータ１７で制御する。 - 特許庁

The contact plug 9c is formed simultaneously with a contact plug 9b connected to wiring 4b, and a contact plug 9a connected to a source/drain region 6.例文帳に追加

コンタクトプラグ９ｃは、配線４ｂに接続されるコンタクトプラグ９ｂと、ソース／ドレイン領域６に接続されるコンタクトプラグ９ａと同時に形成される。 - 特許庁

The side walls 30 are used as ion implanting masks at the time of forming a high-concentration impurity diffusing layer 16 which functions as a source-drain region.例文帳に追加

このサイドウォール３０は、ソース・ドレイン領域として機能する高濃度不純物拡散層１６を形成するためのイオン注入マスクとして用いられる。 - 特許庁

The one MOS transistor T1 is connected in series with the another MOS transistor T2 through the source/drain region 5a common to both the transistors.例文帳に追加

一のＭＯＳトランジスタＴ１と他のＭＯＳトランジスタＴ２とは、両トランジスタに共通のソース・ドレイン領域５ａを介して直列に接続されている。 - 特許庁

Sidewalls are formed at the sides of the gates of the low withstand voltage transistors and an opening is formed in the insulation film on the drain-source forming region of each transistor.例文帳に追加

そして、低耐圧トランジスタのゲートの側方にサイドウォールを形成し、各トランジスタのドレイン・ソース形成領域上の絶縁膜に開口部を設ける。 - 特許庁

The protection film 72 is formed even on a gate electrode 3, a side wall 51, and the part 61 of the source/drain region 6 on the side of the LDD layer 4.例文帳に追加

この保護膜７２を、ゲート電極３の上と、サイドウォール５１の上と、ソース／ドレイン領域６のＬＤＤ層４側の部分６１の上にも形成する。 - 特許庁

Extending the width of a wavelength region as a spectral characteristic of a light source, thereby color reproducibility can be sufficiently enhanced when reading an image.例文帳に追加

光源の分光特性としての波長領域の幅を広げることで、画像を読み取った場合、色再現性が十分に発揮されるようにする。 - 特許庁

As a light source for photopolymerization, light sources 11, 12 having spectral energy distribution in which energy concentrates in 400 to 450 nm wavelength region, are used.例文帳に追加

光重合させる光源として、４００〜４５０ｎｍの波長領域にエネルギーが集中している分光エネルギー分布を有する光源１１，１２を用いる。 - 特許庁

The semiconductor 10 is provided with a contact layer 56 formed between the p-type partial region 52 and the source electrode, and containing a gallium oxide.例文帳に追加

半導体装置１０は、ｐ型部分領域５２とソース電極の間に形成されているとともに酸化ガリウムを含むコンタクト層５６を備えている。 - 特許庁

A concave part 10a is formed in the position corresponding to the region between the source electrode 19 and the drain electrode 20 on the semi-insulating substrate 10.例文帳に追加

半絶縁性の基板１０のうち、ソース電極１９とドレイン電極２０との間の領域に対応する位置には凹部１０ａが形成されている。 - 特許庁

A MOSFET cell of a semiconductor device is provided with a polysilicon gate electrode 6 and an n^+ source region 4 formed above an n^- drift layer 2.例文帳に追加

半導体装置のＭＯＳＦＥＴセルは、ポリシリコンのゲート電極６およびｎ^-ドリフト層２の上部に形成されたｎ^+ソース領域４を備える。 - 特許庁

After a gate insulation film 14 and a gate electrode 15 are formed, the polysilicon thin film 13 is implanted with phosphorus ions in order to form a source-drain region.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１４とゲート電極１５を形成した後、多結晶シリコン薄膜１３にソース・ドレイン領域を形成するため燐イオンを注入する。 - 特許庁

The gate electrodes 24a and 24b are formed after activation annealing (heat treatment) for activating impurities introduced into source region and drain regions.例文帳に追加

また、ゲート電極２４ａ、２４ｂは、ソース領域およびドレイン領域に導入された不純物を活性化する活性化アニール（熱処理）をした後に形成される。 - 特許庁

Then, The parts of the first/second island-like crystal films are etched with the source/drain electrodes as a mask to form a channel-formed region.例文帳に追加

更に、ソース／ドレイン電極をマスクとして、第１／第２の島状の結晶性半導体膜の一部をエッチングしてチャネル形成領域を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 21 is arranged beneath a reset electrode 7' so as to connect this gate electrode 21 to the source region 3b of an output transistor Td1.例文帳に追加

リセットトランジスタＴr'のリセット電極７'の下にゲート電極２１を配置し、このゲート電極２１を出力トランジスタＴd1のソース領域３ｂに接続する。 - 特許庁

Each of the current source transistors TA includes a semiconductor layer 31 crystallized by irradiating with a laser beam, with respect to a region long in the laser longitudinal axis direction.例文帳に追加

各電流源トランジスタＴAは、レーザ長軸方向ＤAに長尺な領域に対するレーザ光の照射で結晶化された半導体層３１を含む。 - 特許庁

The overlap of the source electrode 224/the drain electrode 230 and a gate region 202 is eliminated, and the parasitic capacitance and the feed-through voltage are reduced.例文帳に追加

ソース電極２２４及びドレイン電極２３０とゲート領域２０２とのオーバラップがなくなり、寄生容量とフィードスルー電圧を低減することができる。 - 特許庁

To provide a laser light source by which coherent light is generated highly efficiently in gas absorption line wavelength in a 2.7μm band of a middle infrared region.例文帳に追加

中赤外領域の２．７μｍ帯におけるガス吸収線波長において、高効率にコヒーレント光を発生することができるレーザ光源を提供する。 - 特許庁

After a gate insulation film 14 and a gate electrode 15 are formed, the polysilicon thin film 13 is implanted with phosphorous ions for forming a source-drain region.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１４とゲート電極１５を形成後、多結晶シリコン薄膜１３にソース・ドレイン領域を形成するため燐イオンを注入する。 - 特許庁

Then using the gates and the upper electrodes as a mask, a source/drain 120, a channel region 122 and a lower electrode 119 are formed by an ion-doping process.例文帳に追加

次に、ゲートおよび上部電極をマスクとして、ソース／ドレイン１２０、チャンネル部分１２２および下部電極１１９が、ドーピングにより形成される。 - 特許庁

The source employs a multiplicity of independently-addressable emitters within a small region which can be centered on the axis of the charged particle system.例文帳に追加

この源は、荷電粒子システムの軸を中心とすることができる小さな領域内にある独立してアドレス指定可能な多数の放出器を使用する。 - 特許庁

Then the gate insulating film 7 is larger in film thickness at a portion adjacent to the source region 9 than at the remaining portions other than the adjacent portion.例文帳に追加

そして、ゲート絶縁膜７において、ソース領域９に隣接する部分は、当該部分以外の残余の部分よりも大きい膜厚を有している。 - 特許庁

The device has, further, an electron source 30a which supplies electrons 50 to a region of a tunnel-shape magnetic field formed between both permanent magnets 24, 26.例文帳に追加

この装置は更に、両永久磁石２４、２６間に形成されるトンネル状磁界の領域に電子５０を供給する電子源３０ａを備えている。 - 特許庁

In a principal process, the charge storage film and memory gate electrode are formed after ion implantation D01 for forming the memory source-drain region SDm is carried out.例文帳に追加

本工程では、メモリソース・ドレイン領域ＳＤｍを形成するためのイオン注入Ｄ０１を施した後に、電荷蓄積膜とメモリゲート電極とを形成する。 - 特許庁

Next, after removing the first buried element isolation insulating film 22, the bottom face thereof and the source region of a memory central transistor are ion injected with impurities.例文帳に追加

そして、第一の埋め込み素子分離絶縁膜２２を除去した後に、その底部とメモリセルトランジスタのソース領域とに不純物をイオン注入する。 - 特許庁

A drain of the first conductivity type and a source of the second conductivity type are each provided at both sides of the first channel region in the semiconductor layer.例文帳に追加

第１導電型のドレインおよび第２導電型のソースが、第１のチャネル領域の両側にある半導体層内にそれぞれ設けられている。 - 特許庁

A semiconductor wafer is preheated before it is laser annealed by introducing converged energy from a first energy source to a local region of the wafer.例文帳に追加

半導体ウェハは、第１のエネルギー源からウェハの局所領域へと集束されたエネルギーを導くことによってレーザーアニーリングの前にプレヒートされる。 - 特許庁

In order to evaporate a silicon carbide layer on a substrate, a source gas of silicon, carbon, and nitrogen and gas including an inert gas are introduced into a reaction region.例文帳に追加

基板上にシリコンカーバイド層を蒸着するために、シリコン、炭素及び窒素のソースガス並びに不活性ガスを含むガスが反応領域内に導入される。 - 特許庁