「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a vertical gate semiconductor device and a method for manufacturing it capable of reducing in size without increasing the contact resistance in a source region.例文帳に追加

ソース領域のコンタクト抵抗を増大させることなく、小型化を図ることができる縦型ゲート半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The head region includes a coolant introducing path for storing a coolant fed from a coolant source and a coolant feed path for discharging the coolant toward the cutting insert.例文帳に追加

ヘッド領域は、クーラント源からクーラントを収容するクーラント進入通路と、切削インサートに向かってクーラントを放出するクーラント供給通路を含む。 - 特許庁

A control gate electrode 15 is formed above a channel region 13, which is between the drain 11 and the source 12, via a gate oxide film 14.例文帳に追加

ドレイン領域１１とソース領域１２との間のチャネル領域１３の上には、ゲート酸化膜１４を介してコントロールゲート電極１５が形成されている。 - 特許庁

In such a constitution, the source region 2a and the gate electrode 21 are actuated at the same phase potential, while the gate electrode 11' and the protrusion 22 are actuated at the same phase potential.例文帳に追加

ソース領域２ａとゲート電極２１とを同じ位相の電位で動作させ、ゲート電極１１'と突出部２２とを同じ位相の電位で動作させる。 - 特許庁

The DBR region is not required to be formed on a semiconductor laser, so that the coherent light source is capable of controlling its wavelength stably and carrying out modulation controls at a low cost.例文帳に追加

ＤＢＲ領域を半導体レーザ上に形成する必要がないため、低コストで安定な波長制御、変調制御を実現できる。 - 特許庁

To generate a layout of small chip area with respect to a semiconductor integrated circuit having a plurality of power source systems in an internal circuit region.例文帳に追加

内部回路領域に複数の電源系統を持つ半導体集積回路に関してチップ面積の小さいレイアウトを生成することを可能にする。 - 特許庁

When the intermediate region is shared as a diffusion window for forming the source or drain, an inexpensive intermediate layer having uniform concentration and width can be obtained.例文帳に追加

該中間領域をソース又はドレイン形成用拡散窓と共有して行うことにより、廉価で且つ均一濃度・均一幅の中間層を実現できる。 - 特許庁

A gate insulation film 2, a gate electrode 3a and a protective layer 4a are formed on an Si substrate 1 and followed by formation of a lightly doped source-drain region 6.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に、ゲート絶縁膜２、ゲート電極３ａ、ゲート上保護層４ａを形成した後、低濃度ソース・ドレイン領域６を形成する。 - 特許庁

A power source wiring 7 and a ground wiring 8 are formed around the circuit forming region 2, and a plurality of protective circuits 9 are interposed between the wirings.例文帳に追加

回路形成領域２の周囲には、電源配線７およびグランド配線８が形成され、それらの間には、複数の保護回路９が介在されている。 - 特許庁

FORMING METHOD FOR T-TYPE ELEMENT SEPARATION FILM AND FOR ELEVATED SALICIDE SOURCE/DRAIN REGION USING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT COMPRISING THE SAME例文帳に追加

Ｔ型素子分離膜の形成方法、これを用いたエレベイテッドサリサイドソース／ドレイン領域の形成方法及びＴ型素子分離膜を有する半導体素子 - 特許庁

To provide an apparatus for keeping heat capable of simply heating and keeping optimum heat in long hours even in winter or at the outdoors devoid of a power source in a cold region.例文帳に追加

簡便に加熱が可能で、冬場や寒冷地の電源のない屋外においても適度の温熱が長時間持続する温熱保温用器具を提供する。 - 特許庁

The thin film transistor is manufactured with a lower etching rate of a gate insulation film on a source and drain regions than that of the gate insulation film on a channel region.例文帳に追加

ソースおよびドレイン領域上のゲート絶縁膜のエッチングレートが、チャネル領域上のゲート絶縁膜のエッチングレートよりも小さい薄膜トランジスタを製造する。 - 特許庁

This semiconductor device includes: a gate insulation film 13, a gate electrode 14, a source-drain region 19, a contact plug 22, and a stress insulation film 23.例文帳に追加

半導体装置は、ゲート絶縁膜１３と、ゲート電極１４と、ソースドレイン領域１９と、コンタクトプラグ２２と、応力絶縁膜２３とを備えている。 - 特許庁

A photocatalyst 2 can be supported by the whole or a part of the gas-exposure region of the structure 1 which the irradiation light from the light source 5 can reach.例文帳に追加

つまり、光源５からの照射光が到達し得る、構造体１の気相露出領域の全部または一部に光触媒２が担持され得る。 - 特許庁

The device is provided with a fluid source, by which the objects of the final part are energized to pass the take-out region of the holding plate (36) from the supporting plate.例文帳に追加

流体源が設けられ、それによって最終部の物体を支持プレートから、そして保持プレート（３６）の取出領域を通るように、付勢する。 - 特許庁

Accordingly, strain is generated in a channel region extremely under the gate electrode 8 held by the source-drain 10 in the Si layer 5, and the carrier mobility is improved.例文帳に追加

これにより、薄膜Ｓｉ層５内でソース・ドレイン１０に挟まれたゲート電極８直下のチャネル領域に歪みを発生させ、キャリア移動度を向上させる。 - 特許庁

In a field-effect transistor 10, a conductive region, a source electrode 14, a drain electrode 16, and a gate electrode 18 are arranged on a substrate 12.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１０は、基板１２の上に導電性領域、及び、ソース電極１４、ドレイン電極１６及びゲート電極１８が配置される。 - 特許庁

The opening is filled with a conductor, by which a plug PGa extending over the source/drain region 7a and the second silicide film SL2a is formed.例文帳に追加

開口部を導体で充填することにより、ソース／ドレイン領域７ａ上と、第２のシリサイド膜ＳＬ２ａ上とに跨るプラグＰＧａが形成される。 - 特許庁

A pixel value at a region corresponding to the video signal of a light source is acquired from images photographed under the two different spectral sensitivity characteristics S1, S2.例文帳に追加

２つの異なる分光感度特性Ｓ１、Ｓ２のもとで撮影された画像の中から光源の映像に対応する領域の画素値を取得する。 - 特許庁

Fourth wiring 34 is extended vertically to the second wiring 32 in the upper layer of the region where the first and second internal power source lines exist.例文帳に追加

第４の配線３４は、第１および第２の内部電源線が存在する領域の上層において、第２の配線３２に対して垂直方向に延びる。 - 特許庁

The upper part of the stepped part is filled with a conductive material to serve as a strap 904, and N-type ions are implanted for the formation of a source region 61 inside the substrate 10.例文帳に追加

段差上部に導電材料を充填してストラップ９０４とし、ｎ型イオンを注入してソース領域６１を基板１０内に形成する。 - 特許庁

An attraction source, such as a reduced pressure, magnetic, and/or electrostatic force, is operable at each projection end region to attract and retain one bead.例文帳に追加

引力源（例えば、減圧、磁力および／または静電力）は、各突出物端部領域で、１つのビーズを引きつけおよび保持するように作動可能である。 - 特許庁

At this time, between the channel stopper 7 and the source region 4, a low-density channel stopper 8 is formed that extends to a midpoint (line segment 30) of a channel 35.例文帳に追加

このとき、チャネルストッパ７とソース領域４の間に、チャネル３５の中間地点（線分３０）まで延在する低濃度チャネルストッパ８が形成される。 - 特許庁

As a result, light incident on an insulator layer 10 does not reach the source electrode 12 and the possibility that multiply reflected light reaches the channel region 7a becomes low.例文帳に追加

これにより、絶縁層１０に入射した光がソース配線１２に達せず、多重反射光がチャネル領域７ａに到達すること可能性が低い。 - 特許庁

A light emission region 115a of a movable accessory 116 positioned outside a range of the liquid crystal cell 10 is allowed to emit light by the LED 41 of the light source part 30.例文帳に追加

光源部３０のＬＥＤ４１によって、液晶セル１０の範囲外に位置する可動役物１１６の発光領域１１５ａが光る。 - 特許庁

The first member 41 is formed in a region of which distance to the light source 2 is nearer, and the second member 42 is formed in the surrounding of the first member 41.例文帳に追加

第１の部材４１は、光源２との距離が近い領域に形成され、第２の部材４２は、第１の部材４１の周辺に形成されている。 - 特許庁

A light transmission region 23A of the shutter member 23 crosses the optical path and guides the illumination light from the light source to the forming surface while the micromirrors M (m and n) are held static.例文帳に追加

マイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）の静止時にはシャッタ部材２３の光透過領域２３Ａが光路を横切って光源からの照明光を描画面へ導く。 - 特許庁

The planar light source device has a plurality of nearly U-shaped lamps 27 disposed on a rear surface of a light emitting region.例文帳に追加

本発明にかかる面状光源装置は、発光領域の背面に配置された略Ｕ字状のランプ２７を複数備える面状光源装置である。 - 特許庁

To provide a plane lighting apparatus which controls a light emission volume in a region corresponding to directional characteristic of a light source and emits a required light emission volume in other regions.例文帳に追加

光源の指向特性に対応した領域では出射光の量を抑え、他の領域では目的とする量の出射光を出射する。 - 特許庁

A light beam emitted from a point light source 45 is emitted from a linearly extended region by a wedge-shaped light conductive body 47, deflected by a prism sheet 50.例文帳に追加

点光源４５から出射された光は、くさび状導光体４７によって線状に伸びた領域から出射され、プリズムシート５０で偏向される。 - 特許庁

Subsequently, Si and Ni in the gate electrode and the source/drain region are reacted through the heat treatment process of a treatment S105 to form an NiSi layer.例文帳に追加

次に、処理Ｓ１０５の熱処理工程でゲート電極及びソース／ドレイン領域におけるＳｉとＮｉとを反応させＮｉＳｉ層を形成する。 - 特許庁

The source of the NMOS transistor Q3 is grounded, and the gate and drain of the transistor Q3 are respectively connected to the input terminal N10 and the body region of the NMOS transistor Q2.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタＱ３のソースが接地され、ゲートが入力端Ｎ１０に接続され、ドレインがＮＭＯＳトランジスタＱ２のボディ領域に接続される。 - 特許庁

The light guide lens is arranged in a region deviating from the optical path of light emitted from the light source of a vehicular headlight and distributed as predetermined.例文帳に追加

車両用前照灯の光源から照射され所定配光をなす光の光路から外れた領域に配置される導光レンズである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that prevents capacity between a source/drain region and a substrate from decreasing and reduces a punch-through phenomenon.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域と基板との間の容量の低下を防止でき、パンチスルー現象を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Also, the data storage device includes an energy source (10) capable of forming data bits (110, 111, 112, 113 and 150) of a nanometer scale in the data storage medium (20) and the region of the data storage medium (20).例文帳に追加

また、データ記憶デバイスは、データ記憶媒体(20)及びデータ記憶媒体(20)の領域においてナノメートルスケールのデータビット(110,111,112,113,150)を形成できるエネルギー源(10)を含む。 - 特許庁

A source electrode 41 and a drain electrode 42 are formed separately on the body 3 so as to be electrically connected to the channel region 36.例文帳に追加

ソース電極４１およびドレイン電極４２は、チャネル領域３６に電気的に接続されるように本体部３の上に離隔して設けられている。 - 特許庁

Subsequently, an interlayer insulation film 10 is deposited, a contact hole Hct reaching the heavily doped source-drain region 9 is made and a plug electrode 11 is formed.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜１０の堆積と、高濃度ソース・ドレイン領域９に到達するコンタクトホールＨctの形成と、プラグ電極１１の形成とを行なう。 - 特許庁

An ARVSS regulator 6 supplies a cell source power supply voltage ARVSS1, which is higher than a reference voltage VSS, to the SRAM module 12 of a region 2.例文帳に追加

また、ＡＲＶＳＳレギュレータ６は、基準電圧ＶＳＳよりも高いセルソース電源電圧ＡＲＶＳＳ１を領域２のＳＲＡＭモジュール１２に供給する。 - 特許庁

A channel region 20A between the source electrode 18S and the drain electrode 18D in the semiconductor layer 20 has a crystalline phase.例文帳に追加

半導体層２０における、ソース電極１８Ｓ及びドレイン電極１８Ｄとの電極間の領域であるチャネル領域２０Ａは、結晶相とされている。 - 特許庁

For example, a gaming system generates a video display source including display data for a partitioned display, where each region of the partitioned display corresponds to a different player or the gaming system.例文帳に追加

例えば、ゲームシステムが、各領域がゲームシステムの異なるプレーヤに対応する区分化されたディスプレイに対する表示データを含むビデオディスプレイソースを生成する。 - 特許庁

The measuring light path O reaching a light detection part 4 from a light source via a reflecting mirror 5 is formed on the region A of a cell 2 in a V-shape on a plan view.例文帳に追加

セル２の領域Ａには、光源から反射ミラー５を介して受光部４に至る測定光路Ｏが平面視でＶ字状に形成されている。 - 特許庁

This enables a gate electrode 5 and the first highly concentrated p-type source region 6 to be overlapped without fail, thus preventing off-set between the gate sources.例文帳に追加

これにより、ゲート電極５と第１の高濃度Ｐ型ソース領域６とを確実にオーバーラップさせることができ、ゲートソース間のオフセットを回避することができる。 - 特許庁

After a natural oxide film on the upper surface of a source/drain region 10a exposing over the bottom of the contact hole 12a is removed, an Ti film 1 is laminated thereon.例文帳に追加

コンタクトホール１２ａ底部に露出した各ソース・ドレイン領域１０ａの上面の自然酸化膜を除去した後、Ｔｉ膜１を堆積する。 - 特許庁

Mapping means 103 and 104 changes the texture, and maps it to the model plane corresponding to the region based on the point of view and the bearing of the light source.例文帳に追加

マッピング手段１０３、１０４が、視点及び光源の方位に基づいて、テクスチャを変化させて領域に対応するモデル平面にマッピングする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has large contact area on a source/drain region regardless of fining in a transistor, and at the same time excellent element separation characteristics.例文帳に追加

トランジスタの微細化に関わらずソース／ドレイン領域上のコンタクト面積が大きく、かつ、素子分離特性の良好な半導体装置を提供する。 - 特許庁