「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, after an insulating and separating film is formed and an electrically conductive film is embedded in the trench, a transistor consisting of a gate, a drain and a source is formed at a predetermined region.例文帳に追加

次に、前記トレンチに絶縁分離膜を形成して導電膜を埋め込んだ後、所定の領域にゲート、ドレイン、ソースからなるトランジスタを形成する。 - 特許庁

The holding member 23 (35) is provided with a light collection part 23b (35b) which collects the light emitted from the light source 24h (36h) into the irradiated region.例文帳に追加

保持部材２３（３５）には、光源２４ｈ（３６ｈ）から出射された光を照射領域に集光する集光部２３ｂ（３５ｂ）が設けられている。 - 特許庁

To provide a wide-band light source device which generates SC light of the visible region having a spectrum of high intensity and a stable shape.例文帳に追加

高強度でかつ安定な形状のスペクトルを有する可視領域のＳＣ光を生成する広帯域光源装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The substrate 10 is irradiated with laser beams 40 in the near infrared region by a laser light source 30 and the laser beams are made to scan the substrate 10 so as to cross a bar code 20.例文帳に追加

レーザ光源３０により近赤外領域のレーザ光４０を基板１０に照射するとともにバーコード２０を横切るように走査させる。 - 特許庁

To increase the reliability of a light source in an optical device by suppressing the attachment of foreign materials and preventing the fusion of an optical fiber in a high power density region.例文帳に追加

光デバイスにおいて、異物の付着を抑制し、さらに高パワー密度領域での光ファイバの融着を防止して、光源の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To make both of complete depletion operation and reduction of parasitic resistance in a source/drain region compatible, without damage to a channel surface, and with easy formation of a gate electrode.例文帳に追加

チャネル表面にダメージがなく、ゲート電極の形成が容易で、完全空乏動作とソース・ドレイン領域の寄生抵抗の低減との両立を可能にする。 - 特許庁

The first body part 330 has a first channel region 330a, and first source/drain regions 330b and 330c located on both sides of it.例文帳に追加

前記第１ボディー部３３０は、第１チャンネル領域３３０ａとその両側に位置した第１ソース／ドレーン領域３３０ｂ、３３０ｃを有する。 - 特許庁

As already mentioned, the presence of the East Asian region as a source of profit for Japanese companies has been increasing in line with the accelerating pace of Japanese companies’ overseasexpansion.例文帳に追加

前述のとおり、日本企業の海外展開の加速に伴い、東アジア地域が日本企業の収益源としてそのプレゼンスを拡大している。 - 経済産業省

As a result, a stress applied to the source/drain active layers 6c1, 6d1 from the element isolation region 5b can be alleviated without generation of an obtuse-angled portion at the corner.例文帳に追加

その結果、コーナーに鋭角的な部分が発生せずに、素子分離領域５ｂからソース／ドレイン活性層６ｃ１，６ｄ１へと加わる応力が緩和される。 - 特許庁

A large element region allowing efficient transistor operation to be executed can thus be secured, and the resistance of the first source electrode layer below a wiring portion can be reduced.例文帳に追加

これにより効率的にトランジスタ動作を行える素子領域を大きく確保でき、且つ配線部下方の第１ソース電極層抵抗を低減できる。 - 特許庁

These laser array light source units 102 and 104 are disposed such that they are adjacent to each other in the second direction y, and the laser beam emission region is offset from the center of the respective laser array light source units 102 and 104 in the second direction y to an adjacent direction of the laser array light source units.例文帳に追加

これらのレーザアレイ光源ユニット１０２，１０４は、第２の方向ｙにおいて互いに隣接して配置されており、レーザ光出射領域は、個々のレーザアレイ光源ユニット１０２，１０４の第２の方向ｙの中心からレーザアレイ光源ユニットの隣接方向にオフセットしている。 - 特許庁

To provide a light source apparatus which synthesizes a plurality of light beams, particularly the light beams from a plurality of light source parts having the same or similar wavelength region, to provide an optical scanner which stably scans the light beams at high speed by using the light source apparatus, and to provide an image display apparatus.例文帳に追加

複数のビーム光、特に波長領域が同一又は近似するような複数の光源部からのビーム光を合成可能な光源装置、その光源装置を用いることでビーム光を安定かつ高速に走査させることが可能な光走査装置、及び画像表示装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a compact LED linear light source which has uniform emission light including the light emitted from a peripheral part of a light source of a rod-shaped light guide body, and which is enough for a length to form an effective light-emitting region which is required for the total length of the light-emitting body as the linear light source.例文帳に追加

棒状導光体の光源の周辺部から出射される光を含めた出射光が均一であり、導光体の全長が線状光源として必要な有効発光領域程度の長さで足りるコンパクトなＬＥＤ線状光源を提供する。 - 特許庁

When the depth of the first groove 31 positioned in the vicinity of the light source 4 is small, much light can be delivered to the thin part of the guide body 3 distant from the light source 4, so that the lack of luminous energy never occurs even in the region of the luminous surface 3a distant from the light source 4.例文帳に追加

また、光源４の近傍に位置する第１の条溝３１が浅ければ、光源４から遠い導光体３の肉薄部分へ多くの光を到達させることができるので、発光面３ａは光源４から遠い領域でも光量不足を起こさなくなる。 - 特許庁

The MOSFET is programmed by connecting a drain electrode to a supply source of a main voltage Vcc provided to the non-volatile memory cell and supplying selected voltages to the source and substrate so as to invert a portion of a channel region extending from the source toward the drain.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴは、ドレイン電極を非揮発性メモリセルに供給される主電圧Ｖ_ｃｃの供給源に接続しかつ、ソースからドレインの方へ延在するチャネル領域の一部を反転させるようにソース及び基板へ選択された電圧を供給することによって、プログラミングされる。 - 特許庁

The light guide body 120 is arranged between the light source and a region to be lighted and a recessed part 121a in which a part of the light source is stored is provided in the incident end surface 120a as the surface facing the light source of the light guide body 120.例文帳に追加

光源と被照明領域との間に配置される導光体１２０であって、導光体１２０における光源との対向面である入射端面１２０ａに、光源の少なくとも一部を収納する凹部１２１ａが設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor element operating in the normally-off mode by forming a Schottky electrode in a source region of an FET, forming a gate electrode in a part of a source electrode area and in a part of a nitride semiconductor area, and providing a floating guard ring between a drain electrode and the source electrode.例文帳に追加

ＦＥＴのソース領域にショットキー電極を形成し、ゲート電極をソース電極の一部領域と窒化物半導体領域の一部に形成し、ドレイン電極と該ソース電極との間にフローティングガードリングを設けることによって、ノーマリ−オフで動作する半導体素子を提供する。 - 特許庁

In the power MOSFET 30, a P base layer 5 is selectively formed on the surface of a semiconductor substrate 1, and an N^+ source layer 6 and a P^+ contact layer 7 as a source of the power MOSFET 30 are formed on the surface of the P base layer 5 of a source region 31a.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴ３０では、半導体基板１の表面にPベース層５が選択的に形成され、ソース領域３１ａのPベース層５の表面にパワーＭＯＳＦＥＴ３０のソースとしてのＮ^＋ソース層６及びＰ^＋コンタクト層７が選択的に形成されている。 - 特許庁

The first region 131 closest to the light source 2 is provided with an inclined surface 51 guiding the light 4 from the side of the light source 2 to the direction of the side face reflection part 11 while fully reflecting the light 4 and a first outgoing light catching surface 52 emitting the light 4 from the side of the light source 2 from one surface 12.例文帳に追加

最も光源２に近い第１領域１３１は，光源２側からの光４を全反射させながら側面反射部１１の方向へ導く傾斜面５１と，光源２側からの光４を一方の面１２から出射させる第１往光採取面５２とを有する。 - 特許庁

The apparatus comprises (1) a helium cluster or a droplet source, (2) a proton source which introduces the protons to the droplet, (3) an AP source which forms a decompressed and low-pressure flow, (4) a capture cell element which protonates compound molecules at a low temperature, (5) a desolvating region for remaining helium removal and (6) the mass spectrometer and a detector.例文帳に追加

装置に（1)ヘリウムクラスター又は液滴源；（2)液滴にプロトンを導入するプロトン源；（3)減圧して低圧の流れを形成するＡＰ源；（4)化合物の分子を低温でプロトン化等する捕獲セル要素；（5)残存ヘリウム除去用の脱溶媒域；及び（6)質量分析計及び検出器を含む。 - 特許庁

Therefore, this device has a structure in which a source contact layer 61a can be stored on a region between the gate electrode layers, while avoiding contact of the drain-gate connect layer with the source contact layer 61a, i.e., a structure in which at least a portion of the source contact layer 61a does not exceed a dotted line 87.例文帳に追加

このため、ドレイン−ゲート接続層とソースコンタクト層６１ａとの接触を避けつつ、ソースコンタクト層６１ａをゲート電極層間領域上に収めるこができる構造、つまり、ソースコンタクト層６１ａの少なくとも一部が点線８７を越えない構造となる。 - 特許庁

cBN is produced by the phase transition of hBN held in a thermodynamic stable region under the existence of a catalytic material containing a lithium source, a magnesium source and a carbon source.例文帳に追加

本発明のｃＢＮの製造方法は、ｈＢＮを、触媒物質の存在下にてｃＢＮの熱力学的安定領域内に保持し、前記ｈＢＮをｃＢＮに相転移するｃＢＮの製造方法において、前記触媒物質は、リチウム源、マグネシウム源、炭素源を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Because a light source 4, which is placed closest to a light transmission plate 2, is offset toward the rear side of the light transmission plate 2 in the thickness direction of the light transmission plate 2, an incident angle θ of light from the light source 4 is varied and the luminance of the light source 4 in the adjacent region E is weakened.例文帳に追加

最も導光板２寄りの光源４を、導光板２の厚さ方向において、導光板２の裏面側へオフセット配置したため、その光源４からの光の入射角度θが変化し、その光源４の近接領域Ｅにおける輝度が弱まる。 - 特許庁

A file providing method for providing file data corresponding to access authority of access source is provided to set access authority for each data in the predetermined region of a file, and to connect data satisfying access authority of the access source according to predetermined combination, and to provide the connected data to the access source.例文帳に追加

アクセス元のアクセス権限に対応するファイルデータを提供するファイル提供方法であって、ファイルの所定の領域にあるデータ毎にアクセス権限を設定し、アクセス元のアクセス権限を満たしているデータを、所定の組み合わせによって連結し、連結されたデータをアクセス元に提供する。 - 特許庁

The light source drive circuit 40 also controls the emission timing of light sources in such a manner that the time when a scanning line belonging to the region corresponding to a given light source is first selected coincides with the time when brightness detected by the photosensor provided in the region of the light source changes from a bright side to a dark side and reaches a predetermined threshold.例文帳に追加

光源駆動回路４０は、また、ある光源に対応する領域に属する走査線が最初に選択されるタイミングと、当該光源の領域に設けられた光センサーによって検出された明るさが明方向から暗方向に変化する場合に予め設定された閾値に達するタイミングとが一致するように、当該光源の発光タイミングを制御する。 - 特許庁

In an RESURF-MOSFET 100 with an RESURF region 110 functioning as a field buffering region, atoms having n-type conductivity and nitrogen atoms are contained in at least one of the RESURF region 110, an n^+ type contact region 104s functioning as a source contact and an n^+ type contact region 104d functioning as a drain contact.例文帳に追加

電界緩和領域として機能するＲＥＳＵＲＦ領域１１０を備えたＲＥＳＵＲＦ−ＭＯＳＦＥＴ１００において、ＲＥＳＵＲＦ領域１１０と、ソース用コンタクトとして機能するｎ^＋型コンタクト領域１０４ｓと、ドレイン用コンタクトとして機能するｎ^＋型コンタクト領域１０４ｄとのうち少なくとも１つに、ｎ型の導電性を有する原子と窒素原子とを不純物として含ませる。 - 特許庁

For an amorphous silicon film, laser irradiation is executed in the vicinity of a channel forming region or a TFT forming region including the channel forming region and a source/drain region, the TFT forming region is isolated, a metal element (represented by Ni) for promoting crystallization is added and heat processing is executed, thereby making it possible to arbitrarily define the position of the crystal aggregation (domain).例文帳に追加

非晶質シリコン膜に対して、チャネル形成領域或いはチャネル形成領域やソース及びドレイン領域等も含むＴＦＴ形成領域の周囲を選択的にレーザー照射を行い、各ＴＦＴ形成領域を孤立させて、結晶化を助長する金属元素（代表的にはＮｉ）を添加し、加熱処理を行うことにより、結晶の集合（ドメイン）の位置を任意に定める事を可能とするものである。 - 特許庁

To manufacture a horizontal silicon carbide power device by forming self-aligned shallow implantation region and deep implantation region, comparatively fixing an n-type dopant having a low diffusivity of the shallow implantation region, sufficiently diffusing a p-type dopant having a high diffusivity of the deep implantation region, and forming a p base region forming a well controlled channel around an n-type source.例文帳に追加

自己整列した浅い注入領域及び深い注入領域を形成し、浅い注入領域の低い拡散率を有するｎ型ドーパントを比較的固定すると共に、深い注入領域の高い拡散率を有するｐ型ドーパントを十分に拡散させ、良く制御されたチャネルを形成するｐベース領域をｎ型ソースの周りに形成して横型炭化シリコンパワーデバイスを製造する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has a supporting substrate 10, an insulating layer 12 formed on the substrate 10, a semiconductor layer 13 formed on the layer 12, a channel region 16 provided in the layer 13, a source region 20 and a drain region 30 formed on both sides of the region 16, and a gate electrode 40 formed on the region 16 through a gate insulating layer 18.例文帳に追加

半導体装置１００は、支持基板１０と、支持基板１０の上方に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２の上方に形成された半導体層１３と、半導体層１３内に設けられたチャネル領域１６と、チャネル領域１６の両側に形成されたソース領域２０及びドレイン領域３０と、チャネル領域１６の上方にゲート絶縁層１８を介して形成されたゲート電極４０と、を含む。 - 特許庁

There is provided a multi-bit nonvolatile memory device comprising a channel region formed on a semiconductor substrate, a source or a drain forming a shottky contact with the channel region, a central gate electrode formed on a part of the channel region, first and second side wall gate electrodes formed in the channel region outside the central gated electrode, and first and second storage nodes formed between the channel region and the side wall gate electrode.例文帳に追加

半導体基板に形成されたチャンネル領域、チャンネル領域とショットキーコンタクトをなしているソース及びドレイン、チャンネル領域の一部分上に形成された中央ゲート電極、中央ゲート電極の外側のチャンネル領域に形成された第１及び第２側壁ゲート電極、及びチャンネル領域と側壁ゲート電極との間に形成された第１及び第２ストレージノードを備えるマルチビット不揮発性メモリ素子。 - 特許庁

Top surfaces of prisms and inclined surfaces on the opposite side of the light source are arranged so that the light, traveled in the direction of the opposite side of the light source through a light guide body 22, is sequentially reflected by top surfaces 41a of prisms 41 and inclined surfaces 41a on the opposite side of the light source within the region on the light source side.例文帳に追加

光源側の領域において、導光体２２内を反光源側に向かって進む光が、プリズム４１の頂面４１ａと反光源側の傾斜面４１ｂとで順次反射されて導光体の長手方向に直交する方向に近づくように、プリズムの頂面及び反光源側の傾斜面が形成されたものとする。 - 特許庁

The discharge area A, including the discharge source P, is specified based on the time difference of the discharge signal (electromagnetic wave), the kind of the discharge source P is determined from the frequency characteristics of the electromagnetic wave emitted from the discharge source P, and also the position of the discharge source P in the discharge region A is specified from the result of the determination.例文帳に追加

放電発生源Ｐを含む放電領域Ａを放電信号（電磁波）の受信時間差に基づいて特定し、放電発生源Ｐから出射された電磁波の周波数特定に基づいて放電発生源Ｐの種類を判定し、この判定結果に基づいて放電領域Ａ内の放電発生源Ｐの位置を特定する。 - 特許庁

An electron emission source 32 is formed on first cathode electrodes 14a-14d of the rectangular region A1 facing first gate electrodes 26a-26d, and an electron emission source 36 is formed on second cathode electrodes 18a-18d or the like of the frame-like region A2 facing a second gate electrode 30.例文帳に追加

矩形状領域Ａ１の第１のカソード電極１４ａ〜１４ｄ上に、第１のゲート電極２６ａ〜２６ｄに対向して電子放出源３２が形成されるとともに、枠体状領域Ａ２の第２のカソード電極１８ａ〜１８ｄ上等にも第２のゲート電極３０に対向して電子放出源３６が形成される。 - 特許庁

A power source voltage V_cc, required for driving a driving transistor Tr_1 in a saturated region with a video signal 22B input from a video signal processing circuit 22, is derived by using a table that represents the relation between a video signal and the power source voltage V_cc required to drive the driving transistor Tr_1 in a saturated region.例文帳に追加

映像信号と、駆動トランジスタＴｒ_1を飽和領域で駆動させるのに必要な電源電圧Ｖ_ccとの関係を表したテーブルを用いて、映像信号処理回路２２から入力された映像信号２２Ｂにおいて駆動トランジスタＴｒ_1を飽和領域で駆動させるのに必要な電源電圧Ｖ_ccが導出される。 - 特許庁

In a semiconductor device where an MOSFET is formed in a semiconductor thin film (3), which is formed into a semiconductor substrate (1) via a buried insulation film (2), a heavily-doped region (22) for restraining etching of a source/drain region is provided near the surface of source/drain regions (3b), (3c) of the semiconductor thin film (3).例文帳に追加

半導体基板(1)に埋込み絶縁膜(2)を介して形成された半導体薄膜(3)にＭＯＳＦＥＴを形成した半導体装置において、半導体薄膜(3)のソース・ドレイン領域(3b),(3c)の表面近傍にソース・ドレイン領域のエッチングを抑制するための高濃度不純物注入領域(22)が設けられている。 - 特許庁

There are provided source and drain regions 14N and 14P of first conductive type arranged across a channel region, and a pair of pocket injection regions 12N and 12P of second conductive type which cover the side surface part in the vicinity on the channel region side of the source and drain regions to form a joint surface only with the side surface part vicinity.例文帳に追加

チャネル領域を挟んで配置された第１導電型のソースおよびドレイン領域１４Ｎ，１４Ｐと、ソースおよびドレイン領域のチャネル領域側の側面部近傍のみを覆い、当該側面部近傍とのみ接合面をそれぞれ形成する一対の第２導電型のポケット注入領域１２Ｎ，１２Ｐとを備える。 - 特許庁

The field effect transistor comprises an insulation layer 11, a source electrode 12 and a drain electrode 13 which are located on the insulation layer 11, an active region 14 which is located between the source electrode 12 and the drain electrode 13 on the insulation layer 11, and a gate insulation film 15 and a gate electrode 16 which are formed on the active region 14.例文帳に追加

絶縁層１１と、絶縁層１１上に配置されたソース電極１２およびドレイン電極１３と、絶縁層１１上であって且つソース電極１２とドレイン電極１３との間に配置された能動領域１４と、能動領域１４上に形成されたゲート絶縁膜１５と、ゲート電極１６とを備える。 - 特許庁

On the other hand, with respect to the memory cell 10 to be a data writing object of a second logic level, a high-voltage source voltage is applied to a source region thereof and a write inhibition voltage higher than a power-supply voltage VDD is applied to a drain region thereof so that the write current is prevented from flowing into the memory cell 10.例文帳に追加

一方、第２論理レベルのデータ書き込み対象となるメモリセル１０に対しては、ソース領域に高電圧のソース電圧を印加すると共に、ドレイン領域には電源電圧ＶＤＤよりも高い書込禁止電圧を印加することによりこのメモリセル１０内に書込電流が流れ込むのを禁止する。 - 特許庁

The source area 14, the drain region 15 and the gate region 17 are formed by impurities diffusion from a source drawing layer 21 of polycrystalline silicon containing impurities, a drain drawing layer 23 and a gate drawing layer 18 as diffusion sources through an opening 20a of an insulating film 20.例文帳に追加

ソース領域１４、ドレイン領域１５およびゲート領域１７は、絶縁膜２０の開口２０ａを介して、不純物を含む多結晶シリコンよりなるソース取り出し層２１、ドレイン取り出し層２３およびゲート取り出し層１８を拡散源とする不純物拡散によりそれぞれ形成されたものである。 - 特許庁

Source and drain regions 13 are formed as two regions of an epitaxial silicon film formed on a substrate and of a region obtained by ion implanting impurities into the substrate and thermally diffusing, and the position of a junction between the source and drain regions 13 is set to be the same as or lower than the junction position of an extension region 9.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域１３を、基板表面上に形成されたエピタキシャルシリコン膜と基板中に不純物をイオン注入、熱拡散した領域の２つの領域により形成し、ソース・ドレイン領域１３の接合位置をエクステンション領域９の接合位置と同一かそれより浅く形成する。 - 特許庁

Here, the regions facing the openings 310 in the source region 302b' and the drain region 302c', i.e. connecting regions 311a and 311b which are the regions wherein the source electrode and the drain electrode are finally in contact with the surface of the semiconductor layer 302 are selectively doped with impurities via the openings 310, respectively.例文帳に追加

ここで、ソース領域３０２ｂ´及びドレイン領域３０２ｃ´のうち開口部３１０に臨む領域、即ち最終的にソース電極及びドレイン電極が半導体層３０２の表面と接触する領域である接続領域３１１ａ及び３１１ｂに開口部３１０を介して選択的に不純物がドープされる。 - 特許庁

The source electrode of a TFT in a reflection region 101 of an active matrix substrate 40 is used as a reflecting film in common and a transparent electrode film 11 in a transmission region 102 is extended to a surface of a projection transparent organic film 9 on the TFT and electrically connected to the source electrode 7 through a contact hole.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板４０の反射領域１０１のＴＦＴのソース電極７を反射膜として兼用し、透過領域１０２の透明電極膜１１をＴＦＴ上の凸状の透明有機膜９表面に延設してコンタクトホールを介してソース電極７に電気的に接続する。 - 特許庁

The CMOS transistor is formed with a conductive layer in a contact hole provided so as to come into contact with one side face of a source and drain region of a semiconductor layer of an n-type thin film transistor, and one side face of the source and drain region of the semiconductor layer of a p-type thin film transistor, respectively.例文帳に追加

本発明のＣＭＯＳトランジスタは、ｎ型薄膜トランジスタの半導体層のソース、ドレイン領域の一方の側面と、ｐ型薄膜トランジスタの半導体層のソース、ドレイン領域の一方の側面と、にそれぞれ接するように設けられたコンタクトホール内に導電層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

A contact hole 29 which exposes a source region 27 is formed in an interlayer insulating film 28 covering a gate electrode 25 and a source region 27 on an n^+ type semiconductor substrate 21 wherein a plurality of longitudinal MOSFETs 210 are formed, and the contact hole 29 is filled with a conductor plug 31 via a barrier metal film 30.例文帳に追加

複数の縦型ＭＯＳＦＥＴ２１０が形成されたｎ^＋型半導体基板２１上のゲート電極２５およびソース領域２７を覆う層間絶縁膜２８にソース領域２７を露出するコンタクト孔２９が形成され、コンタクト孔２９の内部にバリアメタル膜３０を介して導電体プラグ３１が充填されている。 - 特許庁

The data line driving circuit 30 supplies image signals to the data lines X corresponding to an illumination display region which is selectively illuminated by the light source, and supplies signals different from the image signals to the data lines X corresponding to a non-illumination display region where selective illumination is not carried out by the light source.例文帳に追加

データ線駆動回路３０は、光源により選択的に照明が行われる照明表示領域に対応するデータ線Ｘに画像信号を供給し、光源により選択的に照明が行われない非照明表示領域に対応するデータ線Ｘに画像信号と異なる信号を供給する。 - 特許庁