「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

In the semiconductor device, an NMOS transistor Q11 formed in an NMOS transistor forming region A1 is constituted so that a source-drain region 15 is formed by passing through a buried oxide film 4 to a threshold voltage diffusion layer 18 of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ＮＭＯＳ形成領域Ａ１に形成されるＮＭＯＳトランジスタＱ１１において、ソース・ドレイン領域１５は埋め込み酸化膜４を貫通して半導体基板１の閾値電圧制御拡散層１８に達して形成される。 - 特許庁

An electro-optical device is provided with a reflective sheet on the whole region except for part of the periphery of the rear face of the light guide plate, and fixes a face mounting the light source of the flexible substrate on the region of part thereof by a both-face fixing means having light reflection.例文帳に追加

導光板裏面の周辺の一部を除く全域に反射シートを設け、可撓性基板の、光源を搭載する面を、光反射性を有する両面固着手段によって当該一部の領域に固着する。 - 特許庁

A low resistance source region 19 and a first drain region 21A are successively formed on a substrate 11, by selectively implanting high concentration arsenic ions into the substrate through a first protective insulating film 18 to provide a shallow junction.例文帳に追加

基板１１に、第１の保護絶縁膜１８を介して高濃度砒素イオンを浅接合となるように選択的に注入することにより、低抵抗のソース領域１９及び第１のドレイン領域２１Ａを順次形成する。 - 特許庁

A prescribed potential difference is produced between the drain region 4 and the source region 3, by which electrons are moved from the control gate electrode 7 to the N-type intergate 9 and furthermore accelerated to be injected into the floating gate electrode 11.例文帳に追加

そして、ドレイン領域４とソース領域３との間に所定の電位差を設けることにより、制御ゲート電極７からインターゲート９へ電子を移動させ、更にこの電子を加速して浮遊ゲート電極１１に注入する。 - 特許庁

The memory element 101 includes a first active region 105 on a substrate 100, and first and second source/drain regions 150, 152 positioned on the substrate adjacent to the first and second sidewalls of the first active region 105.例文帳に追加

メモリ素子１０１は、基板１００上に第１アクティブ領域１０５と、第１アクティブ領域１０５の第１及び第２側壁にそれぞれ隣接する基板上に位置する第１及び第２ソース／ドレイン領域１５０、１５２を含む。 - 特許庁

Moreover, with a resin layer consisting of a polyimide provided on the gate electrode, an electrode connected electrically with the source region or the drain region in a hole provided in the resin layer is provided on the resin layer.例文帳に追加

また、前記ゲート電極上には、ポリイミドからなる樹脂層が設けられると共に、前記樹脂層上に前記樹脂層に設けられた穴で前記ソース領域またはドレイン領域と電気的に接続された電極とが設けられている。 - 特許庁

Next, ion implantation process is performed, using the photoresist layer as a mask for forming a source/drain in the first region of the polysilicon layer and the LDD in the second region below the edge portion of the photoresist layer.例文帳に追加

次に、前記ポリシリコン層の第１領域におけるソース／ドレインと、前記フォトレジスト層のエッジ部分の下の前記第２領域におけるＬＤＤとを形成するマスクとして前記フォトレジスト層を使用し、イオンインプランテーションプロセスを行う。 - 特許庁

By performing thermal treatment, the boron ions 7 are diffused in the gate electrode 6a, the boron ions 9 and 13 are activated in the substrate 1, and an extension region 10a and a source/drain region 14a are formed.例文帳に追加

熱処理を行うことにより、ゲート電極６ａにおいてボロンイオン７を拡散させると共に、基板１においてボロンイオン９，１３を活性化させてエクステンション領域１０ａ及びソース／ドレイン領域１４ａを形成する。 - 特許庁

A nitrogen diffusion region 14 with nitrogen ions introduced thereinto is formed apart from the element isolation region 13 at an interval at the upper part of at least the drain diffusion layer 18 in the drain diffusion layer 18 and source diffusion layer 18.例文帳に追加

ドレイン拡散層１８及びソース拡散層１８のうちの少なくともドレイン拡散層１８の上部には、窒素イオンが導入された窒素拡散領域１４が素子分離領域１３と間隔をおいて形成されている。 - 特許庁

The second impurity layer 110 has a second peak in the impurity concentration distribution in the depthwise direction, and the second peak is located in a region deeper than the first peak but shallower than the junction depth of the source-drain region 108.例文帳に追加

第２の不純物層１１０は深さ方向の不純物濃度分布に第２のピークを持つと共に、該第２のピークは第１のピークよりも深く且つソース・ドレイン領域１０８の接合深さよりも浅い領域に位置している。 - 特許庁

In this current driving circuit, transistors 7, 9 which operate respectively in a linear region (non-saturation region) are provided between sources of transistors 6, 8 constituting a current mirror circuit and a power source line 1 to reduce the effect due to dispersion in threshold voltage of the transistors 6, 8.例文帳に追加

カレントミラー回路を構成するトランジスタ６，８のソースと電源線１との間に、線形領域（非飽和領域）で動作するトランジスタ７，９を設け、トランジスタ６，８のしきい値電圧のばらつきによる影響を低減する。 - 特許庁

The noises generated at a noise generating source 201 pass sequentially through a grounding metallic electrode 202, a contact hole 208, a p-type diffusion region 209, and a parasitic resistor 210 on a p-type semiconductor substrate and reach a p-type diffusion region 206.例文帳に追加

ノイズ発生源２０１で発生したノイズは接地用メタル電極２０２、コンタクトホール２０８、Ｐ型拡散層領域２０９、Ｐ型半導体基板の寄生抵抗２１０を順に通過しＰ型拡散領域２０６に到達する。 - 特許庁

To provide an optical tomographic imaging apparatus capable of measuring a measuring concerned region with high resolving power without relying on the position (depth) of the measuring concerned region in SS-OCT using a wavelength sweeping light source, and a tomographic image acquiring method.例文帳に追加

波長掃引光源を用いるＳＳ−ＯＣＴにおいて、測定関心領域の位置（深度）によらず、測定関心領域を高解像に測定できる光断層画像化装置およびおよび断層画像取得方法を提供する。 - 特許庁

One conductivity-type guard ring 4 and one conductivity-type well region 5 in which a power source voltage is applied are connected in a semiconductor substrate, and the well region 5 is extended in the lateral direction and is formed in the semiconductor substrate 7.例文帳に追加

電源電圧が印加されている一導電型のガードリング４と一導電型のウエル領域５とが半導体基板の内部で接続し、ウエル領域５が半導体基板７の内部を横方向に延在して形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device in which contact resistance can be reduced when a trench capacitor is connected to a source region or a drain region of MOSFET in a fine gate structure by using a surface trap, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

サーフェスストラップを用いてトレンチキャパシタとフィンゲート構造のＭＯＳＦＥＴのソース領域又はドレイン領域とを接続する場合に、コンタクト抵抗を低減出来る半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, a 2nd conductivity type body region 4 and a 1st conductivity type source region 5 are provided in the 2nd semiconductor area 11 so as to form a channel 6 beneath a thin part 3a of the gate insulating film.例文帳に追加

さらに、この第２の半導体領域１１の内部には、第２導電型のボディ領域４と第１導電型のソース領域５とがゲート絶縁膜の薄い部分３ａの下にチャネル部６を作るように設けられている。 - 特許庁

A condensing lens 42 compounds the laser beams L1 to L5 so as to form a single irradiation region on an object to be irradiated, the irradiation region is so set as to be narrower than the pupil of a secondary light source, and the compounded laser beam irradiates the object to be irradiated.例文帳に追加

また、コンデンサレンズ４２は、各レーザ光Ｌ１〜Ｌ５を、被照射物上で一つの照射領域を形成し且つ当該照射領域が２次光源の瞳よりも狭くなるように合成し、被照射物に対して射出する。 - 特許庁

The region width S1 of the projecting parts 6 is smaller than the wavelength of the light source at the time of exposure and is formed at every other n-times (n is an integer of ≥2) of the region width S1 of the projecting parts 6 in the recording trach direction.例文帳に追加

凸部６の領域幅Ｓ１は、フォトリソグラフィにおける露光時の光源の波長よりも小さく、且つ、記録トラック方向において凸部６の領域幅Ｓ１のｎ倍（ｎは２以上の整数）おきに形成されている。 - 特許庁

In this image display using transistors each having a polycrystalline semiconductor layer and a gate electrode is formed through an insulating film on the upper surface of the polycrystalline semiconductor layer, and a drain region is formed on one side of the gate electrode of the polycrystalline semiconductor layer, and a source region is formed on another side of the gate electrode of the polycrystalline semiconductor.例文帳に追加

さらに、本発明は、ＬＤＤ領域における不純物濃度の制御が容易な構成な多結晶半導体層を有するトランジスタを用いた画像表示装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A first light guide member 60 forms a light source image so that a light source image part for forming a portion and a focus of a projection lens may be away as the member 60 goes upward from the position below a horizontal line of a partial region.例文帳に追加

第１導光部材６０は、部分領域の水平線以下の位置から上方に進むにしたがって、その部分を形成する光源像部分と投影レンズの焦点とが遠ざかるように光源像を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device containing a transistor having a gate form that can connect source and body-contacting regions to each other without using any wiring nor projecting its gate portion to the source region side, and to provide a semiconductor storage device using the semiconductor device.例文帳に追加

ソース領域側にゲート部分を突出させずに、ソース領域とボディコンタクト領域とを配線を用いずに接続できるゲート形状を有するトランジスタを含む半導体装置及び半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To obtain a constant current source circuit for ensuring an output impedance of a constant current source portion even in a high-frequency region and suppressing deterioration of a common mode rejection ratio of a differential amplifier circuit, and to provide the differential amplifier device.例文帳に追加

高周波領域でも、定電流源部の出力インピーダンスを確保して、差動増幅回路の同相信号除去比の低下を抑えることができる定電流源回路及び差動増幅装置を得ることを目的とする。 - 特許庁

The power source layers 140, 150 are arranged at positions where electromagnetic waves of internal noise generated in accordance with dimensions between the ground layers 120, 170, and the power source layers 140, 150 are prevented from being radiated outside the region.例文帳に追加

電源層１４０，１５０は、グランド層１２０，１７０と電源層１４０，１５０との間でそれらの寸法に応じて発生する内部雑音の電磁波が前記領域外に放射されることを抑えるような位置に配置されている。 - 特許庁

Floating gate and control gate word lines (WL_0 through WLN) are formed orthogonally in a drain-source-drain structure and two arrays (13, 15 and 14, 16) of storage cells having a shared source region are set.例文帳に追加

フローティング・ゲート及びコントロール・ゲート・ワード線（ＷＬ_0乃至ＷＬ_N）を、ドレインーソースードレイン構造に直交して形成し、そして共有されたソース領域を有する蓄積セルを二つの列（１３、１５及び１４、１６）を設定する。 - 特許庁

Capacitance between a gate and a source and capacitance between the gate and a drain are inhibited by oxidizing a trench gate, forming a body to a sidewall by inclined ion implantation, forming a gate electrode and forming a lightly doped source region by inclined ion implantation.例文帳に追加

トレンチゲート酸化後に傾斜イオン注入で側壁にボディを形成し、ゲート電極形成後に低濃度ソース領域を傾斜イオン注入で形成することにより、ゲート・ソース間容量とゲート・ドレイン間容量を抑える。 - 特許庁

A capacitor is coupled between the source and gate of the 1st transistor and the 2nd transistor comprises a source coupled with the drain of the 1st transistor and a gate receiving a 1st voltage for operating the 1st and 2nd transistors in a saturated region.例文帳に追加

第一トランジスタのソースとゲート間にコンデンサが結合され、第二トランジスタは、第一トランジスタのドレインと結合するソースと、第一及び第二トランジスタを飽和領域で操作させる第一電圧を受信するゲートとからなる。 - 特許庁

The sidelight type surface light source device, including a light source 3 and a light guide plate 2, is provided with protrusions 12 to be bigger as they get away from a center region 2F, only at both-end regions 2E of an incident surface 2A of the light guide plate 2.例文帳に追加

光源３と導光板２を有するサイドライト型面光源装置であって、導光板２の入射面２Ａの両端領域２Ｅのみに、中央領域２Ｆから離間するに従って大きくなる突起１２を設ける。 - 特許庁

To provide a flash memory element effective in suppression of generation of an interference phenomenon in a partial selective transistor region of a substrate of a Source Select Line SSL and Drain Select Line DSL, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ソース選択ライン(Source Select Line; SSL)とドレイン選択ライン(Drain Select Line; DSL)の形成領域である半導体基板の一部の選択トランジスタ領域にて干渉現象の発生の抑制に有効なフラッシュメモリ素子とこの製造方法を提供する。 - 特許庁

The backlight unit 1 includes a light guide plate 11 having a light emitting surface S1, a light source 15, and a back over 17 covering the light guide plate and the light source and having an opening region opposing to the light emitting surface.例文帳に追加

バックライトユニット１は、光放出面Ｓ１を含む導光板１１と、光源１５と、これら導光板および光源を覆うと共に光放出面と対向した領域が開口したバックカバー１７と、を有している。 - 特許庁

To provide a light source device in which local exotherm of a wavelength converting member is suppressed by making an excited light irradiation region formed by excited light from an excited light source on the wavelength converting member movable on the wavelength converting member.例文帳に追加

励起光源からの励起光が波長変換部材上に形成する励起光照射領域が、波長変換部材上を移動可能とすることで、波長変換部材の局所的な発熱を抑制した光源装置を提供する。 - 特許庁

As viewed to a normal line direction of a face of the transparent insulating substrate, the source electrode 10 is formed with a slit 18 extending from the opposite side of the source electrode 10 opposite to the drain electrode 8 to a region which is not overlapped on the gate electrode 2'.例文帳に追加

ソース電極１０には、透明絶縁基板面の法線方向に見て、ドレイン電極８に対向するソース電極１０の対向辺からゲート電極２’に重ならない領域まで延びるスリット１８が形成されている。 - 特許庁

Each source line includes first and second wiring portions 41 and 42 adjacent to a bit line and a third wiring portion 43 connecting the first wiring portion 41 and second wiring portion 42 to each other and electrically connected to a source region.例文帳に追加

ソース線は、ビット線に隣接する第１および第２の配線部分４１、４２と、第１の配線部分４１と第２の配線部分４２とを接続し、かつソース領域に電気的に接続された第３の配線部分４３とを含む。 - 特許庁

In another way, the source electrode 6 and the drain electrode 7 are connected with the source/drain region 5 via a contact hole arranged on an interlayer dielectric on the active layer 4 and via a conducting layer arranged on the interlayer dielectric.例文帳に追加

あるいは、ソース電極６およびドレイン電極７は、活性層４上の層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールおよび層間絶縁膜上に設けられた導電層を介してソース・ドレイン領域５と接続されている。 - 特許庁

In the semiconductor device and its manufacturing method by executing thermal treatment with only a PSG film or a BSG film as the thermal diffusion source, a shallow low concentration source/drain diffusion region can be easily formed.例文帳に追加

ＰＳＧ膜もしくはＢＳＧ膜のいずれかのみを熱拡散源として熱処理を行うことにより、容易に浅い低濃度ソース・ドレイン拡散領域を形成することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce power consumption, to miniaturize a device, and to reduce a manufacturing cost by solving such a problem that a power source of an AV storage disk array device for home use having feature in which access is not performed simultaneously except a limited region because the power source becomes a large type to supply power at the time of peak in conventional design.例文帳に追加

限定された領域にしか同時にはアクセスしない特徴を持つ家庭用のＡＶストレージディスクアレイ装置の電源が、従来の設計では、ピーク時の電力を賄うために大型になってしまう。 - 特許庁

Contact members 25 and 25 penetrate the interlayer insulating film 23 and the coating film 21 vertically above each source/drain diffusion region 13a, 13b and are connected electrically with the source/drain diffusion regions 13a and 13b.例文帳に追加

各ソース／ドレイン拡散領域１３ａ，１３ｂ上でそれぞれ層間絶縁膜２３と被覆膜２１とを上下方向に貫通してそのソース／ドレイン拡散領域１３ａ，１３ｂに電気的に接続されたコンタクト部材２５，２５とを備える。 - 特許庁

Alternatively, the height of the upper surface of the element separation insulating film 24 between the adjacent source line contacts is higher than that of the main surface of the semiconductor substrate 23 in an element region between the second selection gate transistor and source line contact.例文帳に追加

或いは隣接するソース線コンタクトの間の素子分離絶縁膜24の上面の高さは、第２の選択ゲートトランジスタとソース線コンタクトとの間の素子領域における半導体基板23の主表面の高さより高い。 - 特許庁

The monitoring device 60 has a pulsed laser beam source 64 that irradiates a region near an exhaust vent 28 of a concrete cask 10 with a pulsed laser beam, a detection laser beam source 66 that irradiates it with a detection laser beam and a light-receptive part 68.例文帳に追加

監視装置６０は、コンクリートキャスク１０の排気口２８近傍領域にパルスレーザ光を照射するパルスレーザ光源６４、検出レーザ光を照射する検出レーザ光源６６、および受光部６８を有している。 - 特許庁

The source electrode 7 and the drain electrode 8 are formed of copper and a barrier metal layer 9 is provided only in a region on the lower surface of the source electrode 7 and the drain electrode 8 located above the upper surface of the ohmic contact layers 6.例文帳に追加

そして、ソース電極７およびドレイン電極８が銅で形成され、これらソース電極７、ドレイン電極８の下面のうち、各オーミックコンタクト層６の上面上に位置する領域にのみバリアメタル層９が設けられている。 - 特許庁

Schottky electrodes 30 are formed adjacent to gate electrodes 28 in the direction perpendicular to the facing direction of a source electrode 24 and a drain electrode 26, in the region in which the source electrode 24 and the drain electrode 26 are faced.例文帳に追加

ショットキー電極３０が、ソース電極２４とドレイン電極２６とが対向する領域の、ソース電極２４とドレイン電極２６とが対向する方向と略直交する方向にゲート電極２８と並んで形成されている。 - 特許庁

The power supply clamping circuit is constituted of a plurality of clamping transistor units, with a drain being connected to a first power supply wiring L12, a source to a second power supply wiring L14, and the drain and source being formed in a clamping transistor forming region.例文帳に追加

電源クランプ回路は，複数のクランプトランジスタユニットで構成され、ドレインが第１の電源配線Ｌ１２にソースが第２の電源配線Ｌ１４にそれぞれ接続され，クランプトランジスタ形成領域内に形成されている。 - 特許庁

Portions L1, L2 where the source electrode 7 and the side edge parts 2A, 2B cross, when viewed from above, do not overlap a portion LS of the source electrode 7 in contact with a channel formation region 13 in a channel length direction Y.例文帳に追加

また、平面視において、ソース電極７とゲート電極２の端辺部２Ａ，２Ｂとが交差する部分Ｌ１，Ｌ２は、チャネル形成領域１３に接するソース電極７の部分ＬＳと、チャネル長方向Ｙにおいて重ならない。 - 特許庁

This organic thin film transistor element is configured by providing an organic semiconductor layer connecting a source electrode to a drain electrode with a conductive region which is turned into an insulated status with at least either the source electrode or the drain electrode when any electric field is not applied.例文帳に追加

ソース電極及びドレイン電極を連結する有機半導体層中に、電界が付与されない時には前記電極の少なくとも一方と絶縁状態にある導電性領域を有する有機薄膜トランジスタ素子。 - 特許庁

The semiconductor device includes a substrate, a channel region formed on the substrate and having a graphene where a band gap is generated, source/drain regions formed on both sides of the channel region and each having a graphene where a band gap smaller than that of the graphene of the channel region is generated, and first and second gate electrodes formed on parts in contact with channels of the source/drain regions, respectively.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、基板と、基板上に形成され、バンドギャップが生成されたグラフェンを有するチャネル領域と、チャネル領域の両側に形成され、チャネル領域のグラフェンに比して小さいバンドギャップが生成されたグラフェンを有するソース／ドレイン領域と、ソース／ドレイン領域のチャネルに接する部分の上に、夫々形成された第１および第２のゲート電極と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The TFT comprises the semiconductor layer (202) containing a source region, a channel region, and a drain region formed on a substrate (200); a gate insulation film (204) formed on the semiconductor layer in at least the channel region; and a gate electrode film (206) formed on the gate insulation film so that the semiconductor layer contains a deuterium.例文帳に追加

本発明に係るＴＦＴは、基板（２００）上に形成された、ソース領域、チャネル領域及びドレイン領域を含む半導体層（２０２）と、少なくとも前記チャネル領域における前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜（２０４）と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極膜（２０６）とを備えており、前記半導体層中に重水素を含む。 - 特許庁