意味 | 例文 (999件) |
source-regionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4512件
A liquid crystal display device 1 comprises a light source emitting control part (illustrated in a control CPU 15 and light source driving part 16) for controlling emitting of a back light 10, and a region detection part for detecting the parallel shift area shifting in parallel in the images shown by input image signals.例文帳に追加
液晶表示装置1は、バックライト10の発光制御を行う光源発光制御部(制御CPU15及び光源駆動部16で例示)と、入力映像信号が示す映像のうち平行移動している平行移動領域を検出する領域検出部とを備える。 - 特許庁
To provide a lighting device that secures uniformity in quantity of light to an incident region of a light guide even when light distribution characteristics of a light source are deviated, or when the light source and light guide are varies in installation position, and also to provide a contact type image sensor using the same.例文帳に追加
光源の配向特性に偏差がある場合や光源と導光体との設置位置にばらつきがある場合でも導光体の入射領域に対して光量の均一性を確保した照明装置及びそれを用いた密着型イメージセンサを提供する。 - 特許庁
In the semiconductor device, a p-type punching layer 4, connecting the source region of an LDMOSFET and a source back electrode 36 formed on the back of a substrate 1 electrically, is formed of a heavily doped low-resistance p-type polysilicon film or a low-resistance metal film.例文帳に追加
LDMOSFETのソース領域と基板1の裏面に形成されたソース裏面電極36とを電気的に接続するp型打ち抜き層4を不純物を高濃度でドープした低抵抗のp型多結晶シリコン膜もしくは低抵抗の金属膜から形成する。 - 特許庁
To provide a layout-design method and a layout-design program, capable of simply providing a securement of a power source main line for supplying a stable power voltage and a preferred clock tree structure, by arranging a capacitor between power sources, and to provide a clock driver in the region under the power source wiring.例文帳に追加
電源配線の直下領域に電源間容量とクロックドライバとを配置して、安定した電源電圧を供給する電源幹線の確保と好適なクロックツリー構造とが簡便に提供可能なレイアウト設計方法、およびレイアウト設計プログラムを提供すること。 - 特許庁
To provide a breast image photographing apparatus in which radiation transmitted through an object may be detected all over a region of a radiograph detector when an interval between a radiation source and the radiograph detector and an interval between the radiation source and an object table are changed.例文帳に追加
放射線源と放射線画像検出器との間隔及び被写体台との間隔が変更した場合に、被写体を透過した放射線を放射線画像検出器の全面領域内によって検出することができる乳房画像撮影装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
The input power source wire 9 introduced from the introduction hole 8a is wired over the region on which the power source input part 3, the rectifying part 4, and the smoothing part 5 are mounted in the case where the printed wiring board 8 is divided by a straight line passing the center of an opening part 1a of a luminaire 1.例文帳に追加
導入孔8aから導入された入力電源線9は、プリント配線基板8を器具本体1の開口部1aの中央を通る直線10で分けた場合に、電源入力部3,整流部4,平滑部5などが実装された領域上にまたがって配線してある。 - 特許庁
In the method, a functional fluid containing an organic semiconductor material is discharged, by using a droplet discharging method, to a region 60 composed of a source electrode 8 extending along an area between adjacent pixel electrodes 6 formed on a substrate, and a pixel electrode 6 including a drain electrode 7 corresponding to the source electrode 8.例文帳に追加
基板上に形成された隣接する画素電極6間に沿って延びるソース電極8とソース電極8に対応するドレイン電極7を含む画素電極6とで構成される領域60に液滴吐出法を用いて、有機半導体材料を含む機能液を吐出する。 - 特許庁
The nonvolatile semiconductor memory device includes a first source/drain diffusion layer (11), a second source/drain diffusion layer (12), two electrically insulated charge storage layers (21) formed on a channel region, and two electrically insulated gate electrodes (13, 14).例文帳に追加
第1ソース/ドレイン拡散層(11)と、第2ソース/ドレイン拡散層(12)と、チャネル領域の上に構成され、電気的に絶縁される二つの電荷蓄積層(21)と、電気的に絶縁された二つのゲート電極(13、14)とを具備する不揮発性半導体記憶装置を構成する。 - 特許庁
The article is also optically coupled to and at least partially envelop a light source, and includes an output edge or surface having at least two oppositely signed curved portions shaped to provide substantially uniform illumination of a target region by the source.例文帳に追加
物品はまた、光源を光学的に結合し、少なくとも部分的に光源を包囲することができ、光源による対象領域の実質的に一様な照明を行うように形成された少なくとも2つの逆符号の曲線部分を有する出力縁または出力面を備えることができる。 - 特許庁
To perform auxiliary exposure over an entire image recording region without increasing an exposure apparatus in size, in an image information reading exposure apparatus having a line light source for performing reading scanning exposure and a panel light source for performing auxiliary exposure different from the reading scanning exposure.例文帳に追加
読取走査露光を行うためのライン光源と、読取走査露光とは異なる補助露光を行うためのパネル光源とを有する画像情報読取用露光装置において、露光装置を大型化することなく、画像記録領域全域に対して、補助露光を行う。 - 特許庁
A vacuum ultraviolet source 19 and cylindrical lens 20 are installed on the side face of the chamber 10, and when the high frequency power for plasma generation remains off, vacuum ultraviolet rays are cast onto a plasma generating region 18 from the ultraviolet source 19 through the cylindrical lens 20.例文帳に追加
チャンバー10の側面には真空紫外光源19及びシリンドリカルレンズ20が設けられており、プラズマ発生用の高周波電力がオフであるときに、シリンドリカルレンズ20を介して真空紫外光源19からプラズマ発生領域18に真空紫外光が照射される。 - 特許庁
The organic transistor 100 of the invention is provided with a gate electrode 50 having a prescribed length L, a source electrode 30 and a drain electrode 60, an organic semiconductor part 40 between the source electrode 30 and the drain electrode 60, and a channel region 45 in the organic semiconductor 40.例文帳に追加
本発明の有機トランジスタ100は、所定の長さLを有するゲート電極50と、ソース電極30及びドレイン電極60と、ソース電極30とドレイン電極60との間有機半導体部40と、有機半導体部40内のチャネル領域45と、を備えている。 - 特許庁
When software to be verified is executed by a hardware model 112, a software debugging support device 100 generates log data 105 by associating the address of the source code of software with the execution result of each source code, and stores the generated log data 105 in a recording region.例文帳に追加
ソフトウェアデバッグ支援装置100は、ハードウェアモデル112によって検証対象のソフトウェアが実行されると、ソフトウェアのソースコードごとの実行結果に当該ソースコードのアドレスを関連付つけたログデータ105を生成すると、生成されたログデータ105を記録領域に蓄積する。 - 特許庁
A plant disease damage preventive lighting device 1 includes a first light source 2 that irradiates light including UV-C and UV-B (ultraviolet) of which a wavelength component of 250 nm or less is assumed as 0, and a second light source 3 that irradiates visible light having the peak wavelength in a wavelength region of 380-500 nm.例文帳に追加
植物病害防除用照明装置1は、250nm以下の波長成分をゼロとしたUV−CとUV−B(紫外線)とを含む光を照射する第1の光源2と、波長域380〜500nmにピーク波長を有する可視光を照射する第2の光源3と、を備える。 - 特許庁
When the light source 5 is turned on in this state, the light L emitted from the light source 5 is transmitted through the incidence window 8 and enters into the methanol 50 and illuminates the liquid surface 51 from the bottom and is reflected sideways in the region 52 and is emitted to the outside of the fuel tank 3 by transmitting through the display window 7.例文帳に追加
この状態で、光源5を点灯すると、光源5から出射された光Lは、入射窓8を透過してメタノール50内に入射し、液面51を下方から照明し、領域52において側方に反射され、表示窓7を通過して燃料タンク3の外部に出射する。 - 特許庁
The camera device 2 includes: an imaging part 6 including an imaging element for imaging a visual field region; a light source part 7 for night vision, comprising a plurality of infrared LEDs 23a, 23b; and a case 20 having translucency for infrared light and housing at least the imaging part 6 and the light source part 7 therein.例文帳に追加
カメラ装置2は、撮像素子を具備し視野領域を撮像する撮像部6と、複数の赤外線LED23a,23bからなる暗視用の光源部7と、赤外光に対して透光性を有し、少なくとも撮像部6および光源部7が収納されるケース20とを備えている。 - 特許庁
Thereafter, the white balance adjustment circuit 34 estimates the light source for the object by collating in which region among the light source regions whose regions are revised a color difference component of the video signal is included and adjusts the white balance depending on a result of the estimation.例文帳に追加
その後ホワイトバランス調整回路34は、映像信号の色差成分が、領域が変更された複数の光源領域の中のどの領域に含まれるかを照合することで、前記被写体の光源の推定を行い、その推定結果に応じたホワイトバランスの調整を行う。 - 特許庁
A first semiconductor layer 11, a channel semiconductor layer 12, and a second conductive layer 13, which serves as the other source/drain region and further/serves as a storage node 26, too, are provided on a first impurity diffusion layer 24, which serves as one of the source/drain regions and further becomes a bit line, too.例文帳に追加
ソース/ドレイン領域の一方になり、かつビット線にもなる第1の不純物拡散層24の上に、第1の半導体層11、チャネル半導体層12、ソース/ドレイン領域の他方になり、かつストレージノード26にもなる第2の導電層13が設けられている。 - 特許庁
Further, a high insulator 17 made of a material having higher insulation than materials of the respective inter-layer insulating films is provided between the source wiring 10 and drain wiring 15 in a region 24 including the part where the source wiring 10 and drain wiring 15 cross each other in plan view.例文帳に追加
また、ソース配線10とドレイン配線15との間には、平面視でソース配線10とドレイン配線15とが交差する部分を含む領域24に、各層間絶縁膜の材料よりも高い絶縁性を有する材料からなる高絶縁体17が備えられている。 - 特許庁
To provide a surface light source element which achieves a high luminance by using a micro prism array and which has a uniform brightness within a surface even if the length of the light emitting region of a liner light source is shorter than the length of the side face of a photoconductor and to provide an image display device using it.例文帳に追加
マイクロプリズムアレイを用いて高輝度化を実現するとともに、線状光源の発光領域の長さが導光体の側面の長さよりも短くても、面内均一な明るさを有する面光源素子、およびこれを用いた画像表示装置を提供する。 - 特許庁
A semiconductor device comprises source regions S1, S2, S3, and the like having source region extended parts S11, S12, S13, and the like extended to parts to become void spaces formed in a layout, by maintaining a depth not reaching an embedded insulating layer of an SOI substrate without obstructing the manufacturing process.例文帳に追加
SOI基板の埋め込み絶縁層に到達しない深さを維持すると共に製造プロセス上の支障にならず且つレイアウト上の空所になる部分に延在するソース領域延在部S_11、S_12、S_13などをもつソース領域S_1 、S_2 、S_3 などが形成されてなることを特徴とする。 - 特許庁
Power-source wirings 36-40 of power-source voltages V11-V5 which are supplied to the driver circuit 7 are a closed loop connection around the output electrodes 81-8N of the inside region, thus suppressing unevenness of a display contrast due to constant wiring impedance without crossing.例文帳に追加
ドライバ回路部7に対し給電すべき電源電圧V_H 〜V_5 の電源配線36〜40は内側領域の出力電極8_1 〜8_N の周りに1巡回した閉ループ接続であり、互いにクロスしないので配線インピーダンスの均一化による表示コントラストのむらを抑制できる。 - 特許庁
A vehicle headlight device is provided with: a light source bulb for forming a high-beam light distribution pattern including a region above a cut-off line of a low-beam light distribution pattern; and a headlight device control ECU for controlling the light source bulb based on information obtained from a vehicle detection device.例文帳に追加
車両用前照灯装置は、ロービーム用配光パターンのカットオフラインから上方の領域を含むハイビーム用配光パターンを形成可能な光源バルブと、車両検知装置から得られた情報に基づいて光源バルブを制御する前照灯装置制御ECUと、を備える。 - 特許庁
The processor 10 controls supplied clock frequency and power supply voltage so that the processor 10 itself is operated in an operating region where energy consumption is minimum in unit data processing specified by the clock frequency, power supply voltage and power source efficiency η of a power source.例文帳に追加
プロセッサ10は、クロック周波数と、電源電圧と、電源が有する電源効率(η)とによって規定される、単位データ処理について消費エネルギが最小となる動作領域においてプロセッサ10自身が動作するように、供給されるクロック周波数及び電源電圧を制御する。 - 特許庁
To provide an illumination optical system that can obtain optimal light source region (the shape of the light flux) and move each effective parts of the light source relatively, an aligner having this illumination optical system, and to provide a device manufacturing method.例文帳に追加
マスク上のパターン形状にあわせて、最適な有効光源領域(照明光束の形状)が得られると共に、それぞれの部分有効光源を相対的に変位させることができる照明光学系、当該照明光学系を有する露光装置及びデバイス製造方法を提供する。 - 特許庁
In such a constitution, the aspect ratio of the first insulating film 22 is reduced to make feasible formation of a sufficiently diffused layer on the sidewall part of a trench for setting a source line SL so that a continuos N+type source region 19 may be formed.例文帳に追加
こうして、第一の埋め込み素子分離絶縁膜22のアスペクト比を下げ、トレンチ溝の側壁部分に対しても十分に拡散層を形成できるようにすることで、ソース線SLとなる、連続したN^+ 型ソース領域19の形成を可能とする構成となっている。 - 特許庁
The zones 13n and 13p reduce the resistance of a channel coupling between a channel region 63 controlled by the potential of a gate electrode 21 and respective source/drain regions 61 and 62, and also reduce the overlap capacitance between the gate electrode 21 and the respective source/drain regions 61 and 62.例文帳に追加
この濃縮帯13n、13pは、各ソース/ドレイン領域61、62と、ゲート電極21の電位によって制御されているチャネル領域63との間のチャネル連結部の抵抗を低減し、ゲート電極21と各ソース/ドレイン領域61、62との間のオーバーラップ容量を低減する。 - 特許庁
The optical transmission apparatus 10 includes a plastic optical fiber cord 11, a transmission section 12, and a reception section 13, and the transmission section 12 includes a first light source 16 for making communication light incident onto the plastic optical fiber cord 11, and a second light source 17 for making light in a visual region incident onto the plastic optical fiber cord 11.例文帳に追加
光送信装置10は、プラスチック光ファイバコード11と送信部12と受信部13とを有し、送信部12は、プラスチック光ファイバコード11に通信用の光を入射する第1光源16と、可視領域の光を入射する第2光源17とを有する。 - 特許庁
The method comprises the stages of: providing a substrate having semiconductor layer which includes low concentration doping region adjacent to each both sides of channel region, and each source/drain regions adjacent to the low concentration region; and, after forming gate insulating film and conductive film on the substrate in order, forming a gate electrode by patterning the above-mentioned conductive film.例文帳に追加
チャンネル領域両側に各々隣接した低濃度ドーピング領域及び低濃度ドーピング領域に各々隣接したソース/ドレーン領域を含む半導体層が形成されている基板を提供する段階及び基板上にゲート絶縁膜及び導電膜を順に形成した後、前記導電膜をパターニングしてゲート電極を形成する段階を含む薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁
Silicon carbide semiconductor devices and methods of fabricating silicon carbide semiconductor devices are provided by successively etching a mask layer to provide windows for formation of a source region of a first conductivity type, a buried silicon carbide region of a second conductivity type opposite to the first conductivity type and a second conductivity type well region in a first conductivity type silicon carbide layer.例文帳に追加
炭化珪素半導体デバイスおよび炭化珪素半導体デバイスの製造方法が、第1の伝導型炭化珪素層の中に、第1の伝導型のソース領域、この第1の伝導型と反対の第2の伝導型の埋込み炭化珪素領域、および第2の伝導型のウェル領域を形成するための窓を設けるためにマスク層を引き続いてエッチングすることによって提供される。 - 特許庁
In the method of manufacturing the superjunction semiconductor device, first conductivity type doping gas is introduced into an epitaxial growth line earlier than semiconductor source gas when a first conductivity type region 4 of a superjunction structure comprising the first conductivity type region 4 and a second conductivity type region 5 which constitute a drift layer of the superjunction semiconductor device, and are parallel is formed by epitaxial growth.例文帳に追加
超接合半導体装置のドリフト層を構成する並列の第1導電型領域4と第2導電型領域5からなる超接合構造のうち、前記第1導電型領域4をエピタキシャル成長によって形成する際に、第1導電型ドーピングガスを半導体ソースガスよりも早くエピタキシャル成長ラインへ導入する超接合半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁
A request signal input part 13 extracts a pixel value contained in an inputted region label change request signal as a pixel value Gf of a reference pixel and specifies a processing unit 10 (reference pixel) of a request source, and a region label processing part 15 sets an awarding score value A to become larger as the number of adjacent pixels having the same region label as the specified reference pixel increases.例文帳に追加
依頼信号入力部13が、入力された領域ラベル変更依頼信号に含まれる画素値を基準画素の画素値Gfとして抽出すると共に、依頼元の処理ユニット10(基準画素)を特定し、領域ラベル処理部15が、その特定した基準画素と同一の領域ラベルを有する隣接画素の数が多いほど大きな値となる授与得点値Aを設定する。 - 特許庁
The semiconductor device comprises a substrate 1, a semiconductor region which is formed on a substrate surface is mainly formed of Ge, a non-metal Ge compound layer 2 formed on the semiconductor region, an insulation film 3 formed on the non-metal Ge compound layer, an electrode 4 formed on the insulation film, and a source-drain region formed on the substrate surface with the electrode between.例文帳に追加
第一の発明の半導体装置は、基板と、基板表面に形成され、Geを主成分とする半導体領域と、半導体領域上に形成された非金属Ge化合物層と、非金属Ge化合物層上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された電極と、前記電極を挟む前記基板表面に形成されたソース・ドレイン領域とを備えることを特徴とする。 - 特許庁
A liner insulation film 18 covers a side circumferential wall of a gate electrode 17a and the end of a gate insulation film to suppress damages to the gate insulation film and a semiconductor substrate caused in the manufacturing process, and a source and drain region 20 is formed and thereafter the extension region 21 is formed to make the joining depth of the extension region 21 comparatively shallow.例文帳に追加
ゲート電極17aの側周壁及びゲート絶縁膜端部をライナ絶縁膜18で覆うことによって、製造工程において受けるゲート絶縁膜及び半導体基体の損傷を抑制し、かつ、ソース及びドレイン領域20を形成した後、エクステンション領域21を形成することによって、エクステンション領域21の接合深さを比較的浅くする。 - 特許庁
The SONOS memory element comprising a semiconductor substrate, an insulating film formed on the semiconductor substrate, an active layer formed on a predetermined region of the insulating film and defined into a source, a drain, and a channel region, and first and second side gate laminations stacked on each of both sides of the channel region and the method for manufacturing the same.例文帳に追加
半導体基板、前記半導体基板上に形成された絶縁膜、前記絶縁膜の所定領域上に形成されてソース、ドレイン及びチャンネル領域に区画された活性層及び前記チャンネル領域の両側面にそれぞれ積層された第1及び第2サイドゲート積層物を備えることを特徴とするSONOSメモリ素子及びその製造方法による。 - 特許庁
To reduce the number of PEPs, improve throughput, and reduce the cost by simultaneously implanting impurities into a capacity region and each region of the source and drain of each N-type and P-type TFT, by utilizing features that an original impurity conductivity-type stays even if an opposing impurity is implanted into an already implanted impurity region in the manufacturing process of a TFT array.例文帳に追加
TFTアレイの製造過程にあって、既に注入済の不純物領域に、後から相対する不純物を注入しても、元の不純物導電型のままであるという特徴を生かして、容量領域とN型、P型の各TFTのソース、ドレインの各領域の不純物注入を同時に行うようにしてPEP数を低減し、スループットを向上し併せてコストを低減する。 - 特許庁
The coherent light source is equipped with an active region 4 provided with an active layer 8 emitting light rays by a current injection, a double electrode semiconductor laser 2 with a phase adjusting region 5 equipped with a layer that is continuously joined to the active layer and varied in refractive index by a current injection, and an optical waveguide device 3 where a DBR (distributed Bragg reflector) region 7 is formed.例文帳に追加
電流注入により発光する活性層8を有する活性領域4、および活性層に連続して配置され電流注入により屈折率変化を生じる層を有する位相調整領域5が設けられた二電極半導体レーザ2と、DBR(分布ブラッグ反射器)領域7が形成された光導波路デバイス3とを備えたコヒーレント光源。 - 特許庁
The optical scanner scans an object region with light from a light source (1) and includes for scanning the object region: a scanning part (9) which deflects the incident light and emits the light toward the object region; and a selective incident part (3) which successively selects optical paths to the scanning part and allows the light to make incident on the scanning part.例文帳に追加
光源(1)からの光で対象領域を走査する光走査装置において、前記対象領域を走査するよう、入射した光を偏向させて前記対象領域に向けて出射する走査部(9)と、前記走査部への光路を順次選択して、光を前記走査部へ入射させる選択入射部(3)と、を備えることを特徴とする光走査装置。 - 特許庁
In this electrooptical device, TFTs for switching pixels in a display region and TFTs for forming a circuit in a peripheral circuit region all consist of the same conduction type (e.g. N channel) TFTs and polysilicon of the same conduction type with the TFTs is embedded in contact holes 82 and 83 for electrical connection to a source region or drain regions 1d and 1e of the TFT 30.例文帳に追加
本発明の電気光学装置は、表示領域内の画素スイッチング用TFTと周辺回路領域内の回路形成用TFTが全て同一導電型(例えばNチャネル)のTFTであり、TFT30のソース領域またはドレイン領域1d,1eとの電気的接続をとるコンタクトホール82,83内に前記TFTと同一導電型のポリシリコンが埋め込まれている。 - 特許庁
A semiconductor film is formed on an insulating film, surface of the semiconductor film is irradiated with a solid-state laser beam, backside of the semiconductor film is irradiated with the solid-state laser light reflected on a reflector arranged below the insulating film in order to crystallize the semiconductor film, and an active layer including the source region, the drain region and a channel forming region is formed by using the crystallized semiconductor film.例文帳に追加
絶縁膜上に半導体膜を形成し、半導体膜の表面に固体レーザー光を照射し、半導体膜の裏面には、絶縁膜の下方に配置された反射体によって反射された固体レーザー光を照射して半導体膜を結晶化させ、結晶化させた半導体膜を用いてソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む活性層を形成する。 - 特許庁
To provide a liquid crystal display wherein the deterioration of a liquid crystal is prevented by suppressing incidence of light source light on a non-effective display region of a liquid crystal panel and which has a long life, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
液晶パネルの無効画素領域への光源光の入射を抑制して液晶の劣化を防ぎ、長寿命化された液晶表示装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
Source/drain diffused layers 17 and 18 are formed so as to be separated from the edge of the element isolation region 12 by prescribed distances d1, d2, d3, and d4 around their parts which are connected to (or overlap with) an impurity diffused layer 142.例文帳に追加
ソース/ドレイン拡散層17、18に関し、不純物拡散層142と繋がる(あるいは重なる)部分付近は素子分離領域12縁部から所定距離d1,d2,d3,d4だけ離間して形成している。 - 特許庁
The switching element comprises a source diffusion layer 9, a channel diffusion layer 7, and a drain diffusion layer 5, and is an LDMOS transistor, having the surface of the channel diffusion layer 7 immediately under a gate electrode 19 as a channel region.例文帳に追加
スイッチング素子は、ソース拡散層9、チャネル拡散層7及びドレイン拡散層5を備え、ゲート電極19直下のチャネル拡散層7表面をチャネル領域とするLDMOSトランジスタである。 - 特許庁
In this way, the output impedance of the constant current source portion 12a can be ensured even in the high-frequency region and the deterioration of the common mode rejection ratio CMRR of the differential amplifier circuit 2 can be suppressed.例文帳に追加
これにより、高周波領域でも、定電流源部12aの出力インピーダンスを確保して、差動増幅回路2の同相信号除去比CMRRの低下を抑えることができる。 - 特許庁
A reference light beam 85 for duplication from a laser light source is radiated at an incident angle so as to be transmitted through a prescribed region of a recording layer 60a of the original plate 60B for duplication and reflected by the angle selection film 90a.例文帳に追加
レーザ光源からの複製用参照光85は複製用原盤60Bの記録層60aの所定領域を透過し、角度選択膜90aで反射する入射角度で照射される。 - 特許庁
To provide a semiconductor device that has a fine MOS transistor where a thin gate oxide film is used, a source/drain region is formed by self alignment, and a shallow channel has a gate length of 0.5 μm or less.例文帳に追加
薄いゲート酸化膜を用い、セルファラインでソース/ドレイン領域が形成され、浅いチャネル領域が0.5μm以下のゲート長を持つ微細なMOSトランジスタを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁
In the printing section 6, a region 21 which comprises driving sections such as a motor 19 and a head section 20 and therefore becomes a driving noise generating source during printing is located away from the microphone 15 for recording a voice.例文帳に追加
プリンタ部6において、モータ19やヘッド部20等の駆動部分を有し印刷動作時の駆動騒音発生源となる領域21は、音声収録用のマイク15とは離間配置される。 - 特許庁
To obtain a nonvolatile memory in which erasure is accomplished by passing a tunnel current between the channel region and a floating gate without providing any overlapped part between the floating gate and the source.例文帳に追加
本発明は、不揮発性メモリにおいて、フローティングゲートとソースとの間にオーバーラップ部分を設けずに、チャネル領域とフローティングゲートとの間でトンネル電流を流して消去を行うことを特徴とする。 - 特許庁
Thereby, as compared with the case that the square pole-like substrate connection part is formed in parallel with the boundary, the resistance of the source region held between the substrate connection part 13A and a gate electrode can be reduced.例文帳に追加
これにより、正四角柱状の基板接続部を境界線に平行に形成した場合に比べ、基板接続部とゲート電極に挟まれたソース領域の抵抗を減少させることができる。 - 特許庁
意味 | 例文 (999件) |
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