「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(70ページ目) - Weblio英語例文検索

The generating apparatus includes auxiliary light sources for emitting an imaged region by each imaging means and a control means for switching the auxiliary light sources for each viewpoint converted image to select the auxiliary light source to be used.例文帳に追加

前記撮像手段による撮像領域を照射する補助光源を備え、この補助光源を視点変換画像毎に切り替えて使用する補助光源を選択する制御手段を設けた。 - 特許庁

The source drain region 103 has a concave 102h having a structure of V shape cross-section sagging in the center, and a silicide layer 106 with its plain orientation as (111) plain is formed on the concave 102h.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域１０３は中心部にかけて窪んでいる断面Ｖ字構造の凹部１０２ｈを有しおり、この凹部１０２ｈ上に面方位が（１１１）面のシリサイド層１０６が形成される。 - 特許庁

A color difference between the moving image and the still image caused by a difference in the sensitivity of the CCD can be eliminated, and the moving image can follow a light source region which the still image can follow, and a stable image can be provided to a user.例文帳に追加

ＣＣＤの感度差に起因する動画と静止画との色間差をなくし、静止画で追従できる光源領域は動画でも追従でき、安定した画像をユーザに提供できる。 - 特許庁

A source diffusion layer 24 of the MISFET-QM passes through the above region and further through the insulating layer 14 and connected with storage electrodes 13 of the capacitors C by using embedded storage electrode plugs 26.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴ−ＱＭのソース拡散層２４は、これを貫通し更に絶縁膜１４を貫通して埋め込まれた蓄積電極プラグ２６により、キャパシタＣの蓄積電極１３に接続される。 - 特許庁

There is a second active region 104a positioned on the first gate structure 132 at a part that is between and adjacent to the first and second source/drain 150, 152.例文帳に追加

第１及び第２ソース／ドレイン１５０、１５２間及び第１及び第２ソース／ドレイン１５０、１５２に隣接する部位には第１ゲート構造物１３２上に位置する第２アクティブ領域１０４ａが具備される。 - 特許庁

A gate line transmits a gate signal, a switching element is formed in a region defined by the gate line and a data line, a gate electrode is connected to the gate line, and a source electrode is connected to the data line.例文帳に追加

ゲートラインはゲート信号を伝達し、スイッチング素子はゲートラインとデータラインによって定義される領域に形成され、ゲート電極がゲートラインに連結され、ソース電極がデータラインに連結される。 - 特許庁

To provide a bias circuit having a start-up circuit in which a noise from a source voltage and the power consumption by the static current are suppressed and the stability characteristic at a high-frequency region is improved.例文帳に追加

電源電圧からのノイズおよび静的電流による電力消費を抑えながら、高周波領域における安定度特性を改善させたスタートアップ回路を有するバイアス回路を提供する。 - 特許庁

Also, well voltage (WELL) of a well region where a sub-decoder element group is formed is set to a voltage level in which a space between the source and the substrate of the transistor of the sub-decoder element becomes a deep reverse bias state.例文帳に追加

また、サブデコーダ素子群がが形成されるウェル領域のウェル電圧（ＷＥＬＬ）は、そのサブデコーダ素子のトランジスタのソース-基板間が、深い逆バイアス状態となるような電圧レベルに設定する。 - 特許庁

To prevent visualization of "dots formed to a light guide plate" in a region adjacent to a light source, without impairing the luminance of a display screen, in a liquid crystal display, equipped with an edge lighting-type backlight device.例文帳に追加

エッジライト型背面照明装置を備えた液晶表示装置において、表示画面の輝度を損なうことなく、その光源近傍における「導光板に形成されたドット」の可視化を防ぐ。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device which with which the appearance of a bright light band along a reflector may be suppressed without entailing the reduction of an image display region and a side light type light source device.例文帳に追加

画像表示領域の縮小を招くことなくリフレクタに沿う明るい光帯の出現を抑制することのできる液晶表示装置およびサイドライト型光源装置を提供する。 - 特許庁

The completely isolated insulating film 70 has the thickness which reaches the embedded insulating film 61, and is provided except for a power source path region 71 for linking with a reference potential or a ground potential.例文帳に追加

完全分離絶縁膜７０は埋め込み絶縁膜６１に到達する厚さを有するが、基準電位または接地電位に繋ぐための電源経路領域７１を除いて設けられている。 - 特許庁

Thus, in the surface light source device, the discharge channels forming a discharging region is variously changed in shape to improve the discharge characteristic, thereby canceling bad luminance uniformity.例文帳に追加

このように面光源装置において放電領域を構成する放電チャンネルの形態を多様に変化させることによって放電特性を向上させて、不均一な発光特性を解消することができる。 - 特許庁

In the plural detection coils, the direction of connection, the area or the number of turns is set so that the combined output to the magnetic field of the magnetic field source existing in a specific region is substantially '0'.例文帳に追加

複数の検出コイルは、たとえば、特定の領域に存在する磁場発生源の磁場に対して組合せ出力が実質的に“０”になるように、結線方向、面積または巻き数が設定される。 - 特許庁

The light source light advancing in a space above the coordinate input region is reflected by the light receiving side reflecting plate and transmitted through the substrate to reach a light receiving element 290 of a photo detector 220.例文帳に追加

そして、座標入力領域上の空間を進行した光源光は、受光側反射板によって反射され、基板を透過し、光検出器（２２０）の受光素子（２９０）へ到達する。 - 特許庁

According to this constitution, the distance of 25 can be determined without performing mask overlay, and a constitution, wherein the resistance of the source/drain region causes no trouble, can be accomplished.例文帳に追加

この構成をとることにより、マスク合わせを行わずに２５の距離を決めることができ、しかもその距離を短くできるので、ソース／ドレイン領域の抵抗があまり問題とならない構成を実現できる。 - 特許庁

In a predetermined region 41 ranging from an edge 47 of the opening closer to the light source 3, from among the reflecting faces 40 of the reflecting member 4, a coat layer is formed which has a film thickness range of 10-40 μm.例文帳に追加

反射部材４の反射面４０のうち、開口の縁４７から光源３に近付く所定領域４１に、膜厚が１０μｍ以上４０μｍ以下の被膜層が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can have a shallow source-drain region formed while preventing a conductor layer from reaching a deep part in a substrate, and is suitable for microfabrication; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

導電層が基板の内部深くにまで達することを回避して、浅いソース・ドレイン領域を形成することを可能とし、微細化に適した半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

This field effect transistor comprises a source electrode and a drain electrode in a semiconductor layer of an oxide film, wherein a concentration of hydrogen or heavy hydrogen in a contact region of these electrodes is higher than an average concentration of the same layer.例文帳に追加

酸化物半導体層中のソース電極及びドレイン電極と接する領域における水素又は重水素の濃度が、同層中の平均濃度に比べて大きい構成とする。 - 特許庁

A semiconductor device, more particularly, a part of a gate electrode layer of a vertical type transistor is overlapped with a part of a semiconductor layer which functions as a source electrode layer, a drain electrode layer, and a channel region.例文帳に追加

半導体装置、具体的には縦型トランジスタのゲート電極層の一部を、ソース電極層、ドレイン電極層およびチャネル領域となる半導体層の一部と重畳する構造にすることである。 - 特許庁

Such an abutment absent overlap provides for enhanced manufacturing flexibility when forming a contact to a silicide layer upon a source/drain region within one of the first transistor and the second transistor.例文帳に追加

こうした重ならない当接により、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタの一方の中のソース／ドレイン領域の上に、シリサイド層へのコンタクトを形成するとき、製造の柔軟性が向上する。 - 特許庁

In another example, the X-ray anode 306 contains a focal track region 312 which is thermally compliant in order to form an X-ray source 14 by an electron incident from an X-ray cathode 308.例文帳に追加

さらに他の例では、Ｘ線アノード３０６が、Ｘ線カソード３０８からの電子の入射によってＸ線源１４を形成するために熱的に従順な焦点軌道領域３１２を含んでいる。 - 特許庁

The transistors PM21 and PM22 operate in the saturated region, make the current supplied from the external power source of the voltage VC constant, and supply it to a bandgap circuit part 10 that generates the reference voltage Vref.例文帳に追加

トランジスタＰＭ２１，ＰＭ２２は飽和領域で動作し、電圧ＶＣの外部電源から供給された電流を定電流化し、基準電圧Ｖrefを生成するバンドギャップ回路部１０に供給する。 - 特許庁

The first contact plug 8 is formed penetrating the first interlayer dielectric 7 in the thickness direction thereof, is electrically-connected with a source-drain region 5 at the bottom face thereof, and has a first electric resistivity.例文帳に追加

第一のコンタクトプラグ８は、第一の層間絶縁膜７の膜厚方向に貫通して形成され、下面においてソース・ドレイン領域５と電気的に接続され、第一の電気抵抗率を有する。 - 特許庁

To provide a highly efficient blue phosphor for displays and illumination that highly efficiently emits light in combination with a light source emitting light in the near ultraviolet region, and a light-emitting apparatus using the phosphor.例文帳に追加

近紫外領域発光の光源と組み合わせて高効率に発光する、ディスプレイや照明に供するための高効率青色蛍光体およびその蛍光体を用いた発光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein conventional nonconformity can be eliminated, defects generated on the source drain region of a substrate can be restrained and performance is improved, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明の目的は上記のような不具合を解消でき、基板のソースやドレイン領域に生じる欠陥を抑制でき、性能の良好な半導体装置及び製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a light-emitting apparatus and an electronic apparatus which secure a sufficient current quantity, and which suppress fluctuation of the luminance of a light-emitting device caused by the fluctuation of a power source voltage, and which are capable of narrowing the frame region.例文帳に追加

十分な電流量を確保し、電源電圧の変動による発光素子の輝度の変動を抑制、狭額縁化を可能とすることができる発光装置および電子機器を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 1a employs a semiconductor thin film 7a composed of magnetic fine particles and organic molecules bonded thereto as the channel region between source electrode 9s and drain electrode 9d.例文帳に追加

磁性微粒子とこれに結合した有機分子とからなる半導体薄膜７ａを、ソース電極９ｓ−ドレイン電極９ｄ間のチャネル領域として用いた半導体装置１ａである。 - 特許庁

Further, a region of the semiconductor layer shielded by the source electrode or drain electrode from the ultraviolet rays has the same conductivity as before the irradiation, so that a value of an off current is made small.例文帳に追加

また、ソース電極又はドレイン電極によって紫外線が遮光された半導体層の領域は照射前の導電率と同じとなるため、オフ電流の値を小さくすることができる。 - 特許庁

In this semiconductor device and its manufacturing method, a leakage blocking layer 13 which has the same conductivity as the surface silicon layer 3 and high impurity concentration is formed below a source region 7.例文帳に追加

ソース領域７の下部に表面シリコン層３と同じ導電型で不純物濃度の高いリークストッパ層１３を形成することを特徴とする半導体装置およびその製造方法を使用する。 - 特許庁

A gate electrode 12a is connected electrically with the gate region 5, and a source electrode 12b and a drain electrode 12c are so disposed separately from each other as to interpose the gate electrode 12a between them.例文帳に追加

ゲート電極１２ａはゲート領域５に電気的に接続され、ソース電極１２ｂおよびドレイン電極１２ｃは、ゲート電極１２ａを挟むように互いに間隔を置いて配されている。 - 特許庁

The laser beams are decided whether they fall within the predetermined region by visually comparing the images of the laser beams and the marks, and the optical axis height and the angle of the light source are adjusted on the basis of the decided result.例文帳に追加

壁面に映ったレーザー光と目印とを視覚的に照合して規定範囲内にあるか否かを判定し、この判定結果に基づき光源器の光軸高さや光軸角度を調整する。 - 特許庁

The first source/drain region includes a first n-type impurity layer and a second n-type impurity layer having an impurity concentration higher and a depth shallower than those of the first n-type impurity layer.例文帳に追加

そして、第１のソース・ドレイン領域が、第１のｎ型不純物層と、第１のｎ型不純物層よりも不純物濃度が高く深さの浅い第２のｎ型不純物層を備えている。 - 特許庁

Then silicide films 107 are formed only on the source-drain region 106 and gate electrode 104 by the selective growth MOCVD method using an organic metallic material and an Si material, such as the disilane etc (Fig. b).例文帳に追加

有機金属原料とジシラン等のＳｉ原料を用いた選択成長ＭＯＣＶＤ法により、ソース・ドレイン領域１０６上とゲート電極１０４上のみにシリサイド膜１０７を形成する〔（ｂ）〕。 - 特許庁

In the field-effect transistor, a base layer 3 and a source layer 9 are formed in a cell constituted in a region surrounded by a trench type gate 7 formed to a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明にかかる電界効果トランジスタは、半導体基板に設けられたトレンチ型のゲート７で囲まれた領域に構成されたセル内にベース層３及びソース層９が形成されている。 - 特許庁

After forming a gate electrode 11 on the surface of a substrate 17 through a gate insulating film 13, As is ion-implanted by using the gate electrode 11 as a mask to form a source-drain expansion region 15.例文帳に追加

基板１７上にゲート絶縁膜１３を介してゲート電極１１を形成した後、ゲート電極１１をマスクにＡｓをイオン注入して、ソース・ドレイン拡張領域１５を形成する。 - 特許庁

The carrier capture region formed in the high power supply voltage circuit section is formed by the same diffusion layer as the source or drain of the MOS-type transistor formed at the high supply voltage circuit section.例文帳に追加

また、高電源電圧回路部内に形成されたキャリア捕獲領域は、高電源電圧回路部に形成されたＭＯＳ型トランジスタのソースあるいはドレイン領域と同一の拡散層にて形成した。 - 特許庁

To enable continuous plasma processing in a single processing vessel simultaneously for multiple source gaseous species and moreover to enlarge plasma processing region while avoiding the influence of side reaction products or the like.例文帳に追加

１つの処理容器内で連続したプラズマ処理を複数の原料ガス種に対し同時に行うことを可能とし、さらに副反応物等の影響をさけながらプラズマ反応領域を広げる。 - 特許庁

It contains an optical integrator (9) for wavefront-dividing the flux of light from the light source by a plurality of wavefront division regions, and a correction filter (8) having a unit distribution region having a prescribed transmittance distribution.例文帳に追加

光源からの光束を複数の波面分割領域で波面分割するオプティカルインテグレータ（９）と、所定の透過率分布を有する単位分布領域を有する補正フィルター（８）とを備えている。 - 特許庁

A W plug 22 is formed in a contact hole penetrating an etching protective film 11 and the first interlayer insulating film 12 on a cobalt silicide film 10 on the source/drain region 6 of the transistor for logic.例文帳に追加

ロジック用トランジスタのソース・ドレイン領域６上のコバルトシリサイド膜１０上には、エッチング保護膜１１及び第１の層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール内にＷプラグ２２が形成されている。 - 特許庁

A first sidewall 15a and a second sidewall are formed on the side face of the gate electrode 3a and used as a mask for forming a heavily doped source-drain region 9 by ion implantation.例文帳に追加

ゲート電極３ａの側面上に第１サイドウォール１５ａと、第２サイドウォールとを形成した後、これをマスクとして用いるイオン注入により、高濃度ソース・ドレイン領域９を形成する。 - 特許庁

A constant voltage MOSFET 20 having threshold voltage almost the same as the shreshold voltage of the ISFET is inserted in the region between a reference electrode 30 and the source electrode 8 of the ISFET.例文帳に追加

参照電極３０とＩＳＦＥＴのソース電極８との間に、ＩＳＦＥＴのしきい値電圧と略同じしきい値電圧を有する定電圧用ＭＯＳＦＥＴ２０を挿入してある。 - 特許庁

The DRAM 100 has silicon nitride films 33 formed on the sidewalls 31 and has a storage node 140 so filled into the contact hole 30h as to connect it electrically with the source/drain region 3.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１００は、側壁３１に形成されたシリコン窒化膜３３と、ソースおよびドレイン領域３と電気的に接続されるようにコンタクトホール３０を充填するストレージノード１４０とを備える。 - 特許庁

To prevent the oxidation of a contact plug for coupling a ferroelectric capacitor directly with the source-drain region of a transistor surely at the time of oxygen annealing in a method for manufacturing a stacked ferroelectric memory.例文帳に追加

スタック型の強誘電体メモリの製造方法において、酸素アニール時に、強誘電体キャパシタとトランジスタのソースドレイン領域とを直結するコンタクトプラグが酸化することを、確実に防止する。 - 特許庁

To substantially remove the influence of the facet occurring in the silicon epitaxial growth film which is the sacrificial layer of a metal silicon film made on a source/drain region.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域上に形成される金属シリサイド膜の犠牲層であるシリコンエピタキシャル成長膜に生じるファセットの影響を実質的になくすことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The photocatalyst substance is a titanium oxide photocatalyst of visible light type which is applied in a wavelength region near 600 nm; a laser diode whose outgoing wavelength is about 600 nm can be used as the laser light source 11.例文帳に追加

光触媒物質は６００ｎｍ付近の波長域に対応できる可視光型の酸化チタン光触媒とし、レーザ光源１１には出射波長が６００ｎｍ程度のレーザダイオードが使用できる。 - 特許庁