「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(71ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a fuel cell which is prevented from being brought into a dry state in an upstream region of a hydrogen gas passage when a non-humidified hydrogen gas is introduced from a hydrogen supply source.例文帳に追加

水素供給源から無加湿の水素ガスを導入したとき、水素ガス流路の上流領域において燃料電池が乾燥状態となることを予防できる燃料電池を提供する。 - 特許庁

A recess 7a is formed in a part detached from the gate electrode 21g in a region between the source electrode 21s and the drain electrode 21d of the n-GaN layer 7 (compound semiconductor layer).例文帳に追加

そして、ｎ−ＧａＮ層７（化合物半導体層）のソース電極２１ｓとドレイン電極２１ｄとの間の領域内でゲート電極２１ｇから離間した部分にリセス部７ａ（凹部）が形成されている。 - 特許庁

The ferroelectric gate region can be selectively polarized, depending on the potential supplied between the gate electrode and at least one of first and second drain/source electrode.例文帳に追加

強誘電体ゲート領域は、ゲート電極と第１および第２のドレーン／ソース電極のうちの少なくとも一方との間に供給される電位に応じて選択的に分極することができる。 - 特許庁

The ozone feeding device 1 includes a vessel 10 receiving an ozone-containing gas and storing liquefied ozone and a light source 11 for emitting a light of infrared region in the vessel 10.例文帳に追加

オゾン供給装置１はオゾン含有ガスが供されると共に液体オゾンを貯留するベッセル１０とこのベッセル１０内で赤外光領域の光を照射する光源１１とを備える。 - 特許庁

The magnetic field generation source 9 can form a weak magnetic field whose magnitude is smaller than that of the ferromagnetic field at a region on the evaporation face 2 beyond the ferromagnetic field viewed from the power feed part 6.例文帳に追加

該磁場発生源９は、給電部６からみて強磁場以遠となる蒸発面２上の領域に、該強磁場よりも磁場の大きさが小さい弱磁場を形成可能に構成されている。 - 特許庁

To raise endurance of a compressor by preventing high/low pressure difference from becoming too large in a low outdoor temperature region in a heat pump type water heater using outdoor air as a heat source.例文帳に追加

外気を熱源とするヒートポンプ式給湯装置において、低外気温度領域において高低圧力差が大きくなり過ぎることを防止して、圧縮機の耐久性を向上させること。 - 特許庁

A driving signal to be set for the first drive region 21 is supplied from the first LCD driving signal generating unit 42 of an LCD controller 40 through a first source driver group 31.例文帳に追加

そして、第１の駆動領域２１に設定する駆動信号は、ＬＣＤコントローラ４０の第１のＬＣＤ駆動信号発生部４２から第１のソースドライバ群３１を経由して供給される。 - 特許庁

Thus, the impurity concentration composed of the single crystal silicon film 15 provides a thin source/drain of stacking type, to allow a junction 21 to be shallower and also to allow the width of a depletion layer region 22 to be wider.例文帳に追加

こうして、単結晶シリコン膜１５でなる不純物濃度が薄い積上げ型のソース・ドレイン領域を設けることによって、接合２１を浅くし、且つ、空乏層領域２２の幅を広くできる。 - 特許庁

After a test pattern image is displayed on the screen from the DMD 4 for a period when the light from the light source 1 transmits through an R transmission region of the color wheel 3, a full black image is displayed.例文帳に追加

カラーホイール３のＲの透過領域に光源１からの光が通過している期間にて、ＤＭＤ４によりスクリーン６にテストパタン画像が表示された後、全黒画像が表示される。 - 特許庁

To provide a simple method for creating a highly efficient insect repellent light source which radiates light with the maximum emission peak wavelength in the vicinity of 0.54 to 0.57 μm in a long wavelength region not shorter than in the vicinity of 0.50 μm.例文帳に追加

０．５０μｍ付近以上の長波長域の最大放射ピーク波長が０．５４μｍから０．５７μｍ付近で放射光を持つ高効率防虫用光源の簡単な作製方法 - 特許庁

Each of the means 20 is constituted so that it can read only the predetermined small region divided in the printing widthwise direction, and includes a light source 21, an optical means 22, and a light receiving means 23.例文帳に追加

各単位走査手段２０は印刷幅方向に分割された所定の小領域だけを読取可能なように構成され、各々光源２１と光学手段２２と受光手段２３とを含む。 - 特許庁

The biomass storage unit for storing biomass to be supplied to a crushing means for crushing the biomass includes: a tank body storing the biomass; and a heating means having a heating source directly heating a region of the tank body including a region where the biomass is stored and heating the biomass stored in the tank body in a range of a non-carbonization temperature by the heating source.例文帳に追加

バイオマスを粉砕する粉砕手段に供給するバイオマスを貯蔵するバイオマス貯蔵ユニットであって、バイオマスを貯蔵するタンク本体と、タンク本体のバイオマスが貯蔵されている領域を含む領域を直接加熱する加熱源を備え、加熱源によりタンク本体に貯蔵されているバイオマスを非炭化温度の範囲で加熱する加熱手段と、を有することで上記課題を解決する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory comprises two source- drain regions 108 of a second conductivity type semiconductor separated from each other through a channel forming region of a first conductivity type semiconductor, a first gate electrode 105 arranged linearly along the separating region of two source-drain regions 108, and second gate regions 109G_1 and 109G_2 arranged linearly along the first gate electrode 105.例文帳に追加

第１導電型半導体からなるチャネル形成領域を挟んで互いに離間しそれぞれ第２導電型半導体からなる２つのソース・ドレイン領域１０８と、２つのソース・ドレイン領域１０８の離間領域に沿ってライン状に配置されている第１のゲート電極１０５と、第１のゲート電極１０５に沿ってライン状に配置されている第２のゲート電極１０９_G1、１０９_G2とを有する。 - 特許庁

To provide an MOS transistor having a high drain breakdown voltage, small capacitance between a drain-source region and a gate electrode, and a high junction breakdown voltage of a channel stop and a source-drain region formed under a field oxide film, which are impossible in a conventional MOS transistor having an LDD structure and having an intermediate breakdown voltage structure capable of controlling the drain breakdown voltage.例文帳に追加

本発明は、従来のＬＤＤ構造を有するＭ０Ｓ型トランジスタでは不可能であったドレイン耐圧が大きく、ドレイン・ソース領域とゲート電極間の容量が小さく、フィールド酸化膜下に形成されたチャネルストップとソース・ドレイン領域の接合耐圧の高い、しかもそのドレイン耐圧を制御することのできる中耐圧構造を有するＭＯＳ型トランジスタを提供することを目的とする。 - 特許庁

To adopt a heat exchanger using air as a heat source as an intermediate cooler and a heat source side heat exchanger, and to suppress the deterioration of the heat transfer performance of the intermediate cooler caused by integrating the intermediate cooler with the heat source side heat exchanger in a refrigeration system carrying out a multistage compression refrigeration cycle by using a refrigerant operating in a supercritical region.例文帳に追加

超臨界域で作動する冷媒を使用して多段圧縮式冷凍サイクルを行う冷凍装置において、中間冷却器及び熱源側熱交換器として空気を熱源とする熱交換器を採用するとともに中間冷却器を熱源側熱交換器と一体化させることによって生じる中間冷却器の伝熱性能の低下を抑える。 - 特許庁

By operating the operation switch 11, one or both of the first long light source 6 and the second long light source 7 are lighted, and further when the light intensity of the long light source turned on is adjusted, the lighting condition on the top plate 3 in the whole longitudinal region of the top plate 3 can be finely controlled (modulated), and also desired power consumption can be achieved.例文帳に追加

操作スイッチ１１を操作することで、第１の長手光源６および第２の長手光源７のうちのどちらか一方または両方を点灯させ、さらに、点灯中の長手光源の光量を調整すれば、天板３の長さ方向全域における天板３上の照らし具合をいろいろと細かく調節（調光）できるとともに、所望の消費電力を実現することができる。 - 特許庁

The semiconductor storage device 80 includes memory transistors TR1 and TR2 which are disposed adjacently in the same element formation region and have a pair of source/drain layers 5, and ferroelectric capacitors CAP1 and CAP2 connected through a via and a barrier metal film 13 to the other one of source/drain layers 5 of the memory transistors and one of the source/drain layers 5 of the memory transistor TR2.例文帳に追加

半導体記憶装置８０は、同一素子形成領域に隣接配置される、一対のソース／ドレイン層５を有するメモリトランジスタＴＲ１及びＴＲ２と、メモリトランジスタのソース／ドレイン層５の他方とメモリトランジスタＴＲ２のソース／ドレイン層５の一方に、ビア及びバリアメタル膜１３を介して接続される強誘電体キャパシタＣＡＰ１及びＣＡＰ２とを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element capable of simplifying the manufacture process and reducing the manufacture cost by varying the thickness of a cap layer immediately above a window region arbitrarily in order to facilitate control of the diffusion depth of a diffusion source thereby controlling the distance from the diffusion source to an active layer and controlling the diffusion depth of the diffusion source, and to provide a wafer for semiconductor laser employing it.例文帳に追加

拡散源の拡散深さの制御を容易に行うために、窓領域を形成する直上のキャップ層厚を任意に変えることにより、拡散源から活性層までの距離を制御し、拡散源の拡散深さを制御し、製造プロセスを簡易にし、製造コストを低下させることができる、半導体レーザ素子およびそれを用いた半導体レーザ用ウェハを提供すること。 - 特許庁

A gate insulating film is formed over a gate electrode, and a microcrystalline semiconductor film which functions as a channel formation region is formed over the gate insulating film, and a buffer layer is formed over the microcrystalline semiconductor film, and a pair of source and drain regions are formed over the buffer layer, and a pair of the source and drain electrodes in contact with the source and drain regions are formed.例文帳に追加

ゲート電極上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域として機能する微結晶半導体膜が形成され、微結晶半導体膜上にバッファ層が形成され、バッファ層上に一対のソース領域及びドレイン領域が形成され、ソース領域及びドレイン領域に接する一対のソース電極及びドレイン電極が形成される。 - 特許庁

The semiconductor device comprises memory transistors, each comprising a drain 7 and a source 8 formed in the surface of a semiconductor substrate 1, an insulation film 5 formed over the drain and source, and a gate electrode provided on the insulation film wherein a region 14 impeding movement of electrons is provide at a part of the gate insulation film between the source and drain.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１の表面内部に形成されたドレイン７と、ソース８と、前記ドレインと前記ソースの上にわたって形成された絶縁膜５と、前記絶縁膜の上に設けられたゲート電極とからなるメモリトランジスタを有し、前記ドレインと前記ソースとの間の前記ゲート絶縁膜の一部に電子移動の障害となる電子移動障害領域１４が設けられてなる。 - 特許庁

This pendulum device equipped with a pendulum 300 and a light source 500 lighting in response to the rocking of the pendulum 300 has a formation in which a light transmissive part 330 for transmitting light is installed on the pendulum 300 and the light source 500 emits light from behind a rocking region of the light transmissive part 330 and lights when the light transmissive part 330 passes by the front of the light source 500.例文帳に追加

振り子３００と、振り子３００の揺動に応じて点灯する光源５００とを備えた振り子装置において、振り子３００には光を透過する透光部３３０を設け、光源５００は、透光部３３０の揺動域後方から光をもたらすとともに、透光部３３０が当該光源５００の正面を通過する際に点灯する構成の振り子装置である。 - 特許庁

The video processing circuit determines the difference between the gray scale value of an attention pixel and the gray scale value of the remaining pixel within a region including the attention pixel in the second liquid crystal panel from the video source and changes the size of the region which is the object for the smoothing processing including the attention pixel according to the difference.例文帳に追加

上記映像処理回路は、上記映像ソースから、上記第２の液晶パネルにおける、注目画素を含む領域内で、該注目画素の階調値と、残りの画素の階調値との差分を求めて、この差分に応じて上記注目画素を含むスムージング処理の対象となる領域のサイズを変化させる。 - 特許庁

The other means is to have the first spacer removed and replaced with a second spacer 48 which has a width smaller than that of the first one, and a new silicon source/drain region 60 formed under a self-aligned isolation region 56 by lateral selective full overgrowth, by using the newly exposed silicon/ledge 46 as a seed.例文帳に追加

第２に、第１のスペーサを除去し、第１のスペーサの横幅より狭い横幅を有する第２のスペーサ４８で置き換え、横方向選択エピタキシャル全面成長を用い新たに露出したシリコン・レッジ４６をシードとして用い自己整合した分離領域５６下に新たなシリコンのソース／ドレイン領域６０を成長させる。 - 特許庁

With the super-junction formed over the entire surface of the main surface 1a of the n+ type substrate 1, the super-junction is formed surely under a p-type base region 5 and n-type source region 6, even if the super-junction formation position deviates due to dislocation of a mask, etc., providing surely an MOSFET with withstand voltage.例文帳に追加

このように、スーパージャンクションがｎ^+型基板１の主表面１ａ全面に形成されるようにすれば、マスクずれ等によってスーパージャンクションの形成位置がずれても、必ずｐ型ベース領域５やｎ型ソース領域６の下にスーパージャンクションが形成されるため、確実にＭＯＳＦＥＴの耐圧を得ることができる。 - 特許庁

The semiconductor-on-insulator type transistor comprises (a) an insulating layer, (b) a semiconductor material layer on the insulating layer, (c) a transistor gate provided in the semiconductor material layer, and (d) a vertical, outer source/drain diffusion region and a vertical, inner diffusion-region, provided in the semiconductor material layer operationally adjacent to the transistor gate.例文帳に追加

セミコンダクタ・オン・インシュレータ型トランジスタは、ａ）絶縁層、ｂ）絶縁層上の半導体物質の層、ｃ）半導体物質層内に設けられたトランジスタゲート、ｄ）トランジスタゲートに動作上近接して半導体物質層内に設けられた上下方向外側ソース／ドレイン拡散領域及び上下方向内側拡散領域とからなる。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises the step of conducting the ion implantation from the slanting direction permitting the ion to cross the grain boundary 3A of the columnar crystal structure, on the occasion of conducting ion implantation to form the source region and drain region, using the gate electrode 3 formed of a metal film of the columnar crystal structure as a mask.例文帳に追加

柱状結晶構造をもつメタル膜からなるゲート電極３をマスクとしてソース領域及びドレイン領域形成の為のイオン注入を行う際、前記柱状結晶構造のグレイン境界３Ａをイオンが横切るように斜め方向からイオン注入を行う工程が含まれてなることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a control voltage supply section 110, an MOS transistor having a gate electrode 109, a drain region 103a and a source region 103b, and a dielectric capacitor 104 and a resistor element 106 connected in parallel between the gate electrode 109 and the control voltage supply section 110.例文帳に追加

半導体装置は、制御電圧供給部１１０と、ゲート電極１０９とドレイン領域１０３ａとソース領域１０３ｂとを有するＭＯＳトランジスタと、ゲート電極１０９と制御電圧供給部１１０との間に互いに並列に介設された誘電体キャパシタ１０４及び抵抗素子１０６とを有する。 - 特許庁

To realize a TFT capable of a high-speed operation by manufacturing a crystalline semiconductor film the positions and sizes of whose crystalline grains are controlled by a simple method, and by using the crystalline semiconductor film as the semiconductor layer of the TFT wherein its channel forming regions, its source region, and its drain region are included.例文帳に追加

簡便な方法で結晶粒の位置とその大きさを制御した結晶質半導体膜を作製し、さらにその結晶質半導体膜をＴＦＴのチャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域を含む半導体層に用いることにより、高速動作が可能なＴＦＴを実現する。 - 特許庁

The monitoring includes a step of irradiating the analysis region with light from at least one light source, a step of detecting light scattered or reflected at the analysis region by a detector for obtaining detection signals, and a step of evaluating the detection signals by an evaluation unit.例文帳に追加

モニタリングが、少なくとも１つの光源からの光で前記分析領域を照射する工程と、前記分析領域で散乱されたまたは反射された光を、検出信号を得るための検出器により検出する工程と、前記検出信号を、評価ユニットにより評価する工程とからなることを特徴とする。 - 特許庁

When in the formation, after each layer of the work function control layer 5, the intermediate layer 6, and the low resistance layer 7 are laminated on the gate insulating film 4, gate processing is performed, an LDD region 9, a sidewall 8, and a source drain region 10 are formed sequentially, active annealing of impurities introduced in the semiconductor substrate 2 is performed.例文帳に追加

その形成時には、ゲート絶縁膜４上に仕事関数制御層５、中間層６および低抵抗層７の各層の積層後、ゲート加工を行い、ＬＤＤ領域９、サイドウォール８およびソース・ドレイン領域１０を順に形成して、半導体基板２に導入した不純物の活性化アニールを行う。 - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor device, a substrate formed with a semiconductor layer on an insulation layer is prepared; argon ions are implanted into the surface of the semiconductor layer; a gate insulation film is formed on the semiconductor layer after the argon ion implantation; a gate electrode is formed on the gate insulation film; and a source region and a drain region are formed in the semiconductor layer.例文帳に追加

絶縁層上に半導体層が形成された基板を準備し、半導体層の表面にアルゴンイオン注入を行い、アルゴンイオン注入後の半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、半導体層にソース領域およびドレイン領域を形成する。 - 特許庁

The light source device 100 includes a light emitting element 10 which emits first light L1, a substrate 20 which is irradiated with the first light L1 and has an irradiation region 21 with an irregular surface formed, and a fluorescent light emitting layer 30 formed in the irradiation region 21, excited by the first light L1, and emitting second light L2.例文帳に追加

光源装置１００は、第１の光Ｌ１を出射する発光素子１０と、第１の光Ｌ１により照射され、凹凸が形成された照射領域２１を有する基板２０と、照射領域２１に形成され、第１の光Ｌ１により励起されて第２の光Ｌ２を発する蛍光発光層３０と、を含む。 - 特許庁

The semiconductor device 1 further includes: a polysilicon gate 10 embedded in the gate trench 7 so that the entire part is positioned under a surface of the source region 4; and gate metal 14, 22 and 162 which are embedded in a gate contact groove 21 formed in the polysilicon gate 10 so as to reach the depth of the channel region 5, and which are in contact with the polysilicon gate 10.例文帳に追加

半導体装置１は、さらに、ソース領域４の表面以下に全部が位置するようにゲートトレンチ７内に埋め込まれたポリシリコンゲート１０と、チャネル領域５の深さに達するようにポリシリコンゲート１０に形成されたゲートコンタクト溝２１内に埋め込まれ、ポリシリコンゲート１０に接するゲートメタル１４，２２，１６２とを含む。 - 特許庁

A gate electrode 12 is provided on a whole side face of the semiconductor layer 7 via a gate oxide film 11, and wirings 22 having barrier metals 21 are connected to the drain region 10, a gate electrode 11, and the source region 8 via the conductive film 3 via conductive plugs 19 having barrier metals 18.例文帳に追加

半導体層７の全側面には、ゲート酸化膜１１を介してゲート電極１２が設けられ、ドレイン領域１０、ゲート電極１１及び導電膜３を介したソース領域８には、バリアメタル１８を有する導電プラグ１９を介してバリアメタル２１を有する配線２２が接続されている縦型のＭＩＳＦＥＴ。 - 特許庁

The first electrode 25 and the second electrode 26 to which a voltage is applied from the power source 27 are provided on a region other than the transmission region 34 in a surface of the translucent member 24, which is opposed to the recording medium conveying means 20, such that the first electrode 25 and the second electrode 26 protrude toward a direction close to the recording medium conveying means 20 from the surface.例文帳に追加

電源２７から電圧が印加される第１電極２５および第２電極２６は、透光部材２４の記録媒体搬送手段２０と対向する側の表面における、透過領域３４以外の領域に、表面から記録媒体搬送手段２０に近接する方向に突出して設けられる。 - 特許庁

A first metal layer 12 is formed by depositing first metal at a first temperature which causes siliciding in a semiconductor region, which contains silicon such as a semiconductor substrate 11 of single-crystal silicon where a source-drain region 21sd is formed, and a gate electrode 21g of polysilicon.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域２１ｓｄが形成された単結晶シリコンの半導体基板１１や、ポリシリコンのゲート電極２１ｇのように、シリコンを含む半導体領域においてシリサイド化が生ずる第１の温度にて、その半導体領域に第１金属を堆積することによって、第１金属層１２を形成する。 - 特許庁

A shielding region comprising the same layer as a semiconductor layer for forming a channel layer is formed near a channel region, thus preventing the deterioration in the transistor characteristics due to the light from the back light without increasing the capacitance between the gate and source, and the gate and drain, and hence obtaining the liquid crystal display having the improved image quality.例文帳に追加

チャネル層を形成する半導体層と同一層から成る遮光領域をチャネル領域近傍に形成することにより、ゲートとソース間及びゲートとドレイン間の容量を増加させることなく、バックライト光によるトランジスタ特性の劣化を防ぐことができ、画質の向上した液晶表示装置が得られる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of manufacturing a thin low resistance metallic film on the surface of a silicon layer in a source region and a drain region at the time of forming a field effect transistor in an MOS configuration, and increasing the operating efficiency of the transistor.例文帳に追加

本発明は、ＭＯＳ構造の電界効果型トランジスタを形成するに際し、ソース領域およびドレイン領域のシリコン層の表層部に薄い低抵抗金属膜を製造することができ、トランジスタの動作効率を高めることができる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

A first impurity is ion-implanted into the active region exposed by the lamination gate to form a source/drain region at a first concentration, a word line is used as a mask for etching to remove the exposed field oxide film, and the first insulating film on the word line is also removed or equally etched.例文帳に追加

前記積層ゲートにより露出されたアクティブ領域に第１不純物をイオン注入して第１濃度のソース／ドレイン領域を形成し、ワードラインをエッチング用マスクとして用いて露出されたフィールド酸化膜を取り除くと共に、前記ワードライン上の第１絶縁をも取り除くか、均等にエッチングする。 - 特許庁

Between the gate electrodes 9 of adjacent unit cells, a trench electrode 15 comprising a trench 16 reaching a p+ type silicon substrate 1 from an n+ type source region 5 while penetrating a p- type body region 4 and a p- type silicon layer 2, and a conductive substance 17 filling the trench 16 is formed.例文帳に追加

隣接するユニットセル同士のゲート電極９間部分に、ｎ＋型ソース領域５からｐ型ボディ領域４、ｐ−型シリコン層２を貫いてｐ＋型シリコン基板１に達するトレンチ１６及びトレンチ１６内に埋め込まれた導電性物質１７からなるトレンチ電極１５が形成されている。 - 特許庁

To prevent in the method of manufacturing a semiconductor device that ions are deeply implanted due to channeling by employing a very simplified means on the occasion of forming, with the ion implantation, a source region and a drain region of a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) where a gate electrode is formed of a columnar crystal metal such as Mo, Al, and W.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、Ｍｏ、Ａｌ、Ｗなど柱状結晶のメタルをゲート電極とするＭＯＳＦＥＴのソース領域及びドレイン領域をイオン注入で形成する際、極めて簡単な手段を採ることでイオンがチャネリングに依って深く打ち込まれることを防止できるようにする。 - 特許庁

The source region 15 and the drain region 16 are formed, by etching a part of the thin film comprising amorphous silicon formed on the amorphous silicon film 14, until reaching at least the amorphous silicon film 14, with the amorphous silicon film 14 exposed to a plasma atmosphere containing hydrogen.例文帳に追加

そして、ソース領域１５およびドレイン領域１６が、非晶質シリコン膜１４上に形成した非晶質シリコンからなる薄膜の一部を、少なくとも非晶質シリコン膜１４に到達するまでエッチングすることによって形成されており、非晶質シリコン膜１４が、水素を含むプラズマ雰囲気に暴露された膜である。 - 特許庁

A gate electrode 15 is formed on a prescribed channel region 13 on a substrate 11 of a monocrystal Si enclosed with an element isolation oxide film 12 via a gate oxide film 14 of a combination structure, and a source/ drain diffusion layer 16 is formed away from the channel region 13 on the both-side substrates 11.例文帳に追加

素子分離酸化膜１２に囲まれた単結晶Ｓｉの基板１１上における所定のチャネル領域１３上には組み合わせ構成のゲート酸化膜１４を介してゲート電極１５が形成され、その両側の基板１１上にはチャネル領域１３を隔ててソース／ドレイン拡散層１６が形成されている。 - 特許庁

A first and a second silicide layer 31a and 31b are obtained by turning metal layers, which are deposited covering the parts of the source region 40 and the drain region 41 exposed by the contact holes 21a and 21b and the contact holes 21a and 21b, to silicide by the use of a silane gas or a mixed gas containing silane gas.例文帳に追加

第１及び第２のシリサイド層３１ａ，３１ｂは、コンタクトホール２１ａ，２１ｂにより露出されるソース領域４０，ドレイン領域４１の一部及びコンタクトホール２１ａ，２１ｂを覆うように設けられた金属層をシラン系ガス或いはシラン系ガスを含む混合ガスによりシリサイド化させてなる。 - 特許庁

One of laser beams emitted from a laser beam source 10 and branched into two by a half-mirror 13 is amplitude- modulated by the liquid crystal panel 14, and diffused by a diffuser 15, and made incident on the region of the photosensitive material 17 corresponding to the transmission region displayed on the liquid crystal panel 16 as an object beam.例文帳に追加

レーザ光源１０から出射されたハーフミラー１３により２分岐されたレーザ光の一方は、液晶パネル１４により振幅変調され、拡散板１５により拡散され、液晶パネル１６に提示された透過領域に対応する感光材料１７の領域に物体光として入射する。 - 特許庁