「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(69ページ目) - Weblio英語例文検索

A reflection element 14s is formed in a low region 14aL in a reflecting surface 14a of a reflector 14 so as to reflect light from a light source 12a to pass a lower part of the shade 18.例文帳に追加

また、リフレクタ１４の反射面１４ａにおける下部領域１４ａＬに、光源１２ａからの光をシェード１８の下方を通過させるように反射させる反射素子１４ｓを形成する。 - 特許庁

To provide an image reading apparatus and an image forming apparatus, wherein a light guide member can be impeded from intruding into a light source placement region where a plurality of light sources are disposed when being mounted/removed.例文帳に追加

導光部材を着脱する際に、複数の光源が配置される光源配置領域へ導光部材が進入するのを防止することができる画像読取装置及び画像形成装置を得る。 - 特許庁

In this semiconductor device and its manufacturing method, a leakage stopper layer 13 that has the same conductive type as that of a silicon layer 3, and has high impurity concentration is formed at the lower portion of a source region 7.例文帳に追加

ソース領域７の下部にシリコン層３と同じ導電型で不純物濃度の高いリークストッパ層１３を形成することを特徴とする半導体装置およびその製造方法を使用する。 - 特許庁

The information is reproduced and/or recorded to and from the optical information recording medium of the thick substrate thickness by using mainly the central region among the optical function surfaces described above with the light source of the long wavelength.例文帳に追加

基板厚の厚い光情報記録媒体に対しては、長い波長の光源で前記光学機能面のうち、主に中央領域を用いて情報の再生及び／又は記録を行う。 - 特許庁

Further, it is preferred that a polycrystal semiconductor film having a main orientation in plane {100} of a surface substantially perpendicular to a direction for coupling the source to the drain region is applied to the channel of the semiconductor device.例文帳に追加

更に、上記ソースとドレイン領域を結ぶ方向にほぼ垂直な面の主配向が｛１００｝である多結晶半導体膜を半導体装置のチャネルに適応することが、より好ましい。 - 特許庁

The nonvolatile memory employs such a structure as the source-drain regions 23a, 24a, 23b and 24b extend in at least three directions from the channel region when viewed from the gate electrode 27 side on the plan view.例文帳に追加

そして、前記ゲート電極側２７から平面的に見たときに、前記ソース／ドレイン領域２３a、２４a、２３b、２４ｂが前記チャネル領域から少なくとも３方向に延びる構成を採用する。 - 特許庁

For another way, arrangement is so performed that a signal wiring does not pass a part above clearance of the power source, or wiring width is increased in a region passing the clearance, thereby reducing fluctuation of impedance of the wiring.例文帳に追加

また電源のクリアランス上を信号配線が通らないように配置するあるいは前記クリアランスを通過する領域で配線幅を太くすることにより、配線のインピーダンスの変動を低減できる。 - 特許庁

An insulating film 17 is formed over the surface of the semiconductor substrate 11, and contact holes 18a, 18b, and 18c reaching a region where a source and a drain are formed are provided to the insulating film 17.例文帳に追加

そして、半導体基板１１上の全面に、絶縁膜１７を形成した後、絶縁膜１７にソース・ドレイン形成領域に到達するコンタクトホール１８ａ、１８ｂ、１８ｃを形成する。 - 特許庁

This antenna device includes the teardrop-shaped antenna part supplied with power from an external power source, and a ground part capacitively coupled to the antenna part, and has a nonconductive region in a part of a surface of the antenna part.例文帳に追加

アンテナ装置は、外部電源から給電される涙滴形状のアンテナ部と、前記アンテナ部と容量結合されるグランド部とを含み、前記アンテナ部の表面の一部に非導電領域を有する。 - 特許庁

Therefore the n^+ type source region 4 is moved in the activation annealing step, in addition to the rounding processing of the trench 6, thereby an n-type high concentration layer is prevented from being formed on the bottom of the trench 6.例文帳に追加

これにより、トレンチ６の丸め処理時に加えて、活性化アニール工程の際にｎ^+型ソース領域４が移動することでトレンチ６の底部にｎ型高濃度層が形成されることを防止できる。 - 特許庁

Continuously, the polycrystalline silicon film used as a control gate 5 is allowed to grow, the control gate 5 is formed by patterning, and a region 6 that becomes drain and source regions is formed for manufacturing a nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

続けてコントロールゲート５となる多結晶シリコン膜を成長させ、コントロールゲート５を、パターンニングにより形成し、ドレイン、ソース領域となる領域６を形成して不揮発性半導体メモリを製造する。 - 特許庁

To prevent deterioration of the characteristics of a ferroelectric capacitance element, and at the same time, to prevent rise in contact resistance in a source-drain region.例文帳に追加

強誘電体容量素子の特性の劣化を防止することができると共に、ソース−ドレイン領域におけるコンタクト抵抗の上昇を防止することができる半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, since an n^--type semiconductor region 7 as the extension diffused layer of the source/drain is formed, ion implantation 7a is carried out in an aslant direction, with respect to the main face of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

それから、ソース・ドレインのエクステンション拡散層としてのｎ^-型半導体領域７を形成するため、半導体基板１の主面に対して斜め方向にイオン注入７ａを行う。 - 特許庁

The light emitting drive transistor Tr1 is set to operate in a digital operating region where a switching function can be conducted for an "on" or an "off" operation around a prescribed voltage between the gate-source as a border.例文帳に追加

前記発光駆動用トランジスタＴr1は、所定のゲート・ソース間電圧を境にしてオンまたはオフ動作してスイッチング機能が果たされるデジタル動作領域で動作するように設定されている。 - 特許庁

A silicide layer 7s where an edge at the side of a memory gate electrode MG is prescribed with the sidewall 12A is formed on the upper surface of an n^+-type semiconductor region 5Sp for the source of the memory cell MC.例文帳に追加

メモリセルＭＣのソース用のｎ^＋型の半導体領域５Ｓｐの上面には、メモリゲート電極ＭＧ側の端部が上記サイドウォール１２Ａで規定されるシリサイド層７ｓが形成されている。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus, a color shift correction method and a program that maintain color shift correction accuracy to execute a color shift correction, even when an entire pattern length region cannot be secured on an image carrier due to the existence of a noise source on the image carrier.例文帳に追加

像担持体上にノイズ源が存在することにより像担持体上にパターン全長の領域が確保できない場合でも色ずれ補正の精度を維持して色ずれ補正を実行すること。 - 特許庁

To obtain an absorption refrigeration unit, capable of improving efficiency in low-load region, high in manufacturability, facilitated in transportation, delivery or the like, capable of being installed while saving a space therefor and simple in the control of a heat source supplying amount.例文帳に追加

低負荷域の効率を向上でき、作り勝手が良く運搬及び納入等も容易で省スペースで設置でき、かつ熱源供給量制御も簡単な吸収冷凍機を得ることにある。 - 特許庁

The control device 14 makes control to sequentially change radiation region of light on the light receiving surface based on movement of the light source 11, and also to change intensity of light in respective radiation regions.例文帳に追加

制御装置１４は、光源１１の移動に基づき受光面における光の照射領域を順次変更し、かつ、各照射領域において光の強度を変更する制御を行う。 - 特許庁

In this aligner, luminous flux from a light source 1 is applied to a mask 13, and the image of the pattern of the mask is successively projected and exposed in an adjacent region on the surface of a substrate 15, while mutual one part is overlapped at a joint.例文帳に追加

光源１からの光束をマスク１３に照射して基板１５の表面の隣接する領域にマスクのパターンの像を継ぎ部にて互いの一部が重複するように順次投影露光する。 - 特許庁

In a semiconductor device 10, a plurality of gate fingers 14, a plurality of source fingers 16, and a plurality of drain fingers 18 are arranged in parallel on a first region of a semiconductor portion in a first direction.例文帳に追加

半導体装置１０は、半導体部の第１の領域上において複数のゲートフィンガ１４、複数のソースフィンガ１６、複数のドレインフィンガ１８が第１の方向に並列に配列されている。 - 特許庁

An n^--type epitaxial layer 110 is formed in the vicinity of surface of a p-type semiconductor substrate 106, and a p-type well 114 as well as n^+-type source region 116 are formed in the vicinity of the surface.例文帳に追加

Ｐ型半導体基体１０６の表面近傍にはＮ^−型エピタキシャル層１１０が形成され、その表面近傍にはＰ型ウェル１１４およびＮ^＋型ソース領域１１６が形成されている。 - 特許庁

Thereafter, after a low concentration source/drain region 5 is formed sideward and beneath the gate electrode 4, a side wall 6 which comprises a laminated film of an L-shaped oxide film side wall 6a and a nitride film side wall 6b is formed.例文帳に追加

その後、ゲート電極４の側方下に低濃度ソース・ドレイン領域５を形成した後、Ｌ字状の酸化膜サイドウォール６ａと窒化膜サイドウォール６ｂの積層膜からなるサイドウォール６を形成する。 - 特許庁

Thereafter, n-type impurity ions are implanted through the insulating film 17 and the side walls 16a and 16b as mask, so as to form n-type source regions 19a and 19c and an n-type drain region 19b.例文帳に追加

その後、絶縁膜１７及びサイドウォール１６ａ、１６ｂをマスクにして、Ｎ型不純物のイオン注入を行い、Ｎ型ソース領域１９ａ、１９ｃ及びＮ型ドレイン領域１９ｂを形成する。 - 特許庁

Light emitted from a white light source 404 is reflected by a white diffusion reflector 403 and is scattered to substantially uniformly light substantially the whole region of the surface to be polished of wafer Wm chucked by a chuck.例文帳に追加

白色光源４０４から発した光は、白色拡散反射板４０３で反射され散乱されて、チャックにチャッキングされているウエハＷｍの被研磨面のほぼ全域を、ほぼ均一に照明する。 - 特許庁

Since the trench 22 is narrow, the area can be made to be significantly reduced, as compared when the n+ type source region 104 is connected to the p+ type silicon substrate 101 through a deep diffusion layer.例文帳に追加

トレンチ溝２２の幅が狭いので、深い拡散層を通じてｎ＋型ソース領域１０４とｐ＋型シリコン基板１０１を接続する場合に比べて、大幅に面積を縮小することができる。 - 特許庁

The ozone-containing gas is supplied, while the internal pressure of the treatment furnace 2 is 10 Pa or lower, in a state where the substrate 7 is heated and irradiated with the light of an ultraviolet light region from the light source 5.例文帳に追加

前記オゾン含有ガスは、基板７が加熱されると共に光源５から紫外光領域の光が照射された状態で、処理炉２の内圧が１０Ｐａ以下のもとで供給される。 - 特許庁

The source/drain diffused layers 20 and 21 are composed of impurity diffused layers which are formed by impurities diffused from buried plugs 20b and 21b containing impurities buried in the active region 12c.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層２０，２１が、活性領域１２ｃ内に埋め込まれた、不純物を含有する埋め込みプラグ２０ｂ，２１ｂから拡散した不純物によって形成された不純物拡散層から成る。 - 特許庁

Further, side walls 33b of, for example, 5 nm in width are disposed on both sides of a gate electrode 29b of a transistor B having a large source-drain region in addition to side walls 32b as wide as the side walls 32a.例文帳に追加

また、ソース・ドレイン領域が大きいトランジスタＢのゲート電極２９ｂの両側には、サイドウォール３２ａと同じ幅のサイドウォール３２ｂに加えて、例えば幅が５ｎｍのサイドウォール３３ｂを配置する。 - 特許庁

A motor 14 rotates a sliding member 16 to rub the surface of an electrolytic polishing region 1a, and a stirring member 17 stirs the electrolyte solution 18, which is energized by a direct current power source 19.例文帳に追加

モータ１４により摺動部材１６を回転させて電解研磨領域１ａの表面を擦ると共に、攪拌部材１７により電解液１８を攪拌しつつ、直流電源１９により通電をする。 - 特許庁

The lens 4 is so arranged that light emitted from the light source 21 toward the other region R2 is incident, and is converged to be emitted in the same direction as reflected light by the reflecting plate 3.例文帳に追加

レンズ４は、光源２１から他方の領域Ｒ２に向けて出射される光が入射され、その光を集光して反射板３による反射光と同方向に出射するように配置される。 - 特許庁

After forming the inter-pixel insulating film 17, the upper metal layer 15b of the source/drain electrode layer 15 is selectively removed from the region 10A, thereby exposing the surface of the electrode layer 15a.例文帳に追加

画素間絶縁膜１７の形成後、領域１０Ａにおいて、ソース・ドレイン電極層１５のうち上部金属層１５ｂを選択的に除去することにより、電極層１５ａの表面を露出させる。 - 特許庁

Before calculation of the representative value of each block, whether a pixel belongs to a light source color or an obvious object color region is determined by a color gamut determination circuit 13 for every pixel constituting each block.例文帳に追加

各ブロックの代表値を算出するに先立ち、各ブロックを構成する画素毎に、色域判定回路１３で光源色に属するか明らかな物体色領域に属するかを判定する。 - 特許庁

The channel region 33A, and the first and second low concentration regions 31A and 32A have a first impurity concentration lower than an impurity concentration of the source and drain regions 34A and 35A.例文帳に追加

チャネル領域３３Ａ、第１および第２低濃度領域３１Ａおよび３２Ａは、ソースおよびドレイン領域３４Ａおよび３５Ａの不純物濃度より低い第１不純物濃度を有する。 - 特許庁

After an extension layer is formed, a gate sidewall is formed on the sidewall side of the gate electrode and the gate insulation film, and a silicide film is formed at the source-drain part in the Si active layer region.例文帳に追加

その後、エクステンション層を形成してから、前記ゲート電極およびゲート絶縁膜の側壁側にゲートサイドウォールを形成し、前記Ｓｉ活性層領域におけるソース・ドレイン部にシリサイド膜を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a data holding part connected to a thin film transistor having an oxide semiconductor layer in a channel formation region, for holding data relevant to a conduction state even when a power source voltage is disconnected.例文帳に追加

電源電圧が停止しても導通状態に関するデータの保持を、チャネル形成領域に酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタに接続されたデータ保持部で行う構成とする。 - 特許庁

To record information by using a practical light source and by using holography in each information recording region while moving a recording medium having a plurality of information recording regions.例文帳に追加

実用的な光源を用いて、複数の情報記録領域を有する記録媒体を移動させながら、各情報記録領域にホログラフィを利用して情報を記録することができるようにする。 - 特許庁

A doped polysilicon layer 30 is so formed as to come into contact with the n-type source/ drain region 4 through the contact hole 9a and have an extension part extending onto the inter-layer insulating layer 9.例文帳に追加

ドープトポリシリコン層３０は、コンタクトホール９ａを通じてｎ型ソース／ドレイン領域４と接するように、かつ層間絶縁層９上に延在する延在部分を有するように形成される。 - 特許庁

The electric clock signal output section comprises an impedance matching circuit 52, a bias tee 50, and a constant voltage source 48 and outputs a photocurrent generated in the saturable absorption region to the outside as an electric clock signal.例文帳に追加

電気クロック信号出力部は、インピーダンス整合回路52、バイアスティ50及び定電圧源48を具え、可飽和吸収領域で発生するフォトカレントを電気クロック信号として外部に出力する。 - 特許庁

With such contact that is not overlapped, flexibility in manufacturing is improved when forming the contact to a silicide layer on a source/a drain region in one of the first and the second transistor.例文帳に追加

こうした重ならない当接により、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタの一方の中のソース／ドレイン領域の上に、シリサイド層へのコンタクトを形成するとき、製造の柔軟性が向上する。 - 特許庁

To provide a method for forming a window of a semiconductor laser capable of arranging a diffusion source film in the further vicinity of an active layer than before, and capable of further stably controlling the diffusion region.例文帳に追加

拡散源膜を従来方法よりも活性層の近くに配置することができ、拡散領域をより安定的に制御することができる半導体レーザの窓形成方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, the bias circuit can suppress the power consumption by the static current and the noise from the source voltage, improve the stability at the high frequency region and remove the possibility of oscillation.例文帳に追加

したがって、バイアス回路は、電源電圧からのノイズおよび静的電流による電力消費を抑え、高周波領域における安定性が改善され発振可能性を除去することができる。 - 特許庁

A voice signal processing part 3 forms sound collection beams Xc5 to Xc8 in the same way for local regions obtained by dividing the partial region, and detects a more detailed sound source direction.例文帳に追加

音声信号処理部３はこの部分領域をさらに分割する局所領域に対して同様に集音ビームＸｃ５〜Ｘｃ８を形成して、さらに詳細な音源方向を検出する。 - 特許庁

A gate insulating film 103 made of the non-conductive charge trap layer, and a memory cell region having a memory cell made of a gate electrode and source/drain diffusion layers are formed on a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体基板１０１に、非導電性電荷トラップ層からなるゲート絶縁膜１０３、ゲート電極およびソース・ドレイン拡散層とからなるメモリセルを有するメモリセル領域を形成する。 - 特許庁

In the current source transistor CS1, the potential of an impurity layer in which the channel region is formed is set independently of the potential of the impurity layer in which the channel regions of other transistors are formed.例文帳に追加

電流源トランジスタＣＳ１は、そのチャネル領域が形成される不純物層の電位が、他のトランジスタのチャネル領域が形成される不純物層の電位とは独立に設定されるトランジスタである。 - 特許庁

A semiconductor device is provided with a memory cell for holding data at a node where one of a source and a drain of a transistor including an oxide semiconductor for a channel region is electrically connected.例文帳に追加

半導体装置に、酸化物半導体によってチャネル領域が形成されるトランジスタのソース及びドレインの一方が電気的に接続されたノードにおいてデータの保持を行うメモリセルを設ける。 - 特許庁