「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(82ページ目) - Weblio英語例文検索

When a voltage ϕ VPS applied to a source of the MO TR T1 is adjusted to activate the MOS TR T1 in a sub threshold region which is less than a threshold, the current flowing through the MOS TR T2 changes with the optical current natural logarithmically.例文帳に追加

このとき、ＭＯＳトランジスタＴ１のソースに印加する電圧φＶPSを調整して、ＭＯＳトランジスタＴ１が閾値以下のサブスレッショルド領域で動作するとき、ＭＯＳトランジスタＴ２を流れる電流が前記光電流に対して自然対数的に変化する。 - 特許庁

The apparatus is further provided with a high-frequency power source 16 which is connected to the upper electrode and operates in the region of HF or VHF, and a plasma shield ring 20 in which a secondary plasma is generated in the front of its internal surface between the upper and lower electrodes.例文帳に追加

さらに上部電極に接続されかつＨＦまたはＶＨＦの領域で動作する高周波電源１６と、上部電極と下部電極の間で二次的プラズマがその内側表面の前で生成されるようにしたプラズマシールドリング２０とを備える。 - 特許庁

The compound semiconductor portion 3 has a cutting groove 21, formed in a region between the source electrode 4 and auxiliary electrode 7 that cuts the two-dimensional gas layer 12a to divide the compound semiconductor portion 3 into a first portion 51A and a second portion 51B.例文帳に追加

化合物半導体部３には、ソース電極４と補助電極７との間の領域に２次元電子ガス層１２ａを切断し、化合物半導体部３を第１の部分５１Ａと第２の部分５１Ｂに分断する切断溝２１が形成されている。 - 特許庁

A P type semiconductor region for forming an N type insulated gate field effect transistor employs high energy ion implantation in order to attain such a concentration profile as having peaks in the vicinity of source and drain thereof and the final heat treatment is carried out in hydrogen atmosphere of about 430°C.例文帳に追加

特にＮ型絶縁ゲ−ト電界効果トランジスタを形成するＰ型半導体領域はそのソース、ドレイン近傍にピークを持つ濃度プロファイルとなるよう高エネルギーイオン注入を用い、最終熱処理工程は４３０℃程度の水素雰囲気で行うものとする。 - 特許庁

This protein beverage is obtained by separating and refining β-conglycinin which is a soybean protein fraction, degrading and removing phytic acid bound to the resultant β-conglycinin and thereby utilizing the β- conglycinin with a low content of phytic acid having a raised solubility in the weakly acidic region as a protein source.例文帳に追加

大豆たん白質画分であるβ-コングリシニンを分取精製し、さらに得られたβ-コングリシニンに結合しているフィチン酸を分解・除去することで、弱酸性領域での溶解性を高めた低フィチン酸β-コングリシニンを、たん白質源として利用する。 - 特許庁

To shorten transit time of an electron in a high electric field region by locally forming the high electric field on the source end of a channel immediately below a gate electrode and implement excellent high speed operation of a transistor in a GaN based heterostructure field effect transistor.例文帳に追加

ＧａＮ系ヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極直下のチャネルのソース端に局所的に高電界領域を形成することで同領域における電子の走行時間を短縮し、同トランジスタの優れた高速動作を実現する。 - 特許庁

A nickel silicide layer 114 is formed on the gate electrode in a silicide formation region A and on the source drain diffusion layer, and the first side wall 108 has resistance to an etching material when the second side wall 109 is etched.例文帳に追加

シリサイド形成領域Ａにおけるゲート電極の上部及びソースドレイン拡散層の上部にはニッケルシリサイド層１１４が形成されており、第１のサイドウォール１０８は、第２のサイドウォール１０９をエッチングする際のエッチング材に対して耐性を有している。 - 特許庁

To purify contaminated soil or ground water with high efficiency and low cost by uniformly spreading oxygen and/or oxygen source containing gas on a contaminated region, upon suppressing volatilization of volatile contaminant, in the in situ purifying method of contaminated soil or ground water.例文帳に追加

汚染土壌又は地下水の原位置浄化方法において、揮発性汚染物質の揮散を抑制した上で、酸素及び／又は酸素源含有ガスを、汚染領域に均一に行き渡らせることにより、汚染土壌又は地下水を高効率かつ低コストで浄化する。 - 特許庁

Thus, though the driving force is larger than when all the members 2 to 4 are formed using MOS transistors whose well region is connected to the power source or grounded, the power consumption is lower than when all the members are formed using dynamic threshold MOS transistors.例文帳に追加

これにより、全ての部材２〜４を、ウェル領域が電源に接続または接地されたＭＯＳトランジスタで形成する場合に比べて駆動力が大きいにも拘らず、全てをダイナミック・スレッショルドＭＯＳトランジスタで形成する場合よりも、消費電力が少ない。 - 特許庁

The thin film transistor 19 comprises a semiconductor film 4 comprising a source and drain region 3 and poly-crystalline silicon, processed by laser annealing method employing Nd:YAG (yttrium-aluminum-garnet) second high harmonics; and an interlayer dielectric 6 for covering the semiconductor film 4.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１９は、ソースおよびドレイン領域３を含み、Ｎｄ：ＹＡＧ（イットリウム−アルミニウム−ガーネット）第２高調波を用いたレーザアニール法により多結晶化されたシリコンを含む半導体膜４と、半導体膜４を覆う層間絶縁膜６とを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which internal power source voltage can be changed in accordance with an operation frequency and current consumption in a low frequency region of the operation frequency can be effectively controlled while keeping relative timing relation of each signal.例文帳に追加

各信号の相対的なタイミング関係を維持しながら、動作周波数に応じて内部の電源電圧を変更することができ、動作周波数が低い領域での消費電流を有効に抑制することが可能な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

Photodiodes PD1 and PD2 are formed on the silicon substrate 14, and a photodiode UV-PD and a main part (source-drain channel region) of an MOSFET constituting a control circuit 11A are formed in the silicon semiconductor layer 18 on the insulation film 16.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤ１及びＰＤ２は、シリコン基板１４に形成されており、フォトダイオードＵＶ−ＰＤ及び制御回路１１Ａを構成するＭＯＳＦＥＴの主要部（ソース・ドレイン・チャネル領域）は、絶縁膜１６上のシリコン半導体層１８に形成されている。 - 特許庁

To provide a photomask blank in which the surface reflectance of a light shielding film in a short wavelength region of 190 to 300 nm (particularly near 200 nm) is sufficiently decreased and favorable pattern transfer accuracy is obtained even for an exposure light source in the tendency of shorter wavelengths.例文帳に追加

１９０〜３００ｎｍの短波長域（特に２００ｎｍ近傍）における遮光膜の表面反射率を十分に低減させ、短波長化の傾向にある露光光源に対しても良好なパターン転写精度が得られるフォトマスクブランクを提供する。 - 特許庁

While taking account of a case where high accuracy dimensional control by double exposure is impossible, a part superposed with an impurity region pattern constituting a source-drain electrode is removed from the object of enlargement and superposition for a gate electrode pattern.例文帳に追加

２重露光による高精度な寸法コントロールが不可能な場合を考慮して、ゲート電極パターンに関してはソース・ドレイン電極を構成するための不純物領域パターンと重なる部分を前記拡大及び重ね合わせ処理の対象から除外する。 - 特許庁

A source electrode 7 and a drain electrode 8 are respectively formed on the layers 5a, 5b after removing the epitaxial mask 4, and a gate electrode 9 is formed on a channel region on the surface of the substrate 1 through a gate insulating film 6.例文帳に追加

エピタキシャルマスク４を除去した後、半導体ダイヤモンド層５ａ及び５ｂ上に夫々ソース電極７及びドレイン電極８を形成すると共に、基板１表面におけるチャネル領域上にゲート絶縁膜６を介してゲート電極９を形成する。 - 特許庁

The application shall contain an indication of the appellation of origin or of the indication of source for which registration is sought. This is the name of the country or of the region or locality in that country, and the generic name or the name of the line of the goods may be added thereto. 例文帳に追加

出願には，登録を求めている原産地名称又は出所表示を含める。これは，国の名称又は当該国における地域若しくは場所の名称であり，商品の一般名称又は系列名称をこれに付加することができる。 - 特許庁

Since the surface channel layer 5 can be formed of 4H or 6H-SiC and the semiconductor layer 22 which becomes an n^+-type source region 4 can be formed of 3C-SiC, contact resistivity can be reduced and device characteristics can be stabilized.例文帳に追加

これにより、表面チャネル層５を４Ｈまたは６Ｈ−ＳｉＣで形成でき、ｎ^+型ソース領域４となる半導体層２２を３Ｃ−ＳｉＣで形成できるため、コンタクト抵抗率の低減を図ると共にデバイス特性の安定化を図ることができる。 - 特許庁

To prevent occurrence of a photoelectric current in a channel region due to illumination light from a back light source when TFT is turned off, which becomes a cause of an increase of a leaking current in an element and deterioration of picture quality, in a thin film transistor (TFT) plane display panel structure.例文帳に追加

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）平面ディスプレイパネル構造において、素子の漏電電流の増加や画質の劣化の原因となる、ＴＦＴがオフのときのバックライト光源からの照明光に起因するチャンネル領域中の光電流の発生を防止する。 - 特許庁

Therefore, in order to make the light uniform in the overlapping portion of the light inevitably created in consideration of the overlapping region C of the illumination utilizing a first and second diffusion plates 26, 28 can attain prevention of a light source reflection and a uniform illumination without unevenness.例文帳に追加

そこで、照明の重なり領域Ｃを予定した上で、必然的にできる光の重なり部分で光を均一にするために、第１及び第２の拡散板２６，２８を利用して、光源の写り込み防止、ムラの少ない均一な照明を達成させている。 - 特許庁

The liquid crystal display is used which is equipped with a liquid crystal display panel 2; an image pickup unit 4, having an imaging optical system; a detection light source unit 9 which emits detection light, having wavelength in the IR region toward the observer's side of the liquid crystal display panel 2; and a backlight device 5.例文帳に追加

液晶表示パネル２と、結像光学系を有する撮像部４と、液晶表示パネル２の観察者側へ、波長が赤外領域にある検出光を出射する検出光源部９と、バックライト装置５とを備えた液晶表示装置を用いる。 - 特許庁

To provide an optical device and an optical system in which scattering of light in a short wavelength region can be decreased, and to provide an optical pickup device in which scattering of light can be decreased even when a light source in a shorter wavelength than a conventional one is used and which can prevent errors for reading and writing.例文帳に追加

短波長の光に関し散乱光を減じることのできる光学素子、光学系、及び従来よりも短波長の光源を使用した場合でも散乱光を減じ、読み取り・書き込みエラーを防止することのできる光ピックアップ装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a bright screen even by the light source lamp of the same electric power by transmitting light in a visible region simultaneously absorbed with heat absorption by eliminating the need of heatproof glass conventionally required because a projecting material is cooled and obtained heat is reduced.例文帳に追加

映写資料を冷却出来る事と到達する熱が減少される事から従来必要とした防熱硝子が不要となり、熱吸収と同時に吸収されていた可視光も透過され同じ電力の光源ランプでも画面を明るくする事。 - 特許庁

In the surface light source 20, the surface 23a of the light diffusion plate 23 on the lamp box 22 side has an arithmetic average roughness RA of ≤1.0 μm and an irregular average interval RSm of ≤200 μm in a contact region with at least each of the spacer pins 25.例文帳に追加

面光源装置２０では、光拡散板２３のランプボックス２２側の表面２３ａにおいて、少なくとも各スペーサピン２５との接触領域の算術平均粗さＲａが１．０μｍ以下且つ凹凸の平均間隔ＲＳｍが２００μｍ以下である。 - 特許庁

When the light source M is lighted and light is projected to an internal part through the lateral end face, since projection light L is scattered due to the unevenness 3a formed in the light guiding plate 1, a pattern formed at the pattern region 3 clearly rises to a surface.例文帳に追加

光源Ｍを点灯させて導光板１の測端面から内部へ光を投射すると、投射光Ｌが導光板１に形成した凹凸３ａによって散乱されるため、絵柄領域３に形成した絵柄が光によって鮮明に浮き上がる。 - 特許庁

Luminous flux from a point light source 111 is divided into reference light and illumination light by a beam splitter 221 in the measuring device 1, and the illumination light is applied vertically to an illumination region on the inner surface 91 by a mirror 223 arranged in the sleeve 9.例文帳に追加

測定装置１では点光源１１１からの光束がビームスプリッタ２２１により参照光と照明光とに分割され、照明光はスリーブ９内に配置されるミラー２２３にて内側面９１上の照射領域に垂直に照射される。 - 特許庁

To provide a color filter for a liquid crystal display device restraining a change in color temperature and further preventing the lowering of lightness at the time of white display without narrowing a color reproducing region even in the case of using a white LED as the light source of a backlight, and to provide a liquid crystal display device.例文帳に追加

バックライトの光源として白色ＬＥＤを用いても、色再現域を狭くすることなく、また、色温度の変化を抑制し、更には、白表示時の明度を低下させることのない液晶表示装置用カラーフィルタ、液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

At that time, a distance from the light source 18a to the region 20a1 close to the lower-end edge of the reflecting surface 20a is made longer by setting the position of a light axis Ax of a light fixture in a position displaced to the upper position from the vertical center of the reflecting surface 20a.例文帳に追加

その際、灯具光軸Ａｘの位置を反射面２０ａの上下方向中心位置よりも上方に変位した位置に設定することにより、光源１８ａから反射面２０ａの下端縁近傍領域２０ａ１までの距離を長くする。 - 特許庁

To provide a reflection type polarizing modulation element capable of using a circularly polarized light or a linearly polarized light and modulating these polarized states of the light without using a radiation light source even in a vacuum ultraviolet region where no transmission type polarizing element can be used.例文帳に追加

透過型偏光素子が利用できない真空紫外領域においても円偏光もしくは直線偏光の利用ならびにそれら偏光状態の変調が放射光源を用いずとも可能とする反射型偏光変調素子を提供すること。 - 特許庁

The 17a of the second comb-shaped wiring 17 and the part 16a of the first comb-shaped wiring 16 are arranged alternately, and arranged vertically to a channel direction for connecting the drain regions 7, 9 and the source region 8 of the MOS capacitor 4.例文帳に追加

第２の櫛型配線１７の延出部１７ａは、第１の櫛型配線１６の延出部１６ａと交互に並んで配置されているとともに、ＭＯＳキャパシタ４のドレイン領域７、９とソース領域８を結ぶチャネル方向に対して垂直に配置されている。 - 特許庁

The exposure method comprises: making a beam from a light source scan an exposure object via an optical element LG; and exposing a pattern PA1 whose region is enlarged on the exposure object in a direction approximately perpendicular to the scanning direction X, via the optical element on the exposure object.例文帳に追加

この露光方法は、光源からの光を光学素子ＬＧを介して走査するとともに、光学素子を介することでその走査方向Ｘと略直交する方向に被露光物上で領域が拡大したパターンＰＡ１を被露光物上に露光する。 - 特許庁

To avoid being larger in size of a backlight device than effective lighting region in the case of direct backlight in which a major heat source of an electrode part of a cold-cathode tube 113 is placed outside of a lamp chamber 10 in order to prevent heating up of the sealed chamber 10.例文帳に追加

直下型のバックライト装置において、密閉されたランプ室１０の発熱防止の目的で、主たる熱源である冷陰極管１１３の電極部をランプ室１０の外に配置した場合、有効照明領域よりもバックライト装置が大きくなってしまう。 - 特許庁

To provide an active matrix type electroluminescence (EL) display device that can display a clear multi gray-scale color display to reduce the shift in the potential caused by the potential drop due to wiring resistance of a power source supply line, in order to decrease unevenness in a display region.例文帳に追加

電源供給線の配線抵抗による電位降下によって生じる電位のずれを軽減することにより、表示領域内のムラを軽減し、鮮明な多階調カラー表示が可能なアクティブマトリクス型のＥＬ表示装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

Light is applied from a lower part to perform back exposure, wherein a shadow generated by a light-shielding region of the mask and that generated by the gate electrode 320 become non-exposure regions of a resist layer, and patterning is performed to form the source and drain electrodes 350, 360.例文帳に追加

下方から光を照射し、マスクの遮光領域によって生じる影とゲート電極３２０によって生じる影とが、レジスト層の非露光領域となるような背面露光を行い、パターニングしてソース電極３５０およびドレイン電極３６０を形成する。 - 特許庁

Light guiding optical systems (2, 4) for leading luminous fluxes to the lighting region on the surface to be illuminated in a superposition manner after the luminous fluxes are once condensed from each of a plurality of the unit areas are provided in the optical path between the light source and the surface to be illuminated.例文帳に追加

光源部と被照射面との間の光路中には、複数の単位エリアの各々からの光束をそれぞれ一旦集光させた後に被照射面上の照明領域へ重畳的に導くための導光光学系（２，４）を備えている。 - 特許庁

Also, because of the presence of a range of voltages at which outputting is possible owing to the intervention of the NMOS transistors Tr5 and Tr6, optimization is so achieved as to maximize the region in which linearity is kept by shifting the threshold voltage Vth of the PMOS transistors Tr13 and Tr14 for source follower use.例文帳に追加

また、トランジスタＴｒ５、Ｔｒ６が介在し出力可能の電圧範囲が存在するため、ソースフォロワ用ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１３及びＴｒ１４の閾値電圧Ｖthのシフトによって線形性を保つ領域が最大になるように最適化する。 - 特許庁

Thus, the dimensions of the light receiving face of the light receiving element 20 in the main scanning direction and in the subscanning direction are made smaller than the dimensions of the light emitting region on which VCSEL of the light source 10 is arranged in the main scanning direction and in the subscanning direction.例文帳に追加

これにより、受光素子２０の受光面の主走査方向の寸法、及び副走査方向の寸法を、光源１０のＶＣＳＥＬが配置される発光領域の主走査方向の寸法、及び副走査方向の寸法よりも小さくすることができる。 - 特許庁

To provide a structure of semiconductor deice and its manufacturing method capable of suppressing defective contacting to a source/drain region of a memory cell transistor, without causing fluctuation in characteristics of a peripheral element, related to a logic semiconductor device mounted with a nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリを混載したロジック半導体装置に関し、周辺素子の特性変動等を生じることなく、メモリセルトランジスタのソース／ドレイン領域へのコンタクト不良を抑制する半導体装置の構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a light source device in which sufficient uniformity over an entire irradiation region can be achieved even when an irradiation object is exposed from a short distance utilizing an effective irradiation range in the length direction of a low voltage discharge lamp to the vicinity of limit.例文帳に追加

低圧放電灯の長さ方向の有効照射範囲を限界付近まで利用して照射対象を近距離から露光する場合においても、照射領域全域に渡って十分な均斉度を実現することができる光源装置を提供する。 - 特許庁

In this state, a semiconductor material is grown by selective epitaxial growth in a well region exposed to both the sides of the spacer in the width direction and including two source-drain regions 10 thus forming two extension portions 12 separated by the retracted spacer.例文帳に追加

この状態で、後退したスペーサの幅方向両側に露出し２つのソース・ドレイン領域１０を含むウェル領域に選択的なエピタキシャル成長により半導体材料を成長させ、後退したスペーサにより分離する２つのエクステンション部１２を形成する。 - 特許庁

The first and second main electrodes 13, 14 serve as a drain or a source of a main semiconductor switching element 20 composed of HEMT in ohmic contact with the main semiconductor region 12 and further serve as a cathode of the first and second diodes 21, 22.例文帳に追加

第１及び第２の主電極１３，１４は主半導体領域１２にオーミック接触してＨＥＭＴから成る主半導体スイッチング素子２０のドレイン又はソースとして機能すると共に第１及び第２のダイオード２１，２２のカソードとして機能する。 - 特許庁

Metastable parent ions which spontaneously fragment by Post Source Decay whilst passing through the field free or drift region 5 are arranged to enter the ion mirror 7, and reflected by the reflectron towards an ion detector 8 when the reflectron is maintained at a certain voltage.例文帳に追加

ポストソース分解により自然に分解し、フィールドフリー又はドリフト領域５を通り抜ける準安定親イオンは、イオンミラー７に入るよう準備され、リフレクトロンがある一定の電圧で保たれているとき、リフレクトロンでイオン検出器８に向かって反射される。 - 特許庁

To produce hot water about 90°C in utilizing condensation heat of a refrigerating device comprising an ice thermal storage tank as a heat source of a heat pump for CO_2 hot water supply, and to stably supply hot water throughout the year regardless of season, cold region and the like.例文帳に追加

氷蓄熱槽を備えた冷凍装置の凝縮熱をＣＯ_２給湯用ヒートポンプの熱源として利用する場合に、９０℃前後の温水を製造可能とし、かつ季節、寒冷地等に関係なく、年間を通して安定した給湯を可能とする。 - 特許庁

A cavity 9 is formed in the insulation layer 8 immediately under a portion of the source region which touches the supporting substrate 6 in the vicinity of the cavity 9, and a bend 110a is provided in the vicinity of a level difference 9a between the insulation layer 8 and the cavity 9.例文帳に追加

絶縁層８には、ソース領域の一部の直下に空洞部９が形成され、ソース領域は、空洞部９近傍において支持基板６に接し、かつ絶縁層８と空洞部９との間の段差部９ａ近傍にて湾曲部１１０ａを有している。 - 特許庁

A light receiving part 160 observes reflected light of light from a light source 140 via a lens 150 and measures the distance from the rotational shaft to a point on an inner peripheral part on the basis of light quantity distribution in the region including an inner peripheral end part of the glass substrate 300.例文帳に追加

受光部１６０は、光源１４０からの光の反射光をレンズ１５０を介して観測し、ガラス基板３００の内周端部を含む領域における光量分布に基づいて、回転軸から内周上の点までの距離を測定する。 - 特許庁

To provide a planar light source device that has a structure in which foreign matters entered in the gap between the peripheral edge on the light emitting side of a light guide plate and a molded frame opposed to this hardly moves to the display region side or a structure in which the entered foreign matters can be removed easily.例文帳に追加

導光板の発光面側周縁部とこれに対向するモールドフレームとの隙間に侵入した異物が表示領域側に移動し難い構造、または侵入した異物を容易に取り除くことができる構造の面状光源装置を得る。 - 特許庁