「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

When forming a sensor region by n-type ion implantation onto a silicon substrate and then providing an HAD structure by p-type ion implantation onto a surface of the sensor region, the step of p-type ion implantation is divided into multiple times and before or after sidewall formation of a transfer gate electrode, a p-type ion is implanted into the gate electrode by self-alignment with an approximately half concentration.例文帳に追加

シリコン基板にｎ型イオン注入でセンサ領域を形成後、センサ領域の表面にｐ型イオンを注入してＨＡＤ化を行う際に、ｐ型のイオン注入の工程を複数回に分け、転送ゲート電極のサイドウォール形成前後に、それぞれ約半分程度の濃度でｐ型イオンをゲート電極にセルフアラインで注入する。 - 特許庁

A gate insulating film 4 is formed so as to extend from the interior of the trench 8 to the surface of the p-base 2 of the semiconductor substrate by a thermal process, and also impurity ions of high concentration implanted to the front layer of the p-base 2 and the bottom part of the trench 8 are activated to form a source region 3 and a well region 10 at the same time.例文帳に追加

そして、熱処理によってトレンチ８内部から半導体基板のｐベース２表面にまで延在するようにゲート絶縁膜４を形成するとともに、ｐベース２の表層およびトレンチ８底部に注入された高濃度の不純物イオンを活性化させてソース領域３およびウェル領域１０を同時に形成するものである。 - 特許庁

To provide a polishing agent for CMP capable of suppressing occurrence of dishing, thinning, and polishing flaws in copper or copper alloy wiring, achieving high speed polishing for a barrier layer of tantalum, tantalum alloy, tantalum compound, or the like in low concentration of abrasive particles, and forming an embedded pattern of a metal film having high reliability, and to provide a method for polishing a substrate by using the agent.例文帳に追加

銅又は銅合金配線におけるディシング、シニング及び研磨キズの発生を抑制し、低砥粒濃度においてタンタル、タンタル合金又はタンタル化合物等のバリア層の高速研磨を実現し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターンを形成することができるＣＭＰ用研磨剤と、それを用いる基板の研磨方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a moistureproof insulation coating having a solid concentration capable of ensuring a sufficient moistureproof performance after application and drying in a viscosity range to be applied easily with a dispenser with the excellent adhesion to a glass substrate and long term insulation reliability, and an electronic component with an insulation process applied with the moistureproof insulation coating.例文帳に追加

ディスペンサーにより容易に塗布可能である粘度範囲において、塗布・乾燥後に十分な防湿性能を発現する厚みが確保できる固形分濃度であり、かつ、ガラス基材への密着性および長期絶縁信頼性に優れた防湿絶縁塗料、および該防湿絶縁塗料によって絶縁処理された電子部品を提供すること。 - 特許庁

To provide a polishing medium for CMP capable of suppressing the occurrence of dishing, thinning and polishing flaws in copper or copper alloy wiring, achieving high speed polishing for a barrier layer of tantalum, tantalum alloy, tantalum compound or the like in low concentration of abrasive particles, and forming an embedded pattern of a metal film having high reliability, and a method for polishing a substrate by using the same.例文帳に追加

銅又は銅合金配線におけるディシング、シニング及び研磨キズの発生を抑制し、低砥粒濃度においてタンタル、タンタル合金又はタンタル化合物等のバリア層の高速研磨を実現し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターンを形成することができるＣＭＰ用研磨剤と、それを用いる基板の研磨方法とを提供する。 - 特許庁

In a SiC pin diode 20, an n-type minority carrier elimination layer 31, which is formed between an n-type SiC substrate 21 and an n-type buffer layer 22, has a higher concentration of carbon hole defects than the n-type buffer layer 22, and a carbon hole defect of the minority carrier elimination layer 31 serves as a trap for holes from p-type anode layers 24 and 25.例文帳に追加

このＳｉＣ ｐｉｎダイオード２０では、ｎ型ＳｉＣ基板２１とｎ型バッファ層２２との間に形成したｎ型少数キャリア消滅層３１は、ｎ型バッファ層２２よりも炭素空孔欠陥の濃度が高く、少数キャリア消滅層３１の炭素空孔欠陥はｐ型のアノード層２４,２５からの正孔のトラップとして働く。 - 特許庁

In addition, a third insulator film 11 that is thinner and stable is formed as a result of thermal oxidation of a surface of the light receiving portion 5, a p-type impurity ion is injected in a surface portion of the light receiving portion 5 of an n-type semiconductor substrate 1 through this third insulator film 11 that is thin and stable, and a high-concentration surface p+ layer is formed.例文帳に追加

さらに、受光部５の表面を熱酸化して膜厚が薄く安定した第３の絶縁膜１１を成膜し、この膜厚が薄く安定した第３の絶縁膜１１を通してｎ型半導体基板１の受光部５の表面部にｐ型不純物イオンの注入が為されて高濃度表面ｐ＋層を形成する。 - 特許庁

The carbon concentration within a buffer layer 13 is controlled by introducing material gas of hydrocarbon or organic compounds containing carbon such as propane as an additive in forming the buffer layer 13 by introducing trimethylgallium (TMGa) and ammonium (NH_3) as gaseous nitride compound semiconductor materials into a chamber in which a substrate is disposed.例文帳に追加

基板が配置されたチャンバ内にガス状の窒化物系化合物半導体材料としてトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）とアンモニア（ＮＨ_３）とを導入してバッファ層１３を形成する際、プロパンなどのカーボンを含む炭化水素または有機化合物の材料ガスを添加剤として導入することで、バッファ層１３のカーボン濃度を制御する。 - 特許庁

On the surface of the low-concentration n-type semiconductor layer 202, an insulating layer 205 is formed so that a portion of the surface of the n-type semiconductor region 204 is exposed, and a first electrode 206 covering the exposed portion of the n-type semiconductor region 204 and a second electrode 207 covering the back surface of the n-type semiconductor substrate 201 are provided.例文帳に追加

また、低濃度Ｎ型半導体層２０２の表面には、Ｎ型半導体領域２０４の表面の一部が露出するように絶縁膜２０５が形成され、Ｎ型半導体領域２０４の露出部分を覆う第１電極２０６と、Ｎ型半導体基板２０１の裏面を覆う第２電極２０７とが形成されている。 - 特許庁

The waveguide type semiconductor optical device 20 is a waveguide type semiconductor optical device with the pin type junction structure comprising n-type cladding layers 2, 3, an i-type absorption layer 4 and p-type cladding layer 6 formed on a semi-insulating substrate 1 wherein an impurity concentration in the i-type absorption layer is 10^16 cm^-3 or less.例文帳に追加

導波路型半導体光デバイス２０は、半絶縁性基板１上に、ｎ型クラッド層２、３、ｉ型吸収層４及びｐ型クラッド層６とからなるｐｉｎ型接合構造を形成した導波路型半導体光デバイスであって、前記ｉ型吸収層における不純物濃度が１０^１６ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

To provide a powder coating coated sheet excellent in adhesion to metallic substrates and, particularly as the utilization of such a powder coating coated sheet, provide a water-based ink jet recording material using a metal substrate, which material is excellent in absorption of a water-based ink jet ink and can form images of clarity and high concentration, and a method for preparing the material.例文帳に追加

金属基材との接着性にすぐれる粉体塗料塗工シートを提供することにあり、特に、そのような粉体塗料塗工シートの利用として、水性インクジェットインクの吸収性にすぐれ、鮮明で高濃度の画像を形成することができる、基材が金属である水性インクジェット記録材とその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A diffused layer 15a under a tunnel oxide film in a EEPROM forming region 1 and a diffused layer 15b for a control gate and a low- concentration diffused layer 16 of an offset portion in an NPG transistor forming region 2 are formed in a batch by implanting an n-type impurity 14 to a silicon substrate with a resist pattern 13 serving as a mask.例文帳に追加

レジストパターン１３をマスクとしてシリコン基板１１にＮ型不純物１４をイオン注入することにより、ＥＥＰＲＯＭ形成領域１におけるトンネル酸化膜下の拡散層１５ａ、コントロールゲート用拡散層１５ｂ及びＮＰＧトランジスタ形成領域２におけるオフセット部の低濃度拡散層１６を一括して形成する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, when forming source and drain regions of a MOS transistor having LDD structure, after forming a gate electrode 103 on a p-type silicon substrate 101 via a gate insulation film 102, ion injection is performed with the gate electrode 103 and the like being an ion injection mask, and an n-type low concentration impurity region 106 is formed by thermal treatment.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有するＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、Ｐ型シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を介して、ゲート電極１０３を形成後、ゲート電極１０３等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、ｎ−低濃度不純物領域１０６を形成する。 - 特許庁

The method for producing the bonded material comprises laminating a metal foil to a soldering alloy foil with an organic adhesive, sticking the outer surface of the laminated soldering alloy foil to at least one side of a ceramic substrate with an organic adhesive to give a laminate, and subjecting the laminate to a heat treatment step in a non-oxidative atmosphere with an oxygen concentration of 50 ppm or lower.例文帳に追加

金属箔とロウ材合金箔とを有機系接着剤を用いて張り合わせ、そのロウ材合金箔面をセラミックス基板の片面又は両面に有機接着剤を用いて張り合わせられてなる積層体を、酸素濃度５０ｐｐｍ以下の非酸化性雰囲気下で熱処理工程を経由させることを特徴とする接合体の製造方法である。 - 特許庁

The group III-V compound semiconductor element to be formed on a substrate includes a structure where a semiconductor layer with a distortion is interposed between a first semiconductor layer and a second semiconductor layer, where doping is performed in low concentration or the dopant is not doped.例文帳に追加

基板上に形成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子において、第１の半導体層と第１の半導体層よりも低濃度にドーピングされた、もしくはドーパントがドーピングされていない第２の半導体層との間に、歪を有する半導体層が介在している構造を有することを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子を提供する。 - 特許庁

In the formation of source-drain region of a MOS transistor with LDD structure, after forming a gate electrode 103 via a gate insulating film 102 on a p-type silicon substrate 101, ion implantation is performed using the gate electrode 103 or the like as an ion implantation mask, furthermore, an n-low concentration impurity region 106 is formed by heat treatment.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有するＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、Ｐ型シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を介して、ゲート電極１０３を形成後、ゲート電極１０３等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、ｎ−低濃度不純物領域１０６を形成する。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor of which pressure resistance can be increased easily by lowering a collector concentration in a section just under a base region having a large effect on the pressure resistance of the bipolar transistor, and a semiconductor device in which such a bipolar transistor for the high pressure resistance and the bipolar transistor for a high frequency are loaded on the same substrate.例文帳に追加

バイポーラトランジスタの耐圧性に大きな影響をもつベース領域直下となる部分のコレクタ濃度を低下させることで、高耐圧化を容易に図ることができるバイポーラトランジスタ、及びかかる高耐圧用のバイポーラトランジスタと高周波用のバイポーラトランジスタとを同一基板上に搭載した半導体装置を提供すること。 - 特許庁

In the color filter wherein at least a plurality of color layers and a black matrix for light shielding are formed on a transparent substrate, fluorine concentration distribution at a depth of 0 to 50 nm from the outermost surface of the black matrix is three or more times as high as that at a depth of 50 to 100 nm from the outermost surface.例文帳に追加

透明基板上に少なくとも複数の着色層、および遮光用のブラックマトリクスが形成されたカラーフィルタにおいて、ブラックマトリクスの最表面から深さ０〜５０ｎｍにおけるフッ素元素濃度分布が、最表面から深さ５０〜１００ｎｍにおけるフッ素元素濃度分布の３倍以上であることを特徴とするカラーフィルタ。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor light-emitting element 1 absorbs in advance Si atoms 41 obtained by thermal decomposition of SiH_4, thereby forming a diffusion protection layer 31 composed of Si-doped InP with high impurity concentration on one surface of a semiconductor substrate 11 and side surfaces of a semiconductor mesa part 12 in the initial growth of a buried layer 13.例文帳に追加

半導体レーザ素子１の製造方法では、ＳｉＨ_４を熱分解して得られるＳｉ原子４１を予め吸着させることにより、埋込層１３の初期成長において、半導体基板１１の一面及び半導体メサ部１２の側面に、高不純物濃度のＳｉドープＩｎＰによる拡散防止層３１を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a color filter includes applying a photosensitive composition for a color filter on a film substrate which comprises an addition polymer of a norbornene compound, and performing exposure, development and heat cure treatment of the composition to form pixels, wherein the heat curing treatment is performed, in an atmosphere which has oxygen concentration of 10,000 ppm or lower.例文帳に追加

ノルボルネン系化合物付加重合体からなるフィルム基材上に、カラーフィルター用感光性樹脂組成物を塗布し、これを露光し、現像し、熱硬化処理して画素を形成するカラーフィルターの製造方法において、前記熱硬化処理を酸素濃度１０，０００ｐｐｍ以下の雰囲気下で行なうことを特徴とするカラーフィルターの製造方法。 - 特許庁

The luminescent element has on a substrate a luminescent laminated layer with a transparent electrode, one or more organic compound layers including a luminescent layer and a back electrode laminated, of which, the luminescent layer is an element containing a phosphorescent compound, and at least one of the organic compound layers is one filmed by a wet-process film-forming method under atmosphere with oxygen concentration of 100 ppm or less.例文帳に追加

本発明の発光素子は基材、透明電極、発光層を含む一層以上の有機化合物層及び背面電極を有し、該発光層が燐光発光性化合物を含有する素子であって、有機化合物層の少なくとも一層が、酸素濃度100ppm以下の雰囲気下で湿式製膜法により製膜した層であることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor optical element comprises an n-type buffer layer 102, an undoped InAlAs carrier travel layer 103, an n-type InAlAs field relaxation layer 104, an undoped InAlAs multiplication layer 105, a p-type InAlAs field relaxation layer 106, a p-type concentration gradient InGaAs absorption layer 107, and a p-type InP cap layer 108 formed on an n-type InP substrate 101.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０１上に、ｎ型バッファ層１０２、アンドープＩｎＡｌＡｓキャリア走行層１０３、ｎ型ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層１０４、アンドープＩｎＡｌＡｓ増倍層１０５、ｐ型ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層１０６、ｐ型濃度勾配ＩｎＧａＡｓ吸収層１０７、ｐ型ＩｎＰキャップ層１０８で構成されている。 - 特許庁

To provide a tape sticking method to a semiconductor substrate and a device therefor capable of preventing tape sticking failure/redoing of work by uniformly pressing down a protective tape, capable of setting pressing-down pressure to a base board surface constant, capable of restraining balance adjusting labor and capable of preventing pressure concentration and influence on a pattern by sticking the tape under uniform pressing-down pressure.例文帳に追加

均一に保護テープを押さえられ、テープ貼り付け不良・作業のやり直しが防止でき、基板面への押しつけ圧を一定にでき、バランス調整の手間を抑制でき、均等な押さえ圧でのテープ貼り付けにより、圧力集中やパターンへの影響等を防止した半導体基板へのテープ貼り付け方法及び同装置を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a metal-clad plastic substrate, having a metal layer formed by sputtering on a polyimide film surface comprises treating the surface of the polyimide film surface with an alkali water solution of 0.001-10 mol/L concentration, prior to forming the metal layer, and then treating it with a polar organic solvent held at 20-40°C.例文帳に追加

ポリイミドフィルム表面にスパッタリング法によって金属層を形成して金属被覆プラスチック基板を製造する方法において、前記金属層を形成するに先だって、ポリイミドフィルム表面を濃度０．００１〜１０ｍｏｌ／Ｌのアルカリ水溶液で処理した後、その後２０〜４０℃の温度に保持した極性有機溶媒で処理することを特徴とする。 - 特許庁

In the resistance change sections, a second-conductivity type that has lower impurity concentration than that of the first and second main electrode regions is provided at a part sandwiched by at least one electrode region of the first and second main electrode regions and a channel formation region 12 that faces the control electrode in the surface layer regions of the semiconductor substrate.例文帳に追加

抵抗変化部は、半導体基板の表層領域のうち、第１及び第２主電極領域のうちの少なくとも一方の電極領域と、制御電極と対向するチャネル形成領域１２とによって挟まれる部分に第１及び第２主電極領域よりも不純物濃度の低い第２導電型で設けられている。 - 特許庁

A thick-film region where mask thickness is thicker than other regions, is formed just under a region as at least an emitter region in regions forming a buried region to the semiconductor substrate, and the buried region with a partially low impurity concentration is formed in the lower region of the thick-film region by diffusing impurities.例文帳に追加

半導体基板に埋め込み領域を形成する領域のうち、少なくともエミッタ領域となる領域の直下に他領域よりもマスク厚を厚くした厚膜領域を形成し、その後、不純物を拡散することにより、前記厚膜領域の下方域に不純物濃度が局所的に低濃度化された埋め込み領域を形成する。 - 特許庁

The addition amount of a masking agent is calculated based on information of the number of etching-processed substrates sent from the device management personal computer 62 to the concentration management personal computer 54, and the calculated amount of the masking agent is added into the sampling liquid by a supply unit 58, to thereby perform masking of an aluminum component eluted from the upside of the substrate in the etching processing.例文帳に追加

装置管理用のパソコン６２から濃度管理用のパソコン５４へ送られる、基板のエッチング処理枚数の情報に基づいて、マスキング剤の添加量を算出し、供給ユニット５８により、算出された量のマスキング剤をサンプリング液中に添加し、エッチング処理に伴って基板上から溶出したアルミニウム成分をマスキングする。 - 特許庁

In a photovoltaic device provided with a substantially intrinsic amorphous silicon layer containing hydrogen between an n-type single crystal silicon substrate and a p-type amorphous silicon layer containing hydrogen, a trap layer is formed between the p-type amorphous silicon layer and the intrinsic amorphous silicon layer, wherein the hydrogen concentration of the trap layer is lower than that of the intrinsic amorphous silicon layer.例文帳に追加

この発明は、ｎ型単結晶シリコン基板と水素を含有するｐ型非晶質シリコン層との間に、水素を含有する実質的に真性な非晶質シリコン層を設けた光起電力装置において、前記ｐ型非晶質シリコン層と前記真性な非晶質シリコン層との間に、前記真性な非晶質シリコン層の水素濃度より水素濃度が低いトラップ層を設ける。 - 特許庁

To provide a colored curable composition that has high fine dispersibility and high dispersion stability, high sensitivity, and high developability even in a high pigment concentration condition, a color filter that has high substrate adhesiveness, a high pattern shape, and high proper color characteristics, such as, contrast and color unevenness by using the colored curable composition, and to provide a manufacturing method for the composition.例文帳に追加

高顔料濃度条件化においても、微細分散性および分散安定性が良好で、感度が高く、且つ現像性が良好な着色硬化性組成物を提供し、前記着色硬化性組成物を使用することによって基板密着性に優れ、パターン形状が良好で、しかもコントラストや色ムラ等の色特性が良好なカラーフィルタ、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When regions 6a and 6b, where the impurities of different concentration or the impurities of different types are partially implanted, exist in a polysilicon film 6 formed on a semiconductor substrate as shown in Fig. (b), the impurities of high etching rate are implanted (6c) in an etched region after a lithographic process for patterning a gate electrode, and the etching rate is made uniform.例文帳に追加

図３（ｂ）に示すように、半導体基板上に形成されたポリシリコン膜（６）に部分的に異なる濃度の不純物または異なる種類の不純物が注入された領域（６ａ及び６ｂ）がある場合に、図３（ｃ）に示すゲート電極をパターニングするためのリソグラフィー工程の後、エッチングする領域にエッチングレートの大きな不純物を注入し（６ｃ）、エッチングレートの均一化を図る。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer and a method for producing the same with which striated irregularities at the epitaxial layer surface are suppressed, even in an epitaxial wafer wherein an epitaxial layer having a dopant concentration of 1×10^19/cm^3 or greater is formed on the primary surface of a silicon single-crystal substrate, and to provide a bonded SOI wafer and a method for producing the same that use the silicon epitaxial wafer.例文帳に追加

シリコン単結晶基板主表面に、ドーパント濃度が１×１０^１９／ｃｍ^３以上であるエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルウェーハにおいても、エピタキシャル層表面の縞状の凹凸が抑制されたエピタキシャルウェーハ及び製造方法、該シリコンエピタキシャルウェーハを使用した貼り合わせＳＯＩウェーハ及び製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To enhance breakdown voltage and avalanche resistance by preventing concentration of avalanche current to a corner of the channel region of cell structure of an FET having a square second conductivity channel region in the surface layer of a first conductivity semiconductor substrate, a heavily doped well region in the central part thereof, a first conductivity source region in the surface layer, and an MOS structure on the surface.例文帳に追加

第一導電型の半導体基板の表面層に、方形の第二導電型チャネル領域、その中央部に高不純物濃度のウェル領域、表面層に第一導電型ソース領域、さらに表面上のＭＯＳ構造を備えたＦＥＴのセル構造のチャネル領域の角部へのアバランシェ電流の集中を防ぎ、耐圧、アバランシェ耐量を向上させる。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive composition for colored layer formation which causes neither reduction of film retention nor chipping or undercut of a pattern even under low exposure energy, yields pixels and a black matrix excellent in solvent resistance and adhesion to a substrate, and has excellent storage stability as a liquid composition even if a pigment is contained in high concentration.例文帳に追加

低露光量でも、残膜率が低下したり、パターンの欠けやアンダーカットを生じることがなく、しかも耐溶剤性、基板との密着性等にも優れた画素およびブラックマトリックスを与え、また顔料を高濃度に含有する条件下でも、液状組成物としての保存安定性に優れる新規な着色層形成用感放射線性組成物等を提供すること。 - 特許庁

A base electrode 22 which is in contact with the electron emitting substance is formed beneath the alumina substrate 20, while on the upper face is a gate electrode 26, that causes field concentration to the electron-emitting substance with a voltage applied on the base electrode 22 and electron emission from the electron-emitting substance toward the fluorescent layer 42, in an insulated state with respect to the electron emitting substance.例文帳に追加

アルミナ基板の下面には電子放出物質に接触した基準電極２２が形成され、上面には、基準電極との間に印加された電圧により電子放出物質に電界集中を発生させ、電子放出物質から蛍光体層に向けて電子を放出させるゲート電極２６が、電子放出物質に対して絶縁状態で形成されている。 - 特許庁

The method of manufacturing the organic semiconductor thin film includes: a step of preparing a first ink obtained by dissolving an organic semiconductor into an organic solvent having high affinity at a high concentration for the organic semiconductor and a second ink comprising the organic solvent having low affinity for the organic semiconductor; and a step of discharging the first and second inks simultaneously or alternately from each ink head and mixing them on a substrate.例文帳に追加

有機半導体に親和性の高い有機溶媒に該有機半導体を高濃度に溶解して得た第１のインクと、該有機半導体に親和性の低い有機溶媒からなる第２のインクを用意する工程と、該第１及び第２のインクを各インクヘッドから同時又は交互に吐出させ基板上で混合する工程とを含む有機半導体薄膜の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the semi-conductive nanotube includes at least a process for distributing and arranging the nanotube mixture on a ceramic substrate 2 arranged in a nanotube classification apparatus 1 under an atmosphere 4 of a gas in which oxygen concentration is adjusted and irradiating the mixture with a microwave 8 which is the AC electromagnetic field 28 to selectively destroy or immobilize metallic carbon nanotube contained in the nanotube mixture 3.例文帳に追加

酸素濃度を調整したガス雰囲気４のナノチューブ選別装置１の中に配置したセラミック基板２の上にナノチューブ混合物３を分散配置し、これに交流電磁界２８であるマイクロ波８を放射することで、ナノチューブ混合物３に含まれる金属性のカーボンナノチューブを選択的に破壊あるいは不動化させ、半導体性のナノチューブを得る工程を少なくとも含む。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor device, and the semiconductor device in which high strain relaxation rate is attained even in a strained SiGe film having thickness equal to or thinner than critical film thickness and high Ge concentration formed on a semiconductor substrate, through dislocation density is reduced, undulation of a second SiGe film surface formed on it is inhibited and smoothness can be enhanced.例文帳に追加

半導体基板上に形成された高濃度のＧｅ濃度を有する臨界膜厚以下の歪ＳｉＧｅ膜においても高い歪緩和度を達成し、貫通転位密度を低減し、その上に形成される第２のＳｉＧｅ膜表面のうねりを抑制し、平滑性を向上させることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置の提供。 - 特許庁

The film pattern formed on a substrate is composed of a metal or a metal oxide having resistance and a metal oxide inhibiting resistance, wherein the film of the metal or the metal oxide having the resistance and the film of the metal oxide inhibiting the resistance are different from each other and a boundary surface between the films has a concentration gradient with respect to each film.例文帳に追加

基板上に形成される膜パターンを、抵抗を有する金属もしくは金属酸化物と抵抗を阻害する金属酸化物で構成し、抵抗を有する金属もしくは金属酸化物の膜と抵抗を阻害する金属酸化物の膜を各々別々の膜で存在させ、膜間の境界面に、各々の膜に対して濃度勾配をもたせた膜パターンとする。 - 特許庁

A plurality of trenches 11, an N type pillar region 2 formed by diffusing N type impurities contained in a dielectric layer 12 filling the trench 11 into a P type epitaxial layer, and a P type pillar region 3 by the P type epitaxial layer remaining between the diffusion regions are provided on the P type epitaxial layer laminated on a high concentration N type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

高濃度Ｎ型の半導体基板１上に積層されたＰ型のエピタキシャル層上に、複数のトレンチ溝１１と、トレンチ溝１１内に充填された誘電体層１２に含まれるＮ型不純物が、Ｐ型のエピタキシャル層中に拡散して形成されたＮ型ピラー領域２と、拡散領域間に残ったＰ型のエピタキシャル層によるＰ型ピラー領域３とを備える。 - 特許庁

In an electrolytic cell for producing metallic foil in which an electrode obtained by providing the surface of an electrically conductive substrate with a coating layer containing iridium oxide is used as an anode, and objective metal is precipitated over the surface of a cathode face, strontium carbonate is added to an electrolytic solution to be fed, and formed precipitation is removed away to reduce the concentration of lead ions in the electrolytic solution to ≤10 ppm.例文帳に追加

導電性基体上に酸化イリジウムを含む被覆層が設けられた電極を陽極として使用し、陰極面上に目的とする金属を析出させる金属箔製造用の電解槽において、供給する電解液に炭酸ストロンチウムを添加し、生成する沈殿を除去することにより電解液中の鉛イオン濃度を１０ｐｐｍ以下に低減する。 - 特許庁

An adhesive cell 13 selectively adhesively cultivated on the surface of a cell adhesive film pattern 12 on a substrate 11 is exposed to a cultivation solution dissolving a chemical substance to be tested for cytotoxicity, the camp concentration change within the adhesive cell is then measured for every cell by use of nondestructive method, and the toxicity of the chemical substance to be tested for cytotoxicity is quantitatively determined on the basis of the result.例文帳に追加

基板１１上の細胞接着性膜パターン１２表面上に選択的に接着培養し接着性細胞１３を、被毒性試験化学物質を溶解した培養液中に一定時間暴露した後、その接着性細胞内のcAMP濃度変化を細胞毎に非破壊的手法を用いて計測し、その結果に基づき、被毒性試験化学物質の毒性を定量する。 - 特許庁

In the growing process, Ga element is supplied from the GaN substrate 10 in a solution of Ga element and the flux, consequently lowering of the Ga concentration in the flux associated with the growth in the surface side can be suppressed, the ratio of Ga element in the flux can be made constant, and flux-constituting elements such as Na or Li can be prevented from being taken into the crystal.例文帳に追加

成長工程において、Ｇａ元素とフラックスとの溶液では、Ｇａ元素がＧａＮ基板１０から供給されるので、表面側成長に伴うフラックス中のＧａ濃度の低下を抑制でき、フラックス中のＧａ元素比を一定にすることができ、ＮａやＬｉなどのフラックス構成元素が結晶中に取り込まれるのを防止することができる。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive composition for colored layer formation, which avoids the occurrence of residues and scumming in development even in a high colorant concentration, excels in adhesion to a substrate even under low exposure energy, can form pixels and a black matrix having a high-definition excellent pattern profile, and so excels in latitude in developing time, etc., as to obtain a desirable pattern line width.例文帳に追加

高着色剤濃度であっても現像時に残渣や地汚れを生じることなく、かつ低露光量でも基板との密着性に優れ、高精細で優れたパターン形状を有する画素およびブラックマトリックスを形成でき、さらに所望のパターン線幅を得ることができる現像時間等の余裕度に優れた着色層形成用感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁

When a first semiconductor layer and a second semiconductor layer, whose impurity concentration is high than that of the first semiconductor layer, are formed on a semi-insulating substrate and the resistance element is formed on the second semiconductor layer, an electrode of the resistance element is formed on the region of the second semiconductor layer in which region the resistance element is to be formed, and the region is electrically isolated.例文帳に追加

半絶縁性基板上に、第１の半導体層と、第１の半導体層より不純物濃度の高い第２の半導体層が形成され、この第２の半導体層上に抵抗素子を形成する場合、第２の半導体層の抵抗素子形成予定領域上に抵抗素子の電極を形成し、抵抗素子形成予定領域を電気的に分離する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming an n-type semiconductor region 2 partially on a p-type semiconductor substrate 1, a step for forming an anti-oxidation layer 3 by lowering n-type carrier concentration above the n-type semiconductor region, and a step for forming a base region B, an emitter region E and a collector region C above the anti-oxidation layer 3.例文帳に追加

本発明は、ｐ型半導体基板１上部に部分的にｎ型半導体領域２を形成する工程と、前記ｎ型半導体領域上部のｎ型キャリア濃度を下げて酸化防止層３を形成する工程と、前記酸化防止層３上にベース領域Ｂとエミッタ領域Ｅとコレクタ領域Ｃを形成する工程を備えたことを特徴とする。 - 特許庁