「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

A collector region 13 having relatively lower impurity concentration is formed on a semiconductor substrate 16 containing two impurities (phosphorus and arsenic) having different diffusion coefficients and constituting a collector contact region 12 by an epitaxial growing method.例文帳に追加

コレクタコンタクト領域１２を構成する、拡散係数の異なる２つの不純物（リンおよびヒ素）を含む半導体基板１６上に、エピタキシャル成長方法により相対的に不純物濃度の低いコレクタ領域１３を形成する。 - 特許庁

In addition, low-concentration n-type impurity regions (extension region) 152 which become parts of the bit lines BL are formed on the substrate 10 by performing ion implantation by again using the regions including the regions of the memory gates MG and control gates CG as masks.例文帳に追加

そして、再びＭＧ及びＣＧの領域を含めた領域をマスクとしてイオン注入することにより、基板１０上にビット線ＢＬの一部となる低濃度Ｎ型不純物領域（エクステンション領域）１５２を形成する。 - 特許庁

To form a stable oxidized film by melting an Al or Al alloy and coating an Ni or an Ni-based alloy substrate with it for adding the oxidizing resistance under a high temperature environment, so as to making this surface the Al component of a high concentration.例文帳に追加

ＮｉまたはＮｉ基合金基体に高温環境下の耐酸化性を付加させるため、ＡｌまたはＡｌ合金を溶融・被覆して、表面を高濃度のＡｌ成分にすることにより、安定な酸化皮膜を形成させる。 - 特許庁

An interval between the two gates 6 is made narrower; sidewalls 8 are connected between the gates 6; and an insulating film (NSG) 8 is interposed, so that a high concentration impurity layer (n+-type) is formed on a substrate (P-type well) 2 between the gates 6.例文帳に追加

２個のゲート６の間隔をより狭くし、かつ、そのゲート６間にサイドウォール８がつながって絶縁膜（ＮＳＧ）８を存在させ、ゲート６間の基板（Ｐウェル）２に高濃度不純物層（ｎ^+ ）が形成されないようにした。 - 特許庁

A diffusion layer (an area where the concentration of a plating component or an additive is weak) is made thinner compared to a stirring method such as the bubbling or the jetting of a plating liquid by directly bringing an insulating contact body having flexibility into contact with a substrate.例文帳に追加

可撓性を有する絶縁性接触体が直接接触することにより、バブリングやめっき液を基板に噴射する攪拌方法に比べて拡散層（めっき成分や添加剤濃度が薄い領域）を薄くすることができる。 - 特許庁

To the rear surface WS2 of the substrate W opposite to the front surface WS1, another cleaning fluid which is increased in dissolved gas concentration by means of a gas dissolving section 82 is supplied simultaneously with the cleaning fluid supplied to the front surface WS1.例文帳に追加

またおもて面ＷＳ１に洗浄液が供給されるのと同時に、おもて面ＷＳ１と逆側のうら面ＷＳ２には、ガス溶解部８２によって溶存ガス濃度を増加させて洗浄液が供給される。 - 特許庁

To provide a plasma CVD device of a structure that a thin film, which is uniform in film thickness and film quality, can be formed on the surface of a substrate to be treated by relaxing the strength of the state of a plasma under the formation of the thin film and by suppressing a concentration of discharge.例文帳に追加

成膜中でのプラズマ状態の強弱を緩和したり、放電の集中を抑制して被処理基板表面に膜厚および膜質が均一な薄膜を成膜することが可能なプラズマＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

A coating method includes a coating step of laminating a plurality of liquid body layers on a substrate by coating the substrate with the liquid body containing the easily oxidative metal plural times, and a controlling step, by the coating step, of controlling at least one of oxygen concentration and humidity in the chamber enclosing the space coated with the liquid body and the moving space of the substrate coated with the liquid body by the coating step.例文帳に追加

易酸化性の金属を含む液状体を基板に複数回塗布し前記基板上に複数の液状体層を積層する塗布ステップと、前記塗布ステップによって前記液状体の塗布される塗布空間及び前記液状体の塗布された前記基板の塗布後移動空間を囲むチャンバ内の酸素濃度及び湿度のうち少なくとも一方を調整する調整ステップとを備える。 - 特許庁

The thin film transistor includes a substrate, a gate electrode on the substrate, a gate insulating film on the gate electrode and the exposed substrate, an oxide semiconductor layer which is in an opposite position to the gate electrode on the gate insulating film and composed of an oxide semiconductor based on HfInZnO having an Hf concentration of 9 to 15 atom%, and a source and a drain which extend on the gate insulating film from both sides of the oxide semiconductor layer.例文帳に追加

基板、基板上のゲート電極、ゲート電極及び露出された基板上のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上で、ゲート電極と対向する位置にありつつ、Ｈｆの濃度が９〜１５ａｔｏｍ％の範囲にあるＨｆＩｎＺｎＯ系からなる酸化物半導体層、及び酸化物半導体層の両側から、ゲート絶縁膜上に延びるソース及びドレインを含む薄膜トランジスタである。 - 特許庁

The machining method for silicon substrate comprises a step for forming a protective film, through thermal oxidation, on a silicon substrate produced from silicon single crystal by Czochralski method, a step for removing the protective film partially, and a step for etching silicon exposed after removal of the protective film wherein the concentration of interstitial oxygen contained in the silicon substrate is set not higher than 14×1017 atoms/cm3.例文帳に追加

チョクラルスキー法で製造したシリコン単結晶から作られたシリコン基板上に、熱酸化法により保護膜を形成する工程と、保護膜を部分的に除去する工程と、除去後に表出するシリコンをエッチングする工程を有するシリコン基板加工において、前記シリコン基板中に含まれる格子間酸素濃度を１４×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下とすることにより実現する。 - 特許庁

The semiconductor device is formed on a semiconductor substrate; and comprises the semiconductor substrate, an impurity diffusion layer formed on one main surface of the semiconductor substrate, an insulating film formed on the impurity diffusion layer, and a silicon nitride film which is formed on the insulating film and in which the amount of positive charges is changed by a given heat treatment to control impurity concentration near the surface of the impurity diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板上に形成される半導体素子であって、半導体基板と、半導体基板の一主面に形成される不純物拡散層と、不純物拡散層上に形成される絶縁膜と、絶縁膜上に形成され所定の熱処理により正電荷の量が変動して不純物拡散層の表面近傍の不純物濃度を制御するシリコン窒化膜と、を備えることを特徴とする半導体素子。 - 特許庁

At least in the high concentration impurity layer, a plurality of low refraction index regions 6 of which refraction indices of light are smaller than that of the high impurity concentration layer are arranged at constant intervals, a photonic crystal 21 is constituted which transmits the light of the predetermined wavelength band by having a periodic refraction index distribution in the main plane direction of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

少なくとも高濃度不純物層中に、高濃度不純物層よりも光に関する屈折率が小さい複数の低屈折率領域６が一定の間隔をもって配列され、半導体基板１の主面方向に周期的な屈折率分布を有することにより所定の波長帯の光を透過させるフォトニック結晶部２１が構成されている。 - 特許庁

In a wet etching solution for a silicon substrate having a metal silicide film and a silicon oxide film, the content ratio of hydrogen fluoride and ammonium fluoride is 1:7-1:80 in mass ratio, the hydrogen fluoride concentration in the whole wet etching solution is 0.01-10 mass%, and the ammonium fluoride concentration is 0.8-80 mass%.例文帳に追加

金属シリサイド膜およびシリコン酸化膜を備えるシリコン基板用の湿式エッチング溶液であって、フッ化水素とフッ化アンモニウムの含有比が、質量比で、フッ化水素：フッ化アンモニウム＝１：７〜１：８０であり、かつ、湿式エッチング溶液全体におけるフッ化水素濃度が０．０１〜１０質量％であり、フッ化アンモニウム濃度が０．８〜８０質量％であることを特徴とする湿式エッチング溶液である。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor manufactured by successively laminating at least a charge generating layer and a charge transfer layer containing a binder resin, charge transfer substance and electron accepting substance on a conductive substrate, the charge transfer layer has a concentration gradient, such that the concentration of the electron accepting substance decrease in proportion to distance from the charge generating layer.例文帳に追加

導電性支持体上に少なくとも電荷発生層、および結着樹脂、電荷輸送物質および電子受容物質を含んでなる電荷輸送層を順次積層してなる電子写真感光体であって、電荷輸送層が、電子受容物質の濃度が電荷発生層から離れるにしたがって小さくなる濃度勾配を有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

When forming a source region 24 and a drain region 25 of an NMOS transistor 20 formed on the same silicon substrate 30 along with the NPN transistor 10, a high-concentration region 15 can be formed in the same process, thus excluding an exclusive diffusion process for forming the high-concentration region 15, and manufacturing a semiconductor device 1 with a small number of processes.例文帳に追加

ＮＰＮトランジスタ１０と共に同一シリコン基板３０上に形成されるＮＭＯＳトランジスタ２０のソース領域２４およびドレイン領域２５を形成する際同一工程で高濃度領域１５を形成することができるので、高濃度領域１５を形成するための専用の拡散工程を省き、少ない工程数で半導体装置１を製造することができる。 - 特許庁

A semiconductor device has: an AlGaN buffer layer 18 provided on an SiC substrate 10 and that has an acceptor concentration (Na) higher than a donor concentration (Nd); a GaN electron transit layer 14 provided on the AlGaN buffer layer 18; and an AlGaN electron supply layer 16 provided on the GaN electron transit layer 14 and that has a band gap larger than that of GaN.例文帳に追加

本発明は、ＳｉＣ基板１０上に設けられ、アクセプタ濃度（Ｎａ）がドナー濃度（Ｎｄ）以上の濃度であるＡｌＧａＮバッファ層１８と、ＡｌＧａＮバッファ層１８上に設けられたＧａＮ電子走行層１４と、ＧａＮ電子走行層１４上に設けられ、ＧａＮよりもバンドギャップが大きいＡｌＧａＮ電子供給層１６と、を有する半導体装置である。 - 特許庁

A method of manufacturing the gallium nitride compound semiconductor substrate comprises growing of a first gallium nitride chemical semiconductor layer having the Si-doping concentration of 1×10^19/cm^3 or higher, and growing a second gallium nitride compound semiconductor layer, which is undoped or has a Si-doping concentration of 1×10^19/cm^3 or lower, on the first gallium nitride compound semiconductor layer.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体基板の成長方法であって、Ｓｉドーピング濃度が１×１０^１９／ｃｍ^３以上である第１の窒化ガリウム系化合物半導体層と、該第１の窒化ガリウム系化合物半導体層上に積層されたノンドープ、又はＳｉドーピング濃度が１×１０^１９／ｃｍ^３以下である第２の窒化ガリウム系化合物半導体層とを備える。 - 特許庁

An n--type low impurity-concentration semiconductor layer 2 is epitaxially gown on an n+-type high impurity-concentration semiconductor substrate 1, a plurality of p+-type semiconductor regions 6 are provided on the surface side of the semiconductor layer 2, and a metal layer 3 which forms the semiconductor layer 2 and a Schottky barrier is provided on the surface of the p+-type semiconductor region 6 and semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｎ^+ 形である高不純物濃度の半導体基板１上にｎ^- 形である低不純物濃度の半導体層２がエピタキシャル成長され、その半導体層２の表面側に複数個のｐ^+ 形の半導体領域６が設けられ、半導体層２およびｐ^+ 形の半導体領域６の表面に、半導体層２とショットキーバリアを形成する金属層３が設けられている。 - 特許庁

For an epitaxial wafer in which boron concentration in an epitaxial layer is ≤1/100 of boron concentration in a wafer substrate, a minority carrier diffusion length measuring method for forming an oxide film of 10-100nm thickness on the surface of the epitaxial layer of 1-20μm thickness and then measuring the diffusion length of minority carriers by using a surface light voltage method is used.例文帳に追加

エピタキシャル層中のホウ素濃度が、ウエハ基板中のホウ素濃度の１／１００以下であるエピタキシャルウエハにおいて、厚さが１〜２０μｍである前記エピタキシャル層表面に、厚さ１０〜１００ｎｍの酸化膜を形成した後、表面光電圧法を用いて、少数キャリア拡散長を測定することを特徴とするエピタキシャルウエハの少数キャリア拡散長の測定方法を用いる。 - 特許庁

To form a high quality copper thin film having a low impurity concentration by chemical-vapor deposition in a little latency time and at high deposition rate, uniformly over the whole area in the surface for a large-diameter substrate with a high efficiency of using material.例文帳に追加

化学気相成長法によって、不純物濃度の低い良質な銅薄膜を、潜伏時間が少なく、かつ高い成膜速度で、大口径の基板に対しても面内全域にわたって均一に、高い原料使用効率で成膜を行なう。 - 特許庁

That is, the electric field applied from the electric field application electrode 14 to the semiconductor substrate 104 with the switching element 10 in the on-state increases the electron concentration in the channel region due to a field effect and acts to reduce the on-resistance of the switching element 10.例文帳に追加

要するに、スイッチ素子１０がオン状態で、電界印加電極１４から半導体基板１０４に印加される電界は、電界効果によってチャネル領域の電子濃度を高くし、スイッチ素子１０のオン抵抗を小さくするように作用する。 - 特許庁

In the epitaxial wafer for the hetero-junction bipolar transistor that is provided with at least a collector layer 4, a base layer 5, an emitter layer 6, and an emitter contact layer 7 on a compound semiconductor substrate 2, the emitter contact layer 7 is doped with carbon at a specified concentration.例文帳に追加

化合物半導体基板２上に、少なくともコレクタ層４，ベース層５，エミッタ層６，エミッタコンタクト層７を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、上記エミッタコンタクト層７に所定濃度の炭素をドーピングする。 - 特許庁

The silicon substrate for epitaxial wafer on the surface of which an epitaxial film is formed includes boron of 10^18 atoms/cm^3 or more and further includes tin of 0.1 to 1.0×[BX] atoms/cm^3 relative to the boron concentration [BX].例文帳に追加

表面にエピタキシャル膜が形成されるエピタキシャルウェーハ用シリコン基板であって、ボロンを１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上含有し、かつ、このボロン濃度［ＢＸ］に対して０．１〜１．０×［ＢＸ］ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３のスズを含有するエピタキシャルウェーハ用シリコン基板である。 - 特許庁

The execution method for the laminated structure is characterized by fixing the polyolefin sheet or film to a substrate and subsequently applying the primer composition, of which the solid concentration at the time of coating is 2-14 wt.%, to the polyolefin sheet or film to cover the layer comprising the primer composition with the polyurethane resin composition.例文帳に追加

また、ポリオレフィンシートあるいはフィルムを下地に固定後、塗布時の固形分濃度が２〜１４重量％であるプライマー組成物を塗付し、その後ポリウレタン樹脂を被覆することを特徴とする積層構造体の施工方法を用いる。 - 特許庁

A semiconductor device, which can improve VEBO on a substrate surface and can maintain a current amplification rate β, as is, by installing the low concentration base area 32 on the surface of the base region 22 adjacent to an emitter region 23 can be provided.例文帳に追加

エミッタ領域２３に隣接するベース領域２２表面に低濃度ベース領域３２を設けることにより基板表面でのＶEBOを上げることができ、電流増幅率βも従来のまま維持できる半導体装置を提供できる。 - 特許庁

An elongated part 10, which has an elongated shape projecting from a surface of the substrate 1 in a region with the photoelectric conversion region 3 exposed thereto and in which a portion of the elongated shape is a charge concentration region 12 acting as a gate, is formed.例文帳に追加

光電変換領域３が露出している領域において基板１の表面から突出する細長形状を有し細長形状の一部が、ゲートとなる電荷集中領域１２である細長部１０が形成されている。 - 特許庁

To introduce fluorine of full concentration into a film while damages to an insulating film and a substrate interface is avoided so as to obtain initial characteristics and the reliability of a transistor by introducing fluorine during film formation of a material of high dielectric constant.例文帳に追加

高誘電率材料の成膜中にフッ素を導入することで、絶縁膜と基板界面へのダメージを避けながら、十分な濃度のフッ素を膜中に導入し、トランジスタの初期特性と信頼性を両立させることを可能とする。 - 特許庁

To provide a curable composition for a color filter which cures with high sensitivity to form an excellent cured film, has a good pattern forming property and excels in adhesion to a hard surface being a substrate, even when the composition contains a colorant in high concentration.例文帳に追加

着色剤を高濃度に含有する場合であっても、高感度で硬化して優れた硬化膜を形成し、良好なパターン形成性を有し、基材である硬質表面との密着性に優れたカラーフィルタ用硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electronic device by which transition of a peroxomonosulfuric acid concentration in a process tank is preliminarily detected and an appropriate process time can be set for the purpose of eliminating an organic substance on a substrate using the detection result as an index.例文帳に追加

処理槽内のペルオキソ一硫酸酸濃度の推移を予め検出し、その検出結果を指標として基板上の有機物を除去するための適正な処理時間を設定することを可能にした電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize a uniform, stabilized cleaning treatment in a wet cleaning technique for a substrate using an aqueous cleaning liquid of hydrofluoric acid as an effective component by suppressing the increase of hydrogen fluoride(HF) concentration in the cleaning liquid which occurs with processing of cleaning time.例文帳に追加

有効成分としてフッ化水素酸を水に溶解した洗浄液を使用する基板の湿式洗浄技術において、洗浄時間経過に伴う上記洗浄液のＨＦ濃度上昇を抑えて洗浄処理を均一・安定化する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the surface area of a conductive part of solder is increased while suppressing the concentration of a stress to a solder part on the ball surface when a semiconductor chip is bonded to a substrate through a ball, and to provide its manufacturing process.例文帳に追加

ボールによって基板に半導体チップを接合する際にボール表面のハンダ部分に応力が集中するのを抑制すると共に、ハンダの導通部分の表面積を増加させた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When a cap layer is formed, two or more metal targets 14a, 15a are prepared along a run system 11, and it is desirable to establish the temperature of the IBAD substrate 7 and the oxygen concentration of a gas introduced into a deposition space in a predetermined range.例文帳に追加

キャップ層を形成する際には、走行系１１に沿って複数の金属ターゲット１４ａ、１５ａを配設し、ＩＢＡＤ基材７の温度及び成膜空間に導入するガスの酸素濃度を所定の範囲に設定するのが好ましい。 - 特許庁

Moreover, a high concentration region 16 is formed with higher accuracy because the lattice-to-lattice silicon in the silicon substrate 13 is reduced to control the redistribution of impurity when high temperature heat process is conducted before the process to implant such p-type impurity.例文帳に追加

また、このｐ型不純物を注入する工程の前に高温で熱処理を行うことで、シリコン基板１３内の格子間シリコンが低減して不純物の再分布が抑制されるので、高濃度領域１６が精度良く形成される。 - 特許庁

To provide phosphorus-containing metal oxide fine particles excellent in light resistance and weather resistance, having high concentration and excellent stability and high refractive index, and to provide a method for producing the particles, and a substrate with a transparent coating film using the particles, and a coating liquid for forming a transparent coating film.例文帳に追加

耐光性、耐候性に優れ、高濃度で安定性に優れた高屈折率のリン含有金属酸化物微粒子、その製造方法およびこれら粒子を用いた透明被膜付基材ならびに透明被膜形成用塗布液とに関する。 - 特許庁

As a result, the lowering of the ozone concentration of the ozone water in the treatment tank 20 is prevented to make it possible to increase the decomposition speed of the organic matter such as a resist or the like adhering to the surface of the substrate W and the organic matter can be rapidly removed.例文帳に追加

その結果、処理槽２０内のオゾン水のオゾン濃度の低下を防止して、基板Ｗの表面に付着したレジスト等の有機物の分解速度を速くすることができ、そのような有機物を迅速に除去することができる。 - 特許庁

An anaerobic treatment is carried out in a reaction vessel 20 holding the granule sludge by adding a carbohydrate such as starch and the like to a wastewater having a high methanol concentration and a large bias of a substrate such as an evaporated water condensate exhausted from a pulp industry process.例文帳に追加

パルプ製造過程で排出される蒸発凝縮水のように、メタノール濃度が高く基質の偏りが大きい排水に、例えば澱粉等の糖質を添加してグラニュール汚泥を保持する反応槽２０内で嫌気性処理する。 - 特許庁

In a method for forming an insulating structure 2c, having an aperture 3, a dopant, is doped to the insulating structure 2c, and doping concentration on average increases or decreases in a vertical direction (in a perpendicular direction) from a preprocessed semiconductor substrate 1.例文帳に追加

開口部３を有する絶縁構造部２ｃを形成する方法において、ドーパントが、絶縁構造部２ｃにドーピングされ、ドーピング濃度が、前処理済みの半導体基板１から縦方向に（垂直方向に）平均して増加または減少している。 - 特許庁

LDD regions 7a and 7b of relatively low impurity concentration are formed in a semiconductor substrate 3 on both sides of a gate electrode 5, with a silicide block film 9 formed on one LDD region 7b away from a side wall 6 of the gate electrode 5.例文帳に追加

ゲート電極５両側の半導体基板３内に比較的低不純物濃度のＬＤＤ領域７ａ，７ｂを形成し、一方のＬＤＤ領域７ｂ上には、ゲート電極５のサイドウォール６と離間してシリサイドブロック膜９を形成する。 - 特許庁

The gas flow generator is configured such that, when a substrate carrier is rotatably provided about an axis, the one or a plurality of gas flow containing the reaction gas having different concentration are supplied at a different radial direction distance from the axis.例文帳に追加

基板キャリアが軸を中心として回転可能に設けられている場合、異なる濃度の反応ガスを含む前記１又は複数のガス流れを、軸から異なる半径方向距離に供給するように、ガス流れ生成器は構成される。 - 特許庁

In the method of manufacturing the concentration measuring sensor, conductor parts 41 are formed on a material substrate 4, and electrodes of a biosensor are formed in such a way that the conductor parts 41 are irradiated with vacuum ultraviolet rays at a wavelength of 200 nm or less.例文帳に追加

濃度測定用センサを製造する方法において、材料基板４上に導体部４１を形成した後に、この導体部４１に波長が２００ｎｍ以下である真空紫外線を照射することによりバイオセンサの電極を形成する。 - 特許庁

In a multi probe-type sensor having a plurality of projections (probe) 2 formed by crystal growth on a semiconductor substrate 1 as a base, an amino group is fixed to surfaces of the probes 2 to have a function sensing hydrogen ion concentration (pH) in the sample.例文帳に追加

半導体基板１を下地として結晶成長させた突起（プローブ）２を複数有するマルチプローブタイプのセンサであって、プローブ２の表面にアミノ基が固定され、試料中の水素イオン濃度（ｐＨ）に感応する機能を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a superior element isolation property by making the impurity concentration in a semiconductor substrate below each element isolation insulation film sufficiently high, even if a semiconductor integrated circuit becomes shrunk, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体集積回路が微細化されても、各分離絶縁膜下の半導体基板中の不純物濃度を十分に高くすることができ、素子分離特性の優れた半導体装置およびその製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a probe for a probe microscope capable of growing a carbon nanotube on the tip part of a probe substrate by a plasma CVD method by reducing a damage received from plasma by electric field concentration.例文帳に追加

電界集中によりプラズマから受けるダメージを減少させて探針基体の先端部にカーボンナノチューブをプラズマＣＶＤ法によって成長させることができるプローブ顕微鏡用探針の作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon epitaxial wafer, in which the yield is improved in a post-process by preventing an SF from occurring in an epitaxial layer and effectively reducing the Cu concentration in a substrate.例文帳に追加

エピタキシャル層に発生するＳＦを防止するとともに、基板内部のＣｕ濃度を効果的に低減することによって、後工程での歩留まりを向上することができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Furthermore, the processing temperature and processing time for the semiconductor substrate and the mol concentration ratio between ammonia and hydrogen peroxide in the cleaning liquid may satisfy the processing conditions shown by formula III.例文帳に追加

また、その洗浄液を用いて、下記条件式［４］で算出される制御値（Ｅ）を基板表面汚染物に対する洗浄力および基板表面に対するダメージの指標として基板の洗浄処理を行なう半導体基板の洗浄方法を提供する。 - 特許庁