「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

When the enzyme activity is inhibited therein, the substrate concentration is set to a concentration lower than the optimum substrate concentration, and then the liquid, the suspension, or the organism is irradiated with the magnetic field.例文帳に追加

酵素活性を抑制する場合は基質濃度を、至適基質濃度より低い濃度に設定し磁界を照射する。 - 特許庁

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING INERT GAS CONCENTRATION例文帳に追加

基板処理装置および不活性ガス濃度制御方法 - 特許庁

The concentration measurement area includes a reaction cell 21 for measuring a relatively low substrate concentration and a reaction cell 11 for measuring a relatively high substrate concentration.例文帳に追加

濃度測定領域は、相対的に低い基質濃度を測定する反応セル２１と、相対的に高い基質濃度を測定する反応セル１１と、からなる。 - 特許庁

In this case, the specified space may be a substrate concentration region.例文帳に追加

ここで、所定間隔は基板濃度領域であってもよい。 - 特許庁

METHOD AND INSTRUMENT FOR MEASURING IMPURITY CONCENTRATION IN SUBSTRATE例文帳に追加

基板中の不純物濃度測定方法およびその装置 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR CONCENTRATION MEASUREMENT, AND SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS例文帳に追加

濃度測定方法及びその装置並びに基板処理装置 - 特許庁

SUBSTRATE PROCESSING EQUIPMENT, METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE AND DEVICE FOR CONTROLLING CONCENTRATION OF PROCESSING LIQUID例文帳に追加

基板処理装置および基板処理方法ならびに処理液の濃度管理装置 - 特許庁

A low-concentration N-type epitaxial layer 11 is stacked on a high-concentration N-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

高濃度Ｎ型半導体基板１０の上に、低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１を積層する。 - 特許庁

To provide an aqueous solution of a luminescent substrate having a concentration higher than conventional luminescent substrate aqueous solutions at the same organic solvent concentration.例文帳に追加

同一の有機溶媒濃度において、従来の発光基質水溶液よりも高濃度の発光基質水溶液を提供すること。 - 特許庁

To accurately and efficiently measure a carrier concentration in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板のキャリア濃度を精度良く効率的に測定する。 - 特許庁

On an N type silicon substrate (first substrate) 110, an epitaxial silicon layer (second substrate) 111 is formed at an impurity concentration lower than that of the silicon substrate 110, e.g. a concentration of 1E14 or less, thus completing a silicon substrate.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板（第１基板）１１０の上に、このシリコン基板１１０より不純物濃度の低い、例えば１Ｅ１４以下の濃度でエピタキシャルシリコン層（第２基板）１１１を形成してシリコン基板を完成する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that process a substrate with a processing liquid reduced in oxygen concentration.例文帳に追加

酸素濃度を低減した処理液で基板を処理できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。 - 特許庁

The semi-insulating GaAs single crystal substrate contains carbon in an concentration of ≥2×1015/ cm3, boron in an concentration of ≤1×1016/cm3 and EL2 in an concentration of ≥2×1016/ cm3.例文帳に追加

炭素濃度を２×１０^15ｃｍ^-3以上、硼素濃度を１×１０^16ｃｍ^-3以下、ＥＬ２濃度を２×１０^16ｃｍ^-3以上とする。 - 特許庁

The impurity concentration of the first diffusion layer 54 is higher than that of the substrate 6.例文帳に追加

第１の拡散層５４の不純物濃度が基板６より濃い。 - 特許庁

SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, AND TREATING LIQUID CONCENTRATION MEASURING INSTRUMENT USED THEREFOR例文帳に追加

基板処理装置およびそれに用いられる処理液濃度測定装置 - 特許庁

The semiconductor substrate is constituted of forming an epitaxial layer of low concentration on the upper part of the high-concentration layer.例文帳に追加

ここで、半導体基板は、高濃度層の上部に低濃度のエピタキシャル層が形成された構成である。 - 特許庁

To provide a substrate dryer capable of obtaining the concentration of a treatment gas without using a concentration meter even in the case that a high-concentration treatment gas is used.例文帳に追加

高濃度の処理ガスを用いる場合であっても、濃度計を用いることなく処理ガスの濃度を求めることができる基板乾燥装置を提供する。 - 特許庁

The diaphragm 10 has a high concentration P-type impurity layer formed on a P-type silicon substrate so that a boron concentration of the substrate does not exceed 1E19(atoms/cm3).例文帳に追加

振動板１０がＰ型シリコン基板に形成された高濃度Ｐ型不純物層を含み、Ｐ型シリコン基板のボロン濃度が１Ｅ１９（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3）を越えないものとした。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR MEASURING OZONE GAS CONCENTRATION AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS例文帳に追加

オゾンガス濃度測定方法、オゾンガス濃度測定システム及び基板処理装置 - 特許庁

To provide a method for predicting a concentration of the number of microorganism, a substrate concentration and a dissolved oxygen concentration in a cleaning reaction without determining the substrate which is the target of the cleaning reaction by uniformly describing the concentration of the number of the microorganism in the phase by using terms corresponding to the consumption of the dissolved oxygen concentration and the consumption of the substrate.例文帳に追加

溶存酸素濃度の消費と基質の消費に関する項を用いて相内の微生物個数濃度を統一的に記述し、浄化反応の対象となる基質を定量することなく浄化反応における微生物個数濃度、基質濃度及び溶存酸素濃度の動特性を予知する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for a concentration measurement, wherein the concentration of a treatment solution for a substrate is measured precisely, and the substrate is treated with satisfactory accuracy over a long time, and to provide a substrate treatment apparatus.例文帳に追加

基板の処理液の濃度を正確に測定して、基板処理を長時間にわたって精度良く行う濃度測定方法及びその装置並びに基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The substrate side of the intermediate layer is high in the concentration of the SiOX component and the carbon film side is high in the concentration of the Si.例文帳に追加

中間層の基板側はＳｉＯ_Ｘ成分の濃度が大きく、炭素膜側はＳｉ成分の濃度が大きい。 - 特許庁

A substrate side GaN foundation layer nearest to the silicon substrate among the plurality of GaN foundation layers includes a first and a second low concentration foundation parts of low Si concentration, and a local high concentration foundation part of high Si concentration thinner than a total thickness of the first and the second low concentration foundation parts.例文帳に追加

複数のＧａＮ下地層のうちでシリコン基板に最も近い基板側ＧａＮ下地層は、低Ｓｉ濃度の第１、第２低濃度下地部と、高Ｓｉ濃度で、第１、第２低濃度下地部の厚さの合計よりも薄い局所高濃度下地部と、を有する。 - 特許庁

When the enzyme activity is exalted in the enzyme reaction liquid, an enzyme suspension, or an organism, the substrate concentration is set to a concentration approximately equal to, or higher than, a substrate concentration (optimum substrate concentration) required for realizing a maximum rate (Vmax) of the enzyme reaction, and then the liquid, the suspension, or the organism is irradiated with the magnetic field.例文帳に追加

酵素反応液、酵素懸濁液又は生体内の酵素活性を亢進させる場合、基質濃度を、その酵素の最大反応速度（Ｖｍａｘ）に必要な基質濃度（至適基質濃度）の前後、又は、それ以上の濃度に設定し、磁界を照射する。 - 特許庁

METHOD FOR DETECTING FAILURE OF CONCENTRATION CONTROL SYSTEM AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

濃度制御系の故障検知方法及びそれを用いた基板処理装置 - 特許庁

A substrate is dipped in ammonium per-water to remove high concentration As existing region 36.例文帳に追加

アンモニア過水に基板を浸漬させ、高濃度Ａs 存在域３６を除去する。 - 特許庁

The substrate 1 contains boron at a high concentration of 1×1019 cm-3.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１はボロン濃度が１×１０^19ｃｍ^-3と高濃度である。 - 特許庁

To provide a substrate treatment device which can supply a treatment liquid with a sufficient ozone concentration to a substrate.例文帳に追加

十分なオゾン濃度を有する処理液を基板に供給することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The distribution of concentration of first conductivity-type impurities in the depth direction contained in the high-concentration n-type source region 8 located by the side of the trench T is that a first peak concentration point is located by the surface of a substrate, and a second peak concentration point higher in concentration than the first concentration point is located deeper than the first peak concentration point.例文帳に追加

トレンチＴの側方に位置する高濃度Ｎ型ソース領域８の深さ方向における第１導電型（Ｎ型）不純物の濃度分布は、基板表面側に第１のピーク濃度を有すると共に前記第１のピーク濃度よりも深い位置に第１のピーク濃度よりも高濃度の第２のピーク濃度を有する。 - 特許庁

The impurity concentration of the n- drift layer 6 reflects the impurity concentration of a semiconductor substrate and is almost constant in a depth direction.例文帳に追加

ｎ-ドリフト層６の不純物濃度は、半導体基板の不純物濃度を反映して、深さ方向に対してほぼ一定となる。 - 特許庁

To provide a substrate processing device capable of accurately measuring a concentration of a processing gas even when the processing gas of high concentration is used.例文帳に追加

高濃度の処理ガスを使用する場合であっても、処理ガスの濃度を正確に計測できる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

In the substrate treatment tub 25, the high-temperature and high-concentration ozone water is fluidized by the pump P2 to make an ozone concentration in the tank uniform.例文帳に追加

基板処理槽２５内では、ポンプＰ２によって高温高濃度オゾン水を流動化し、槽内のオゾン濃度を均一化する。 - 特許庁

The semiconductor layer is formed on a semiconductor substrate and has a second impurity concentration lower than a first impurity concentration.例文帳に追加

半導体層は、半導体基板上に形成され第１の不純物濃度よりも小さい第２の不純物濃度を有する。 - 特許庁

To accurately measure a substrate concentration within a desired range while allowing design of a calibration range to a desired range according to the substrate concentration contained in a sample.例文帳に追加

試料中に含まれる基質濃度によって検量範囲を所望の範囲に設計することができ、かつ、所望の範囲で精度よく基質濃度を測定する。 - 特許庁

This preservation method of a GaN substrate preserves the GaN substrate 1, in an atmosphere where oxygen concentration is 18 vol.% and/or steam concentration is below 25 g/m^3.例文帳に追加

本ＧａＮ基板の保存方法は、ＧａＮ基板１を酸素濃度が１８体積％および／または水蒸気濃度が２５ｇ／ｍ^3以下の雰囲気下で保存する。 - 特許庁

The impurity concentration in the substrate is obtained from the light intensity of the photoluminescence light.例文帳に追加

上記フォトルミネッセンス光の光強度から基板中の不純物濃度を求める。 - 特許庁

The substrate 22 also disperses heat and disperses local thermal stress concentration.例文帳に追加

この基板２２も熱を分散させ、局部的熱応力集中を分散させている。 - 特許庁

SUBSTRATE WITH SILICON COMPOUND FILM CONTAINING HOLLOW SILICONE-BASED FINE PARTICLES AT HIGH CONCENTRATION例文帳に追加

中空シリコーン系微粒子を高濃度に含有した珪素化合物被膜付基材 - 特許庁

The silicon oxide film is deposited over the substrate with a halogen concentration less than 1.0%.例文帳に追加

酸化シリコン膜が、１.０％未満のハロゲン濃度で基板の上に堆積される。 - 特許庁

A P-type low-concentration anode region 12 is formed on a P-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

Ｐ型の低濃度アノード領域１２は、Ｐ型半導体基板２に形成される。 - 特許庁

While the gas flowing toward the near part of the axis of the substrate carrier contains a relatively high-concentration carrier gas and a relatively low-concentration reaction gas, the gas flowing toward the distant part from the axis of the substrate carrier contains the relatively high-concentration reaction gas.例文帳に追加

基板キャリアの軸に近い部分に向かうガスは、比較的高濃度のキャリアガスと比較的低濃度の反応ガスを含み、基板キャリアの軸から遠い部分に向かうガスは、高濃度の反応ガスを含む。 - 特許庁

In an epitaxial substrate in which an epitaxial layer is integrated on a substrate by liquid-phase-epitaxial growth method, the epitaxial substrate is one that has a concentration profile of carbon in the epitaxial layer integrated on the substrate which crosses the concentration profile of carbon having a ±50% carbon concentration from the carbon concentration supplied from the carbon jig for holding a solvent.例文帳に追加

基板上にエピタキシャル層が液相エピタキシャル成長方法により積層されたエピタキシャル基板であって、前記基板上に積層されたエピタキシャル層におけるカーボン濃度プロファイルが、溶媒の保持のためのカーボン製治具から供給され得るカーボンの濃度から±５０％の濃度プロファイルと交差しているものであるエピタキシャル基板。 - 特許庁

After a high-hydrogen concentration layer having a concentration peak at a depth of 5 μm from the main surface of a crystalline semiconductor substrate in its depth-wise hydrogen concentration profile is formed in the substrate by implanting negative hydrogen ions into the substrate, the thin semiconductor film is peeled from the substrate at the high-hydrogen concentration layer.例文帳に追加

半導体結晶基板に対し、その主表面から水素負イオンを注入することにより、深さ方向の水素濃度プロファイルにおいて、主表面から深さ５μｍ以上の位置に濃度ピークを有する水素高濃度層を形成した後、該水素高濃度層において半導体結晶基板より半導体薄膜を剥離する - 特許庁

To a p-type semiconductor substrate 1a, the semiconductor device forms an n-well 7 in which concentration increases in the depthwise direction from the main surface of the semiconductor substrate 1a to result in impurity concentration peak 6, and a p-well 11 in which concentration increases in the depth direction from the main surface of the semiconductor substrate 1a to result in impurity concentration peak 10.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１ａに半導体基板１ａの主表面から深さ方向に濃度を増加し不純物濃度ピーク６を有するＮウエル７及び半導体基板１ａの主表面から深さ方向に濃度を増加し不純物濃度ピーク１０を有するＰウエル１１を形成する。 - 特許庁

A substrate cleaning apparatus 1A comprises a circulation path, a concentration sensor 21, and a control unit 26.例文帳に追加

基板洗浄装置１Ａは、循環路と、濃度センサ２１と、制御部２６とを備える。 - 特許庁