「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

The carrier concentration of the Si-GaAs substrate 1 is set to 1×10^17 cm^-3 or larger and 7×10^17 cm^-3 or smaller, and the number of atoms diffused from the Si-GaAs substrate 1 to the active layer 4 is reduced, thus obtaining a semiconductor laser having improved emission characteristics of the active layer 4.例文帳に追加

Ｓｉ−ＧａＡｓ基板１のキャリア濃度を１×１０^１７ｃｍ^−３以上７×１０^１７ｃｍ^−３以下とすることによって、Ｓｉ−ＧａＡｓ基板１から活性層４へと拡散する原子の数を低減して、活性層４の発光特性に優れた半導体レーザとすることができる。 - 特許庁

To provide a PDP substrate drying device and method capable of improving the quality of a PDP substrate by controlling the concentration of a solvent in a drying part most suitably to a constant rate drying period, a lapse rate first drying period and a lapse rate second drying period by changing the supply and discharge amount of gas.例文帳に追加

ガスの給排気量を変えることによって、恒率乾燥期、減率第１乾燥期、減率第２乾燥期、それぞれ最適に乾燥部内の溶剤濃度を制御することによりＰＤＰ用基板の品質を向上させることができるＰＤＰ用基板乾燥装置及び方法を提供する。 - 特許庁

By feeding the nitrogen gas between the substrate and the transportation arm 60 before transporting the substrate into a chamber 15, room air interposed between the two can be replaced with the nitrogen gas, and as a consequence, the introduction of the room air into the chamber 15 by the transportation arm 60 is prevented to surely suppress an increase in oxygen concentration in the chamber 15.例文帳に追加

チャンバ１５への基板の搬入前に、基板と搬送アーム６０との間に窒素ガスを供給することで、その間に挟まれた大気を窒素ガスに置換することができ、搬送アーム６０によるチャンバ１５への大気持ち込みを防止して、チャンバ１５内の酸素濃度の上昇を確実に抑制することができる。 - 特許庁

A substrate 6 is successively treated with several treating liquids through a certain processing method, where a treating liquid supplied to a substrate is reduced in concentration, when a treating liquid is switched from one kind of treating liquid to another.例文帳に追加

基板６を種類の異なる複数の処理液によって順次処理する基板の処理方法において、上記基板に供給する処理液を種類の異なる次の処理液に切り換えるときに、基板に供給している処理液の濃度を低下させてから次の処理液を供給することを特徴とする。 - 特許庁

The TFT 10 has the base insulating layer 2 in which boron is contained in a region of 100 nm or smaller from the surface of the insulating substrate 1 in a way that a boron concentration decreases at an average rate of almost 1/1,000 times or smaller per 1 nm from the surface of the insulating substrate 1 to the semiconductor layer 3.例文帳に追加

開示されるＴＦＴ１０は、下地絶縁層２に、絶縁性基板１表面から略１００ｎｍ以内の領域に、絶縁性基板１表面から半導体層３に向かってボロン濃度が平均的に１ｎｍあたり略１／１０００倍以下の割合で減少するようにボロンが含まれている。 - 特許庁

In the fine line drawing method, a fine pattern is formed on a substrate by prior drawing of flying and adhering a fine fluid composed of a material capable of generating electric field concentration to the substrate with the use of an electric field, and subsequently, main drawing of flying and adhering a fine fluid onto the fine pattern with the use of an electric field is carried out.例文帳に追加

電界を用いて、電界集中を起こすことが可能な材料からなる微細流体を基板へ飛翔付着させる先描画によって基板上に微細パターンを形成し、続いて、該微細パターン上に、電界を用いて、微細流体を飛翔付着させる本描写を行う微細線描写方法。 - 特許庁

The substrate treating equipment comprises a chamber 1 for treating a substrate 8, a spare chamber 2 connected airtightly to the treating chamber, an exhaust path 15 interconnected with the spare chamber and an exhaust means 13 and at least a portion of which can be isolated airtightly, and an oxygen concentration measuring means 14 connected to the isolable portion 18 of the exhaust path.例文帳に追加

基板８を処理する処理室１と、該処理室に気密に連設された予備室２と、該予備室に連通すると共に排気手段１３に連通され、少なくとも一部が気密に隔離可能な排気路１５と、該排気路の隔離可能な部分１８に接続された酸素濃度測定手段１４とを具備した。 - 特許庁

In the environment where the moisture/oxygen concentration is controlled, the glass substrate which has the EL element and the corresponding glass cap plate are first provided, and an edge adhesive is coated on the outer peripheral position corresponding to each light emitting element on the substrate on the cap plate, and an opening is installed beforehand on the side face which does not have a circuit of light emitting element outer periphery.例文帳に追加

水分・酸素濃度が制御された環境で、まず先にＥＬ素子を有するガラス基板と、対応するガラス蓋板を提供して、蓋板上で基板上の各発光素子に対応する外周位置に縁接着剤を塗布して、発光素子外周の回路を有さない側面に予め開口を設ける。 - 特許庁

The surface of a semiconductor substrate is treated with a surface treating agent, and then is dipped in a water having the concentration of hydrogen ion of from pH 0 to pH 4.5 and containing metal fine particles to fix the metal fine particles on the semiconductor substrate, to thereby control the metal fine particles in a good dispersion state.例文帳に追加

半導体基板の表面を表面処理剤で処理した後、水素イオン濃度がpH0からpH4.5の間であり、かつ金属微粒子を含有する水溶液に浸漬して前記金属微粒子を前記半導体基板上に固定することにより分散状態を良好に制御する微粒子形成方法を提供する。 - 特許庁

Current concentration is reduced by providing a first lead connection electrode in contact with the outer edge section of a first working electrode formed on one surface of an oxygen ion conductive substrate, and a second lead connection electrode in contact with the outer edge section of a second working electrode formed on the other of the oxygen ion conductive substrate.例文帳に追加

酸素イオン導電性基板の一方の表面に形成した第１作用電極の外縁部に接触する第１リード接続電極および、酸素イオン導電性基板の他の表面に形成した第２作用電極の外縁部に接触する第２リード接続電極を設けて、電流集中を低減した。 - 特許庁

This hexagonal boron nitride structure includes an insulating substrate 11 and a single crystal hexagonal boron nitride 12 formed on the insulating substrate and contains silicon, magnesium, beryllium or sulfur as an impurity with its doping concentration in the range from 1×10^16 to 1×10^20 cm^-3.例文帳に追加

絶縁性基板１１と、該絶縁性基板上に形成された単結晶六方晶窒化ホウ素１２とを有する六方晶窒化ホウ素構造であって、不純物としてシリコン、マグネシウム、ベリリウム、またはイオウを含み、そのドーピング濃度は、１×１０^16から１×１０^20ｃｍ^-3の範囲であることを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a radiation sensitive composition for a color filter which exhibits superior developability even when a pigment is contained at a high concentration, produces no residue on the unexposed part of a substrate and on a light shielding layer when it is developed and gives a pixel having excellent adhesion to the substrate and the light shielding layer and excellent also in surface smoothness.例文帳に追加

顔料を高濃度で含む場合でも優れた現像性を示し、現像時に未露光部の基板上および遮光層上に残渣を生じることがなく、かつ基板および遮光層への密着性並びに表面平滑性に優れた画素を与える新規なカラーフィルタ用感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁

In a DRAM chip Chip, sense amplifier cross coupling parts CC use p^+ gate PMOS parts Qp0, Qp1 of a p^+ polysilicon gate, having low impurity concentration in a channel and n^+ gate NMOS parts Qn0, Qn1 of an n^+ polysilicon gate, and the PMOS has a high substrate voltage and the NMOS has a low substrate voltage.例文帳に追加

ＤＲＡＭチップＣｈｉｐにおいて、センスアンプクロスカップル部分ＣＣにチャネル中の不純物濃度の低いＰ^+ポリシリコンゲートのＰ^+ゲートＰＭＯＳＱｐ０，Ｑｐ１とＮ^+ポリシリコンゲートのＮ^+ゲートＮＭＯＳＱｎ０，Ｑｎ１を用い、さらにＰＭＯＳの基板電圧を高く、ＮＭＯＳの基板電圧を低くする。 - 特許庁

To provide a method for correctly evaluating the effect on a substrate of sample water by sampling impurities contained in highly pure sample water such as ultra pure water by continuously supplying the sample water to the substrate, and hence accurately measuring the concentration of impurities contained in the sample water.例文帳に追加

超純水などの高純度な試料水中に含まれる不純物を、基板に試料水を連続的に供給して採取することで、試料水中に含まれている不純物の濃度を精度よく測定し、試料水の基板への影響を正しく評価することが可能な方法を提供する。 - 特許庁

On the silicon substrate 21, a first conductivity type accumulation layer 31, which has an impurity concentration higher than that of the silicon substrate 21, is formed at the side of the second main surface 21b, and irregularities 10 are formed in a region opposite to at least the semiconductor region 23 on the second main surface 21b.例文帳に追加

シリコン基板２１には、第２主面２１ｂ側にシリコン基板２１よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層３１が形成されていると共に、第２主面２１ｂにおける少なくとも半導体領域２３に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。 - 特許庁

To provide a negative electrode structure which is provided with an impregnated negative electrode substrate having a better emission characteristic by improving resupply of an electron emission material to a surface of the substrate after an ion impact which can improve an electron emission characteristic according to improvement of an ion impact resistance and a surface concentration recovery time.例文帳に追加

本発明の製造方法は、耐イオン衝撃性の向上により電子放出特性の向上が可能なイオン衝撃後の電子放射物質の表面への再供給および表面濃度回復時間を改善し、エミッション特性が良好な含浸型陰極基体を備えた陰極構体を得ることを課題とする。 - 特許庁

This magnetic recording medium has a soft magnetic layer formed on a substrate, magnetic patterns made of projecting ferromagnetic layers separated from each other on the soft magnetic layer, and a non-magnetic layer which is formed between the magnetic patterns and has a higher nitrogen concentration on the front surface than on the substrate side.例文帳に追加

基板上に形成された軟磁性層と、前記軟磁性層上に互いに分離して設けられた凸状の強磁性層からなる複数の磁性パターンと、前記複数の磁性パターン間に形成された、窒素濃度が基板側よりも表面側で高い非磁性層とを具備したことを特徴とする磁気記録媒体。 - 特許庁

In a MOSFET having a first drain region 12, a second drain region 13 having a higher impurity concentration than that of the region 12, a channel forming region 14, and a source region 15 on a substrate region 11, an embedded region 31 is formed between the substrate region 11 and first drain region 12.例文帳に追加

サブストレート領域１１の上に第１のドレイン領域１２とこれよりも不純物濃度の高い第２のドレイン領域１３とチャネル形成領域１４とソース領域１５とを有するＭＯＳＦＥＴにおいて、サブストレート領域１１と第１のドレイン領域１２との間に埋め込み領域３１を形成する。 - 特許庁

Since the flowing of the developing solution is uniformized by the development stage 102 and the multi-stage mixing in this way and the whole surface of the wafer is covered by the developing solution with a uniform concentration, the developing speed in the substrate surface is uniformized.例文帳に追加

このような現像ステージ１０２と多段階攪拌により、現像液の流れ現象を均一に行えることで、ウエハ全面が均一な濃度の現像液に覆われるため、現像速度が基板面内において均一になる。 - 特許庁

When a surge is inputted from the I/O pad, the surge is allowed to escape by utilizing the sharp concentration change in a p-n junction section, to be formed from the heavily-doped drain region 7b to a substrate region 1a.例文帳に追加

入出力パッドからサージが入力された場合には、高濃度ドレイン領域７ｂから基板領域１ａに形成されるｐｎ接合部の濃度変化が急峻なことを利用してサージを逃すように構成されている。 - 特許庁

The polycrystalline silicon is characterized by having ≤1.0×10^17 atoms/cm^3 interlattice oxygen concentration measured by the FT-IR method (ASTM F121-79) and ≤3% reduction rate of the solar cell conversion efficiencies when using a polycrystalline silicon wafer as the substrate.例文帳に追加

本発明の多結晶シリコンは、FT−IR法(ASTM F121−79)で測定した格子間酸素濃度が1.0×10^17atoms/cm^3以下であり、該多結晶シリコンウェーハを基板として用いた太陽電池の変換効率の低下率が3%以下であることを特徴とする。 - 特許庁

In the step of forming the silicon oxide film, it is desirable to set the temperature of the silicon substrate to be 100°C or higher, 350°C or lower, to set a total pressure to 10 Pa or higher, 10,000 Pa or lower, and to set the ozone concentration to 50 g/Nm^3 or higher.例文帳に追加

シリコン酸化膜を形成する工程は、シリコン基板の温度を１００℃以上３５０℃以下とし、全圧を１０Ｐａ以上１０，０００Ｐａ以下とし、オゾンの濃度を５０ｇ／Ｎｍ^３以上として行うことが好ましい。 - 特許庁

To obtain a preferable profile of resist pattern and to prevent residue present on a substrate even when a developer comprising a tetramethylammonium hydroxide aqueous solution having a weight concentration lower than 2.38 wt.% is used for development.例文帳に追加

２．３８ｗｔ％よりも重量濃度が小さいテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液よりなる現像液を用いて現像を行なうにも拘わらず、レジストパターンの形状が良好になると共に基板上に残渣が存在しないようにする。 - 特許庁

To provide an electronic component which is capable of mitigating the stress concentration of the bonding part of a solder bump, capable of being manufactured without a precise lifting apparatus and applicable to a general substrate, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

はんだバンプの接合部の応力集中を緩和できる電子部品であって、精密な引き上げ装置がなくても製造でき、しかも一般の基板にも適用できる電子部品、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for controlling a residual carrier to low concentration without changing characteristics of a semiconductor thin film when epitaxially growing the semiconductor thin film on a semiconductor substrate by an MBE (Molecular Beam Epitaxy) method or an MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method.例文帳に追加

ＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させる際に、半導体薄膜の特性を変えることなく、残留キャリアを低濃度に制御する技術を提供する。 - 特許庁

On the GaAs substrate 1 of a semi-insulating property, a buffer layer 2 composed of i-GaAs having a implanted impurity, and an n^+ GaAs layer 3 having an implanted high concentration n-type impurity, are sequentially formed.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１上には、不純物を注入されていないｉ−ＧａＡｓからなるバッファ層２および高濃度のｎ型不純物が注入されたｎ＋ＧａＡｓ層３が順に形成されている。 - 特許庁

To solve the problem that when an SOI substrate is used and a trench element isolation structure is applied, an oxide film at a trench corner part becomes thin during oxidation of a trench sidewall to generate a crystal defect reaching a semiconductor layer in an element region owing to stress concentration.例文帳に追加

SOI基板を用いてトレンチ素子分離構造を適用した場合、トレンチ側壁の酸化時にトレンチコーナー部の酸化膜が薄膜化し、応力集中により素子領域の半導体層に達する結晶欠陥が発生する。 - 特許庁

To isolate and obtain a gene encoding thermostable L-threonine aldolase as an enzymatic catalyst useful efficiently in the presence of a high-concentration substrate and stably for a long period of time to produce L-threo-DOPS (L-threo-3,4-dihydroxyphenylserine).例文帳に追加

Ｌ−ｔｈｒｅｏ−ＤＯＰＳを製造するため、高濃度の基質存在下で効率良く、長期間安定して使用できる酵素触媒として、耐熱性Ｌ−スレオニンアルドラ−ゼをコードする遺伝子を単離、提供する。 - 特許庁

Afterwards, a silicon nitride film 20 having a tensile stress of 0.5 GPa or less and a bonded hydrogen concentration of at least 2.0×10^22 atoms/cc is formed on the semiconductor substrate 1 to cover a gate structure 6 of the NMOS transistors 3.例文帳に追加

その後、引張応力が０．５ＧＰａ以下で、かつ結合水素濃度が少なくとも２．０×１０^22ａｔｏｍｓ／ｃｃであるシリコン窒化膜２０を、ＮＭＯＳトランジスタ３のゲート構造６を覆って半導体基板１上に形成する。 - 特許庁

To improve the wiring structure such that high reliability can be ensured by avoiding concentration of residual strain on the joint of a wiring member, when the wiring member is divided into two components and bonded between a semiconductor chip and an insulating substrate.例文帳に追加

配線部材を二つの部品に分けて半導体チップと絶縁基板の間に接合する際に、配線部材の接合部に集中する残留歪みを避けて高い信頼性が確保できるように配線構造を改良する。 - 特許庁

To provide a PM emission amount measuring device that measures a PM emission amount and a PM emission concentration by taking in part of emission gas flowing in an emission gas passage, charging PM in the emission gas, and electrostatically collecting the PM in a PM collecting part of a substrate.例文帳に追加

このＰＭ排出量測定装置は，排ガス通路を流れる排ガスの一部を導入して排ガス中のＰＭを帯電させて基板のＰＭ捕集部に静電捕集し，ＰＭ排出量とＰＭ排出濃度を測定する。 - 特許庁

An electrode 15 electrically connected to the p-type region 7 and an electrode 19 electrically connected to the high-concentration n-type region 9 and the p-type region 11 are formed on the front side of the n-type semiconductor substrate 5.例文帳に追加

ｎ型半導体基板５の表面側には、ｐ型領域７に電気的に接続される電極１５と、高濃度ｎ型領域９及びｐ型領域１１に電気的に接続される電極１９とが形成されている。 - 特許庁

For this biological implant, a spray coating comprising a calcium phosphate material is formed on at least a portion of a metal, ceramic, or plastic substrate and the silver concentration in the spray coating is 0.02 to 3.00 wt.%.例文帳に追加

金属、セラミックスまたはプラスチックからなる基体上の少なくとも一部に、リン酸カルシウム系材料からなる溶射被膜が形成され、該溶射被膜中の銀濃度が、０．０２重量％〜３．００重量％である生体インプラント。 - 特許庁

To provide a substrate processing device having a chemical pollutant measuring device capable of realizing an evaluation of pollution caused by a chemical pollutant by classifying an organic matter at several steps of boiling levels and showing respective concentration levels.例文帳に追加

化学汚染物質による汚染の評価を、有機物を数段階の沸点レベルで分類し、それぞれの濃度レベルを示すことを実現させることができる化学汚染物質計測装置を有する基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The temperature monitoring wafer 10 is manufactured in which a high concentration n-type epitaxial growth layer 12 is formed on a p-type silicon substrate 11, and the coating by the coating film is conducted in order to prevent diffusion of the water as a whole to the external side of impurity.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１１上に高濃度のＮ型エピタキシャル成長層１２が形成されており、ウェーハ全体が不純物の外方への拡散を阻止するコーティング膜でコーティングされている温度モニタウェーハ１０を作成する。 - 特許庁

To provide a contact terminal capable of preventing concentration of weight on the contact terminal when arranging components to a substrate relating to a terminal part, preventing a short-circuit even when the contact terminals are piled up and arranged, and saving space as a whole.例文帳に追加

端子部分に関して、基板への部品配置時、接点端子に加重が集中するのを防ぐと共に、接点端子を重ねて配置しても短絡せず、全体として省スペース化が可能な接点端子を提供する。 - 特許庁

To prevent the generation of a problem that the non-uniformity of the in-face distribution of the film thickness of an epitaxial growth layer, and to prevent the generation of the in-dopant concentration surface non-uniformity of the epitaxial growth layer without forming any oxide film on a silicon wafer substrate.例文帳に追加

エピタキシャル成長層の膜厚の面内分布の不均一を招くなどの問題を生じさせることなく、しかもシリコンウェーハ基板に酸化膜を形成せずに、エピタキシャル成長層のドーパント濃度面内不均一をなくす。 - 特許庁

To fabricate a color filter substrate with high pigment concentration, which has not been conventionally materialized, while maintaining a good lamination coating property, a good developing property, and a good pattern forming property, and further to provide a liquid crystal display device high in display quality.例文帳に追加

従来では達成できなかった高い顔料濃度のカラーフィルター基板を良好な積層塗布性、現像性、パターン形成性を維持しつつ作成し、さらには表示品位の高い液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

An SOI substrate 10, on which a handle wafer 11 composed of Si, a BOX 12 composed of SiO2, and a device wafer 13 composed of Si are stacked, is provided with a nitride layer 12a whose nitrogen peak concentration exists in the vicinity of the boundary face of the BOX 12 with the device wafer 13.例文帳に追加

Ｓｉからなるハンドルウエハ１１、ＳｉＯ２からなるＢＯＸ１２、Ｓｉからなるデバイスウエハ１３が積層されたＳＯＩ基板１０の、ＢＯＸ１２のデバイスウエハ１３界面近傍に窒素濃度ピークのある窒化層１２ａを設けた。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which the occurrence of crystal defect due to synergistic action of concentration of stress in the vicinity of the STI end of a semiconductor substrate and the occurrence of microdefects caused by ion implantation is suppressed.例文帳に追加

半導体基板のＳＴＩ端部近辺での応力集中とイオン注入起因の微少な欠陥の発生との相乗作用による結晶欠陥の発生を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-breakdown voltage semiconductor device, which can avoid increase in a junction leakage, due to a damaged region generated on a semiconductor substrate at the formation of an LDD low-concentration impurity diffusion structure in the case where an offset region is provided.例文帳に追加

オフセット領域を設ける場合、ＬＤＤ構造を形成する際に半導体基板に生成するダメージ領域に起因して接合リークが増加することを回避できる高耐圧半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

N-type epitaxial layer 102 having appropriate resistance is deposited on an N-type substrate 101 which is doped to high concentration, and a p-type dose is implanted with a gate 205 masked to form p-type body 210 and P well region 103.例文帳に追加

高濃度ドープにされたＮ型基板１０１上に適切な抵抗率のＮ型エピタキシヤル層１０２を堆積しゲート２０５部をマスクしてＰ型ドーズを注入し、Ｐ型ボデー２１０及びＰ井戸領域１０３を形成する。 - 特許庁

To provide an inkjet ink which, in a high solid content and a high pigment concentration, is low in viscosity, good in stability with time, contains the pigment dispersed finely, and excels in discharge properties, and to provide a color filter substrate formed by the inkjet method by using the ink.例文帳に追加

本発明の課題は、高固形分かつ高顔料濃度において、低粘度、経時安定性良好かつ顔料が微細な分散状態であり、吐出性に非常に優れたインクジェットインキを提供することにある。 - 特許庁

The cerium oxide abrasive includes cerium oxide and contains slurry whose sulfuric acid ion concentration to cerium oxide particles is 5,000 mg/kg or less, and a prescribed substrate is polished by the cerium oxide abrasive.例文帳に追加

酸化セリウムを含み、酸化セリウム粒子分に対する硫酸イオン濃度が５，０００ｍｇ／ｋｇ以下であるスラリーからなる酸化セリウム研磨剤及びこの酸化セリウム研磨剤で、所定の基板を研磨することを特徴とする基板の研磨法。 - 特許庁

After a silicon oxynitride film 12 is formed on an Si substrate 10, high concentration nitrogen having steep distribution is introduced into the silicon oxynitride film 12 by performing heat treatment while bringing NO gas into contact with the silicon oxynitride film 12.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０上にシリコン酸窒化膜１２を形成した後、ＮＯガスをシリコン酸窒化膜１２に接触させながら熱処理を施すことにより、シリコン酸窒化膜１２の内部に急峻な分布を持った高濃度の窒素を導入する。 - 特許庁