「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

Then a second semiconductor region of the first conductivity type in a higher impurity concentration and of a second width narrower than the first width at a position deeper in a semiconductor substrate rather than a depth of the first semiconductor region is provided between the first photoelectric conversion element and the third photoelectric conversion element.例文帳に追加

そして、第１の光電変換素子と第３の光電変換素子との間に、第１の幅より狭い第２の幅の、第１の半導体領域よりも半導体基板に深い、あるいは不純物濃度が高い第１導電型の第２の半導体領域を有する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device 100, a step of forming a trench 3 is performed in a predetermined position of a semiconductor substrate 10, and an adjustment layer 8, to which an impurity of a first conductivity type is introduced at a concentration higher than that of a drift layer 2, is formed on a bottom wall 3b of the trench 3.例文帳に追加

半導体装置１００の製造方法では、半導体基板１０の所定位置にトレンチ３を形成する工程を行い、この形成されたトレンチ３の底壁３ｂに、第１導電型の不純物がドリフト層２よりも高濃度で導入された調整層８を形成している。 - 特許庁

The semiconductor device has a metal-insulating film-semiconductor (MIS) structure wherein the deuterium-element concentration is not smaller than 1×10^19/cm^-3 present near such films or layers formed in a semiconductor device as a semiconductor substrate, a gate insulating film, an interlayer insulating film, a wiring layer, and a protective insulating film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x10^19cm^-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置。 - 特許庁

A buffer layer 102, a high carrier concentration n+ type layer 103 and a multiple quantum well structure light emitting layer 104 are formed on a sapphire substrate 101, P type layers 105, 106 and a first thin film metal layer 111 of metal vapor deposition are formed thereon, and a negative electrode 140 is formed on the layer 103.例文帳に追加

フリップチップ型の III族窒化物系化合物半導体発光素子において、ｐ型半導体層に接続され、光をサファイア基板側へ反射する厚膜正電極を銀（Ａｇ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、または、これらの合金より形成する。 - 特許庁

To provide a temperature measuring device formed by integrating a membrane heater stable even at a temperature of over 400°C and a temperature sensor highly sensitive and stable even at a temperature of over 150°C on a membrane thermally separated from a substrate, and a highly-sensitive, small-sized, portable and stable gas concentration measuring device using the temperature measuring device.例文帳に追加

４００℃以上の温度でも安定な薄膜ヒータと１５０℃以上でも高感度で安定な温度センサとを基板から熱分離した薄膜に集積化した温度測定装置と、これを用いた高感度かつ小型で携帯できる安定なガス濃度測定装置を提供する。 - 特許庁

A high concentration impurity region is formed all over or partially in the Si 101 surface of a third layer, an oxide film SiO_2 102 of a second layer is formed on the whole surface of the third layer, which is joined to Si substrate of a first layer, and Si of the third layer is mirror-polished to obtain an SOI wafer.例文帳に追加

第３層のＳｉ１０１表面に全面あるいは部分的に高濃度不純物領域を形成し、第３層の全面に第２層の酸化膜ＳｉＯ_2１０２を形成し、これと第１層のＳｉ基板とを接合し、第３層のＳｉを鏡面研磨することでＳＯＩウエハを得る。 - 特許庁

The method of forming the resist patterns includes selectively exposing resist films formed on a substrate and having a film thickness of ≤50 nm and developing the resist film by using a developing agent for forming the resist patterns being tetra-methyl ammonium hydroxide aqueous solution having concentration of ≤1.2 mass%.例文帳に追加

基板上に形成された、その膜厚が５０ｎｍ以下であるレジスト膜を選択的に露光するとともに、その濃度が１．２質量％以下のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液であるレジストパターン形成用現像液を用いて現像することを含むレジストパターン形成方法である。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode where a forward current can be increased for inhibiting leakage current, and electrical characteristics per unit area can be varied, without changing the concentration of a semiconductor substrate and the metal of a metal electrode, and an integrated circuit that incorporates the Schottky barrier diode.例文帳に追加

順方向電流を増大しリーク電流を抑制することが可能となり、半導体基板濃度や金属電極の金属を変えることなく単位面積当たりの電気特性可変なショットキーバリアダイオード及びそのショットキーバリアダイオードを内蔵した集積回路を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate manufactured with an organic metal chemical vapor deposition method with which carbon is doped in the higher concentration, and non-activation of holes by hydrogen is reduced particularly in the semiconductor layer to which carbon is doped.例文帳に追加

有機金属気相成長法で作製する化合物半導体基板に関し、特にカーボンをドープする半導体層において、高濃度にカーボンをドープすることができ、尚且つ水素によるホールの不活性化を低減させることができる化合物半導体基板を提供する。 - 特許庁

A spot plug 19 for releasing electric field concentration is provided via an insulating film 7 on a silicon substrate 1 between a gate electrode 11 and a drain plug 17 of an MOS transistor 100, and the spot plug 19 is connected to a source electrode 21 extended to the upper part of a gate electrode 11.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１００のゲート電極１１とドレインプラグ１７との間のシリコン基板１上に、絶縁膜７を介して電界集中緩和用のスポットプラグ１９が設けられており、このスポットプラグ１９は、ゲート電極２１の上方まで延ばされたソース電極２１に接続している。 - 特許庁

The opto-electric conversion element is manufactured by using the ZnTe substrate for epitaxy of the dislocation density specified to ≤50,000/cm2, the size of the deposits on the surface specified to ≤10 μm and the carrier concentration specified to greeter than 3×1017/cm3 and below 1×1019/cm3.例文帳に追加

転位密度を５００００／ｃｍ^２以下、表面の析出物の大きさを１０μｍ以下、かつキャリア濃度を３×１０^１７／ｃｍ^３より大きく１×１０^１９／ｃｍ^３以下としたエピタキシャル成長用ＺｎＴｅ基板を用いて光電変換機能素子を作製するようにした。 - 特許庁

When a complementary MOS transistor is formed in a P-type semiconductor substrate 1, the need for implanting the ion of an N-type impurity deep into a gate electrode 9 at a high concentration is eliminated by introducing in advance the N-type impurity over the full film thicknesses of gate electrodes 8 and 9.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１に相補型ＭＯＳトランジスタを形成する場合、予めゲート電極８、９の全膜厚にわたってＮ型不純物を導入することにより、ゲート電極９にＮ型不純物を濃くかつ深くイオン注入する必要がなくなる。 - 特許庁

A p+-type impurity-diffused high concentration buried layer 3 is formed on an n-type silicon substrate 10, a p-type first epitaxially grown layer 2 is formed on the layer 3, and an n-type impurity diffused layer 1 is formed on the layer 2.例文帳に追加

ｎ型のシリコン基板１０に不純物を拡散したｐ＋型の高濃度の埋込層３を形成し、埋込層３上にｐ型の第１のエピタキシャル成長層２を形成し、第１のエピタキシャル成長層２にｎ型の不純物を拡散した拡散層１を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method for the functional product using the biomass is characterized in that a modifying agent is applied under a condition of a high substrate concentration in which the biomass particle receives a shearing stress under a condition that swelling and viscosity-increase of the biomass is substantially suppressed using the whole drying substance of the biomass.例文帳に追加

バイオマスの乾燥全物質を用い、バイオマスの膨潤、増粘を実質的に抑える条件下において、バイオマス粒子が剪断応力を受ける高基質濃度の条件下で変性剤を作用せしめることを特徴とするバイオマスを用いた機能製品の製造法。 - 特許庁

In a thin-film solar battery containing pin junction in which a non-single crystalline silicon thin film containing a crystal is used as an i- layer, the oxygen atom concentration on the interface between a p-type or an n-type conductive layer on a substrate side and the i-layer is suppressed to be 5×10^20 atoms/cm^3 or below.例文帳に追加

結晶質を含む非単結晶シリコン系薄膜をｉ層として用いたｐｉｎ接合を含む薄膜太陽電池における基板側のｐまたはｎ型導電層とｉ層との界面における酸素原子濃度を５×１０^20ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下に抑制する。 - 特許庁

(2) In the phase transition type optical recording medium mentioned in (1) and having at least a first protective layer, the phase transition recording layer, a second protective layer and a reflection layer on a substrate, the second protective layer consists essentially of an germanium oxide and germanium concentration on the inner peripheral part side of the second protective layer is higher than that on the outer peripheral part side.例文帳に追加

（２）基板上に、少なくとも第一保護層、相変化記録層、第二保護層、反射層を有し、第二保護層が酸化ゲルマニウムを主成分とし、第二保護層の内周部側の方が、外周部側よりもゲルマニウム濃度が高い（１）記載の相変化型光記録媒体。 - 特許庁

The surface impurity concentration of the lower implanted layer 12a can be easily set at a certain value suitable for forming a Schottky electrode or an ohmic electrode, and the upper implanted layer 12b containing many defects is removed, so that the surface region of the substrate 11 can be improved in crystallinity.例文帳に追加

この下部注入層１２ａの表面の濃度を、ショットキー電極やオーミック電極を形成するのに適した不純物濃度に制御することが容易であり、かつ、欠陥の多い上部注入層１２ｂを除去することで、基板の表面領域の結晶性も向上する。 - 特許庁

The cured coating film formation method is used for an active energy-curable composition and involves a step of applying the active energy- curable composition to a substrate surface, a first radiation step of radiating active energy in a gas atmosphere having 15% or higher oxygen concentration, and a second radiation step of radiating active energy in a gas atmosphere having less than 15% oxygen concentration in this order.例文帳に追加

活性エネルギー線硬化性組成物の硬化皮膜形成方法であって、基材表面に、活性エネルギー線硬化性組成物を塗工する工程の後、酸素濃度１５％以上のガス雰囲気中で活性エネルギー線を照射する第一の照射工程、及び、酸素濃度１５％未満のガス雰囲気中で活性エネルギー線を照射する第二の照射工程をこの順に有することを特徴とする硬化皮膜の形成方法。 - 特許庁

To provide a gas dissolving device capable of forming a liquid having air bubbles with a fine diameter by a simple and inexpensive member in dissolving the gas in the liquid and capable of enhancing the dissolved concentration of the gas to the liquid under a condition for minimizing the particle size of air bubbles, a gas dissolving method, a substrate washing unit using the liquid containing air bubbles and a substrate washing method.例文帳に追加

液体に気体を溶解させるにあたり、シンプルかつ安価な部材により微小径の気泡を有する液体を生成することができ、また、気泡の粒径を微小とする条件下において液体に対する気体の溶存濃度を高くすることができる気体溶解装置および気体溶解方法、ならびにこのような気泡を含む液体を用いた基板洗浄ユニットおよび基板洗浄方法を提供する。 - 特許庁

The coating apparatus includes: a coating part for coating a substrate with a liquid body containing the easily oxidizable metal; a chamber surrounding a coating space for applying a liquid body in the coating part and a transporting space for the substrate coated with the liquid body after coating; and an isolating mechanism for isolating the liquid body from the atmosphere in the chamber when at least one of oxygen concentration and humidity in the chamber exceeds the threshold amount.例文帳に追加

易酸化性の金属を含む液状体を基板に塗布する塗布部と、前記塗布部によって前記液状体の塗布を行う塗布空間及び前記液状体の塗布された前記基板の塗布後移動空間を囲むチャンバと、前記チャンバ内の酸素濃度及び湿度のうち少なくとも一方が閾値を超えたときに前記液状体を前記チャンバ内雰囲気から隔離させる隔離機構とを備える。 - 特許庁

The method of manufacturing the ZnO-based semiconductor device includes the processes of: preparing a substrate; supplying Zn, O and N on the upper side of the substrate; supplying an element which is added to ZnO when necessary to change a band gap; and forming a ZnO-based semiconductor layer doped with N to exhibit n-type conductivity with increased n-type carrier concentration as compared with the case that doping with N is not performed.例文帳に追加

ＺｎＯ系半導体装置の製造方法は、基板を準備する工程と、基板上方に、Ｚｎ、Ｏ、及びＮを供給するとともに、必要に応じて、ＺｎＯに添加することによりバンドギャップを変化させる元素を供給し、Ｎをドープすることにより、Ｎをドープしない場合に比べてｎ型キャリア濃度が増したｎ型伝導性を示すＺｎＯ系半導体層を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The method further includes: generating a signal proportional to the light received by the sensor; implanting the substrate with a dopant during a doping process; generating multiple light signals proportional to a decreasing amount of the light received by the sensor during the doping process; generating an end point signal proportional to the light received by the sensor once the substrate has a final dopant concentration; and ceasing the doping process.例文帳に追加

さらに、センサーによって受け取られる光に比例する信号を生成するステップと、ドーピングプロセス中にドーパントを基板に注入するステップと、ドーピングプロセス中にセンサーによって受け取られる光の減少する量に比例する多重光信号を生成するステップと、いったん基板が最終ドーパント濃度を有するとセンサーによって受け取られる光に比例する終点信号を生成するステップと、ドーピングプロセスを中止する。 - 特許庁

In the method for forming the recording layer containing at least formazane or its metal complex on a substrate, the recording layer is formed on the substrate by a spin coating method, dyestuff scattered in the spin coater is recovered by using the same solvent as an applying solvent, component concentration of the recovered solution is detected by liquid chromatography and then is adjusted to reutilize the solution as an application solution.例文帳に追加

基板上に少なくともホルマザンもしくはその金属錯体を含有する記録層を形成する方法において、基板上にスピンコート法にて該記録層を形成すると共に、スピンコーター内の飛散色素を塗布溶媒と同一の溶媒で回収し、液体クロマトグラフィーにて成分濃度を検出、調整した後、塗布液として再利用することを特徴とする光記録媒体の製造方法。 - 特許庁

The concentration of a chemiluminescent substrate 81 in the vicinity of the light detection surface of the photoelectric conversion element 20 can be enhanced by attracting the charged chemiluminescent substrate 81 in the well 52 by the electrode 33 and more phosphors 82 in an excited state are formed by increasing a reaction speed to efficiently capture the lights emitted from the phosphors 82 in an excited state by the photoelectric conversion element 20.例文帳に追加

ウェル５２内の電荷を帯びた化学発光基質８１を電極３３により引き寄せることで、光電変換素子２０の受光面の近傍における化学発光基質８１の濃度を高めることができ、反応速度を高めて励起状態の蛍光体８２をより多く生成させ、励起状態の蛍光体８２から放出される光を光電変換素子２０により効率よく捉えることができる。 - 特許庁

A two-step method of making of a security printed image is disclosed and includes coating of the surface of a substrate with a predetermined image shape with an ink containing flaked magnetic pigment in a predetermined concentration, exposing a wet printed image to a magnetic field to align magnetic particles in a predetermined manner, allowing the ink to cure, and coating the substrate with a second printed image on the top of the first image.例文帳に追加

セキュリティ印刷されたイメージを作成する２工程方法が、開示され、所定の濃度でフレーク入りの磁性顔料を含むインクで、所定のイメージを有する基板の表面をコーティングすること、未乾燥の印刷イメージを、所定の形で磁性粒子を整列させるように磁界にさらすこと、インクが硬化するのを可能にすること、および第１のイメージの上の第２の印刷イメージで基板をコーティングすることを含む。 - 特許庁

The gaseous hydrogen detecting apparatus detects concentration of the gaseous hydrogen in both an oxygen-free environment and an oxygen- present environment, and is provided with an insulating substrate 310, sensing membranes 30 and 31 having Pd as a main component and provided on one surface of the insulating substrate, and oxidation-resistive membranes 90 and 91 having a metal element as a main component hardly oxidizable in the atmosphere and provided on the sensing membranes.例文帳に追加

無酸素環境下および有酸素環境下のいずれにおいても水素ガスの濃度を検出する水素ガス検出装置であって、絶縁性基板310と、この絶縁性基板の一方側の面上に設けられたＰｄを主成分とする感知薄膜30,31と、この感知薄膜の上に設けられた大気中で酸化され難い金属元素を主成分とする酸化抵抗薄膜90,91とを具備する。 - 特許庁

A vertical MOSFET suppresses a parasitic bipolar transistor performance to improve the avalanche resistance by forming n-type regions 8 having an impurity concentration lower than an n-type substrate 1 or a p-type region 9 about the central part of a unit arrangement region having the apexes of FET cells 10 and diode cells 11 arranged on the surface of the n-type semiconductor substrate 1 with equal intervals.例文帳に追加

本発明の縦型ＭＯＳＦＥＴは、Ｎ型半導体基板１の表面上に等間隔に配置されたＦＥＴセル１０及びダイオードセル１１を頂点とした単位配置領域の中央部分を中心として、Ｎ型基板１よりも不純物濃度の低いＮ型領域８を形成するか、もしくはＰ型領域９を形成することにより、寄生バイポーラトランジスタ動作を抑制してアバランシェ耐量を向上する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for extracting impurities present in the surface and in the depth direction of a semi conductor substrate with high accuracy in which the etching speed is high, the etching quantity can be controlled correctly, and the concentration of impurities of the back ground is low.例文帳に追加

半導体基板の表面および深さ方向に存在する不純物を高精度で抽出する方法と装置に関し、エッチング速度が速く、エッチング量を正確に制御できて、かつバックグラウンド不純物濃度の低い半導体基板の不純物抽出方法ないし不純物抽出装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device in which a deterioration of transistor characteristics is suppressed by controlling the retreat of substrate surface of the semiconductor device when forming a sidewall-like offset spacer to form a low concentration diffusion layer of a MOS (metal oxide semiconductor) transistor, and by controlling a variation of forming an offset spacer.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの低濃度拡散層形成のためのサイドウォール状のオフセットスペーサーを形成する際の半導体基板表面の後退を抑え、かつオフセットスペーサーの形成ばらつきを抑えることにより、トランジスタ特性の劣化を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of measuring the concentration of nitrogen for quantitatively measuring a very small amount of nitrogen of 1×10^15 atom/cm^3 or lower, to provide a silicon substrate having an effective gettering center and its manufacturing method and a method of controlling the quality thereof, and also to provide a semiconductor integrated circuit using asilicon crystal.例文帳に追加

１×１０^１５ａｔｏｍ／ｃｍ^３ 以下の微量窒素を定量測定する窒素濃度測定方法を提供すると共に、効果的なゲッタリングセンターを有するシリコン基板、その製造方法およびその品質管理方法、さらにはそのシリコン結晶を使用した半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

The amorphous silicon film 102 is formed on an insulating substrate 101, the metal element 103 (nickel) that promotes the crystallization is added to the amorphous silicon film 102, and then the crystallization heating process is carried out in non-oxidation gas that is adjusted to have an oxygen concentration of a process chamber atmosphere of 1000 ppm or below.例文帳に追加

絶縁基板１０１上にアモルファスシリコン膜１０２を形成し、結晶化を助長する金属元素（ニッケル）１０３をアモルファスシリコン膜１０２に添加した後、処理室雰囲気の酸素濃度が１０００ｐｐｍ以下となるように調節された非酸化性ガス中で結晶化加熱処理を行なう。 - 特許庁

The electric potential difference measuring ion selective electrode, for measuring the concentration of cations in a sample, is made of a conductive electrode material applied to an electrically insulating substrate through the use of a thick-film technique, and its measuring region is covered with an ion sensitive film (preferably, a liquid high-molecular film).例文帳に追加

サンプル中のカチオンの濃度を測定するための電位差測定イオン選択性電極であって、厚膜技術を用いて電気絶縁性基材上に適用された導電性電極材料からなり、かつその測定領域はイオン感応性膜 (好ましくは液体高分子膜)により覆われている電極に関する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate and a method of manufacturing the same, in which diffusion of carriers in a double-hetero-structure is suppressed by reducing defects of the double-hetero-structure to uniform an in-plane carrier concentration distribution, thereby manufacturing a light emitting element having small variance in light emission lifetime and a long lifetime.例文帳に追加

ダブルヘテロ構造での欠陥を減少させることで、ダブルヘテロ構造中にキャリアが拡散することを抑制して面内キャリア濃度分布を均一なものとでき、これによって発光寿命のバラツキが小さく、かつ長寿命な発光素子を製造することのできる化合物半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide such a technology for removing depositions on the substrate for electronic industry, which can reproduce a cleaning liquid which is once used for cleaning, through a treating method using an ozone having substantially less change in concentration, and which can remove ultra-fine particles without giving chemical damages to a filter for removing fine particles or a liquid feed pump and reuse the cleaning liquid.例文帳に追加

電子工業用基板表面の付着物の除去に当り、洗浄を終えた洗浄液を実質的に濃度変化の少ないオゾンを利用する処理方法で再生し、かつ微粒子除去用フィルターや送液ポンプに化学的損傷を与えずに超微粒子を除いて再利用できる技術を提供する。 - 特許庁

In a CMOS of a dual-gate structure, a surface channel type PMOS whose gate electrode is formed with a P+ type poly-silicon film, is characterized in that arsenic or antimony is doped into the substrate under the gate electrode and nitrogen whose peak concentration is 2×1021/cm3 or more is doped into the gate oxide.例文帳に追加

デュアルゲート構造のＣＭＯＳにおいて、ゲート電極がＰ^＋型ポリシリコン膜で形成された表面チャネル型のＰＭＯＳを、そのゲート電極下の基板中にヒ素もしくはアンチモンが導入され、ゲート酸化膜に窒素がピーク濃度で２×１０^２１／ｃｍ^３以上導入されたもので構成する。 - 特許庁

In the flexure substrate for suspension where the front and rear surface of wiring of a flying lead part is exposed, a concentration of stress is eased to solve the problem by forming an opening so constituted as to distribute a force applied to the wiring at an opening end edge part of the flying lead part in a plane direction and a thickness direction of the wiring.例文帳に追加

フライングリード部の配線表裏面が露出したサスペンション用フレキシャー基板において、フライングリード部の開口端縁部において配線に加わる力を、配線の平面方向や厚さ方向に分散させる構成にした開口を形成することで、応力の集中を緩和させて、上記課題を解決する。 - 特許庁

A method for producing a dense metallic copper film includes providing a liquid composition containing copper oxide particles on a substrate, and heat-treating the liquid composition at 120°C or higher while supplying a gas containing a formic acid gas with a concentration of 8 mass% or more so that the supply amount of the formic acid becomes 0.01 g/minutes or more per 1 L of the volume of a treatment tank.例文帳に追加

基板上に、銅酸化物粒子を含む液状組成物を成形し、ギ酸ガスを濃度８質量％以上含むガスを、ギ酸供給量が処理槽の容積１Ｌあたり、０．０１ｇ／分以上となるように供給しながら、１２０℃以上に加熱して処理する緻密な金属銅膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a coloring composition having high solid content and high pigment concentration and having good dispersibility, fluidity and stability by using a zinc phthalocyanine pigment excellent in color characteristics and to provide an inkjet ink enabling stable discharge by using the composition and further to provide a color filter substrate formed by using the inkjet ink.例文帳に追加

色特性に優れた亜鉛フタロシアニン顔料を用いて、高固形分かつ高顔料濃度で、分散性、流動性、及び安定性が良好な着色組成物、及びそれを用いた安定吐出が可能なインクジェットインキ、さらにそのインキジェットインキを用いて形成されるカラーフィルタ基板を提供する。 - 特許庁

In a triple well NMOS transistor 311 having a P well region 22 formed in an N well region 28 and an MOSFET formed in the P well region 22, an impurity diffusion region 29 having an impurity concentration lower than that of an N+ drain region 25 is provided on the N+ drain region 25 side in order to suppress substrate current.例文帳に追加

Ｎウェル領域２８内にＰウェル領域２２が形成され、Ｐウェル領域２２にＭＯＳＦＥＴが形成されたトリプルウェルＮＭＯＳトランジスタ３１１において、Ｎ^+ドレイン領域２５側にＮ^+ドレイン領域２５よりも不純物濃度が低い不純物拡散領域２９を設け、それによって基板電流を抑制する。 - 特許庁

In a perpendicular magnetic recording medium which is made by laminating at least a magnetic recording layer, a protective layer and a lubricant layer one by one on a non-magnetic substrate, it is characterized to set oxygen concentration of the protective layer ≥5 at.% and ≤30 at.% and surface potential of the perpendicular magnetic recording medium ≤-0.5 V.例文帳に追加

非磁性基体上に少なくとも磁気記録層、保護層及び潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、該保護層の酸素濃度を５原子％以上３０原子％以下とし、垂直磁気記録媒体の表面電位を−０．５Ｖ以下とすることを特徴とする。 - 特許庁

A gate oxide film 8 is formed at a part for forming the memory cell transistor in a memory cell region 1 of a silicon substrate 3; and a gate oxide film 12 and the gate oxide film 8 are formed at a region requiring a high breakdown voltage of a peripheral circuit region 2 and at a part corresponding to a high-concentration impurity region, respectively.例文帳に追加

シリコン基板３のメモリセル領域１のメモリセルトランジスタ形成部分に薄いゲート酸化膜８が形成され、周辺回路領域２の高耐圧を必要とする領域に厚いゲート酸化膜１２、高濃度不純物領域に対応する部分に薄いゲート酸化膜８が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor material is applied to a substrate 10 by liquid drop ejection method and dried while defining the drying conditions such that the concentration of solid content of the semiconductor material reaches a saturation level substantially simultaneously over the entire liquid drop thus forming a substantially circular semiconductor film 11 (refer to fig. 3(a)).例文帳に追加

基板１０に対して液滴吐出法により半導体材料を塗布した後、半導体材料の固形分濃度が液滴全体で略同時に飽和濃度に達するように乾燥条件を定めて乾燥させることにより、略円形状の半導体膜１１を形成する（図３（ａ）参照）。 - 特許庁

In the impurity concentration measuring system 10, when the room temperature PL intensity and the specific resistance of the InP substrate are inputted to an input 14, a specific resistance calculator 16 calculates a plurality of specific resistance from a plurality of relational expressions stored in a storage 12 based on the inputted room temperature PL intensity.例文帳に追加

本発明に係る不純物濃度測定システム１０においては、ＩｎＰ基板の室温ＰＬ強度及び比抵抗が入力部１４に入力されると、比抵抗算出部１６が、入力された室温ＰＬ強度に基づき、格納部１２に格納された複数の関係式から複数の比抵抗を算出する。 - 特許庁

In the wavelength conversion element having a core 32 consisting of a nonlinear optical crystal and the ridge optical waveguide in which the surface of the core 32 not in contact with a substrate 31 is formed of an air layer, the concentration distribution of Li on a cross section of the core 32 shows a gradual increase from the center part 33 of the core 32 to the outer peripheral part.例文帳に追加

非線形光学結晶からなるコア３２と、コア３２の基板３１に接していない面が空気層からなるリッジ型の光導波路を有する波長変換素子において、コア３２断面のＬｉの濃度分布は、コア３２の中央部３３から外周部に向かってなだらかに増加している。 - 特許庁

Cleaning the semiconductor substrate with the solution containing a small amount of CN^- ion and adjusted at pH 9 to 14 at a temperature of 50°C or below, preferably at a range of 30 to 40°C, removes the initial metallic contamination of a surface copper concentration of about 10^13 atom/cm^2 to 10^9 atom/cm^2 or below.例文帳に追加

半導体基板を、少量のＣＮ^−イオン含有，ｐＨ９〜１４に調整された溶液によって、５０℃以下、好ましくは３０℃〜４０℃の範囲の温度で洗浄処理することで、当初の表面銅濃度約１０^１３原子／ｃｍ^２の金属汚染が、１０^９原子／ｃｍ^２以下にまで除去される。 - 特許庁