「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

There is provided an expression formula of a substrate surface capacitance and a substrate surface potential that can be applied even when the orientation or impurity concentration of an Si substrate is changed.例文帳に追加

Ｓｉ基板の面方位、不純物濃度が変わっても適用可能な基板表面容量と基板表面電位の表現式を提案した。 - 特許庁

The GaN substrate 1 is preserved, under an atmosphere having an oxygen concentration of 18 vol.% and/or a steam concentration of 12 g/m^3 or less.例文帳に追加

ＧａＮ基板１を酸素濃度が１８体積％および／または水蒸気濃度が１２ｇ／ｍ^3以下の雰囲気下で保存する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of measuring precisely a concentration of a treating gas even when a treating gas is used having a high concentration.例文帳に追加

高濃度の処理ガスを使用する場合であっても、処理ガスの濃度を正確に計測できる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To decrease concentration of nitrogen in an interface between a silicon substrate and a silicon oxidizing and nitriding film and increase concentration of nitrogen in the surface of the silicon oxidizing and nitriding film.例文帳に追加

シリコン基板とシリコン酸窒化膜との界面の窒素濃度を低くし、かつ、シリコン酸窒化膜表面の窒素濃度を高くする。 - 特許庁

To provide a susceptor capable of reducing a difference between the upstream concentration and downstream concentration of a material gas on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上における原料ガスの上流側の濃度と下流側の濃度との差を縮小できるサセプタを提供する。 - 特許庁

To form a gate insulating film of high permittivity which is high in an average nitrogen concentration and low in the nitrogen concentration near the interface of a silicon substrate.例文帳に追加

平均窒素濃度が高くかつシリコン基板界面近傍の窒素濃度が低い高誘電率のゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

A p-type layer 27 having a lower impurity concentration than a substrate p+ layer 26 using a high concentration p-type semiconductor substrate (e.g. silicon substrate) is formed on the substrate p+ layer 26 with n-type photoelectric conversion regions 14 provided at upper portions of the p-type layer 27.例文帳に追加

高濃度のＰ型の半導体基板（例えばシリコン基板）である基板Ｐ^+層２６上に、基板Ｐ^+層２６よりも不純物濃度が低いＰ型層２７を形成し、Ｐ型層２７の上側位置にＮ型光電変換領域１４を設ける。 - 特許庁

The high-dielectric gate insulating film 106 has a laminated structure composed of a nitrogen high-concentration layer, a nitrogen low-concentration layer, and a high-concentration layer which are successively stacked up in this sequence on a silicon substrate 102.例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜１０６を、シリコン基板１０２側から、窒素高濃度層、窒素低濃度層および窒素高濃度層がこの順で積層した構造とする。 - 特許庁

In a semiconductor device having a PN junction part, a low concentration substrate junction of a p^+ layer and an n^- layer steep in impurity concentration gradient is formed, and a diffusion layer of a p^- layer in a low concentration is formed by making a surface concentration low and diffusing deeply so that it does not make a junction with the n^- layer of the substrate.例文帳に追加

PN接合部を有する半導体装置において、不純物濃度勾配の急峻なｐ^+層とｎ^-層の低濃度基板接合を形成し、低濃度のｐ^-層の拡散層を基板のn-層と接合ができないように表面濃度を薄く、深く拡散させて形成した。 - 特許庁

A thermoelectric conversion device comprises a strontium titanate substrate 10 whose oxygen concentration is lower than stoichiometrical concentration, and a strontium titanate film 12 which is formed on the strontium titanate substrate 10 and whose atomic concentration of sum total of titanium and niobium is higher than atomic concentration of strontium.例文帳に追加

酸素濃度が化学量論的な濃度より低いチタン酸ストロンチウム基板１０と、前記チタン酸ストロンチウム基板１０上に形成され、チタンとニオブとの合計の原子濃度が、ストロンチウムの原子濃度より高いチタン酸ストロンチウム膜１２と、を具備する熱電変換装置。 - 特許庁

The impurities are diffused, in the gate electrode 22g, so that the impurity concentration on the bottom side disposed in a substrate 101 is lower than the impurity concentration on the front side of the substrate.例文帳に追加

ここでは、ゲート電極２２ｇにて、基板１０１の内部に位置する底面側の不純物濃度が、基板の表面側の不純物濃度よりも低くなるように、不純物を分布させる。 - 特許庁

The photodetector array includes a plurality of photodetectors formed by a high-resistivity/low-doping-concentration first semiconductor substrate and a low-resistivity/high-doping-concentration second semiconductor substrate.例文帳に追加

光検出器アレイは、高抵抗低ドーピング濃度第１半導体基材と、低抵抗高ドーピング濃度第２半導体基材とによって形成される複数の光検出器を含む。 - 特許庁

A high concentration phosphoric ion is implanted into a region for forming a pn junction varactor on a p-type Si substrate, and after a carbon is implanted, a low concentration n-type Si layer is formed on the Si substrate.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板上のＰＮ接合バラクタの形成領域に高濃度のリンイオンを注入し、カーボンを注入した後、Ｓｉ基板上に低濃度のＮ型Ｓｉ層を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate treatment apparatus which can supply chemicals to a substrate precisely adjusted to an extremely low concentration.例文帳に追加

極めて低い濃度に精度良く調整された薬液を、基板に供給することができる基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

Into a supporting substrate, for example Si substrate 101 to make up diamond, a high-concentration boron is diffused by using an ion- implanting technology.例文帳に追加

ダイヤモンドを形成する支持基板、たとえばＳｉ基板１０１にイオンインプラ技術を用いて高濃度のボロンを拡散する。 - 特許庁

The segregation means that the phosphorus atoms are distributed near the surface of the substrate at a concentration higher than that of the phosphorus atoms distributed inside the substrate.例文帳に追加

ここで言う偏析とは、リン原子が半導体基板内部よりも高い濃度を保って表面付近に分布することを言う。 - 特許庁

The P^---type impurity layer 12 is of the same P-type with a semiconductor substrate 1, but lower in impurity concentration than the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ^−−型不純物層１２は、半導体基板１と同じＰ型であるが、不純物濃度は半導体基板１よりも低い。 - 特許庁

To provide a method for producing a lithium tantalate substrate, by which a lithium tantalate substrate in which rhodium (Rh) is doped in high concentration can be easily produced at a low cost.例文帳に追加

高濃度のロジウム（Ｒｈ）がドープされたタンタル酸リチウム基板を低コストで容易に製造できる方法を提供する。 - 特許庁

An n-type high concentration diffusion layer 10 is formed facing to the p-type low-concentration diffusion layer 7, the p-type high concentration diffusion layer 8, and the semiconductor substrate 20 through the n-type epitaxial layer 5 and the n-type low concentration diffusion layer 9.例文帳に追加

ｎ型高濃度拡散層１０は、ｎ型エピタキシャル層５及びｎ型低濃度拡散層９を介して、ｐ型低濃度拡散層７、ｐ型高濃度拡散層８及び半導体基板２０と対向して形成される。 - 特許庁

To provide an impurity concentration measuring system capable of nondestructively, simply measuring a concentration of impurities of an InP substrate, and to provide an impurity concentration measuring method, an impurity concentration measuring program, and a computer-readable record medium.例文帳に追加

非破壊で、且つ簡便に、ＩｎＰ基板の不純物の濃度を測定することが可能な不純物濃度測定システム、不純物濃度測定方法、不純物濃度測定プログラム及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供する。 - 特許庁

The Ge-doped n-type group III nitride semiconductor layer is composed of a laminated Ge atom high-concentration layer and a Ge atom low-concentration layer on a substrate, where the low-concentration layer is laminated on the high-concentration layer.例文帳に追加

基板上に積層されたＧｅ原子高濃度層およびＧｅ原子低濃度層からなり、該高濃度層上に該低濃度層が積層されていることを特徴とするＧｅドープｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層状物。 - 特許庁

A high concentration channel injection region 42 containing the N-type impurity at a higher concentration than the substrate 36 is provided at a center of the gate region 40.例文帳に追加

ゲート領域４０の中央に、基板３６に比して高い濃度でＮ型不純物を含む高濃度チャネル注入領域４２を設ける。 - 特許庁

An n-type stopper layer 6 of high concentration is formed deeply in a chip end portion, sandwiching an n-type low concentration substrate 1 from the p-type RESURF layer 5.例文帳に追加

ｐ型リサーフ層５からｎ型の低濃度基板１を挟み、チップ端部には高濃度のｎ型ストッパー層６が深く形成されている。 - 特許庁

In an n-type silicon substrate, a high-concentration collector region 11 is formed and a low-concentration collector region 12 is formed on the entire surface.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板１０内に高濃度のコレクタ領域１１が形成され、全面に低濃度のコレクタ領域１２が形成されている。 - 特許庁

A P-type intermediate concentration region 30b is located spaced apart from the high concentration region 30a under the first surface 12a of the semiconductor substrate 12.例文帳に追加

Ｐ型の中濃度領域３０ｂは、高濃度領域３０ａと間隔を隔てて、半導体基板１２の表面１２ａに位置している。 - 特許庁

The aluminum cylindrical substrate has an Ni concentration of ≤50 ppm by weight.例文帳に追加

アルミニウム円筒基板として、Ｎｉ濃度が重量比率で５０ｐｐｍ以下であるものを用いる。 - 特許庁

To provide a torque sensor capable of reducing the stress concentration generated at a connecting part for a control substrate.例文帳に追加

制御基板との接続部に発生する応力集中を緩和したトルクセンサを提供する。 - 特許庁

In a silicon substrate 1, extension regions 5 and high-concentration source-drain regions 8 are provided.例文帳に追加

シリコン基板１内には、エクステンション領域５と、高濃度ソース・ドレイン領域８とが設けられている。 - 特許庁

And an oxigen concentration in the silicon substrate 10 is not more than 8.0×10^17 atoms/cm^3.例文帳に追加

また，シリコン基板１０中の酸素濃度は，８．０×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3 以下である。 - 特許庁

The support substrate 20 preferably has a depletion region where a concentration of movable positive ions is reduced.例文帳に追加

支持基板２０は可動陽イオンの濃度が低減された空乏領域を有することが好ましい。 - 特許庁

METHOD FOR ADJUSTING CONCENTRATION OF IMPURITIES, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

不純物濃度の調整方法並びに半導体基板および半導体装置の製造方法 - 特許庁

To measure trace impurity concentration distribution in a micro region of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板中微少領域の微量な不純物濃度分布を測定することができる。 - 特許庁

On a p-type semiconductor substrate 1, an n-type diffusion layer 4a for low-concentration drain is formed.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１に、ｎ型の低濃度ドレイン用拡散層４ａを形成する。 - 特許庁

P-type diffusion layers 31, 34 of high concentration are selectively formed on the surface of the substrate 1.例文帳に追加

更に、基板１の表面に選択的に高濃度のｐ型拡散層３１、３４が形成される。 - 特許庁

To produce a silicon substrate having regions of different dopant concentration simply and efficiently.例文帳に追加

ドーパント濃度が異なる領域を有するシリコン基板を簡便で効率的に製造可能とする。 - 特許庁

To provide a method for reducing oxygen concentration in a single crystal semiconductor layer of a SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の単結晶半導体層中の酸素濃度を低減させる方法を提供する。 - 特許庁

Pre-drying processing (processing of supplying a high-concentration IPA to a substrate surface Wf) is executed, so that the concentration of an IPA of a liquid film to be formed on the substrate surface Wf is always adjusted to a final value suitable for substrate drying.例文帳に追加

乾燥前処理（基板表面Ｗfに高濃度ＩＰＡを供給する処理）を行うことで基板表面Ｗfに形成される液膜のＩＰＡ濃度は常に最終的に基板乾燥に適した値に調整されている。 - 特許庁

This apparatus for working is obtained by installing stress relaxing materials for relaxing the stress concentration on the glass substrate surface on the holding surfaces of the clamping parts for holding the glass substrate on the principal surfaces of the glass substrate.例文帳に追加

クランプ部のガラス基板をガラス基板主表面で把持する把持面に、ガラス基板面における応力集中を緩和する応力緩和材を設ける。 - 特許庁

To supply a resist liquid having an appropriate concentration to a substrate to form a resist film having the predetermined film thickness on the substrate.例文帳に追加

基板に所定の膜厚のレジスト膜を形成するために、適正な濃度のレジスト液を基板に供給することを目的とする。 - 特許庁

The method for washing the substrate is characterized by being provided with a process to treat the substrate with ozone water having 15 ppm or higher ozone concentration (steps S21-S30).例文帳に追加

基板を１５ｐｐｍ以上の濃度のオゾン水によって処理する工程（ステップＳ２１〜Ｓ３０）を具備したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus which can fully reduce oxygen concentration or humidity of the atmosphere in a substrate storing container.例文帳に追加

基板収容器内の雰囲気の酸素濃度または湿度を十分に低下させておくことができる基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

This treating method is a substrate treating method, wherein the surface of the substrate S is treated with ozone water Lo, and in this method, the substrate S is heated and the high ozone concentration-ozone water Lo is fed to the surface of this substrate S at a low temperature.例文帳に追加

基板Ｓの表面をオゾン水Ｌｏで処理する基板処理方法であって、基板Ｓを加熱し、この基板Ｓの表面に低温でオゾン濃度の高いオゾン水Ｌｏを供給する。 - 特許庁

To provide a film forming equipment and measuring method which can measure a distribution of concentration of a mixed gas on a substrate using a measuring substrate, and to provide the film forming equipment and measuring method which can measure the distribution of flow of the mixed gas on the substrate using the measuring substrate.例文帳に追加

本発明の目的は、測定用基板を用いて、基板上における混合気体の濃度分布を測定することのできる成膜装置及び測定方法を提供することにある。 - 特許庁

A high-concentration (n) type buffer layer 12, an (n) type intermediate layer 13, a low-concentration (n) type base layer 14, a (p) type well layer 15, and a high-concentration (n) type emitter layer 16, are sequentially formed on a (p) type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１１上に、高濃度ｎ型バッファ層１２、ｎ型中間層１３、低濃度ｎ型ベース層１４、ｐ型ウェル層１５、高濃度ｎ型エミッタ層１６を順次形成する。 - 特許庁

The impurity concentration of the silicon-based conductive film 48 is formed as an impurity concentration which is lower than the impurity concentration in the connection region with the silicon-based conductive film 48 of the semiconductor substrate 24.例文帳に追加

シリコン系導電性膜４８の不純物濃度は、半導体基板２４のシリコン系導電性膜４８との接続領域における不純物濃度より低い不純物濃度として形成した。 - 特許庁