「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

A high density Si-doped GaN buffer layer 2 having an Si concentration of 4×10^19cm^-3 or higher is epitaxially grown on a single crystal insulating substrate 1, and the nitride semiconductor layer 3, having a crystal structure of a single crystal is formed by an epitaxially growing method.例文帳に追加

単結晶の絶縁性基板１上に、Ｓｉ濃度が４×１０^１９ｃｍ^−３以上である高濃度ＳｉドープＧａＮバッファ層２をエピタキシャル成長し、このＳｉドープＧａＮバッファ層２上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する窒化物半導体層３を形成する。 - 特許庁

Hydrogen chloride is introduced into a reaction vessel 106 in which the compound semiconductor monocrystal substrate 4 and Ga are arranged, the moisture concentration in hydrogen chloride introduced into the reaction vessel 106 is regulated to be ≤10 ppm at all times and the Ga- containing compound semiconductor layer is grown by hydride vapor phase growth is grown.例文帳に追加

化合物半導体単結晶基板４とＧａとを配置した反応容器１０６内に塩化水素を導入するとともに、該反応容器１０６内に導入される塩化水素中の水分濃度を常時１０ｐｐｍ以下に規制しつつ、Ｇａ含有化合物半導体層をハイドライド気相成長法により成長させる。 - 特許庁

On a surface of an n^+ type epitaxial layer 8 on a principal surface of a p^++ type high-concentration substrate 7, p^++ type semiconductor regions 12, p^++ type semiconductor regions 13 and p^++ type semiconductor regions 14 are formed to form two zener junctions by the n^+ type epitaxial layer 8 and the p^++ type semiconductor regions 12 and 13.例文帳に追加

ｐ^＋＋型高濃度基板７の主面上のｎ^＋型エピタキシャル層８の表面にｐ^＋＋型半導体領域１２、ｐ^＋＋型半導体領域１３およびｐ^＋＋型半導体領域１４を形成し、ｎ^＋型エピタキシャル層８とｐ^＋＋型半導体領域１２、１３とによる２つのツェナー接合を形成する。 - 特許庁

The reflection type liquid crystal cell substrate consisting at least of a hard coat layer, an epoxy resin layer containing minute areas having a refractive index different from that of the epoxy resin and a reflection layer consisting of a metal thin layer is characterized in that the minute areas have a concentration distribution in the direction of the thickness of the epoxy resin layer and are unevenly distributed.例文帳に追加

少なくともハードコート層、エポキシ系樹脂と屈折率が相違する微小領域を含有するエポキシ系樹脂層、および金属薄層よりなる反射層からなり、且つ、上記微小領域がエポキシ系樹脂層の厚さ方向に濃度分布を有して偏在していることを特徴とする反射型液晶セル基板。 - 特許庁

In the semiconductor device 1 for which many unit elements of the T-IGBT of N channel are formed in parallel on a semiconductor substrate, a p^+ region 3 where an impurity concentration is higher than a base p^- region 58 is formed between the digit part 2-2 of an emitter n^+ region 2 formed in a ladder shape and the base p^- region 58.例文帳に追加

ＮチャネルのＴ−ＩＧＢＴの単位素子が半導体基板上に多数並列に形成される半導体装置１において、梯子型に形成されるエミッタｎ^+領域２の桁部分２−２とベースｐ^-領域５８との間に、ベースｐ^-領域５８よりも不純物濃度が高いｐ^+領域３を形成する。 - 特許庁

To provide a method for measuring and controlling at least one concentration variation selected from the group consisting of fluorine, phosphoric acid, substrate metal, and inorganic acid in a sealing treatment liquid with high precision in accordance with the characteristics of a sealing treatment stage, and to provide a method for producing an aluminum supporting body for a lithographic printing plate using the same.例文帳に追加

封孔処理液中のフッ素、リン酸、基体金属および無機酸からなる群から選択される少なくとも一つの濃度変動を封孔処理工程の特性に合わせて精度よく測定制御する方法、またこれを用いる平版印刷版用アルミニウム支持体の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device 1 hybridly mounted with a logic transistor 10 and a high breakdown voltage transistor 20, an isolation film with an opening region 28, whose outer circumference is formed thick is formed on a low-concentration drain region 24b formed in an Si substrate 2, on both sides of a gate electrode 22 of the high breakdown voltage transistor 20.例文帳に追加

ロジックトランジスタ１０と高耐圧トランジスタ２０が混載された半導体装置１において、高耐圧トランジスタ２０のゲート電極２２両側のＳｉ基板２内に形成された低濃度ドレイン領域２４ｂ上に、外周部が厚く形成された開口領域２８を有する絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The semiconductor layers 3a, 3b are formed to local areas on the buffer layer 2, and a channel layer 4 is formed in the dopant concentration lower than the semiconductor layers 3a, 3b using the same semiconductor material as the semiconductor substrate 1 on the opposing edges of the semiconductor layers 3a, 3b, or between the opposing edges thereof.例文帳に追加

そして、緩衝層２上に夫々局所的に半導体層３ａ及び３ｂを形成し、この半導体層３ａ及び３ｂの対向する端部上及びこれらの間に、半導体基板１と同じ半導体材料を使用し、半導体層３ａ及び３ｂよりもドーパント濃度が低いチャネル層４を形成する。 - 特許庁

A p-type doped silicon wafer 50 is employed as a semiconductor substrate, an aqueous solution 20 of potassium hydroxide is employed as an etching liquid and etching is performed by conditioning the concentration of KOH in the aqueous solution 20 of potassium hydroxide in the range of 40-50 wt% and the liquid temperature at 110°C or above.例文帳に追加

半導体基板としてｐ型にドープされたシリコンウェハ５０を用い、エッチング液として水酸化カリウム水溶液２０を用い、水酸化カリウム水溶液２０のＫＯＨ濃度を４０重量％以上５０重量％以下の範囲とし、液温度を１１０℃以上にて調整することにより、エッチング処理を行う。 - 特許庁

It is desirable that a nitrogen concentration in an area containing nitrogen in the epitaxial layer 13 is 1×10^13 to 1×10^16 atoms/cm^3, an area in thickness direction of the epitaxial layer 13 is 1 μm inner from the surface of the epitaxial layer, and the area extends up to the joint surface of the silicon substrate and epitaxial layer.例文帳に追加

エピタキシャル層１３の窒素が含有された領域の窒素濃度が１×１０^13〜１×１０^16ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3であり、エピタキシャル層１３の厚さ方向の一部の領域がエピタキシャル層の表面から１μｍ以上内部かつシリコン基板とエピタキシャル層の界面までの領域であることが好ましい。 - 特許庁

The silicon-crystal substrate contains the O-N-O complex at 50% or higher of the nitrogen content, in a CZ-silicon crystal added with nitrogen at a concentration range of 1×10^13 to 1×10^15 atom/cm3, and which can be manufactured by an appropriate heat treatment process and controlled for quality.例文帳に追加

本発明のシリコン結晶基板は、窒素を１×１０^１３〜１×１０^１５ａｔｏｍ／ｃｍ^３ の範囲で添加したＣＺ−シリコン結晶中に、Ｏ−Ｎ−Ｏ複合体を含有窒素の５０％以上含有することを特徴とし、適当な熱処理工程により製造および品質管理することができる。 - 特許庁

In forming Al2O3 film by ALE method using TMA and H2O on a glass substrate, CH3OH evaporated before forming film or during formation of film is introduced and surface treatment for increasing surface hydroxyl group concentration of the ground surface is carried out by exposing the ground surface in gas atmosphere of CH3OH.例文帳に追加

ガラス基板上にＴＭＡとＨ_2Ｏを用いたＡＬＥ法によりＡｌ_2Ｏ_3膜を形成するにあたって、成膜前及び成膜中に気化したＣＨ_3ＯＨを導入し、下地面を、ＣＨ_3ＯＨ分子の気体雰囲気中に暴露することにより、下地面の表面水酸基濃度を高める表面処理を行う。 - 特許庁

To provide a vapor deposition apparatus that can deposit a less-contaminated crystal film having high uniformities of film thickness and impurity concentration over the entire surface of a semiconductor substrate by quickly discharging a raw material gas after vapor deposition reaction from a chamber to the outside of the chamber, and to provide a vapor deposition method.例文帳に追加

チャンバ内において、気相成長反応後の原料ガスを速やかにチャンバ外へと排気し、半導体基板全面において膜厚及び不純物濃度の均一性が高く、汚染の少ない結晶膜を成長させられる高スループットの気相成長装置及び気相成長方法を提供する。 - 特許庁

An epitaxial layer 2 having a p-type conductivity in a specified film thickness and a specified impurity concentration is formed on a semiconductor substrate 1 having the p-type conductivity, a surface protective film 5 is formed on the layer 2 and an opening section 6 extending to reaching the layer 2 is formed to the surface protective film 5.例文帳に追加

ｐ型の導電型を有する半導体基板１上に所定の膜厚および所定の不純物濃度でｐ型の導電型を有するエピタキシャル層２を形成し、エピタキシャル層２上に表面保護膜５を形成した後、表面保護膜５にエピタキシャル層２に達する開口部６を形成する。 - 特許庁

An impurity concentration of the first diffusion region 101 is higher than that of a depletion layer extended from a junction surface between the first diffusion region 101 and the semiconductor substrate 100 and formed in the main whole part of the first diffusion region 101 at the time of applying a voltage to the second diffusion region 108.例文帳に追加

第１拡散領域１０１の不純物濃度は、第２拡散領域１０８に電圧を印加した際に、第１拡散領域１０１と半導体基板１００との接合面から拡張する空乏層が第１拡散領域１０１の主たる部分全般に形成される濃度より高い濃度である。 - 特許庁

In the method for analyzing the charge of the substance to be measured, a plurality of solutions containing the substance to be measured and different in pH are brought into contact with a biosensor comprising a substrate having a surface modified with a sulfonic acid group and the degree of the concentration of the substance to be measured to the surface of the biosensor is measured.例文帳に追加

スルホン酸基で修飾された表面を有する基板からなるバイオセンサーに、異なるｐＨを有する複数の被測定物質含有溶液を接触させ、該バイオセンサー表面への被測定物質の濃縮の程度を測定することを含む、被測定物質の荷電を分析する方法。 - 特許庁

As a result, the concentration of a solvent component of the organic EL solution becomes higher on the terminal end side of the organic EL solution applied in the coating area 91 of the substrate 9, so that the time to dry the organic EL solution applied in the coating area can be restrained from being shorter than the time to dry the organic EL solution applied in another area.例文帳に追加

これにより、基板９の塗布領域９１における有機ＥＬ液の塗布の終端側において、雰囲気中の有機ＥＬ液の溶媒成分の濃度が高くなり、有機ＥＬ液の乾燥時間が他の領域に塗布された有機ＥＬ液の乾燥時間よりも短くなることを抑制することができる。 - 特許庁

The thin-film semiconductor epitaxial substrate 1 is provided with a subcollector layer 41 and a collector layer 42, and a B-added layer 42A which is added with boron (B) is partially formed in the collector layer 42, thus preventing the reduction of current amplification factor even if the subcollector layer 41 is doped at a high concentration.例文帳に追加

サブコレクタ層４１及びコレクタ層４２が形成されている薄膜半導体エピタキシャル基板１において、コレクタ層４２の一部にホウ素（Ｂ）が添加されているＢ添加層４２Ａを形成し、これによりサブコレクタ層４１を高濃度にドーピングした場合であっても電流増幅率を低下させることがないようにした。 - 特許庁

When a trench is built on a silicon substrate for a source region and a drain region and then the trench is filled epitaxially with the SiGe mixed crystal layer, the side wall of the trench is built using multiple facets and the atomic concentration of Ge in the SiGe mixed crystal layer is increased beyond 20%.例文帳に追加

シリコン基板中、ソース領域およびドレイン領域に対応してトレンチを形成し、前記トレンチをＳｉＧｅ混晶層によりエピタキシャルに充填する際に、前記トレンチの側壁面を複数のファセットにより画成し、さらにＳｉＧｅ混晶層中のＧｅ原子濃度を２０％を超えて増大させる。 - 特許庁

A boron added layer 42A resulting from adding boron (B) to a collector layer 42 is formed to part of the collector layer 42 in the thin film semiconductor epitaxial substrate 1 formed with the sub collector layer 41 and the collector layer 42 so as to thereby prevent the current amplification factor from being decreased even when the sub collector layer 41 is doped with a high concentration.例文帳に追加

サブコレクタ層４１及びコレクタ層４２が形成されている薄膜半導体エピタキシャル基板１において、コレクタ層４２の一部にホウ素（Ｂ）が添加されているＢ添加層４２Ａを形成し、これによりサブコレクタ層４１を高濃度にドーピングした場合であっても電流増幅率を低下させることがないようにした。 - 特許庁

To provide an applicator capable of easily performing uniform coating even at on-site execution for performing coating on a glass and an outer wall surface regardless of viscosity of a coating liquid, distinction of water-based/organic solvent system, existence of containing of particulate in the sol state, a concentration and distinction of the horizontal/vertical state and a flat surface/a curved surface of a substrate to be coated.例文帳に追加

塗液の粘度，水性／有機溶剤系の別，ゾル状態の微粒子含有の有無，濃度，および被塗布基材の水平／垂直状態、平面／曲面の別をいずれも問わず、ガラスや外壁面等にコーティングを行う現場施工においても容易に均一塗布できるアプリケータを提供する。 - 特許庁

In this semiconductor device 1, a P well layer 12a is formed so that a product of the average acceptor concentration of the P well layer 12a and the thickness of the P well layer 12a becomes smaller than a value obtained by dividing a product of a predetermined value and an electrical charge per one electron by a dielectric constant of silicone which is a forming material of a SOI substrate 10.例文帳に追加

半導体装置１は、Ｐウェル層１２aの平均アクセプタ濃度と、Ｐウェル層１２ａの厚さとの積が、所定値と電子１個当たりの電荷量との積をＳＯＩ基板１０の形成材料であるシリコンの誘電率で除して得られる値よりも小さくなるように、Ｐウェル層１２ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a film forming apparatus, a method for calculating a film formation rate, a film forming method, and a method for producing an organic light-emitting element, which efficiently form a good-quality film by swiftly calculating a film formation rate and maintaining a generally constant concentration of organic material gas which is delivered to a substrate to be treated, and which enable easy maintenance.例文帳に追加

迅速に成膜速度を算出し、被処理基板へ供給する有機材料ガスの濃度を略一定にして良質な膜を効率良く形成することができ、保守管理も容易である成膜装置、成膜速度算出方法、成膜方法、有機発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

After a p-conductivity type epitaxial layer 2 having a specified film thickness and a specified impurity concentration is formed on a p-conductivity type semiconductor substrate 1, a surface protective film 5 is formed on the epitaxial layer 2 and an opening 6 reaching the epitaxial layer 2 is formed in the surface protective film 5.例文帳に追加

ｐ型の導電型を有する半導体基板１上に所定の膜厚および所定の不純物濃度でｐ型の導電型を有するエピタキシャル層２を形成し、エピタキシャル層２上に表面保護膜５を形成した後、表面保護膜５にエピタキシャル層２に達する開口部６を形成する。 - 特許庁

Thus, the semiconductor region 8 containing nitrogen ions disposed between the element separation portion and the semiconductor substrate 1 can prevent diffusion of impurities (particularly, boron constituting the p-type well) constituting the wells and thus can prevent reduction in the impurities concentration in the vicinity of the element separation portion, thereby ensuring pressure resistance at the element separation portion.例文帳に追加

このように素子分離と半導体基板１との境界に窒素イオンを含有する半導体領域８を設けたので、ウエルを構成する不純物（特に、ｐ型ウエルを構成するホウ素）の拡散を防止し、素子分離近傍の不純物濃度の低下を防止することができ、分離耐圧を確保することができる。 - 特許庁

To enable control of the desired position of the concentration distribution peak values of rare earth element ions and adjustment of the luminous intensity of a light-emitting element, by keeping the rare earth element ions in a predetermined distribution conditions and moving the diffusion region of rare earth element ions in a substrate depthwise direction through heat treatment.例文帳に追加

熱処理によって、希土類元素イオンの分布状態を所定の分布状態に保持して基板の深さ方向に希土類元素イオンの拡散領域を移動させることで、希土類元素イオンの濃度分布ピーク値の位置を所望の位置に制御して発光素子の発光強度を調節することを可能とする。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element where a reflection layer composed of a plurality of layers having different refractive indeces is formed on a substrate and a first clad layer, an active layer, and a second clad layer are formed thereon in sequence, an area including a semiconductor impurity of high concentration is provided in the periphery of the reflection layer and first clad layer.例文帳に追加

基板上に、屈折率の異なる複数の層から成る反射層を設け、この反射層上に、第一のクラッド層、活性層、および第二のクラッド層を設けた半導体発光素子において、前記反射層と第一のクラッド層の周辺部に半導体不純物を高濃度に含有する領域を設けた。 - 特許庁

To provide a removing a treatment liquid, a treatment method and a removing device of an organic system fouling on a substrate surface capable of removing even a resist film hardened and denaturalized by high-concentration ion implantation at room temperature and provided with a multi-repeatable treatment capacity using environment-friendliness and ozone regeneration at almost the same level of ethylene carbonate (EC) treatment.例文帳に追加

高濃度イオン注入で硬化変質したレジスト膜すら室温で除去することができ、炭酸エチレン（ＥＣ）処理並みの環境へのやさしさとオゾン再生を用いた多数回繰返し処理能力とを備えた、基板表面上の有機系付着物の除去用処理液と処理方法と除去装置とを提供する。 - 特許庁

A first low-dose ion implantation is made to a source forming region and a drain forming region located on both sides of the gate electrode, by implanting arsenic As+ or phosphorus P+ with a low concentration to a silicon substrate from a tilted direction in such a way that the impurities are doped in regions just underneath the edges of the polysilicon layer 16 (Fig. 1 (B)).例文帳に追加

ゲート電極の両側のソース形成予定領域とドレイン形成予定領域とに、ポリシリコン層１６の端部直下の領域に不純物が入り込むようにシリコン基板１０に対して斜めの方向からヒ素Ａｓ^+或いはリンＰ^+を低濃度でイオン注入して（図１（Ｂ））、１回目の低濃度イオン注入を行う。 - 特許庁

To provide an active matrix driven organic LED display unit and its manufacturing method, in which a short circuit between electrodes resulting from unevenness of a substrate, a pixel electrode, or the like, and degradation of the organic LED layer due to electric-field concentration, deterioration of display quality by dispersion in luminescence brightness, or the like, will not occur.例文帳に追加

基板、画素電極等の凹凸に起因する電極間のショート、電界集中による有機ＬＥＤ層の劣化、発光輝度のばらつきによる表示品位の低下等が発生しないアクティブマトリックス駆動型有機ＬＥＤ表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the chemiluminescence measuring method for reacting the chemiluminescence enhancer, enzyme and a chemiluminescence substrate, efficient measurement is enabled in a system increasing the relation of luminous quantity to the concentration of enzyme in a linear proportional manner by adding a luminous quantity regulating agent.例文帳に追加

本発明は、化学発光増強剤、酵素及び化学発光基質とを反応させる化学発光測定方法において、発光量調節剤を添加することにより酵素の濃度に対する発光量の関係を直線比例的に増加させる系で、効率的な測定を可能とする化学発光測定方法である。 - 特許庁

This manufacture is one for forming a CoSi2 film in a gate electrode 26 and source/drain regions 32, 34, and ions are injected to a Si substrate to form impurity layers 32, 34, and next a mask oxide film 30 is removed, and a high concentration As existing region 36 as a silicide reaction hindering layer is exposed to a metal face.例文帳に追加

本方法は、ゲート電極２６及びソース／ドレイン領域３２、３４にＣｏＳｉ_2 膜４０を形成する方法であって、Ｓｉ基板にイオン注入して不純物層３２、３４を形成し、次いでマスク酸化膜３０を除去して、シリサイド反応阻害層となる高濃度Ａs 存在域３６を金属面に露出させる（図３（ｂ））。 - 特許庁

An epitaxial layer 2 having an n-type conductivity type is formed by a specific film thickness and specific impurity concentration on a semiconductor substrate 1 having an n-type conductivity, a surface protection film 5 is formed on the epitaxial layer 2, and an opening 6 reaching the epitaxial layer 2 is formed at the surface protection film 2.例文帳に追加

ｎ型の導電型を有する半導体基板１上に所定の膜厚および所定の不純物濃度でｎ型の導電型を有するエピタキシャル層２を形成し、エピタキシャル層２上に表面保護膜５を形成した後、表面保護膜５にエピタキシャル層２に達する開口部６を形成する。 - 特許庁

The substrate which is especially preferably that difficult to be decomposed is decomposed by immobilizing the peroxidase in a structural unit having a size approximately corresponding to the enzymatic size of the peroxidase and structural stability, especially preferably a mesoporous silica porous body, in the presence of the oxidant of high concentration permitted by the immobilization.例文帳に追加

ペルオキシダーゼの酵素サイズとほぼ合致する大きさで構造安定性を有する構造ユニット、特に好ましくはメソポーラスシリカ多孔体中にペルオキシダーゼを固定化して、この固定化により許容される高濃度酸化剤の存在下に基質、特に好ましくは難分解性物質である基質を分解する。 - 特許庁

In a step of using an LT crystal to manufacture the LT substrate, the LT crystal is thermally treated longer than four hours in a holding temperature of 1200 to 1650°C under a low oxygen concentration atmosphere in any one of a cooling step after crystal growth, a thermal treatment step for thermal distortion removal and a polling treatment step.例文帳に追加

タンタル酸リチウム（ＬＴ）結晶を用いてＬＴ基板を製造する工程において、結晶育成後の冷却過程、熱歪み除去のための熱処理工程およびポーリング処理工程のいずれかで、ＬＴ結晶を低酸素濃度雰囲気下で、１２００〜１６５０℃の保持温度で、４時間以上、熱処理する。 - 特許庁

A manufacturing method of the glass substrate for the magnetic disk includes a step for polishing a principal surface of the glass substrate using an abrasive, wherein the abrasive has pH of 4 to 6 and the abrasive has polishing particles, a dispersion medium dispersing the polishing particles and an additive increasing an electrolyte concentration in the abrasive without changing pH of the abrasive.例文帳に追加

本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、ガラス基板の前記主表面に対して研磨材を用いて研磨を行う工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記研磨材のｐＨが４〜６であり、前記研磨材は、研磨粒子と、前記研磨粒子を分散させる分散媒と、前記研磨材のｐＨを変化させずに、前記研磨材における電解質濃度を上げる添加剤と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

This CMOS image sensor is provided with a silicon substrate 21; a silicon germanium epitaxial layer grown on the silicon substrate via an epitaxial process and doped with a predetermined concentration of impurities; an undoped silicon epitaxial layer grown on the silicon germanium epitaxial layer via the epitaxial process; and a photodiode region formed in a predetermined depth from the surface of the undoped silicon epitaxial layer 25 to one part of the silicon germanium epitaxial layer 100.例文帳に追加

本発明のＣＭＯＳイメージセンサは、シリコン基板と、該シリコン基板上にエピタキシャル工程を介して成長し、所定濃度の不純物がドーピングされたシリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、該シリコンゲルマニウムエピタキシャル層上に、エピタキシャル工程を介して成長させたアンドープのシリコンエピタキシャル層と、該アンドープのシリコンエピタキシャル層の表面から前記シリコンゲルマニウムエピタキシャル層の一部に至るまでの所定の深さに形成されたフォトダイオード領域とを備える。 - 特許庁

The electrode of measuring the thioredoxins is characterized in that a reaction layer having at least thioredoxin reductase and thioredoxin reproducing enzyme is arranged on a conductive substrate and succeedingly detects and measurs the electrical signal of the intensity depending on the concentration of thioredoxin without attenuating the intensity of the electrical signal with the elapse of time so far as a reproducing substrate is present even if the amount of thioredoxin contained in a measuring sample is very little.例文帳に追加

導電性基体上に、チオレドキシンレダクターゼ及びチオレドキシン再生酵素を少なくとも有する反応層を配置したことを特徴とし、測定試料中に含まれるチオレドキシンの量が微量であっても、再生基質が存在する限り、電気的信号強度が時間経過とともに減衰することなく、チオレドキシンの濃度に依存した強度の電気的信号を継続して検出・測定することが出来るチオレドキシン類測定用電極を提供する。 - 特許庁

When the source-drain diffusion layer of an MOSFET is formed, a gate electrode 13 having a sidewall is formed at first and In or As ions are implanted from a direction aligned with the orientation face of a substrate 1 using the gate electrode 13 as a mask thus forming a deep SD region 24 having a channeling tail of small concentration gradient in the depth direction of the substrate.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン拡散層を形成するにあたって、まず側壁を有するゲート電極１３を形成し、これをマスクとし且つ基板１１の配向面と整合した方向からＩｎ又はＡｓイオン注入を行って、基板深さ方向に濃度勾配が小さなチャネリングテールを有するディープＳＤ領域２４を形成し、次いで、Ｂ又はＡｓの通常のイオン注入によってソース・ドレイン領域２５を形成する。 - 特許庁

The MOSFET comprises a gate electrode formed on a first conductivity type semiconductor substrate, and a trench gate electrode formed contiguously to the gate electrode while being buried in a trench made in the surface of the semiconductor substrate and outputs an AND logic for each gate input wherein the impurity concentration directly below the gate electrode is set higher than that directly below the trench gate electrode.例文帳に追加

第１導電型半導体基板上に形成されたゲート電極と、該ゲート電極に隣接し、前記半導体基板表面に形成されたトレンチ内に埋め込み形成されたトレンチゲート電極とを有し、それぞれのゲート入力に対してＡＮＤ論理を出力するＭＯＳＦＥＴであって、前記ゲート電極直下の不純物濃度が、トレンチゲート電極直下の不純物濃度よりも高く設定されているＭＯＳＦＥＴ。 - 特許庁

Consequently, contact regions 13a-13e for selectively increasing the dopant concentration in the surface, a polycrystalline silicon 14 and an oxide silicon film 14a, formed inside trenches T2 for demarcating magnetism detecting portions HP inside the substrate, and the silicon 14 and the silion film 14a formed inside trenches T1 for isolating the Hall element from other elements, are selectively exposed on the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

これにより、同半導体基板の表面には、同表面の不純物濃度を選択的に高めるコンタクト領域１３ａ〜１３ｅと、同基板内に磁気検出部ＨＰを区画形成するトレンチＴ２内の多結晶シリコン１４および絶縁膜の酸化シリコン膜１４ａと、当該ホール素子を他の素子と素子分離するトレンチＴ１内の多結晶シリコン１４および絶縁膜の酸化シリコン膜１４ａとが選択的に露出される。 - 特許庁

The method for producing an insulation film comprises a first heating step for generating a siloxane bond after coating a substrate with a coating liquid containing at least one kind of compound capable of generating a siloxane bond through dehydration condensation, and an organic polymer, and a second heating step for removing the organic polymer wherein a oxygen concentration is not higher than 1000 ppm when a substrate temperature is not lower than 200°C.例文帳に追加

脱水縮合によりシロキサン結合を生成し得る少なくとも１種類以上の化合物と、有機高分子と、を含有する塗布液を基板上に塗布した後、シロキサン結合を生成させるための第一の加熱工程と、引き続き、有機高分子を除去するための第二の加熱工程とからなる絶縁膜の製造方法において、基板温度が２００℃以上となっている場合の酸素濃度が１０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする絶縁膜の製造方法。 - 特許庁

This is a titanium substrate 1 for fuel cell separator used for manufacture of a separator used in a fuel cell, and the material is made of pure titanium or a titanium alloy, and on the surface layer 2 of the titanium substrate 1, the concentration of carbon having a bonding energy between 280-284 eV measured by X-ray photoelectron spectroscopy analysis is 25 atom% or less.例文帳に追加

本発明に係る燃料電池セパレータ用チタン基材１は、燃料電池に用いられるセパレータを製造するための燃料電池セパレータ用チタン基材であって、当該燃料電池セパレータ用チタン基材１の材質が純チタンまたはチタン合金であり、当該燃料電池セパレータ用チタン基材１の表層２においてＸ線光電子分光分析により測定された２８０〜２８４ｅＶの間に結合エネルギーを有する炭素の濃度が２５原子％以下であることを特徴としている。 - 特許庁

This invention relates to the cylindrical substrate cleaning method utilizing at least one aqueous solution for cleaning and is characterized by dipping the cylindrical substrate into the aqueous solution at least once, with at least the last dipping solution substantially containing silica at a concentration of 30 mg/l or less.例文帳に追加

少なくとも、水系溶液により洗浄を行う洗浄処理を施す円筒状基体の洗浄方法であって、前記水系溶液により洗浄を行う洗浄処理が、水系溶液中に前記円筒状基体を少なくとも１回浸漬する処理であり、前記水系溶液のうち、少なくとも最後に浸漬するための前記水系溶液が実質的にシリカを含有し、該シリカ濃度が３０ｍｇ／リットル以下であることを特徴とする円筒状基体の洗浄方法である。 - 特許庁

The method for improving the adhesion between the metal thin film of a conducting layer and the electroplated film, comprises immersing the substrate provided with the metal thin film of the conducting layer, into a liquid of pH 2 or lower, which includes a predetermined concentration of a coupling agent having metal scavenging ability, before electroplating metal.例文帳に追加

導電層となる金属薄膜の付いた基板に対し、下記濃度の金属補足能を有するカップリング剤を含むｐＨ２．０以下の液へ浸漬処理を行い、その後に電気金属めっきを行うことを特徴とする導電層となる金属薄膜と電気めっき膜との密着性を向上させる金属膜間密着性向上方法。 - 特許庁