「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

The InSn particle coat 13 and the InSn complex coat 23 are fired in a low oxygen atmosphere where an oxygen concentration is 0.01-10%, and then annealed in a reduction atmosphere to form a transparent conductive film 30 comprising ITO and excellent in both light transmittance and conductivity on the substrate 10 (E).例文帳に追加

これを酸素濃度０．０１〜１０％の低酸素雰囲気で焼成し、続いて、還元雰囲気でアニールすると、ＩＴＯからなり光透過率及び導電性が共に優れた透明導電膜３０が、基板１０上に形成される（Ｅ）。 - 特許庁

An extended drain region 2 formed of n-type impurity and a source region 3, formed of n-type impurity in a concentration of about 3×10^15 to 1×10^16cm^-3 having the depth of about 3 to 5 μm, are formed on a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１に、約３〜５μｍ程度の深さを有する約３×１０^15〜１×１０^16ｃｍ^-3の濃度のｎ型不純物からなる延長ドレイン領域２及び、ｎ型不純物からなるソース領域３を形成する。 - 特許庁

As to the method for forming a laminated film in which metallic oxide thin films and metallic thin films are deposited on a substrate in a laminated manner by a sputtering method, the concentration of oxygen in an atmospheric gas at the time of depositing the metallic oxide thin films is controlled to 5 to 15 vol%.例文帳に追加

スパッタリング法により、基板上に金属酸化物薄膜と金属薄膜とを積層形成する積層膜の形成方法において、金属酸化物薄膜を形成する際の雰囲気ガス中の酸素濃度を５〜１５ｖｏｌ％とする。 - 特許庁

To provide wet stripping/cleaning method and equipment in which damage on an underlying film, e.g. a metal thin film or a semiconductor thin film, formed on a substrate is reduced even if the concentration of oxidation species and reduction species is increased in order to increase the processing speed.例文帳に追加

処理速度の増加を目的として、酸化種および還元種の濃度を増加させても、基板上に形成された金属薄膜または半導体薄膜などの下地膜のダメージが少ないウェット剥離洗浄方法および装置を提供する。 - 特許庁

To suppress the concentration of carriers in a diode region during the reverse recovery of the diode region, to suppress recovery destruction and to reduce switching loss, in a semiconductor device for which an IGBT region and the diode region are formed on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

ＩＧＢＴ領域とダイオード領域とが同一半導体基板に形成された半導体装置において、ダイオード領域の逆回復時にダイオード領域へキャリアが集中することを抑制し、リカバリ破壊を抑制し、スイッチング損失を低減する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is not reduced in the nitrogen introducing amount, suppressed in the introduction of damage to an insulating film, and is suppressed in an increase of the nitrogen concentration at the interface between the insulating film and a semiconductor substrate.例文帳に追加

窒素導入量を低減させることなく、絶縁膜へのダメージの導入を抑制し、かつ絶縁膜と半導体基板との界面における窒素濃度の増大を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Here, the substrate silicon wafer 11 is constituted of a single-crystal silicon bulk 11a which contains a high-concentration dopant, and a single-crystal silicon surface 11b and single-crystal silicon rear face 11c, respectively having resistivity higher than that of the single-crystal silicon bulk 11a.例文帳に追加

ここで、下地シリコンウェーハ１１は、高濃度のドーパントを含有する単結晶シリコンバルク部１１ａと、該単結晶シリコンバルク部１１ａより抵抗率の高い単結晶シリコン表面部１１ｂおよび単結晶シリコン裏面部１１ｃから構成される。 - 特許庁

In this way, the impurity concentration can be easily made higher in a portion to be formed for insertion into the lower part of an n^+-source region 8 in the p^+-type contact region 9 than in a portion to be formed on the substrate surface side of a p-type base region 7.例文帳に追加

これにより、容易にｐ^+型コンタクト領域９のうちのｎ^+型ソース領域８の下方に入り込むように形成される部分をｐ型ベース領域７の基板表面側に形成される部分よりも不純物濃度が濃くできる。 - 特許庁

The super-junction semiconductor element makes a current flow in an ON state, and provides an n^-high-resistance layer 32a located between a semiconductor substrate region 32 which becomes depletion in an OFF state and a low-resistance layer 31, for having the same conductivity type as the low-resistance layer 31 and a low impurity concentration.例文帳に追加

オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化する半導体基体領域３２と低抵抗層３１との間に低抵抗層３１と同じ導電型で、かつ不純物濃度が低いｎ^-高抵抗層３２aを設ける。 - 特許庁

To prevent the occurrence of cavities in a trench formed in a semiconductor substrate when the trench is filled with polycrystalline silicon, and to prevent variations in the concentration of impurities introduced into the polycrystalline silicon with which the trench is filled.例文帳に追加

半導体基板に形成した溝内に多結晶シリコンを充填するときに溝内部で“す”が発生するのを抑止すると共に、溝内に充填された多結晶シリコンに不純物を導入する場合にその不純物濃度のばらつきを抑制すること。 - 特許庁

In a semiconductor device, gallium nitride semiconductor layers are stacked on a high-concentration silicon substrate, and an active region to which main current flows is surrounded by a non-doped gallium nitride compound semiconductor layer on the surface at the gallium nitride semiconductor layers side.例文帳に追加

高濃度シリコン基板の上に窒化ガリウムの半導体層を積層し、窒化ガリウム半導体層側の表面には、主電流の流れる活性領域の周囲がノンドープ窒化ガリウム化合物半導体層により方位される構成の半導体装置とする。 - 特許庁

To enable to evade concentration of stress of a connecting part between a connector and a strip line caused by the difference in thermal expansion-coefficient between a conductor chassis and a dielectric substrate, and to improve reflection characteristics of a transmission line by a simple structure.例文帳に追加

導体シャーシと誘電体基板との熱膨張率の差異によるコネクタとストリップラインとの間の接続部のストレスの集中を回避するとともに簡単な構造で伝送線路の反射特性を改善する高周波モジュールを提供する。 - 特許庁

The hydrogen gas sensor includes a sensor element made up of a titanium oxide as a principal component, wherein a minute hole having an internal diameter of 500 nm or below, or a minute tube having an outer diameter of 1,000 nm or below, is formed on an insulating substrate, and is configured such that the electric resistance of the sensor element is varied in dependence upon a hydrogen concentration.例文帳に追加

水素ガスセンサは、絶縁基板上に内径500nm以下の微細孔又は外径1000nm以下の微細筒が形成されたチタン酸化物を主成分とするセンサ素子を有し、水素濃度に依存してセンサ素子の電気抵抗が変化する。 - 特許庁

Even if the composition of high concentration nitric acid fluoride etches the SiO_2 layer only slightly, etching of the Si substrate finishes at high speed and since etching of the SiO_2 layer does not progress substantially, the SiO_2 layer having a flat surface is exposed.例文帳に追加

高濃度フッ硝酸の組成が僅かにＳｉＯ_2層をエッチングするものであっても、Ｓｉ基板のエッチングが高速に終了するため、実質的にＳｉＯ_2層のエッチングはほとんど進まず、平坦な表面を有するＳｉＯ_2層が露出する。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with a semiconductor substrate and a MOS-type semiconductor element formed in the element region of the semiconductor substrate while at least one corner of the element region or the end parts of the same, which are superposed on a gate electrode, are given a concentration of impurities, which is lower than those of the element region.例文帳に追加

半導体基板と、この半導体基板の素子領域に形成されたＭＯＳ型半導体素子とを具備し、前記素子領域の角部の少なくとも１つ、又は前記素子領域の、ゲ−ト電極と重なる領域の端部は、前記素子領域のそれら以外の部分よりも低い不純物濃度を有することを特徴とする。 - 特許庁

After a first-conductivity impurity is injected into the whole surface of a first-conductivity semiconductor substrate 201, a first-conductivity diffusing layer 200 and second-conductivity wells 202 and 203 higher in concentration that the substrate 201 are formed in a desired area by selectively injecting n-type dopants, such as the P, As, etc., into the area.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板２０１全面に半導体基板と同一導電型の不純物を注入した後、所望領域に、選択的に、Ｐ、Ａｓ等のＮ型ド−パンを注入し、熱拡散により半導体基板２０１より高濃度の第１導電型拡散層２００と第２導電型ｗｅｌｌ２０２，２０３を形成する。 - 特許庁

To shorten a DNA chip production time to enhance productivity by promoting a reaction of a substrate with a probe in a probe solution, and to reduce a required concentration of the probe in the probe solution to reduce a cost of a DNA chip by promoting the reaction of the substrate with the probe in the probe solution, in a liquid imparting device used in DNA chip production.例文帳に追加

DNAチップ製造に使用される液体付与装置において、基板とプローブ溶液内のプローブの反応を促進することで、DNAチップ製造時間を短縮し生産性を向上することと、基板とプローブ溶液内のプローブの反応を促進することで必要なプローブ溶液内のプローブの濃度を減少させDNAチップのコストダウンを行うこと。 - 特許庁

(c) The semiconductor substrate is then fused in a range narrower than the depth of narrowest peak position from the first surface out of the positions where the impurity concentration has a peak, and the first surface of the semiconductor substrate is irradiated with a laser beam on condition that the deepest position from the first surface has a temperature equal to or higher than the target temperature.例文帳に追加

（ｃ）不純物の濃度がピークとなる位置のうち、第１の表面から最も浅いピーク位置の深さよりも浅い範囲で半導体基板を溶融させ、かつ、不純物が添加されている、第１の表面から最も深い位置を、目標温度以上の温度とする条件で、半導体基板の第１の表面にレーザビームを照射する。 - 特許庁

The coating apparatus is provided with an application part which applies a liquid body including the metal that is easily oxidized on a substrate, a chamber which surrounds an application space for the liquid body to be applied by the application part and a transferring space after the application of the substrate that the liquid body has been applied, and an adjustment part which adjusts at least one of the oxygen concentration and humidity within the chamber.例文帳に追加

易酸化性の金属を含む液状体を基板に塗布する塗布部と、前記塗布部によって前記液状体の塗布される塗布空間及び前記液状体の塗布された前記基板の塗布後移動空間を囲むチャンバと、前記チャンバ内の酸素濃度及び湿度のうち少なくとも一方を調整する調整部とを備える。 - 特許庁

To form an FET having good characteristics by raising the concentration of nitride in the vicinity of the surface of a gate insulating film on the side reverse to the interface of the gate insulating film and a silicon substrate, while suppressing diffusion of nitrogen to the vicinity of the interface, in a process for fabricating a semiconductor device by forming a gate insulating film containing nitrogen on the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上に窒素含有ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜のシリコン基板との界面付近への窒素の拡散を抑制しつつ、界面とは逆側のゲート絶縁膜の表面付近の窒素濃度を高めることにより、良好な特性を有するＦＥＴを形成する。 - 特許庁

With an MOS type capacitor employed as a variable capacity element, a second conductive type diffusion region 15 is provided which covers a first conductive type high-concentration diffusion region 3 constituting a substrate electrode except for the vicinity of the end of a gate insulating film 5, so that a variable resistor is formed within the substrate electrode to enhance the capacitor change coefficient.例文帳に追加

可変容量素子をＭＯＳ型コンデンサとし、基板電極を構成する第１導電形の高濃度拡散領域３の周囲のうち、ゲート絶縁膜５の端付近以外を被う第２導電形の拡散領域１５を設けることにより、基板電極内に可変抵抗部分を形成して、容量変化率を助長する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive composition for color filter exhibiting excellently developability even when the composition contains a high concentration of a pigment, generating no residue and no stain on a substrate in an unexposed part and on a light shielding layer in development, also being excellent in surface flatness and smoothness and further offering pixels with excellent adhesion property to the substrate and the light shielding layer.例文帳に追加

顔料を高濃度で含む場合でも良好な現像性を示し、現像時に未露光部の基板上および遮光層上に残渣および地汚れを生じることがなく、また表面平滑性が優れ、かつ基板および遮光層への密着性にも優れた画素を与えるカラーフィルタ用感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁

In the process for producing a semiconductor substrate by epitaxially growing an SiGe epitaxial layer containing Ge at a set concentration and a silicon thin film sequentially on an SOI substrate and then performing heat treatment a plurality of times at a specified temperature in an oxidizing atmosphere, a silicon thin film is formed after the oxide film is removed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に設定した濃度のＧｅを含むＳｉＧｅエピタキシャル層とシリコン薄膜とを順次エピタキシャル成長を形成し、次に酸化雰囲気下で所定の温度と時間で熱処理を複数回行なった基板において、酸化膜を除去した後にシリコン薄膜を形成したことを特徴とする半導体基板の製造方法である。 - 特許庁

A concentration height pattern of a photocarrier near the semiconductor substrate surface generated through the irradiation by the irradiation sections causes the pattern different in the complex refractive index from the electromagnetic waves 02 of the wavelength having the photon energy lower than that of the band gap energy of the semiconductor substrate 01, thereby controlling the space propagation state of the electromagnetic waves 02 with which the surface of the pattern is irradiated.例文帳に追加

照射部による照射で生じた半導体基板表面近傍のフォトキャリアの濃度高低パターンが、半導体基板01のバンドギャップエネルギーより低い光子エネルギーを持つ波長の電磁波02に対して複素屈折率が異なるパターンを生じさせることによって、このパターン上に照射される電磁波02の空間伝搬状態を制御する。 - 特許庁

The light emitting device includes a substrate 1, a light emitting element 2 mounted on the substrate 1, and a sealing resin 5 for sealing the light emitting element 2 by the resin material 3 and containing the magnetized functional additive 4, and a high concentration additive region H resulting from concentrating the functional additive 4 by a magnetic field at sealing of the resin material 3.例文帳に追加

基板１と、基板１上に搭載された発光素子２と、発光素子２を樹脂材３により封止すると共に磁性化された機能性添加剤４が含有された封止樹脂部５とを備え、封止樹脂部５内に、機能性添加剤４を樹脂材３の封止時に磁場により集中させた高濃度添加領域Ｈが形成されている。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of improving a solvent concentration by generating solvent steam in a depressurized atmosphere, further improving drying efficiency for a substrate and highly accurately controlling the pressure in a chamber in depressurization by supplying not so much carrier gas such as nitrogen gas into the chamber.例文帳に追加

減圧環境下で溶剤蒸気を発生させることにより、溶剤濃度を高くすることができ、基板に対する乾燥効率をより向上させることができるとともに、チャンバ内への窒素ガス等のキャリアガスの大量供給を行わないことにより、減圧時のチャンバ内圧力を精度よく制御することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

In order to apply, in particular, the CVD process, the gas is divided into partial flows, and the particle concentration or the retention time of the partial flows on the substrate surface or immediately in the vicinity of the substrate surface is regulated so that the particles of the equal quantity are deposited or reacted for each unit area or each unit time.例文帳に追加

基板の面を所望の範囲で被覆し、又はガスと反応させて処理し、その際特にＣＶＤ法を適用するために、ガスを部分流に分割し、単位面積及び単位時間につき等量の粒子が析出ないしは反応するように、基板の面上又は面の直近の、部分流の粒子濃度ないしは滞留時間を調整する。 - 特許庁

The thin-film-forming apparatus for forming the thin film on the substrate by applying high-frequency voltage on facing electrodes to generate discharge plasma, thereby exciting a gas containing a thin-film-forming gas, and exposing the substrate to it, has a means for controlling oxygen concentration at least in a region which allows presence of the excited gas.例文帳に追加

高周波電圧を対向する電極間に印加することにより放電プラズマを発生させ、薄膜形成ガスを含有するガスを励起して基材を晒すことにより当該基材上に薄膜を形成する薄膜形成装置において、少なくとも前記励起ガスの存在領域での酸素濃度の制御手段を有する薄膜形成装置。 - 特許庁

The lithographic printing plate includes a hydrophilic layer containing a water-soluble polymer and a crosslinking agent that crosslinks the water-soluble polymer on a plastic film substrate, and further includes an image forming layer thereon, wherein the lithographic printing plate includes a gelatin-containing layer having a calcium ion concentration of not more than 1,000 ppm between the hydrophilic layer and the plastic substrate.例文帳に追加

プラスチックフィルム支持体上に、水溶性ポリマーと該水溶性ポリマーを架橋する架橋剤を含有する親水性層を有し、更にその上に画像形成層を有する平版印刷版において、該親水性層とプラスチック支持体との間に、カルシウムイオン濃度が１０００ｐｐｍ以下であるゼラチン含有層を有することを特徴とする平版印刷版。 - 特許庁

Firstly, multiple PN joints are formed on a semiconductor substrate below a winding belt-like conductive film that makes up an inductance element, and an extension of a depletion layer can be expanded by applying reverse bias voltage to the PN joints even if the concentration of impurities on the substrate surface is high, thus depleting the layer completely.例文帳に追加

第１は、インダクタンス素子を構成する巻き線状の帯状導電膜の下の半導体基板表面に、複数のＰＮ接合を形成し、そのＰＮ接合に逆バイアス電圧を印加することで、基板表面の不純物濃度が高くても、その空乏層の延びを大きくすることができ、完全に空乏化させることが可能になる。 - 特許庁

In the horizontal direction of the semiconductor substrate 11, the source diffusion later 17A and the drain diffusion layer 17B are not expanded in the transverse direction, and in the depth direction, a boron concentration near each boundary between the silicide layer 21A and the source diffusion layer 17A and between the silicide layer 21B and the drain diffusion layer 17B become larger than that near the surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の水平方向には、ソース拡散層１７Ａおよびドレイン拡散層１７Ｂが横方向に拡がらず、深さ方向には、シリサイド層２１Ａとソース拡散層１７Ａ、シリサイド層２１Ｂとドレイン拡散層１７Ｂのそれぞれの境界付近のボロンの濃度が半導体基板１１の表面付近の濃度より大きくなる。 - 特許庁

In the etching method where a silver or silver alloy thin film present on the surface of a substrate is subjected to etching with an etching liquid, the etching liquid in which the concentration of silver ions is 0.005 to 1 wt.% is filled into an etching liquid feeding apparatus, and the etching liquid is brought into contact with the surface of the substrate having the silver or silver alloy thin film layer.例文帳に追加

基板表面に存在する銀又は銀合金薄膜層をエッチング液によりエッチングする方法であって、銀イオン濃度が０．００５〜１重量％のエッチング液を、エッチング槽又はエッチング液供給装置に充填し、該エッチング液を、銀又は銀合金薄膜層を有する基板表面に接触させるエッチング方法。 - 特許庁

The magnetic recording medium is mounted on the magnetic recording device, and the magnetic recording medium includes a soft magnetic layer formed on a substrate, a plurality of magnetic patterns comprising a projecting ferromagnetic layer provided apart from each other on the soft magnetic layer, and the non-magnetic layer formed between the plurality of magnetic patterns and having nitrogen concentration higher on the surface side than that on the substrate side.例文帳に追加

基板上に形成された軟磁性層と、前記軟磁性層上に互いに分離して設けられた凸状の強磁性層からなる複数の磁性パターンと、前記複数の磁性パターン間に形成された、窒素濃度が基板側よりも表面側で高い非磁性層とを具備した磁気記録媒体を搭載したことを特徴とする磁気記録装置。 - 特許庁

Bonding strength between outermost connection terminals 2d and 4d is enhanced, by widening the outermost connection terminals 2d and 4d susceptible to concentration of stress, thus preventing exfoliation of the outermost connection terminals 2d and 4d due to stress, occurrence of abnormal electrical connection, and damages to the coupling of a film substrate 1 and a substrate 3.例文帳に追加

応力が集中しやすい最外側接続端子２ｄ，４ｄを幅広に形成して最外側接続端子２ｄ，４ｄ間の接着強度を強化し、応力による最外側接続端子２ｄ，４ｄ間の剥離、及び電気的接続に異常が生じること、及びフィルム基板１と基体３との連結が損なわれることを防止する。 - 特許庁

The method of manufacturing the solar battery includes: a step of applying the alcoholic solution of phosphorous acid to a p-type semiconductor substrate by the inkjet method so that the dots of the alcoholic solution of the phosphorous acid partially overlap; and a step of forming the n-type diffusion layer of a different phosphor concentration on the p-type semiconductor substrate by thermally diffusing phosphor.例文帳に追加

リン酸のアルコール溶液のドットが一部重なり合うようにリン酸のアルコール溶液をインクジェット法によりｐ型半導体基板に塗布する工程と、リンを熱拡散させることによりｐ型半導体基板上にリン濃度の異なるｎ型拡散層を形成する工程とを備えることを特徴とする太陽電池の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of manufacturing a high quality semiconductor device by suppressing a large fluctucation in oxide film thickness caused by a large difference of hydrogen concentration depending on a place of an arrangement of the substrate when an isotropic oxidation is conducted by a batch type vertical device, and to provide a substrate processor.例文帳に追加

本発明の目的は、等方性酸化をバッチ式の縦型装置にて実施する場合に、基板配置場所により水素濃度が異なり酸化膜厚が大きく変動するのを抑制し、高品質な半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

In the solar cell comprising an intrinsic microcrystalline silicon layer 2, and an amorphous or microcrystalline silicon layer 3 of second conductivity type opposite to first conductivity type formed in this order on a first conductivity type crystalline silicon substrate 1, total impurity concentration of the crystalline silicon substrate 1 is in the range of 1 ppm to 2%.例文帳に追加

第１の導電型の結晶シリコン基板１上に、真性微結晶シリコン層２と、第１の導電型と反対導電型の第２の導電型の非晶質或いは微結晶シリコン層３の順に形成された太陽電池において、結晶シリコン基板１の不純物濃度の総量が１ｐｐｍ〜２％の範囲であることを特徴とする。 - 特許庁

To increase a reliability with respect to both a hot carrier and an NBT by optimizing the concentration of nitrogen introduced into an interface between a gate oxide film and a substrate (well) of four kinds of MISFETs having different conductivity types and different thicknesses for the gate oxide film.例文帳に追加

導電型およびゲート酸化膜厚の異なる４種類のＭＩＳＦＥＴのゲート酸化膜と基板（ウエル）の界面に導入する窒素の濃度を最適化することによって、ホットキャリアに対する信頼性とＮＢＴに対する信頼性を両立させる。 - 特許庁

To provide a polyamic acid solution composition which is excellent in storage stability even at a high concentration and a low viscosity, and can give a polyimide film having excellent mechanical characteristics without cracking the film by a method for coating the solution composition on a substrate to form a filmy product and then thermally treating the filmy product.例文帳に追加

高濃度且つ低粘度でも保存安定性が優れ、基材に塗布して膜状物に成形し次いで加熱処理する方法で膜のひび割れなしに機械的特性が優れたポリイミド膜を得ることができるポリアミック酸溶液組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for liquid treatment enabling uniform development for a substrate to be processed, such as a reticle by preventing a loading effect in which the etching rate, etc., changes due to local variations in amounts of dissolution product or concentration of developer liquid.例文帳に追加

溶解生成物の生成量や現像液の濃度が局所的に異なり、エッチング速度等が変化するローディング効果を防止し、レチクル等の被処理基板に対する均一な現像処理が可能な液処理方法及び液処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a vapor deposition device capable of making uniform a gas concentration distribution on a substrate surface to be film-deposited in a growth chamber when introducing a raw material gas from peripheral parts, and capable of improving the thickness of a deposited film and a composition ratio.例文帳に追加

原料ガスを周辺部から導入した場合に、成長室の被成膜基板面上のガス濃度分布を均一化することができ、成膜厚や組成比を向上させることができる気相成長装置及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The MISFET 10 is provided with a p-type substrate 1 having a channel region 20 of impurity concentration C, an SiO_2 insulation film 11 formed on the channel region 20, and an HfSiON insulation film 12 formed on the insulation film 11.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴ１０は、不純物濃度Ｃのチャネル領域２０を有するｐ型の基板１と、チャネル領域２０上に形成された、ＳｉＯ_2よりなる絶縁膜１１と、絶縁膜１１上に形成されたＨｆＳｉＯＮよりなる絶縁膜１２とを備えている。 - 特許庁

A Co-Fe-B alloy layer being in an amorphous state can be obtained even at B concentration of 10 at% or less by holding temperature of the substrate at 100°C below freezing point from a process in which Co-Fe-B in a second ferromagnetic layer is film-formed through a process in which an insulating barrier layer MgO is film-formed.例文帳に追加

第２の強磁性層中のCo-Fe-Bを成膜する工程から絶縁障壁層ＭｇＯを成膜する工程にかけて、基板の温度を氷点下１００℃に保つことにより、Ｂ濃度10at%以下でもアモルファス状態のCo-Fe-B合金膜を得ることができる。 - 特許庁

The complementary ratcher includes a through hole 38 arranged on the plumb bob 36 and a locking member 37 arranged on the substrate 35 to be inserted into the through hole 38, so that a contact area at the time of collision is large, thereby preventing destruction due to stress concentration.例文帳に追加

相補型係止手段は、重錘体３６に設けられた貫通孔３８と、基板３５上に設けられ、貫通孔３８に挿入する係止部材３７とからなっているので、衝突時の接触面積が大きく、応力集中による破壊を防止する。 - 特許庁

Various cells, especially CD-34 positive hematopoietic system stem cells or mesenchymal stem cells which have been hardly obtained in a sufficient yield with a conventional technique, can be cultured in a serum-free state or in a low concentration serum state (about 1 to 2%) on a substrate coated with the fine particles.例文帳に追加

また、前記微粒子で表面を被覆した基板上で、各種細胞、特に従来は十分な収率が得られにくかったCD-34陽性造血系幹細胞や間葉系幹細胞の無血清或いは低濃度血清培養（1~2％程度）が可能となった。 - 特許庁