「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

A P type impurity concentration distribution having a steep slope in the depth direction is formed by forming a P type substrate region 3 becoming a channel region by ion implantation after a process for forming a gate insulating film 4 on the wall face of a trench T.例文帳に追加

トレンチＴの壁面上にゲート絶縁膜４を形成する工程よりも後に、チャネル領域となるＰ型基板領域３をイオン注入法により形成することによって、深さ方向に急峻な勾配を有するＰ型不純物濃度分布を形成する。 - 特許庁

The resistance is lowered by bringing the first amorphous silicon layer 2 having the highest impurity concentration into contact with a substrate 8, the HSG silicon film 5 is formed on the surfaces of the second and third amorphous silicon layers 3 and 4 having the lower impurity concentrations, and the surface is roughened.例文帳に追加

最も高不純物濃度の第１のアモルファスシリコン層２が基板８とコンタクトすることで低抵抗化が図られ、より低不純物濃度の第２，第３のアモルファスシリコン層３，４表面にＨＳＧシリコン膜５が形成されて粗面化が図られる。 - 特許庁

An n-type ZnTh layer 2 doped at a high concentration of 1×10^17 cm^-3 or higher is grown on a substrate 1 by using molecular-beam epitaxy for the crystal growth method, wherein Al is used for the dopant, and growth condition for the ZnTh is optimized.例文帳に追加

基板１上に結晶成長法として分子線エピタキシを用い、不純物としてＡｌを用い、前記ＺｎＴｅの成長条件の最適化を行うことによって、１×１０^17ｃｍ^-3以上の高濃度ｎ型ＺｎＴｅ層２の成長を行う。 - 特許庁

To provide an etching simulation method and an etching simulation device where the flow velocity of an etching solution and the concentration of a waste solution on a substrate are predicted, and, additionally, the local flow in the vicinity of a pattern, the progression velocity of etching in a cavity, the shape change thereof or the like are predicted.例文帳に追加

基板上のエッチング液の流速や廃液濃度を予測するのに加えて、パターン近傍の局所的な流れやキャビティのエッチング進行速度と形状変化等を予測するエッチング・シミュレーション方法及びエッチング・シミュレーション装置を提供する。 - 特許庁

In a power MISFET 20, a BOX layer (an oxide film layer) 2 is formed on the surface of a first silicon substrate 1, and an N^+ source layer 7, a P layer 6, an offset layer 5 of low impurity concentration and an N^+ drain layer 8 are provided in this order on the surface of the BOX layer 2.例文帳に追加

パワーＭＩＳＦＥＴ２０は、第１のシリコン基板１の表面上にＢＯＸ層（酸化膜層）２が形成され、このＢＯＸ層２の表面上にＮ^＋ソース層７、Ｐ層６、低不純物濃度オフセット層５、Ｎ^＋ドレイン層８が設けられている。 - 特許庁

Here, the impurity concentration of the P silicon substrate 3 is 1×10^16 cm^-3 or more (specific resistance is 1.5 Ω-cm or lower) when fixed to a ground electric potential while 1×10^15 cm^-3 or less (specific resistance is 15 Ω-cm or higher) in a floating state.例文帳に追加

ここで、Ｐシリコン基板３の不純物濃度は、グランド電位に固定されるときは１×１０^16ｃｍ^-3以上（比抵抗１．５Ω−ｃｍ以下）、フローティング状態にされるときは１×１０^15ｃｍ^-3以下（比抵抗１５Ω−ｃｍ以上）とする。 - 特許庁

To provide a piezoelectric actuator manufacturing method in which stress concentration occurring in a laminated body is eased when the laminated body of a ceramic material layer after sintering is bonded to a substrate, to thereby protect the ceramic material layer from breakage such as cracking and fracture.例文帳に追加

焼成後のセラミックス材料層の積層体を基材に接合する際に、積層体に生じる応力集中を緩和して、セラミックス材料層に割れや亀裂等の破損が生じるのを抑制することが可能な、圧電アクチュエータの製造方法を提供すること。 - 特許庁

In this invention, utilizing a phenomenon in which a high concentration ion implantation region in a diamond substrate 101 is reformed into graphite, the reformed graphite layer 104 is electrochemically etched away as a sacrificial layer, and a diamond layer left behind thereon is used as a movable structure.例文帳に追加

本発明は、ダイヤモンド基板１０１内の高濃度イオン注入領域がグラファイトに改質されることを利用し、改質されたグラファイト層１０４を犠牲層として電気化学エッチング除去し、その上に遺されたダイヤモンド層を可動構造体とする。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor having at least an undercoat layer and a photosensitive layer on an electrically conductive substrate, is characterized in that the undercoat layer contains at least a polyamide resin and the concentration of amino groups in the polyamide resin is ≤80 μeq/g.例文帳に追加

導電性基体上に少なくとも下引き層及び感光層を有する電子写真感光体において、該下引き層が少なくともポリアミド樹脂を含み、該ポリアミド樹脂のアミノ基濃度が８０μｅｑ／ｇ以下であることを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The toluene detection sensor system has means to use a sensitive membrane holding an immobilized enzyme having activity inhibited by toluene, perform an enzymatic reaction in a reactor containing a substrate of the enzyme at a definite concentration and detect the inhibited activity of the enzymatic reaction.例文帳に追加

トルエン検出用センサシステムは、トルエンによって活性が阻害される酵素が固定化された感応膜を用い、一定濃度の前記酵素の基質を含む反応槽内で酵素反応を実施し、前記酵素反応の阻害活性を検出する手段を有する。 - 特許庁

After forming the gate electrode 103 on a silicon substrate 100, ion implantation is performed with the gate electrode 103 as a mask to form low concentration impurity regions 104, and thereafter first sidewall spacer 105 are formed on the side surfaces of the gate electrode 103.例文帳に追加

シリコン基板１００の上にゲート電極１０３を形成した後、ゲート電極１０３をマスクとしてイオン注入を行なって低濃度不純物領域１０４を形成し、その後、ゲート電極１０３の側面に第１のサイドウォールスペーサ１０５を形成する。 - 特許庁

The device comprises at least one type of calibrating labels and a given substrate having at least one test region and containing various types of reagent compositions for determining the concentration of the given assay in the sample.例文帳に追加

本発明の装置は少なくとも１種類の較正用の標識および上記サンプル中の一定の分析物の濃度を決定するための各種の試薬組成物を含有している少なくとも１個の試験領域を有する一定の基材を備えている。 - 特許庁

Consequently, the impurity concentration of the support substrate 2 is made low on the side of a high-potential reference circuit unit HV to make a depletion layer spread and have larger depletion layer capacitance, and the composite capacitance with the buried oxide film 3 is made small to suppress the displacement current.例文帳に追加

これにより、高電位基準回路部ＨＶ側では、支持基板２の不純物濃度を低くして空乏層が広がるようにすることで空乏層容量を大きくし、埋込酸化膜３との合成容量を小さくすることで変位電流を抑制できる。 - 特許庁

The diode element is equipped with a semiconductor substrate that is partitioned into a first semiconductor region, a second semiconductor region, and the like; and an intermediate semiconductor region having impurity concentration of 5×10^14/cm^3 or below is provided between the first semiconductor region and the second semiconductor region.例文帳に追加

半導体基板に第１の半導体領域と第２の半導体領域とを設けてなるダイオード素子において、第１の半導体領域と第２の半導体領域との間に、不純物濃度を5×10^14/cm^3以下とした中間半導体領域を設ける。 - 特許庁

To provide a spin coat apparatus capable of reducing nonuniformity of a film thickness generated when a viscosity of a used solution is low and increasing the film thickness without nonuniformity of the film thickness even in a solution of a low concentration in a spin coat film formation on a substrate having a recession/projection, and a spin coat method.例文帳に追加

凹凸を有する基板上へのスピンコート成膜において、使用溶液の粘度が低い場合に生じる膜厚ムラを低減し、また低濃度の溶液でも膜厚ムラの無く膜厚を増加できるスピンコート装置およびスピンコート方法を提供する。 - 特許庁

The deep n-type well is further provided with a second deep n-type well 103 provided at the bottom surface side of the p-type Si substrate 101 more than the first deep n-type well 105, and has n-type impurity concentration different from that of the firs deep n-type well 105.例文帳に追加

ディープｎ型ウェルは、第一のディープｎ型ウェル１０５よりもｐ型Ｓｉ基板１０１の底面側に設けられており、第一のディープｎ型ウェル１０５と異なるｎ型の不純物濃度を有する第二のディープｎ型ウェル１０３を備える。 - 特許庁

The pharmaceutical composition contains the thyroid hormones which are orally ingestible without being bitten and exist in a homogeneous substrate comprising a soft gel, preferably, in a form of T-3 and/or T-4 or their salts, in a pharmaceutically effective concentration, preferably, in an amount of 0.001-1 wt%.例文帳に追加

かむことなく、経口摂取可能な、軟ゲルの均一基質中にある甲状腺ホルモンを、好ましくはＴ３及び／又はＴ４またはこれらの塩を、医薬としての有効濃度で、好ましくは０．００１〜１重量％で含有する医薬組成物。 - 特許庁

The field effect transistor 100 comprises a channel region 130 formed within a silicon substrate 110, a gate electrode 150 formed on the channel region 130 via a gate insulating film 140, a high-concentration impurity region 170, and a pocket region 180.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１００は、シリコン基板１１０内に形成されたチャネル領域１３０と、チャネル領域１３０上にゲート絶縁膜１４０を介して形成されたゲート電極１５０と、高濃度不純物領域１７０と、ポケット領域１８０とを備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device having a trench-type MOSFET capable of suppressing deterioration in impurity concentration of a silicon electrode layer near a bottom portion of a trench while suppressing diffusion of impurities from a silicon electrode layer into a semiconductor substrate.例文帳に追加

シリコン電極層から半導体基板内への不純物の拡散を抑制しつつ、トレンチの底部付近におけるシリコン電極層の不純物濃度の低下を抑制可能な溝型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

On a silicon substrate 10, a strained SiGe layer 16 having germanium concentration of about 20%-40% and a silicon cap layer 18 are formed by epitaxial growth, and then a gate oxide layer and a first polysilicon layer 22 are grown on the silicon cap layer 18.例文帳に追加

シリコン基板１０上に約２０％〜４０％のゲルマニウム濃度を有する歪ＳｉＧｅ層１６およびシリコンキャップ層１８をエピタキシャル成長によって形成し、シリコンキャップ層１８上にゲート酸化物層および第１のポリシリコン層２２を成長させる。 - 特許庁

An n-well of the surface of a p-type silicon substrate 2 is formed by carrying out impurity implantation process twice, and an n-well 70 below an imaging part and an accumulation part and an n-well 90 below a horizontal transfer are formed by making the impurity concentration thereof differ from each other.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板２の表面のＮウェルを２回の不純物の注入工程により形成し、撮像部及び蓄積部の下のＮウェル７０と、水平転送部の下のＮウェル９０とを、互いに不純物濃度を異ならせて形成する。 - 特許庁

Coordinate positions of the coloring material in a substrate are found in a plurality of concentrations, in a prescribed three-dimensional color space, and display processing indicating a change of the coordinate position with respect to a concentration change of the coloring material is executed in the each coloring material in the three-dimensional color space.例文帳に追加

所定の立体色空間において、下地における色材の座標位置をその色材の複数の濃度に対して求めて、立体色空間にその色材の濃度変化に対する座標位置の変化を示す表示処理を各色材に対して行う。 - 特許庁

This reagent comprises a substrate having 400-450 nm absorbance of a coloring compound to be dissociated by the action of leucine aminopeptidase, such as L-leucyl-p-nitroanilide, a nonionic surfactant having 0.005-0.01 w/v% final concentration and a buffer solution.例文帳に追加

ロイシンアミノペプチダーゼの作用により解離する発色化合物の吸光度が400 〜450nm である基質、例えばＬ−ロイシル−ｐ−ニトロアニリド、最終濃度が0.005 〜0.01w/v ％である非イオン界面活性剤及び緩衝液を含有することを特徴とするロイシンアミノペプチダーゼ活性測定用試薬。 - 特許庁

To form a reliable gate insulating film by introducing high-concentration nitrogen only near the surface of a silicon oxide film without segregating nitrogen near the interface of a silicon substrate in the nitriding treatment of the silicon oxide film using a plasma nitriding method.例文帳に追加

本発明は、プラズマ窒化法を用いたシリコン酸化膜の窒化処理においてシリコン基板界面近傍に窒素を偏析させることなく、シリコン酸化膜表面近傍のみに高濃度の窒素を導入し、信頼性の高いゲート絶縁膜を形成することを目的とする。 - 特許庁

After a polysilicon film containing gettering impurities at a specified concentration is formed on the second face of the semiconductor substrate, the polysilicon film containing gettering impurities is oxidized by a specified thickness and the gettering impurities are aggregated densely in the remaining polysilicon film.例文帳に追加

次に、半導体基板の第２面に所定濃度のゲッタリング用不純物を含むポリシリコン膜を形成した後、ゲッタリング用不純物を含むポリシリコン膜を所定の厚さだけ酸化させて、前記残留するポリシリコン膜の内部にゲッタリング用不純物を密集させる。 - 特許庁

To decrease patterning defects by preventing the drying and crystallizing of a processing liquid when separating and removing the processing liquid sticking to a substrate by an air knife and preventing the increase of the concentration of the cyclically used processing liquid by the waste gas of a processing chamber.例文帳に追加

基板に付着した処理液をエアナイフで分離除去する際に処理液が乾燥して結晶化するのを防止するとともに、処理室の排気によって循環使用している処理液の濃度が上昇するのを防止し、パターニング不良を低減する。 - 特許庁

Optical carriers generated inside an N-type impurity diffusion layer 8, formed on the surface of an N-type epitaxial layer 6 on a P-type semiconductor substrate 1 move into a depletion layer by a built-in field made by the concentration slope of impurity diffusion, and a photocurrent is generated.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上のＮ型エピタキシャル層６表面に形成されたＮ型不純物拡散層８内で発生した光キャリアは、不純物拡散の濃度傾斜による内蔵電界により空乏層中まで移動し、光電流が生じる。 - 特許庁

To provide a curable composition for color filters having good pattern forming property and excellent adhesion to a hard surface as a substrate even when the composition contains a colorant at high concentration.例文帳に追加

着色剤を高濃度に含有する場合であっても、良好なパターン形成性を有し、基材である硬質表面との密着性に優れたカラーフィルタ用硬化性組成物、解像力の着色パターンを形成してなるカラーフィルタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 11, an element isolation region 16 comprises: a first selective impurity introduction region 17 to introduce a first conductivity type impurity of a prescribed concentration; and a second selective impurity introduction region 18 to which a second conductivity type impurity of a prescribed impurity concentration lower than the first selective impurity introduction region 17 is introduced selectively.例文帳に追加

半導体基体１１には、素子分離領域１６が、所定の濃度をもって第１導電型不純物が導入された第１の選択的不純物導入領域１７と、第１の選択的不純物導入領域１７に比し低い所定の不純物濃度の第２導電型不純物が選択的に導入された第２の選択的不純物導入領域１８とによって構成される。 - 特許庁

In the method for producing the metal oxide film, whose the crystal is gradually or continuously changed, is formed on a substrate by bringing metal oxide film forming solutions different in the concentration of an acid changing the crystal state of the metal oxide film into contact with the substrate heated to a metal oxide film forming temperature or above while changing the concentration of the acid.例文帳に追加

本発明は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解し、かつ、金属酸化物膜の結晶状態を変化させる酸の濃度が異なる金属酸化物膜形成用溶液を、上記酸の濃度を変化させつつ、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材に接触させることにより、上記基材上に、結晶状態が段階的または連続的に変化した金属酸化物膜を形成することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a GaN light emitting element formed on an n-type SiC substrate doped with nitrogen, which can be improved in brightness by keeping the SiC substrate conductive, restraining the light emitted from a light emitting layer from being reabsorbed, and specifying the range of electron concentration in the SiC board, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

窒素ドープされたｎ型ＳｉＣ基板上に形成されたＧａＮ系半導体発光素子における、ＳｉＣ基板の導電性を保ち、かつ発光層より発光した光の再吸収を抑制することが可能な、ＳｉＣ基板中の電子濃度範囲を規定することにより、輝度の向上を可能とするＧａＮ系発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the silicon substrate 1, an first conductivity type accumulation layer 10 having an impurity concentration higher than that of the silicon substrate 1 is formed on the second principal plane 1b side, and irregular recesses and projections 11 are formed at least in a first region 1b_1 in the second principal plane 1b, wherein the first region faces a region between the plurality of second conductivity type semiconductor regions 3.例文帳に追加

シリコン基板１には、第２主面１ｂ側にシリコン基板１よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層１０が形成されていると共に、第２主面１ｂにおける少なくとも第２導電型の複数の半導体領域３の間の領域に対向する第１の領域１ｂ_１に不規則な凹凸１１が形成されている。 - 特許庁

The epitaxial wafer includes a barrier layer formed by diffusing group V atoms toward the inside from the surface of a silicon substrate and located on the surface layer of the silicon substrate while containing group V atoms with a concentration of 2×10^13-1×10^18 atoms/cm^3, and a device active layer consisting of a silicon epitaxial film formed on the barrier layer.例文帳に追加

シリコン基板の表面から内部に向かってＶ族原子を拡散させて形成した、濃度：２×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下のＶ族原子を含有してシリコン基板の表層に位置するバリア層と、バリア層上に形成したシリコンエピタキシャル膜よりなるデバイス活性層とを備えることを特徴とするエピタキシャルウェーハである。 - 特許庁

To provide such a heat treatment boat used for a vertical heat treatment furnace that reduces the concentration of stress in a specific place during heat treatment, produces no additional stress even if a supporting jig and a semiconductor substrate are adhered to each other, suppresses the generation of slipping due to a unequal stress, and solves the contamination of the semiconductor substrate caused by using a powder.例文帳に追加

本発明は、縦型熱処理炉に用いる熱処理ボートに関し、熱処理時に特定場所への応力集中を低減し、支持治具と半導体基板が接着したとしても付加的な応力が発生せず、応力不均等に由来するスリップの発生を抑制し、さらに、粉末を使うことによる半導体基板の汚染を解決した熱処理ボートを提供することを目的としている。 - 特許庁

To shorten a DNA chip manufacturing time to enhance productivity by accelerating the reaction of a substrate and the probe in a sample solution in a solution impart apparatus used in the production of a DNA chip and to reduce the necessary concentration of the probe in the sample solution by accelerating the reaction of the substrate and the probe in the sample solution to perform the cost reduction of the DNA chip.例文帳に追加

ＤＮＡチップ製造に使用される溶液付与装置において、基板と試料溶液内のプローブの反応を促進することで、ＤＮＡチップ製作時間を短縮し生産性を向上することと、基板と試料溶液内のプローブの反応を促進することで必要な試料溶液内のプローブの濃度を減少させＤＮＡチップのコストダウンを行うことを目的とする。 - 特許庁

In this manufacturing method of the compound semiconductor multilayer epitaxial substrate, at least one portion of the film thickness, impurity concentration, and composition of each epitaxial layer for composing the multilayer epitaxial substrate is determined by a theoretical calculation so that specific electrical characteristics can be met, and epitaxial growth is executed according to the determined values.例文帳に追加

化合物半導体多層エピタキシャル基板の製造方法において、所定の電気特性を満たすことができるように該多層エピタキシャル基板を構成する各エピタキシャル層の膜厚、不純物濃度及び組成の少なくとも一部を理論計算により決定し、その決定値に従ってエピタキシャル成長を実施する化合物半導体多層エピタキシャル基板の製造方法。 - 特許庁

The liquid crystal display device 1 is characterized by making a corner part of the light shielding layer 250 have a shape to which stress concentration hardly occurs so as to prevent the light leakage to the outside from the effective display region 102 comprising a liquid crystal layer 410 disposed between the array substrate 200 and the counter substrate 400 or the light entering in the effective display region from the outside.例文帳に追加

この発明の液晶表示装置１は、アレイ基板２００と対向基板４００との間に液晶層４１０が設けられている有効表示領域１０２から外部に光が漏れることあるいは外部から有効表示領域内に光が入ることを阻止するために、遮光層２５０の角部を応力集中が生じにくい形状としたことを特徴とする。 - 特許庁

The ammonia concentration measuring sensor element 11 includes a detection electrode which includes a solid electrolyte substrate 12 comprising an ion conductive solid electrolyte, the Au layer 16 formed on the solid electrolyte substrate 12 and a porous oxide layer 13 covered with the Au layer 16, the Pt reference electrode coming into contact with the solid electrolyte and a temperature regulating part for regulating the temperature of the solid electrolyte.例文帳に追加

イオン伝導性固体電解質からなる固体電解質基板１２と、固体電解質基板１２上に設けられたＡｕ層１６と、Ａｕ層１６を被覆した多孔質酸化物層１３と、を含む検知極と、前記固体電解質基板に接するＰｔ参照極と、前記固体電解質の温度調節をする温度調節部と、を含むアンモニア濃度測定用センサ素子１１である。 - 特許庁

In the method for fabricating a semiconductor device where an MOS transistor having a gate insulating film 15b and a capacitance element 17 having a capacitance insulating film 15a are formed on a semiconductor substrate 11, an isolation region 12 is formed on the semiconductor substrate 11 and then a lower electrode 13 of silicon having impurity concentration of about 1×10^19 cm^-3 or above is formed on the isolation region 12.例文帳に追加

半導体基板１１に、ゲート絶縁膜１５ｂを有するＭＯＳトランジスタと、容量絶縁膜１５ａを有する容量素子１７とを形成する半導体装置の製造方法は、半導体基板１１に素子分離領域１２を形成した後、素子分離領域１２上に、不純物濃度が約１×１０^19ｃｍ^-3以上のシリコンからなる下部電極１３を形成する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device includes a semiconductor light emitting element and a substrate having a wiring pattern, and is characterized in that a surface of the substrate and/or wiring pattern right below the semiconductor light emitting element is covered with a light diffuse reflecting material-containing layer, the light diffuse reflecting material having a concentration of 30 to 70 wt.%.例文帳に追加

半導体発光素子と、配線パターンを有する基板とを含む半導体発光装置において、該半導体発光素子直下の該基板及び／または該配線パターンの表面が、光拡散反射材の濃度が３０重量％以上、７０重量％以下である光拡散反射材含有層で被覆されていることを特徴とする、半導体発光装置。 - 特許庁

Then, a single crystal silicon carbide is epitaxially grown on the surface of the single crystal SiC substrate 15 in a liquid phase by a metastable solvent epitaxy (MSE) method using, as driving force, the concentration gradient generated in the Si melt layer based on the difference between free energies of the substrates 15, 20.例文帳に追加

そして、基板１５，２０の自由エネルギーの差に基づいてＳｉ溶融層に発生する濃度勾配を駆動力とする準安定溶媒エピタキシー（ＭＳＥ）法により、単結晶ＳｉＣ基板１５の表面に単結晶炭化ケイ素を液相エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The impurities 110 are introduced into a silicon substrate 101 using a silicon nitride film pattern 107 and a polycrystal silicon film pattern 108 as a mask, a high concentration impurity diffusion layers of an N type (N^+ type diffusion layers 111, 112) are formed at positions of a source region and a drain region of the MOS transistor.例文帳に追加

シリコン基板１０１に、シリコン窒化膜パターン１０７、多結晶シリコン膜パターン１０８をマスクにして、不純物１１０を導入し、ＭＯＳ型トランジスタのソース領域、及びドレイン領域の位置に、Ｎ型の高濃度不純物拡散層（Ｎ^+型拡散層１１１、１１２）を形成する。 - 特許庁

At least a photo-thermal conversion layer and an image forming layer are provided on a substrate, and coloring matter concentration of a coloring matter incorporated in the photo-thermal conversion layer is variable in the thickness direction.例文帳に追加

支持体上に少なくとも光熱変換層と画像形成層とを有し、該光熱変換層中に含有される色素の色素濃度が、膜厚方向に異なるレーザー記録用熱転写シート、これを用いた多色画像形成材料および多色画像形成方法が提供される。 - 特許庁

In the semiconductor device 100 where a high voltage resistance transistor 102 and a low voltage resistance transistor 104 are formed on a silicon substrate 101, gate impurity concentration of a polysilicon gate electrode film 117 of the high voltage resistance transistor 102 is set lower than that of the low voltage resistance transistor 104.例文帳に追加

シリコン基板１０１上に高耐圧トランジスタ１０２および低耐圧トランジスタ１０４が形成された半導体装置１００において、高耐圧トランジスタ１０２のポリシリコンゲート電極膜１１７のゲート不純物濃度を低耐圧トランジスタ１０４のゲート不純物濃度よりも小さくする。 - 特許庁

To provide inkjet ink which is suitably used for forming a filter segment on a desired position on a substrate by an inkjet method, contains pigments dispersed at high concentration and has good dispersion stability of the pigments and has delivering stability, and to provide a color filter formed by the inkjet method using the ink.例文帳に追加

インクジェット法により基板上の所望の位置にフィルタセグメントを形成するために好適に用いられる、顔料が高濃度に分散され、顔料の分散安定性が良好で、吐出安定なインクジェットインキ、および該インキを用いてインクジェット法により形成されるカラーフィルタの提供。 - 特許庁