「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

The aluminum substrate for the lithographic printing plate wherein a roughening treatment and an anodizing treatment are applied on at least one face of an aluminum plate is characterized in that atom concentration of sulfur atoms on the surface of the aluminum plate is 0.1-1.3%.例文帳に追加

アルミニウム板の少なくとも一方の面に、粗面化処理および陽極酸化処理が施された平版印刷版用アルミニウム支持体において、該アルミニウム板表面の硫黄原子の原子数濃度が、０．１〜１．３％であることを特徴とする平版印刷版用アルミニウム支持体。 - 特許庁

In the surface-emitting semiconductor laser element formed on the normal substrate such as the facial azimuth (100) surface, anisotropic stress is impressed to the center of an active layer, and the polarization controllability of the element is improved by forming asymmetrical selective oxidation structure on an Al high concentration layer in a mesa.例文帳に追加

面方位（１００）面等の通常基板上に作製した面発光型半導体レーザ素子において、メサ内部のＡｌ高濃度層部分に非対称の選択酸化構造を形成することにより、活性層中心部に異方的な応力を印加し、素子の偏波制御性を高める。 - 特許庁

The enlargement of the flaws is suppressed and the liquid crystal display having an excellent display surface quality is efficiently manufactured at a low cost by polishing a glass substrate surface by a chemical polishing fluid containing a mixture liquid of hydrofluoric acid and ammonium fluoride in a molar concentration ratio of 1-2.5 and using water as the solvent.例文帳に追加

フッ酸及びフッ化アンモニウムの混合液がモル濃度比で１〜２．５の割合で含み、溶媒に水を用いた化学研磨液によりガラス基板表面を研磨することにより傷の拡大を抑制し、表面品位が優れた液晶表示装置を効率よく、低コストに製造する。 - 特許庁

The npn bipolar transistor 30 is formed on the surface of the semiconductor substrate 11, and among its base area (P-wel 14b), the p-type diffusion layer 16b is formed on a joint to join with a collector area in such manner that the impurity concentration of the above area is locally elevated.例文帳に追加

こうした半導体基板１１の表面に、上記ＮＰＮ型バイポーラトランジスタ３０を形成し、そのベース領域（Ｐウェル１４ｂ）のうち、コレクタ領域と接合する接合部に同領域の不純物濃度を局所的に高く設定するかたちでＰ型拡散層１６ｂを形成する。 - 特許庁

The impurity concentration in the embedded region 31 is made higher than those in the substrate region 11 and first drain region 12 and the extent of a depletion layer to the first drain region 12 side is restricted to the boundary between the embedded region 31 and first drain region 12 or its vicinity.例文帳に追加

埋め込み領域３１の不純物濃度をサブストレート領域１１及び第１のドレイン領域１２よりも高くし、第１のドレイン領域１２側への空乏層の広がりを埋め込み領域３１と第１のドレイン領域１２との境界又はこの近くに制限する。 - 特許庁

To enable to prevent damage to an electrode and a phosphor by preventing abnormal light emission at a fluorescent face end part by alleviating electric field concentration at the end part of an electrode arrangement region, and by preventing charge-up of an insulating substrate surface based on emitted electrons of an electron emitting layer.例文帳に追加

電極配置領域の端部での電界集中を緩和して蛍光面端部での異常発光を防止し、かつ、電子放出層の放出電子に基づく絶縁基板表面のチャージアップを防止して電極や蛍光体に対するダメージを防止可能とする。 - 特許庁

To enable to easily realize low oxide concentration in the atmosphere of a processing chamber, and to adequately heat treat especially an organic material of a coating film in a low permittivity (Low-k) interlayer insulating film formed on a substrate, which has been conventionally impossible to perform.例文帳に追加

半導体基板の熱処理装置及び熱処理方法において、処理室内雰囲気の低酸素濃度化を容易に実現し、従来では困難であった、基板上に形成する低誘電率（Low-k）層間絶縁膜で、特に塗布膜系の有機材料を適正に加熱処理することを可能とする。 - 特許庁

To provide a colored curable composition having excellent shelf stability and curing properties even when pigment concentration is high and capable of forming a colored film having excellent adhesiveness to a substrate and development properties, to provide a color filter having a satisfactory pattern shape and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

顔料濃度が高い場合でも、保存安定性、及び硬化性に優れ、且つ、基板との密着性、及び現像性に優れた着色膜を形成しうる着色硬化性組成物を提供し、良好なパターン形状を有するカラーフィルタ、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, second heat treatment is applied in the reducing gas atmosphere at a temperature higher than that in the preheat treatment and that does not cause an adverse effect to the impurity concentration distribution of the other element on the semiconductor substrate 1, and an oxide film on the hetero epitaxial growth surface is removed by a reduction reaction.例文帳に追加

続いて、還元性ガス雰囲気中において上記プレ加熱処理よりも高温で、かつ、半導体基板１の他の素子の不純物濃度分布に悪影響を与えない温度で第２加熱処理を施して、上記異種結晶成長面上の酸化膜を還元反応によって除去する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate and a method of manufacturing the same for preventing a carrier from diffusing into a double hetero-structure to uniformize an in-plane carrier concentration distribution, thereby reducing dispersion of light emission life, and manufacturing a long-life light emitting element.例文帳に追加

ダブルヘテロ構造中にキャリアが拡散することを抑制して面内キャリア濃度分布を均一なものとでき、これによって発光寿命のバラツキが小さく、かつ長寿命な発光素子を製造することのできる化合物半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is formed with P-type embedded diffusion regions 4 discretely connected to a partial bottom face of the P-type body region 3, each extending in a direction parallel to the substrate surface, and having high concentration relative to that of the N-type drift region 5 so that respective tips reach the inside of the drift region 5.例文帳に追加

そして、Ｐ型ボディ領域３の一部底面に離散的に連結すると共に、それぞれが基板面に平行な方向に延伸し、各先端がドリフト領域５内に達するよう、Ｎ型ドリフト領域５より高濃度のＰ型埋め込み拡散領域４が形成される。 - 特許庁

To provide a vapor phase deposition apparatus and a vapor deposition method by which the gas concentration distribution on the surface of a substrate to be treated in a growth chamber can be uniformized and the thickness of a deposition film and the compositional ratio can be improved when a raw material gas is introduced from a peripheral part of a shower head.例文帳に追加

原料ガスをシャワーヘッドの周辺部から導入した場合に、成長室の被処理基板面上のガス濃度分布を均一化することができ、成膜厚や組成比を向上させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。 - 特許庁

The GaAs crystal substrate has the dispersion of the specific resistance of less than 10% within the plane parallel to the main crystal surface obtained by slicing a GaAs crystal having the specific resistance of 1×10^8 to 8×10^8 Ω cm and a carbon concentration of 5×10^15 to 1×10^16 cm^-3.例文帳に追加

本ＧａＡｓ結晶基板は、比抵抗が１×１０^8Ω・ｃｍ〜８×１０^8Ω・ｃｍかつ炭素濃度が５×１０^15ｃｍ^-3〜１×１０^16ｃｍ^-3のＧａＡｓ結晶をスライスして得られた、結晶主面に平行な面内における比抵抗のばらつきが１０％未満である。 - 特許庁

To provide an ink composition that contains a pigment finely dispersed in high concentration, has physical properties (e.g. low viscosity) suitable for stable discharge thereof onto a desired position on a substrate by an inkjet method and has a durability (e.g. heat resistance, solvent resistance) suitable for a color filter.例文帳に追加

顔料を高濃度にて微細分散して含有すると同時に、インクジェット法により基板上の所望の位置に安定して吐出させることのできる物性（低粘度化など）、カラーフィルタとしての耐性（耐熱性／耐溶剤性など）を有するインク組成物を提供すること。 - 特許庁

The hydrogen concentration of the surface atomic layer of a sample (a substrate 20) is measured in the surface treatment apparatus without extracting the sample in atmospheric air, by conducting in the vacuum chamber 2 of the surface treatment apparatus by using the elastic recoil-particle detecting method by the low-energy ion scattering spectral method.例文帳に追加

低エネルギーイオン散乱分光法による弾性反跳粒子検出法を用い、表面処理装置の真空室２内で行うことによって、試料（基板２０）を大気中に取り出すことなく表面処理装置内において、試料の表面原子層の水素濃度の測定を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, in which the positional deviation and lifting of an electrode caused by heating is suppressed, at module assembling, and in which the stress concentration, especially at joints between a substrate and the electrode, caused by temperature cycling is suppressed at module use, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

モジュールの組み立て（アセンブリ）時の加熱に起因する電極の位置ずれや浮きが抑制されるとともに、当該モジュールの使用時の温度サイクルに起因する、特に基板と電極との接合箇所における応力集中が抑制される半導体装置、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing titania-silica glass which is excellent in uniformity of titania concentration in a face direction of a substrate such as a mask or a mirror, has improved uniformity of striae, and can be suitably used as an optical member such as a photomask or mirror material for extreme ultraviolet lithography.例文帳に追加

マスクやミラー等の基板の面方向におけるチタニア濃度の均一性に優れ、脈理の均質性の向上が図られ、超紫外光リソグラフィ用のフォトマスクまたはミラー材等の光学用部材として好適に用いることができるチタニア−シリカガラスを製造する方法を提供する。 - 特許庁

A substrate contact diffusion area 13a is formed in a varactor active area by doping an n-well region 12 with comparatively high-concentration N-type impurities, but an extension area (or LDD area), such as the varactor of a usual semiconductor device is not formed.例文帳に追加

バラクタ用の活性領域には、Ｎウェル領域１２に比較的高濃度のＮ型不純物をドープしてなる基板コンタクト用拡散領域１３ａが形成されているが、従来の半導体装置のバラクタのようなエクステンション領域（又はＬＤＤ領域）は形成されていない。 - 特許庁

An etch-stopping layer 6', which is higher in oxygen concentration than its peripheral area is formed in a second single-crystal silicon substrate 1, by forming an ion-implanted layer 6 for stopping etching through ion implantation and performing an oxygen diffusing step of making oxygen diffuse toward the ion-implanted layer 6.例文帳に追加

第二シリコン単結晶基板１中に、イオン打ち込み法によりエッチストップ用イオン注入層６を形成し、次いでエッチストップ用イオン注入層６に向けて酸素を拡散させる酸素拡散工程を行なって、周囲部分よりも酸素濃度が高いエッチストップ層６’を形成する。 - 特許庁

To provide a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method by which the gas concentration distribution on the surface of a substrate to be treated in a growth chamber can be uniformized and the thickness of a deposition film and the compositional ratio can be improved when a raw material gas is introduced from a peripheral part of a shower head.例文帳に追加

原料ガスをシャワーヘッドの周辺部から導入した場合に、成長室の被処理基板面上のガス濃度分布を均一化することができ、成膜厚や組成比を向上させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device provided with element isolation insulation films which have different depths depending on the locations where they are formed, the decline in the impurity concentration in the semiconductor substrate below the element isolation insulation films can be suppressed by forming a plurality of channel cut layers in the depth direction in one active region.例文帳に追加

形成された場所によって異なる深さを有する素子分離絶縁膜を備えた半導体装置において、一つの活性領域に、深さ方向に複数のチャネルカット層を形成することによって、素子分離絶縁膜下の半導体基板中の濃度の低下を抑制する。 - 特許庁

To provide an inclination structure material in which a conventionally unavailable useful function can be added to a functional material on a substrate or a conventionally unavailable high performance can be attained without adding "compositional inclination", e.g. concentration of component, content of oxide or crystal structure, and to provide a functional element employing it.例文帳に追加

成分濃度、酸化物の含有量、結晶構造等の「組成傾斜」を付加することなく、基体上の機能性材料に従来にない有用な機能を付加し、或いは従来にない高性能化ができる、構造傾斜材料とこれを用いた機能素子を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device contains a lower metallic film 2 formed on a semiconductor substrate 1, a barrier film 5 which is formed on the metallic film 2 and composed of a metal containing nitrogen in such a way that the nitrogen concentration becomes lower as going farther from the metallic film 2, and an upper metallic film 6 formed on the barrier layer 5.例文帳に追加

半導体基板１の上に形成された下側金属膜２と、下側金属膜２の上に形成され且つ窒素濃度が下側金属２から離れるほど低くなっている窒素含有金属よりなるバリア膜５と、バリア層５の上に形成された上側金属膜６とを含む。 - 特許庁

A hydrogen concentration on the surface of the magnetic recording medium whereon a magnetic layer, protective film layer consisting of a substance having main components of carbon and hydrogen, and the lubricant layer consisting of perfluoro polyether polymer are successively laminated on a substrate, is used as an indicator of the coating/orientation property of the lubricant layer.例文帳に追加

基板上に磁性層、炭素と水素とを主成分とした物質よりなる保護膜層およびパーフルオロポリエーテル系ポリマーよりなる潤滑剤層を順次積層した磁気記録媒体の表面の水素濃度を当該潤滑剤層の被覆・配向性の指標として用いる。 - 特許庁

On an InP substrate 1, an N-containing InGaAs-based layer 3 is grown by an MBE method and then heat treatment is carried out between 600 to 800°C to set the average hydrogen concentration of the N-containing InGaAs-based layer 3 to be 2×10^17 number/cm^3 or lower by the heat treatment.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１上にＮ含有ＩｎＧａＡｓ系層３をＭＢＥ法で成長させ、その後、６００℃以上８００℃未満の熱処理を施し、上記の熱処理により、Ｎ含有ＩｎＧａＡｓ系層３の平均水素濃度を２×１０^１７個／ｃｍ^３以下とする。 - 特許庁

The reflection of infrared rays is controlled by forming a pn structure, pin structure, MIS structure, MIM structure or Schottky junction by stacking a translucent semiconductor film, a translucent electroconductive film, a translucent insulating film or the like on a glass substrate and electrically controlling the carrier concentration in these films.例文帳に追加

ガラス基板上に、透光性半導体膜、透光性導電膜、透光性絶縁膜等を積層して、ｐｎ構造、ｐｉｎ構造、ＭＩＳ構造、ＭＩＭ構造又はショットキー接合を形成し、それらの膜中のキャリア濃度を電気的に制御して赤外線の反射をコントロールする。 - 特許庁

A semiconductor device having a metal-insulator-semiconductor (MIS) structure in which each deuterium concentration near interfaces between a semiconductor substrate and a film or a layer formed in the semiconductor device such as a gate insulation film, an interlayer insulation film, a wiring layer and a protective insulation film is 1x1019 cm-3 and over.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x1019cm-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置。 - 特許庁

By doing so, the annular member 16 restrains ozone which is supplied in proximity to a mounting surface S for mounting the substrate10 on the stage 12, from diffusing to the periphery of the stage, thereby the ozone concentration in the surface of the substrate 10 mounted on the stage 12 becomes uniform.例文帳に追加

このようにすると、ステージ１２における基板１０の載置面Ｓ近傍に供給されたオゾンが、ステージの周囲へと拡散してしまうことが環状部材１６によって抑制され、ステージ１２に載置された基板１０の表面においてオゾンの濃度が均一となる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate having a collector layer where the carrier concentration has a peak value at a position separated from the surface by 1 μm or more, and a collector electrode formed to come into contact with the surface of the collector layer.例文帳に追加

本願の発明にかかる半導体装置は、キャリア濃度が最大となるキャリア濃度ピーク位置が表面から１μｍ以上離れた位置にあるコレクタ層を有する半導体基板と、該コレクタ層の表面に接するように形成されたコレクタ電極と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the sintered cadmium negative electrode includes an immersing step immersing a base negative electrode formed by impregnating a cadmium active material in a sintered substrate in a solution containing fluorine resin; and a preliminary immersing step immersing in a solution having lower fluorine resin concentration than the solution of the immersing step, immediately before the immersing step.例文帳に追加

カドミウム活物質が焼結基板に充填されたベース負極を、フッ素樹脂を含む溶液に浸漬する浸漬ステップと、前記浸漬ステップの直前に前記溶液よりもフッ素樹脂濃度が低い溶液に浸漬する予備浸漬ステップを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a thin-film transistor capable of preventing concentration of electric field at the drain end that can cause impact ionization, by improving the shape of the gate electrode, to provide a manufacturing method of the semiconductor device, and to provide an electrooptical device that uses the semiconductor device as an element substrate.例文帳に追加

ゲート電極の形状を改良して、インパクトイオン化の原因となるドレイン端での電界集中を防止可能な薄膜トランジスタを備えた半導体装置、この半導体装置の製造方法、および当該半導体装置を素子基板として用いた電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method, where in a semiconductor substrate, there is formed a ultra-shallow junction whose dopant concentration distribution is narrowed through control of its junction depth, by restricting the channelling of dopants in the ion implantation process to a minimum and by controlling the diffusion of dopant in the following heat annealing treatment process.例文帳に追加

イオン注入工程でのドーパントのチャンネリングを最小限に抑制し、また引き続く熱アニール処理工程でのドーパントの拡散を抑制することにより接合深さを制御してドーパント濃度分布を狭小化した超浅型接合を半導体基板内に形成する方法を提供する。 - 特許庁

A p-type layer 21 with impurity concentration similar to that of the p-well region 111 of the substrate body 110 is formed from the surface 113 of the body 110 to a predetermined height in the protrusion 120, and an n-type layer 22 is formed in a higher part.例文帳に追加

突出部１２０において、基板本体部１１０の表面１１３から所定高さまでは基板本体部１１０のＰウェル領域１１１と同様の不純物濃度のＰ型層２１が形成され、それ以上の高さ部分にはＮ型層２２が形成されている。 - 特許庁

Microwave power generated by the plasma source elementary substances 10a to 10d is changed in accordance with the concentration distribution of material gas G1 introduced into the chamber 1 by the material gas introducing system 7, whereby the thin film of the uniform film thickness and film quality is formed on a substrate S of a large area.例文帳に追加

材料ガス導入系７によりチャンバー１内に導入された材料ガスＧ１の濃度分布に応じて、プラズマソース単体１０ａ〜１０ｄが発生するマイクロ波パワーを変えることにより、大面積の基板Ｓに均一な膜厚、膜質の薄膜を形成する。 - 特許庁

As a structure applicable to a MOSFET (field effect transistor) provided with a gate electrode G (MOS gate) of a trench electrode structure, a p-type diffused layer SP having a higher concentration than a p-type base area BS is formed around the surface of a substrate in a p-type base area BS.例文帳に追加

トレンチ電極構造のゲート電極Ｇ（ＭＯＳゲート）を備えるＭＯＳＦＥＴ（電界効果トランジスタ）に適用される構造として、ｐ型のベース領域ＢＳの基板表面付近に、該ベース領域ＢＳよりも濃度の高いｐ型の拡散層ＳＰを設けるようにする。 - 特許庁

In its manufacturing method, when the magnetic recording medium is manufactured by applying the magnetic paint on the non-magnetic substrate, the final concentration of the magnetic paint when the magnetic paint is applied is so specified that the ratio of the binder resin is ≤2.0wt.% to sum total weight of the binder resin and a solvent.例文帳に追加

非磁性支持体上に磁性塗料を塗布して上記磁気記録媒体を製造するにあたり、塗布時における磁性塗料の最終濃度を、バインダ樹脂および溶剤の総和に対するバインダ樹脂の比率で２．０重量％以下とする製造方法である。 - 特許庁

A hot dipping steel sheet having a hot dipping layer with a surface layer concentration of Al of 3 mass% or above is used as a base sheet and coating which contains a π conjugated polymer and a silane coupling agent is applied to the base sheet and baked to provide an organic resin film comprising the π conjugated polymer on a substrate surface.例文帳に追加

表層Ａｌ濃度が３質量％以上の溶融めっき層をもつ溶融めっき鋼板を原板に使用し、π共役高分子，シランカップリング剤を含む塗料を塗布し焼き付けることにより、π共役高分子の有機樹脂皮膜を下地表面に設けている。 - 特許庁

To provide a semiconductor thin film growing device suitable for forming various semiconductor devices for selectively growing a semiconductor thin film only on a substrate exposed surface, growing a semiconductor thin film over the whole face including an oxide pattern face, and growing a semiconductor thin film containing impurities at a high concentration.例文帳に追加

基板露出面だけへの半導体薄膜の選択成長、酸化物パターン面む含む全面に半導体薄膜の成長、あるいは高濃度に不純物を含む半導体薄膜の成長が可能で、各種半導体装置の形成に適する半導体薄膜成長装置の提供。 - 特許庁

This method for producing the uniform polyester porous film is characterized in that a homogeneous solution composed of a polyester and an alcoholic solvent having ≤80°C boiling point is prepared, the solution is cast into a substrate in a filmy state and the obtained film is dried while causing fluctuation in polyester concentration in the film in the inside direction of film surface.例文帳に追加

ポリエステルと８０℃以下に沸点を有するアルコール系溶媒からなる均一溶液を調製し、該溶液を基板上へ膜状に流延し、得られた膜状物を膜面内方向における膜状物中のポリエステル濃度に揺らぎを生じさせながら乾燥することを特徴とする。 - 特許庁

Impurity concentration in a position where liquid crystals collide with each other when substrates are laminated to each other to disperse the liquid crystals in a liquid crystal cell is specified to be ≤30 ppm by specifying each liquid crystal dropping interval on a substrate to be ≤15 mm in a liquid crystal dropping step.例文帳に追加

液晶滴下工程において、基板上に液晶を滴下する間隔を１５ｍｍ以下とすることにより、基板を貼り合わせて液晶セル内に液晶が拡散したときに液晶同士が衝突する部位における不純物濃度を３０ｐｐｍ以下とする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a metal-insulation film-semiconductor (MIS) structure having a heavy hydrogen concentration equal to or more than 1×10^19 cm^-3 in the neighborhood of an interface between a semiconductor substrate and films or layers formed in the semiconductor device such as a gate insulation film, an interlayer insulation layer, and a protective insulation film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x10^19cm^-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置とする。 - 特許庁

A heavily doped N type region 52 and a heavily doped P type region 53 of a diode element 50 are formed utilizing a high concentration impurity introduction process for forming the source-drain region of TFTs 30, 80 and 90 on the same substrate 10b, and an intrinsic region 51 is formed between.例文帳に追加

同一基板１０ｂ上にＴＦＴ３０、８０、９０のソース・ドレイン領域を形成するための高濃度不純物導入工程を利用して、ダイオード素子５０の高濃度Ｎ型領域５２および高濃度Ｐ型領域５３を形成し、かつ、それらの間に真性領域５１を形成する。 - 特許庁

In a device isolation structure formed by filling a trench 12 formed in the surface of a substrate 1 with the device isolation film 2, the device isolation film 2 contains impurity, and concentration of the impurity is more reduced at an upper portion of the device isolation film 2 than at the bottom of the same.例文帳に追加

基板１の表面内に形成された溝１２に素子分離膜２を充填することにより形成される素子分離構造において、素子分離膜２には不純物が含有されており、当該不純物濃度は素子分離膜２の底部より上部の方が低くくなる構造とする。 - 特許庁

To provide a method of forming a film by a photo-electrodeposition method or a photocatalyst method, by which the film having uniform film thickness and excellent pattern can be formed by uniformizing the concentration of hydrogen ions in the vicinity of the surface of a substrate for film formation when the film is formed, and to provide an apparatus for forming the film.例文帳に追加

光電着法または光触媒法を用いた膜形成において、膜形成する基板表面近傍の水素イオン濃度を均一にすることにより、膜厚が均一な優れたパターン成膜が可能な膜形成方法および膜形成装置を提供すること。 - 特許庁

Further, an n-type buffer layer 3 is selectively formed on the lower main surface of a silicon substrate 1, and an n-type cathode area 6 constituted of n-type semiconductor containing n-type impurity in a comparatively high concentration is selectively formed in the surface of the n-type buffer layer 3.例文帳に追加

また、シリコン基板１の下主面表面内には、ｎ型バッファ層３が選択的に形成され、ｎ型バッファ層３の表面内にはｎ型不純物を比較的高濃度に含んだｎ型半導体層で構成されたｎ型カソード領域６が選択的に形成されている。 - 特許庁