「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a semiconductor substrate achieving a high yield in a semiconductor device by suppressing a decrease in the oxygen concentration of a semiconductor substrate surface layer and reducing a COP in the semiconductor substrate surface layer.例文帳に追加

半導体基板表層の酸素濃度低下を抑制しつつ、半導体基板表層のＣＯＰを低減させることによって、半導体デバイスの高歩留まりを実現する半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

With a mask pattern 9 formed on a first conductive type semiconductor substrate 1 as a mask, a pair of first low-concentration diffusion regions 4 of second conductive type and a pair of second low-concentration diffusion regions 3 of a second conductive type which is deeper than the first low-concentration diffusion region 4 and of high concentration are formed.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１上に形成したマスクパターン９をマスクとして、第２導電型の一対の第１低濃度拡散領域４と、第１低濃度拡散領域４よりも深くかつ高濃度の第２導電型の一対の第２低濃度拡散領域３と、を形成する。 - 特許庁

In the channel region 108, each on a surface of the substrate 102 and in a bottom portion of the trench 162, there are formed a second high-concentration region 132 and a first high-concentration region 130, and the impurity concentration of the second conductivity type is higher than the impurity concentration of the second conductivity type in portions sideward from the trench 162.例文帳に追加

チャネル領域１０８において、基板１０２表面およびトレンチ１６２の底部には、それぞれ第２の高濃度領域１３２および第１の高濃度領域１３０が形成されており、第２導電型の不純物濃度がトレンチ１６２側方における第２導電型の不純物濃度よりも高くなっている。 - 特許庁

The reaction can be carried out even under severe conditions such as an initial substrate concentration of 70% and a reaction temperature of 70°C.例文帳に追加

たとえば、初期基質濃度が７０％と高く、反応温度が７０℃と高いような条件下での反応が可能である。 - 特許庁

Continuous culture involving a substrate concentration challenge lead to evolution of ALKl, and formation of a more robust strain designated ALK2.例文帳に追加

基質濃度の刺激を伴う連続培養は、ＡＬＫ１の進化と、より頑健なＡＬＫ２と称される株の形成をもたらす。 - 特許庁

To smoothen the surface of an SOI substrate or the like and to reduce the concentration of a boron dopant without spoiling film thickness uniformity in and between wafers.例文帳に追加

ＳＯＩ基板等の表面平滑化、ボロン濃度の低減を、ウエハ内、ウエハ間の膜厚均一性を損ねずに実施する。 - 特許庁

Consequently, the N-type impurity is diffused into the silicon substrate 2 to form a high withstand voltage side low concentration drain region 17.例文帳に追加

これにより、シリコン基板２内にＮ型不純物を拡散させて高耐圧側低濃度ドレイン領域１７を形成する。 - 特許庁

In the array substrate, impurities are doped into the activated layers 11 and photoelectric sections 21 in a same process, if necessary, to have different doping concentration.例文帳に追加

活性層11と光電変換部21とに必要に応じて同一工程で不純物をドープして、ドーピング濃度を異ならせる。 - 特許庁

To suppress changes in the concentration of chemical liquid due to interfusion of rinse liquid, when the chemical liquid splashed from a substrate is recovered with a cup for cyclic use.例文帳に追加

基板から振り切られた薬液をカップで回収する際に、リンス液の混入による薬液の濃度変化を抑える。 - 特許庁

The substrate W with the steps is treated with a coating liquid with high concentration of a nonvolatile content to obtain a coating 2 having a rough thickness (a).例文帳に追加

この段差のある基板Ｗを不揮発分濃度の高い塗布液で処理して大まかな厚さの塗膜２を得る（ａ）。 - 特許庁

To provide a method for producing a group III nitride substrate of which the variation of carrier in-face concentration is small and a crystal growing rate is high.例文帳に追加

キャリア面内濃度のばらつきが少なく、結晶の成長速度が速いIII族窒化物基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

On the other hand, a cover 120 is formed by processing a crystal substrate to which aluminum with a prescribed concentration is added.例文帳に追加

一方、アルミニウムが所定の濃度に添加された水晶基板を加工することで、カバー１２０が形成された状態とする。 - 特許庁

Especially, it is found that a underlying plated layer having a larger metallic concentration is effective as it comes away from an Si substrate face.例文帳に追加

特に、Ｓｉ基板面から離れるにしたがって金属の含有量が大きい下地メッキ層が有効であることを見出した。 - 特許庁

A P-type substrate contact region 115a is formed under a diffusion layer of the N-type low concentration source region 105b.例文帳に追加

また、Ｎ型低濃度ソース領域１０５ｂの拡散層の下側にＰ型基板コンタクト領域１１５ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a heating furnace for a glass substrate capable of minimizing residual oxygen concentration by enhancing the degree of sealing.例文帳に追加

密閉度を高めて残留酸素濃度を可及的に低減可能なガラス基板用の加熱炉を低コストで提供すること。 - 特許庁

The substrate 10 is exposed to an atmosphere, having a concentration of basic ions controlled to a prescribed range in a second booth 34 (figure 1 (D)).例文帳に追加

塩基性イオン濃度が所定範囲内に管理された第２ブース３４の内部で、基板１０をその雰囲気に晒す（図１（Ｄ））。 - 特許庁

The impurity concentration of the semiconductor substrate 1 below the resistive element 7a is equal to or lower than that of bulk.例文帳に追加

抵抗素子７ａ下の半導体基板１の不純物濃度は、バルクと同等かあるいはバルクの不純物濃度以下である。 - 特許庁

The enzyme-treated dairy substrate is then processed into a galacto-oligosaccharide-containing cream cheese product having a reduced lactose concentration.例文帳に追加

酵素で処理された乳基質を、次いで、低減されたラクトース濃度を有するガラクト−オリゴ糖含有クリームチーズ製品に加工する。 - 特許庁

Then, by regulating the correcting plate 6, the concentration distribution of the gas ions in the substrate holding member 2 can be uniformized.例文帳に追加

そして、補正板６を調整することにより、基板保持部材２内のガスイオンの濃度分布を均一にすることができる。 - 特許庁

A heating temperature of the substrate is controlled based on the ozone concentration or the ozone partial pressure measured by the ozone densitometer 13.例文帳に追加

前記基板の加熱温度はオゾン濃度計１３によって測定されたオゾン濃度またはオゾン分圧に基づき制御される。 - 特許庁

These methods are characterized by providing processes (steps SO1, SO2) of processing a substrate with ozone water whose concentration is 20 to 100 ppm.例文帳に追加

基板を濃度が２０〜１００ｐｐｍのオゾン水によって処理する工程（ステップＳＯ１，ＳＯ２）を具備したことを特徴とする。 - 特許庁

The concentration of fluorine near the interface with the silicon substrate 1 preferably is 1×10^19 cm^-3 or more.例文帳に追加

ここで、シリコン基板１との界面付近におけるフッ素の濃度は１×１０^１９ｃｍ^−３以上であることが好ましい。 - 特許庁

A first high-concentration impurity region 31A is formed beside the gate electrode 22A in a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０におけるゲート電極２２Ａの側方には第１高濃度不純物領域３１Ａが形成されている。 - 特許庁

In the manufacturing method of this solar battery, at first, there is provided a first semiconductor substrate doped with a first dopant-type in a low concentration.例文帳に追加

本発明の太陽電池の製造方法では、第１ドーパント型で低濃度にドープされた第１半導体基板を設ける。 - 特許庁

Thus, in the gaseous Ar including hydrogen passed through the arranging region of the second substrate 3, the concentration of impurity gas is reduced.例文帳に追加

従って、第２基板３配置領域を通過した水素を含むＡｒガスは、そのうちの不純物ガスの濃度が減少する。 - 特許庁

A precursor solution of a given concentration containing ruthenium is injected toward a substrate 5 in a spray method by an injector 1.例文帳に追加

ルテニウムを含有する所定濃度の前駆体溶液を、噴射器１よりスプレー方式によって基板５に向けて噴射する。 - 特許庁

To prevent electric field concentration in a gate insulating film without causing crystal defects in a semiconductor substrate of the lower part of a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の下部の半導体基板に結晶欠陥を生じさせることなくゲート絶縁膜への電界集中を防ぐ。 - 特許庁

To provide a substrate processing equipment which is capable of reducing the concentration of an organic solvent contained in exhaust gas and waste liquid.例文帳に追加

排気および排液中の有機溶剤の濃度を低減でき、かつ処理時間を短縮できる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor element 700 has a first conductivity-type silicon carbide bulk substrate 1 having a principal surface 1p and a rear surface 1r; and has a first conductivity-type high concentration impurity epitaxial layer 3 which is formed on the rear surface 1r of the silicon carbide bulk substrate 1, and contains the impurity with a concentration higher than the one of the silicon carbide bulk substrate 1.例文帳に追加

半導体素子７００は、主面１ｐおよび裏面１ｒを有する第１導電型の炭化珪素バルク基板１と、炭化珪素バルク基板１における裏面１ｒに形成され、炭化珪素バルク基板１よりも高い濃度で不純物を含む第１導電型の高濃度不純物エピタキシャル層３とを備える。 - 特許庁

The CMOSN-type substrate diode for temperature sensor (50) is provided with an n-type substrate (51), a p-type well layer (52) formed in the n-type substrate, an n-type high concentration layer (53) formed in the p-type layer and a p^+-diffusion layer (57) formed near a surface of the n-type high concentration layer.例文帳に追加

温度センサ用ＣＭＯＳＮ型基板ダイオード（５０）は、Ｎ型基板（５１）と、このＮ型基板内に形成されたＰｗｅｌｌ層（５２）と、このＰｗｅｌｌ層内に形成されたＮ型高濃度層（５３）と、このＮ型高濃度層の表面近傍に形成されたｐ^＋拡散層（５７）とを有する。 - 特許庁

To provide an improved method for producing an antimicrobial glass substrate or a glass-like substrate and to provide a method for producing the substrate containing a metal ion with a concentration effective for antimicrobial action on at least one selected surface area of substantially colorless, clear substrate.例文帳に追加

ガラス又はガラス様基体の少なくとも１つの表面領域に、接触致死性で非浸出性の、抗菌に有効な量の金属イオンを含有している該基体であって、ＣＩＥ国際色彩標準でｂ^*≦＋６の色彩を有する該基体を開示する。 - 特許庁

The protection diode 10 is formed of a low concentration n-type conductive layer 2 and a high concentration p-type conductive layers 3, 4 which are joined by the pn-joining with the n-type conductive layer 2 on a semi-insulated semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性半導体基板１に低濃度ｎ型導電体層２と、ｎ型導電層２とｐｎ接合する高濃度ｐ型導電層３，４とから保護ダイオード１０を構成する。 - 特許庁

Lowering of Pt concentration is prevented and dispersion of Pt concentration within the surface of the substrate is reduced, by means of increasing the number of the composition controlling materials S_1-S_5, as the consumption of the target 22 increases.例文帳に追加

ターゲット２２の消費量の増大に伴って組成制御材Ｓ_１〜Ｓ_５の本数を増大させると、Ｐｔ濃度の低下を防止可能で且つ基板面内のＰｔ濃度ばらつきを低減可能である。 - 特許庁

An extinction coefficient in an assumed range of the concentration of impurities injected to a support substrate is measured in advance through measuring equipment, and is approximated as a secondary function of the concentration of impurities.例文帳に追加

支持基板に注入された不純物濃度の想定される範囲内における消衰係数を予め測定機器を通じて測定し、これを不純物濃度の２次関数として近似しておく。 - 特許庁

The concentration of H_2O_2 in a SPM solution other than the time of cleaning a substrate 1 (removing the photo resist film) is controlled at a first concentration or above which is the minimum capable of removing at least a part of the photo resist film.例文帳に追加

基板１の洗浄（フォトレジスト膜の除去）時以外のＳＰＭ液中のＨ_２Ｏ_２の濃度は、フォトレジスト膜の少なくとも一部を除去できる最低限の第１濃度以上で制御する。 - 特許庁

To provide a drying gas supply method, a drying gas supply device and a substrate treatment device capable of setting a drying gas concentration of a wide range, and stably supplying the drying gas with a set concentration.例文帳に追加

広範囲の乾燥ガス濃度を設定でき、しかもこの設定濃度で安定供給ができる乾燥ガス供給方法、乾燥ガス供給装置及び基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

A current path 16 into which impurities are introduced at a predetermined concentration is provided on a semiconductor layer 15 of the SOI substrate 12, and high concentration n-type regions 17 are formed at four corners thereof.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１２の半導体層１５に所定濃度で不純物が導入された電流経路１６が設けられ、その四方の端部に高濃度ｎ型領域１７が形成されている。 - 特許庁

The etched glass substrate is immersed in a sodium hydroxide aqueous solution whose concentration is 0.05 to 3 wt.% or a potassium hydroxide aqueous solution whose concentration is 0.05 to 3 wt.%.例文帳に追加

そしてエッチング後のガラス基板を、濃度が０．０５重量％〜３重量％の水酸化ナトリウム水溶液、又は、濃度が０．０５重量％〜３重量％の水酸化カリウム水溶液に浸漬する。 - 特許庁

An n^+-type high concentration layer 5 forming a Schottky interface between the high concentration layer 5 and the Schottky electrode 3 is provided in a region sandwiched by the p-type diffusion layer 2 in a front layer of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の表層部において、Ｐ型拡散層２に挟まれた領域には、ショットキ電極３との間にショットキ界面を形成するＮ^+型高濃度層５が設けられている。 - 特許庁

Moreover, it is constructed so that the small-carriers concentration from an well region to a collector layer in forward conduction is higher than at least the impurity concentration of part of semiconductor substrate or a buffer layer.例文帳に追加

また、順方向導電時の少数キャリア濃度が、ウェル領域からコレクタ層にわたって、少なくとも一部の半導体基板またはバッファ層の不純物濃度よりも高い構成とする。 - 特許庁

To provide an impurity concentration measuring method capable of measuring impurity concentration distribution with high accuracy, when a substrate where an inert layer to etchant of a embedded oxide film does not exist.例文帳に追加

埋め込み酸化膜等のエッチャントに対して不活性な層が存在しない基板であっても高精度に不純物濃度分布の測定を行うことができる不純物濃度測定方法を提供する。 - 特許庁

A high concentration boron-silicon layer 21 and a low concentration boron-silicon layer 22 are formed under the silicon insulating film 11 of an SOI substrate for producing a stencil mask and wet etching is carried out with an alkali solution such as a KOH solution.例文帳に追加

ステンシルマスク作製用のＳＯＩ基板のシリコン絶縁膜１１の下に高濃度ボロンシリコン層２１、低濃度ボロンシリコン層２２を構成して、ＫＯＨ溶液等のアルカリ溶液でウエットエッチングする。 - 特許庁

(a) A semiconductor substrate in which impurities are added, at a relatively low concentration, to a relatively deep region of a surface layer, and added, at a relatively high concentration, to a relatively shallow region is prepared.例文帳に追加

（ａ）表層部の相対的に深い領域に、相対的に低濃度で不純物が添加され、相対的に浅い領域に、相対的に高濃度で不純物が添加されている半導体基板を準備する。 - 特許庁

In the region near the surface of the substrate of a photodiode, a high-concentration N-layer 32 of its light receiving portion is so formed by an ion implantation as to form a low-concentration N-type epitaxial layer 25 in a further deeper region than the N-layer 32 by an epitaxial growth.例文帳に追加

基板表面に近い領域にイオン注入で高濃度の受光部Ｎ層３２を形成し、さらに深い領域にエピタキシャル成長で低濃度Ｎ型エピタキシャル層２５を形成する。 - 特許庁

A substrate 11 has the dissolved oxygen concentration which is not higher than 8×10^17(atoms/cm^3) and the impurity concentration which is to become an acceptor or a donor is not higher than 1×10^15(atoms/cm^3).例文帳に追加

基板１１は、溶解酸素濃度が８×１０^１７（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）以下で、アクセプタあるいはドナーとなる不純物濃度が１×１０^１５（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）以下である。 - 特許庁