「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

According to this method, forming of the gate insulating film, high in nitrogen concentration and permittivity as a whole, becomes possible while reducing the nitrogen concentration in between the nitrated film and the silicon substrate.例文帳に追加

これにより、窒化膜とシリコン基板の間を低窒素濃度化しつつ、全体として高窒素濃度で誘電率の高いゲート絶縁膜が形成可能になる。 - 特許庁

To provide a substrate processing system for maintaining the concentration of surfactant contained in a processing liquid at a required concentration, even if the processing liquid is regenerated.例文帳に追加

処理液を再生処理しても、処理液中に含まれる界面活性剤の濃度を必要濃度に維持することができる基板処理システムを提供する。 - 特許庁

To increase nitrogen concentration in a gate insulating film, without increasing the nitrogen concentration near the interface between a substrate and the gate insulating film, to more than a required level.例文帳に追加

基板とゲート絶縁膜との界面近傍における窒素濃度を必要以上に高くすることなく、ゲート絶縁膜中の窒素濃度を高める。 - 特許庁

The impurity concentration of the P-type semiconductor region 7p and the N-type semiconductor region 7n is higher than the impurity concentration of the semiconductor substrate 3.例文帳に追加

Ｐ型半導体領域７ｐ及びＮ型半導体領域７ｎの不純物濃度は、半導体基板３の不純物濃度より高くなっている。 - 特許庁

The method for vapor growth of growing the epitaxial layer on a semiconductor substrate comprises growing the epitaxial layer by measuring previously the concentration of a carrier of the semiconductor substrate at a room temperature and then by controlling a set temperature of the substrate responding to the carrier concentration at the room temperature so that a real surface temperature of the substrate may become a desired temperature regardless of the carrier concentration of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にエピタキシャル層を成長させる気相成長方法において、予め半導体基板の室温におけるキャリア濃度を測定し、該半導体基板のキャリア濃度に関わらず実際の基板の表面温度が所望の温度となるように、前記室温におけるキャリア濃度に応じて基板の設定温度を制御し、エピタキシャル層を成長させるようにした。 - 特許庁

In order to form a high concentration n-diffusion region, a low concentration n-diffusion region and a p-diffusion region on a substrate 600, the substrate 600 is irradiated with a laser beam corresponding to respective diffusion regions.例文帳に追加

基板６００に、高濃度ｎ拡散領域と低濃度ｎ拡散領域とｐ拡散領域とを形成するために、それぞれの拡散領域に応じたレーザビームを基板６００に照射する。 - 特許庁

The steam diffusion in a direction parallel to the substrate 1 is suppressed by providing the vertical plate 3, and the vapor concentration in the end of the coating region 2 approaches a vapor concentration in the center of the substrate 1.例文帳に追加

立て板３を設けることにより、基板１と平行な方向への蒸気の拡散が抑制され、塗布領域２端部の蒸気濃度が基板１中央部の蒸気濃度に近づいていく。 - 特許庁

The apparatus for producing valuables 100 is provided with a sensor 109a for a gas concentration and a flow rate to obtain the feed rate of the substrate by measuring the concentration and the flow rate of the substrate in the feeding gas 101.例文帳に追加

有価物生産装置１００には、供給気体１０１の基質濃度および流量を測定して基質供給量を得るガス濃度・流量センサ１０９ａが設けられている。 - 特許庁

In a substrate processing section, a substrate is processed by volatile organic solvent, and in a circulation section connected with the substrate processing section, a volatile component of the organic solvent ejected from the substrate processing section is made to circulate through the substrate processing section; and a leveling of the concentration thereof is carried out, while the concentration thereof is increased.例文帳に追加

基板処理部において、揮発性の有機溶剤によって基板を処理し、前記基板処理部に連結された循環部において、前記基板処理部から排出された前記有機溶剤の揮発成分を前記基板処理部に循環させ、その濃度を増大させるとともに平準化させる。 - 特許庁

In an SOI substrate, having a semiconductor substrate for forming element on a semiconductor substrate 5 for base through an insulating film for embedding, a high concentration layer containing impurities at a concentration higher than that in the semiconductor substrate for forming element is provided in the selective area of the semiconductor substrate for forming element.例文帳に追加

ベース用半導体基板の上に埋め込み用絶縁膜を介して素子形成用半導体基板が設置されているＳＯＩ基板であって、素子形成用半導体基板の選択的な領域に素子形成用半導体基板よりも高不純物濃度の高濃度層３が設置されているものである。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a silicon substrate 1, and an SiON film 3 provided on the silicon substrate 1 and including silicon, oxygen, nitrogen, and helium having a concentration distribution in a film thickness direction of a maximum concentration of helium on the surface part of the silicon substrate 1 and a maximum concentration of nitrogen on the surface of the opposite side of the silicon substrate 1.例文帳に追加

半導体装置は、シリコン基板１と、シリコン基板１上に設けられ、膜厚方向に関し、シリコン基板１側の表面部分にヘリウムの濃度の極大値、シリコン基板１と反対側の表面部分に窒素の濃度の極大値がある濃度分布を有するシリコン、酸素、窒素およびヘリウムを含むＳｉＯＮ膜３とを備えている。 - 特許庁

To provide a surface treatment method of a compound semiconductor substrate which reduces a concentration of an impurity of surface of the substrate composed of a compound semiconductor to reduce a concentration of impurity of a layer formed on the substrate, to provide a compound semiconductor manufacturing method, to provide a compound semiconductor substrate, and to provide a semiconductor wafer.例文帳に追加

化合物半導体からなる基板の表面の不純物濃度を低減して、基板上に形成される層の不純物濃度を低減する化合物半導体基板の表面処理方法、化合物半導体の製造方法、化合物半導体基板、および半導体ウエハを提供する。 - 特許庁

A light-receiving element 20 is equipped with a semiconductor substrate 1, a light absorbing layer which is formed on a semiconductor substrate 1, includes a low concentration impurity layer, and absorbs the light of predetermined wavelength band, and a high concentration impurity layer 4 formed on the light absorbing layer and having an impurity concentration higher than that of the low concentration impurity layer.例文帳に追加

受光素子２０は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成され、低濃度不純物層を含み且つ所定の波長帯の光を吸収する光吸収層と、光吸収層上に形成され且つ低濃度不純物層よりも不純物濃度が高い高濃度不純物層４とを備える。 - 特許庁

The injected carbon dioxide-dissolved water lands on the substrate W at its relatively high concentration.例文帳に追加

噴射された炭酸ガス溶解水は溶解濃度が比較的に高い状態で基板Ｗに着液する。 - 特許庁

The impurity concentration of the silicon substrate 10 under the first insulating layer 20 is 2.0×10^14 cm^-3 or less.例文帳に追加

ここで、第１絶縁層２０下の不純物濃度は、２．０×１０^１４ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

To provide a substrate manufacturing apparatus with which the concentration of oxygen in a chamber can be reduced with a simple constitution.例文帳に追加

簡易な構成でチャンバ内の酸素濃度を低減することができる基板製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a biosensor capable of accurately measuring substrate concentration, such as glucose having high preservation reliability.例文帳に追加

高い保存信頼性をもってグルコースなどの基質濃度を正確に測定できるバイオセンサを提供する。 - 特許庁

The electric field is obtained by making a gradation in a impurity concentration in the depth direction of the epitaxial substrate 710 or by disposing backside electrodes 810 and 840 and conducting them.例文帳に追加

あるいは、裏面電極８１０、８４０を設けて通電することでも実現できる。 - 特許庁

Further, the pouring concentration of the ion is set so as to become thinner as a depth from the surface of a substrate becomes deeper.例文帳に追加

また、基板表面より深くなるほどイオン注入濃度が薄くなるように設定されている。 - 特許庁

To prevent Cu ion concentration in chemical of a chemical circulation type substrate cleaning treatment apparatus from increasing.例文帳に追加

薬液循環型の基板洗浄処理装置の薬液中のＣｕイオン濃度の上昇を防止する。 - 特許庁

Fig. 4 and Fig. 5 strikingly reveal that the toxicity of the A is also influenced by the substrate concentration.例文帳に追加

図4と図5が，Aの毒性が同じく基質の濃度に影響されることを極めて明らかにしている。 - 英語論文検索例文集

Figures 4 and 5 strikingly reveal that the copper toxicity is also influenced by the substrate concentration.例文帳に追加

図4と図5によれば，銅の毒性が基質濃度によっても影響をうけることが極めて明らかである。 - 英語論文検索例文集

SENSOR SUPPORT AND ITS MANUFACTURING METHOD, ELECTROCHEMICAL SENSOR AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND METHOD FOR MEASURING CONCENTRATION OF SUBSTRATE例文帳に追加

センサ支持体とその製造方法、電気化学センサとその製造方法および基質濃度測定方法 - 特許庁

To provide a highly reliable electronic component in which a substrate is not cracked by preventing concentration of thermal stress from a solder joint onto the substrate.例文帳に追加

はんだ接合部による基板への熱応力の集中を防止でき、基板にクラックが発生しない高信頼度な電子部品を提供する。 - 特許庁

The jetting position is a space sandwiched between the target and the substrate, and the concentration of the reactive gas on the surface of the substrate can furthermore highly be maintained.例文帳に追加

噴出する位置はターゲット−基板に挟まれる空間であって基板表面の反応性ガス濃度をより高く維持できるようにする。 - 特許庁

To provide a substrate-processing device and a method, where a substrate can be stably processed and restrained of a processing solution from varying in concentration.例文帳に追加

処理液の濃度変動を抑えて基板処理を安定して行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device for cleaning a substrate while supplying to the substrate a high-concentration cleaning liquid prepared by dissolving the gas contributing to the cleaned degree in liquid.例文帳に追加

洗浄度合いに寄与する気体を液体に溶解した高濃度な洗浄液を基板に供給する基板洗浄装置を提供する。 - 特許庁

To easily and appropriately perform control of the substrate concentration of a substrate solution supplied for recovering the activity of microorganism within a biosensor.例文帳に追加

バイオセンサ内の微生物の活性を回復させるために供給する基質溶液の基質濃度の制御を容易且つ適切に行うこと。 - 特許庁

Concretely, the quartz substrate for photomask is soaked in the low-concentration hydrofluoric acid or the low- density hydrofluoric acid is sprayed to the quartz substrate from a spray nozzle.例文帳に追加

具体的には、低濃度フッ酸にフォトマスク用石英基板を浸漬させるか、石英基板に噴射機から低濃度フッ酸を噴射させる。 - 特許庁

To improve the in-plane uniformity of the substrate treatment by means of a substrate treating device by making the concentration distribution of a reactive gas uniform in a reaction chamber.例文帳に追加

基板処理装置に於いて、反応室内での反応ガスの濃度分布を均一化し、基板処理の面内均一性を向上させる。 - 特許庁

(b) The semiconductor substrate is irradiated with a laser beam so that the high concentration impurities added to a relatively shallow region melt and activate the semiconductor substrate down to a position deeper than the region where the high concentration impurities are added, and the low concentration impurities added to a relatively deep region activate the semiconductor substrate, without melting, down to the region where the low concentration impurities are added.例文帳に追加

（ｂ）半導体基板にレーザビームを照射して、相対的に浅い領域に添加された高濃度不純物は、高濃度不純物の添加領域よりも深い位置まで、半導体基板を溶融させて活性化させ、相対的に深い領域に添加された低濃度不純物は、半導体基板を、低濃度不純物の添加領域まで溶融させることなく活性化させる。 - 特許庁

To obtain a substrate processing device and substrate processing method, which can increase an ozone concentration in ozone water to be supplied to a substrate, and positively eliminate organic matters, metal contaminants, or the like adhered to a surface of the substrate.例文帳に追加

基板に供給するオゾン水中のオゾン濃度を高めることができて、基板の表面に付着した有機物や金属汚染物等を確実に除去できる基板処理装置および基板処理方法を提供する 。 - 特許庁

To provide a substrate unit having an electronic component and a substrate mounted with it, a substrate used therefor, and an electronic device, wherein stress concentration on a bonding position of a terminal and the substrate is suppressed.例文帳に追加

本発明は電子部品とこれを搭載する基板を有した基板ユニット、これに用いる基板、及び電子装置に関し、端子と基板との接合位置に応力集中が発生することを抑制することを課題とする。 - 特許庁

To accurately form an n-type high-concentration impurity region doped with only n-type impurities and an n-type low-concentration impurity region doped with n-type impurities and p-type impurities, by self-alignment when forming the n-type high-concentration impurity region and the p-type low-concentration impurity region on a semiconductor substrate adjacently to each other.例文帳に追加

半導体基板にｎ型不純物のみを導入したｎ型高濃度不純物領域と型不純物とｐ型不純物とを導入したｎ型低濃度不純物領域と隣接して形成する際、セルフアライメントにより高精度に形成する。 - 特許庁

A plurality of high concentration diffusion layers 3 in linear configurations whose dopant concentration is set so as to be higher than that of the surrounding area are formed on the first main surface of the semiconductor solar battery substrate 1, and the surrounding area of the high concentration diffusion layer 3 is formed as a low concentration diffusion layer 2 whose dopant concentration is low.例文帳に追加

半導体太陽電池基板１の第一主表面には、ドーパントの濃度が周囲の領域よりも高く設定された線状形態の高濃度拡散層３が複数形成され、該高濃度拡散層３の周囲領域が、それよりもドーパントの濃度が低い低濃度拡散層２とされてなる。 - 特許庁

After cleaning the surface of the silicon substrate 1, the silicon substrate 1 is dipped in an HF aqueous solution of a 0.5 vol% concentration to remove impurities and natural oxide films from the surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１の表面を洗浄した後、濃度０．５体積％のＨＦ水溶液に５分間浸漬し、シリコン基板１上の不純物及び自然酸化膜を除去する。 - 特許庁

Thereby, stress concentration, caused by the pore 70 when external force is applied to the substrate 60, decreases, therefore, the substrate 60 can be prevented from cracking even when the substrate 60 is porous.例文帳に追加

これにより、基板６０へ外力が係った場合に空孔７０による応力集中が少なくなり、基板６０が、多空孔質であっても、基板６０の割れを防止することができる。 - 特許庁

To provide a ground substrate for reducing the impurity concentration in the nitride crystal, to provide a nitride crystal with the ground substrate, and to provide a method for producing the ground substrate and a method for producing the nitride crystal.例文帳に追加

窒化物結晶の不純物濃度を低減できる下地基板、下地基板付窒化物結晶、下地基板の製造方法および窒化物結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a fastening stress concentration at a screw fastening part of a circuit substrate, and to reduce the number of part items and operation steps when screw-fixing the circuit substrate to a substrate supporting member.例文帳に追加

基板支持部に回路基板をねじ止め固定するにあたり、回路基板のねじ締結部分に対する締結力の集中を防止し、かつ部品点数及び作業工程を減らす。 - 特許庁

The apparatus is also provided with a sensor 109b for the gas concentration and the flow rate to obtain discharged amount of the substrate by measuring the concentration of the substrate in the discharged gas 106 discharged from the culture liquid in a culture tank 103.例文帳に追加

また、培養槽１０３内の培養液中から排出される排出気体１０６の基質濃度および流量を測定して基質排出量を得るガス濃度・流量センサ１０９ｂが設けられている。 - 特許庁

A first material liquid L1 having a low alignment layer material concentration is applied to a substrate P and a second material liquid L2 having a high alignment layer material concentration is applied to the substrate P to which the first material liquid L1 has been applied.例文帳に追加

基板Ｐ上に配向膜材料濃度が低い第１の材料液Ｌ１を塗布し、第１の材料液Ｌ１が塗布された基板Ｐ上に配向膜材料濃度が高い第２の材料液Ｌ２を塗布する。 - 特許庁

Further a definite amount of the substrate surface is removed while controlling concentration change of the liquid chemical 17 so as to stay within a range of ±5 wt.% from the previously set concentration.例文帳に追加

又、薬液１７の濃度変化が予め設定した濃度から±５重量％の範囲に収まるように制御しながら、基板の表面を一定量除去する。 - 特許庁

Consequently, such a p-type concentration distribution that the concentration of a p-type impurity becomes higher as going toward the boron-introduced areas 2 from the element area of the substrate 1 is formed.例文帳に追加

これにより、半導体基板１の素子領域からボロン導入領域２に向けてｐ型の不純物濃度が高くなるようなｐ型濃度分布が形成されている。 - 特許庁

At such a time, it is preferable that the concentration of nitrogen in the surface portion of the silicon nitride film 105 is higher than the concentration of nitrogen in the interface of the silicon nitride film 105 and a silicon substrate 101.例文帳に追加

このとき、シリコン酸化膜１０５の表面部の窒素濃度は、シリコン酸化膜１０５とシリコン基板１０１との界面の窒素濃度より高いことが好ましい。 - 特許庁

The concentration of the chemical 2 supplied from the chemical tank 23 to the chemical nozzle 21 is detected to change the moving speed of the substrate 1 based on a result of detection of the concentration of the chemical 2.例文帳に追加

薬液タンク２３から薬液ノズル２１へ供給する薬液２の濃度を検出し、薬液２の濃度の検出結果に基づき、基板１の移動速度を変更する。 - 特許庁