「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Under this state of arrangement, an ohmic electrode 7 formed of a metal is formed on the rear surface of the N^+ high concentration substrate 1.例文帳に追加

この配置状態で、Ｎ^+高濃度基板１の裏面上に金属で形成されるオーミック電極７を形成する。 - 特許庁

To provide a processing apparatus capable of determining a concentration of a processing liquid for processing a substrate.例文帳に追加

この発明は基板を処理する処理液の濃度を求めることができるようにした処理装置を提供することにある。 - 特許庁

By implanting ions onto a semiconductor substrate 1, a low concentration impurity region 3 to be a channel region is formed.例文帳に追加

半導体基板１上にイオン注入することでチャネル領域となる低濃度不純物領域３を形成する。 - 特許庁

In particular, the hydrogen concentration of the cap film provided for the semiconductor substrate is set greater than or equal to the irradiation amount of the hydrogen ions.例文帳に追加

特に、半導体基板に形成するキャップ膜の水素濃度は水素イオンの照射量以上とすればよい。 - 特許庁

To provide an ion-exchange membrane that uses a porous substrate sheet and shows improved concentration properties.例文帳に追加

多孔性の基材シートを用いたイオン交換膜であって、濃縮特性が更に向上したイオン交換膜を提供する。 - 特許庁

To efficiently freeze a liquid membrane formed on a surface of a substrate to be processed while suppressing stress concentration.例文帳に追加

応力集中が発生するのを抑制しながら基板の被処理面に形成された液膜を効率的に凍結させる。 - 特許庁

For example, the SiGe has Ge of 20% concentration on the substrate interface of Si, Ge of 30 % concentration on the upper end surface of the SiGe film, and a thickness of 400 nm.例文帳に追加

例えば、ＳｉＧｅは、Ｓｉの基板界面において２０％の濃度のＧｅ、ＳｉＧｅ膜の上端面において３０％の濃度のＧｅ、および、４００ｎｍの厚さを有する。 - 特許庁

A p-type InP buffer layer 2 containing low concentration Zn, and an undoped InP buffer layer 3 with a carrier concentration of 3×10^17 cm^-3 or less, are stacked on a p-type InP substrate 1 containing Zn.例文帳に追加

Znを含むｐ型InP基板１の上に、低濃度のZnを含むｐ型InPバッファ層２、キャリア濃度が３×１０^１７ｃｍ^−３以下となるアンドープInPバッファ層３を積層する。 - 特許庁

The couple further have a field-shaping zone of the first conductivity-type p^-, defining the lateral edge of the couple and having a dopant concentration higher than the dopant concentration of the semiconductor substrate.例文帳に追加

上記対は、対のラテラル方向端部を規定し、半導体基板１のドーパント濃度よりも高いドーパント濃度を有する第１導電型ｐ^−のフィールド形成ゾーンをさらに備える。 - 特許庁

The interstitial oxygen concentration of the silicon substrate is specified to be 1×10^18 cm^-3 or less for the reason that a degree of oxygen donor formation strongly depends on the interstitial oxygen concentration.例文帳に追加

単結晶シリコン基板の格子間酸素濃度を１×１０^１８ｃｍ^−３以下とするのは、酸素ドナーの形成の度合いが当該格子間酸素濃度に強く依存するためである。 - 特許庁

A deep N+ type semiconductor layer 2 is high concentration N type impurities selectively from one surface side of an N- type semiconductor substrate having low concentration N type impurities.例文帳に追加

低濃度のＮ型不純物を有するＮ−型半導体基板の一方の表面側から，高濃度のＮ型不純物が選択拡散され，深いＮ＋型半導体層を形成する。 - 特許庁

The gate insulating film 5 is set such that the concentration of hafnium decreases monotonously and the concentration of aluminium increases monotonously from the silicon substrate 3 side toward the gate electrode 5 along the thickness direction.例文帳に追加

ゲート絶縁膜５は、厚さ方向に沿ってシリコン基板３側からゲート電極５へ向けて、ハフニウム濃度が単調減少し、アルミニウム濃度が単調増加するように設定されている。 - 特許庁

Thus, it is not necessary to directly form the peripheral element on the n+-type substrate 1 whose concentration is high, and the concentration of the diffused resistance of the peripheral element can be controlled easily.例文帳に追加

これにより、高濃度なｎ^+型基板１に周辺素子を直接形成しなくても良くなるため、周辺素子の拡散抵抗の濃度制御を容易に行うことができる。 - 特許庁

In the ceramic substrate 10, an insulating layer, that is, a highly Al-concentrated layer 12 is formed on a surface of the ceramic substrate 10, wherein the insulating layer is high in Al concentration than the inside thereof.例文帳に追加

本発明のセラミックス基板１０は、セラミックス基板１０の表面に、Ａｌ濃度が内部よりも高い絶縁体層（=Ａｌ高濃度層１２）を構成する。 - 特許庁

To provide a device for processing a substrate, capable of suppressing degradation of etching speed due to stay of a low-concentration chemical, in a horizontal transport type device for processing a substrate.例文帳に追加

水平搬送方式の基板処理装置において、低濃度薬液の滞留によるエッチング速度の低下を抑えることのできる基板処理装置を得ること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nano carbon material composite substrate favorably attaining electric field concentration on a nano carbon material deposited on a substrate.例文帳に追加

基板上に成膜するナノ炭素材料への電界集中を好適に行なうことができるナノ炭素材料複合基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The wafer for evaluating a heat treatment comprises a silicon substrate whose oxygen concentration is 1.0×10^18 atoms/cm^3 or below and a silicon epitaxial layer formed on at least one face of the substrate.例文帳に追加

酸素濃度が１．０×１０^18ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下であるシリコン基板と、該基板の少なくとも一方の面にシリコンエピタキシャル層を有する、熱処理評価用ウェーハ。 - 特許庁

To provide an ultraviolet irradiation apparatus capable of uniformizing the concentration of oxygen between a light irradiation part and a treated substrate to uniformly treat the surface of a large-sized substrate.例文帳に追加

光照射部と処理基板との間の酸素濃度を均一にし、大型基板の表面を均一に処理することができる紫外線照射装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing a low-sulfur gasoline substrate, wherein the sulfur concentration of a gasoline substrate obtained by polymerizing a C4 fraction can efficiently be lowered.例文帳に追加

Ｃ４留分を重合して得られるガソリン基材の低硫黄濃度化を効率的に行うことのできる低硫黄ガソリン基材の製造装置を提供すること。 - 特許庁

A substrate potential contact region 9b having an N type impurity concentration higher than that of the substrate potential region 11b is formed in the substantial potential region 11b.例文帳に追加

基板電位用領域１１ｂ、基板電位用領域１１ｂよりも濃いＮ型不純物濃度をもつ基板電位用コンタクト領域９ｂが形成されている。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a silicon substrate 10 wherein resistivity is at least 800 Ωcm and oxygen concentration is ≤5×1017 cm-3, and an inductor 32b formed on the silicon substrate.例文帳に追加

比抵抗８００Ωｃｍ以上、酸素濃度５×１０^17ｃｍ^-3以下のシリコン基板１０と、シリコン基板に形成されたインダクタ３２ｂとを有している。 - 特許庁

A p-type substrate region 3 and a high-concentration n-type source region 8 are successively formed on n-type drain regions 1 and 2 in a semiconductor substrate S.例文帳に追加

半導体基板Ｓ内におけるＮ型ドレイン領域１及び２の上にＰ型基板領域３及び高濃度Ｎ型ソース領域８が順次形成されている。 - 特許庁

To prevent the breakage of a toothbrush by averting the concentration of bending stresses to a substrate even if the strength of adhesion of a molten plastic material to be bonded to the substrate.例文帳に追加

基板に接着されるプラスチック溶融材料の接着強度が低下しても、基板に対する曲げ応力の集中を回避し、歯ブラシの折れを防止すること。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor substrate in which a vertical element can be formed and resistance can be decreased on the interface of a low concentration SiC layer and a supporting substrate becoming the active region of the element.例文帳に追加

縦型の素子の形成が可能であり、素子の活性領域となる低濃度のＳｉＣ層と支持基板の界面抵抗が小さい半導体基板を製造する。 - 特許庁

The carburizing or carbonitriding is carried out so as to control the carbon concentration of the substrate to 0.9-1.3%, and the substrate is held at 820 to 920°C for 30 minutes and is then cooled.例文帳に追加

基材表面の炭素濃度を０．９〜１．３％として浸炭処理又は浸炭窒化処理を行い、８２０〜９２０℃で３０分保持した後、冷却処理を行う。 - 特許庁

After the surface of the substrate for the mask blank is polished in a polishing step of polishing a substrate using a polishing liquid containing polishing grains, the surface is acted upon by high concentration ozone gas.例文帳に追加

研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する研磨工程によりマスクブランク用基板表面を研磨した後、該基板表面に高濃度のオゾンガスを作用させる。 - 特許庁

To provide a treatment gas supply device for supplying treatment gas to a substrate with high concentration and a substrate processor equipped with the treatment gas supply device.例文帳に追加

基板に対して処理ガスを高濃度で大量に供給できる処理ガス供給装置、および当該処理ガス供給装置を備えた基板処理装置を提供する。 - 特許庁

An n-type epitaxial layer 12 is lower in impurity concentration and higher in resistance than a silicon substrate 11, and is formed by the thickness of 3-4 μm on the silicon substrate 11.例文帳に追加

シリコン基板１１上に、シリコン基板１１よりも不純物濃度が低く高抵抗であるｎ型エピタキシャル層１２が例えば３〜４μｍの厚さに形成される。 - 特許庁

High-concentration phosphor ions are implanted into the formation area A of a high-speed HBT on a p-type Si substrate 1, and a silicon oxide film 3 is formed on the Si substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板１上の高速用ＨＢＴの形成領域Ａに高濃度のリンイオンを注入した後、Ｓｉ基板１上にシリコン酸化膜３を形成する。 - 特許庁

Since heat generated from the heat generating elements 8 formed on the semiconductor substrate 1 is dispersed, the concentration of heat in the semiconductor substrate 1 can be restrained.例文帳に追加

それによって、半導体基板１に形成された発熱素子８から発生する熱は分散されるため、半導体基板１における熱の集中を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor pressure sensor capable of reducing stress concentration occurring in and around the joint between a semiconductor substrate and a support substrate.例文帳に追加

半導体基板と支持体基板との接合部や接合部周辺に生ずる応力集中を低減することができる半導体圧力センサを実現することにある。 - 特許庁

To accurately predict an impurity concentration profile formed in a semiconductor substrate, by implanting impurities into the substrate through an amorphous film in a low-energy ion implantation method using an analytical model.例文帳に追加

低エネルギーイオン注入により非晶質膜を通じて半導体基板中に形成された不純物濃度プロファイルを解析モデルを用いて高精度に予測する。 - 特許庁

Impurity ions are implanted into an SiC substrate 11 in a multistage manner, by which an implanted layer 12 having several concentration peaks of impurity ion is formed in the SiC substrate 11.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１１内に不純物イオンを多段階で注入して、ＳｉＣ基板１１内に不純物濃度のピークが複数個形成された注入層１２を形成する。 - 特許庁

To provide a single crystal silicon carbide substrate capable of suppressing dispersion of the nitrogen atom concentration in the single crystal silicon carbide substrate, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

単結晶炭化珪素基板における窒素原子濃度のばらつきを抑制することができる単結晶炭化珪素基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The thin film is formed in the process S4, thus eliminating unevenness in the concentration of the mixed liquid on the entire surface of a substrate, and development processing is made uniformly in the surface of the substrate.例文帳に追加

前記工程Ｓ４で薄膜を形成することによって，基板全面で混合液濃度に斑が無く，基板面内で現像処理が均一に行われる。 - 特許庁

Then p-type regions 38A are formed on the substrate 22, by injecting a low- concentration p-type impurity deep into the substrate 22, by high-energy ion implantation by using the photoresist film 2 as a mask.例文帳に追加

この第１のフォトレジスト層２をマスクとして低濃度のｐ型不純物を深部に高エネルギーのイオン注入により導入しｐ型領域３８Ａを形成する。 - 特許庁

In the group III-V nitride-based semiconductor substrate, the minimum value of the concentration of a n-type impurity at an arbitrary place within the substrate surface is set to be ≥5×10^17 cm^-3.例文帳に追加

基板面内の任意の場所でｎ型不純物濃度の最小値が５×１０^１７ｃｍ^−３以上としたIII−Ｖ族窒化物系半導体基板とする。 - 特許庁

In the photoresist peeling and cleaning method; heated high concentration ozone water is poured over the photosensitive photoresist applied to a quartz substrate, a semiconductor substrate, a glass substrate, a metallic substrate, or the like while irradiating ultraviolet light.例文帳に追加

本発明は、石英基板、半導体基板、ガラス基板、金属基板等に塗布された感光性フォトレジストに対し、紫外光を照射しつつ、加温された高濃度オゾン水をかけることを特徴とするフォトレジストの剥離及び洗浄方法の構成とした。 - 特許庁

The single chip data processing device is characterised by being provided with a first conductive-type substrate having a first doping concentration, a first well formed on the substrate, a first conductive-type second well which is deeper than the first well and has a higher concentration than the first doping concentration and a nonvolatile memory cell formed on the second well.例文帳に追加

第１ドーピング濃度を有する第１導電型の基板と、この基板に形成された第１ウェルと、第１ウェルより深く、第１ドーピング濃度より高い濃度を有する第１導電型の第２ウェルと、第２ウェル上に形成された不揮発性メモリセルとを備えることを特徴とする単一チップデータ処理装置である。 - 特許庁

Next, a second conductivity-type impurity diffusing layer 14 formed sequentially of low concentration region, high concentration region, and intermediate concentration region is formed on the first conductivity-type impurity diffusing layer of the substrate toward the light receiving side from the photodiode side.例文帳に追加

次に、基板中における第１導電型不純物拡散層上に、フォトダイオード部側から受光面側に向かって、順に低濃度領域、高濃度領域および中濃度領域からなる第２導電型不純物拡散層１４を形成する。 - 特許庁

On a substrate 11, a first p-type semiconductor layer 12 having a high dopant concentration, a second p-type semiconductor layer 13 having a low dopant concentration, and an n-type semiconductor layer 14 having a concentration higher than that of the second p-type semiconductor layer 13 are formed in order.例文帳に追加

基板１１上には、高不純物濃度の第１のｐ型半導体層１２と、低不純物濃度の第２のｐ型半導体層１３と、第２のｐ型半導体層１３よりも高濃度のｎ型半導体層１４とが形成されている。 - 特許庁

Since the second P-type high concentration impurity region 6 is brought into contact with the P-type semiconductor substrate 1, the concentration of P-type impurity in the P-type semiconductor substrate 1 is increased, and thereby, the holding voltage of the electrostatic protection element is increased.例文帳に追加

すなわち、第２のＰ型高濃度不純物領域６がＰ型半導体基板１と接触するため、Ｐ型半導体基板１におけるＰ型不純物の濃度が高くなり、従って静電気保護素子の保持電圧が高くなる。 - 特許庁

When a deep source or drain diffusion layer region is formed with high impurity concentration, an intermediate region of higher impurity concentration than a semiconductor substrate having a conductivity type opposite to that of a source-drain layer is formed between the source-drain layer and the semiconductor substrate.例文帳に追加

高濃度で深いソース又はドレイン拡散層領域を形成する時、ソース・ドレイン拡散層と反対の導電型を有する半導体基板との間に該半導体基板の不純物濃度より高い濃度の中間領域を形成する。 - 特許庁

The radiological image detector does not have a region, in which a concentration of elements of oxygen or chlorine is more than twice as large as the average concentration of the elements in the substrate-side charge transport layer 5, near the interface of the substrate-side charge transport layer 5 and a photoconductive layer 4.例文帳に追加

基板側電荷輸送層５と光導電層４との界面近傍において、酸素または塩素の元素の濃度が基板側電荷輸送層５中の上記元素の平均濃度の２倍以上となる領域を有しないようにする。 - 特許庁

SiGe layers 3, 4 are provided on a Si substrate 1, where a high concentration region 2, in which impurity concentration is higher than that of the surface region of the SiGe layers, is provided on the surface of the Si substrate, or in at least a part of the inside of the SiGe layers.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層３、４を備え、前記Ｓｉ基板表面又は前記ＳｉＧｅ層の内部の少なくとも一部にＳｉＧｅ層の表面よりも不純物濃度を高くした高濃度領域２を備える。 - 特許庁