「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing the antireflection base material for silica fine particles includes a process for reducing the concentration of carbon atom on the surface of a glass substrate to 9.5% or less by cleaning.例文帳に追加

洗浄によって、ガラス基板表面の炭素元素濃度を９．５％以下にする工程を含むシリカ微粒子用反射防止基材の製造方法。 - 特許庁

A high concentration boron is diffused to a region of the polycrystal silicon film 2 excluding a region corresponding to a pressure chamber formation part of the substrate 1.例文帳に追加

多結晶シリコン膜２の、基板１における圧力室形成部分に対応する領域を除いた領域に、高濃度のボロンが拡散される。 - 特許庁

To provide a device for forming a chemical vapor deposition semiconductor film, forming a semiconductor film having a uniform impurity concentration on a substrate by chemical vapor deposition.例文帳に追加

不純物濃度が均一な半導体膜を化学気相成長により基板上に形成する化学気相成長半導体膜形成装置を提供する - 特許庁

To easily control the concentration of the diffused resistance of a peripheral element at formation of a power MOSFET, and the peripheral element on the same substrate.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴと周辺素子とを同一基板に形成する場合において、周辺素子の拡散抵抗の濃度制御が容易に行えるようにする。 - 特許庁

To reduce a concentration of an oxygen to be mixed in a film formed on a substrate to be treated by decreasing an adhesion of a moisture to the surface of a wall of a reaction chamber.例文帳に追加

反応室壁面への水分付着を低減することにより、被処理基板に形成される成膜中に混入する酸素濃度を低減する。 - 特許庁

(1) The specific nitrilase activity in the initial reaction is ≥30 g-ammonium acrylate/g-dry biocatalyst/Hr when acrylonitrile is used as a substrate and (2) the maximum accumulation concentration of the ammonium acrylate exceeds 30 wt.% when the ammonium acrylate is produced by using the acrylonitrile and water.例文帳に追加

２）アクリロニトリルと水を用いてアクリル酸アンモニウムを製造する場合、アクリル酸アンモニウム最高蓄積濃度が30重量%を越えること。 - 特許庁

Consequently, the silicon wafer for substrate which is excellent in impurity concentration profiles and capable of growing an epitaxial growth film with less misfit dislocation is manufactured.例文帳に追加

したがって、不純物濃度プロファイルに優れ、かつミスフィット転位の少ないエピタキシャル成長膜を成長させられる基板用シリコンウェハを製造することができる。 - 特許庁

Germanium is so implanted over the entire semiconductor substrate at an appropriate intensity and quantity that a peak ion concentration is generated under the source and drain of the FET.例文帳に追加

ピーク・イオン濃度がＦＥＴのソース及びドレインの下に生成されるように、ゲルマニウムが適切な強さ及び量で、半導体基板全体に渡り打ち込まれる。 - 特許庁

A low-concentration drain region 105A2 is formed in a region near the sidewall surface and the bottom surface of one dug-down portion 121 in the semiconductor substrate 101.例文帳に追加

掘り下げ部１２１の側壁面及び底面の近傍に位置する部分の半導体基板１０１中に低濃度ドレイン領域１０５Ａ２が形成されている。 - 特許庁

The method further comprises a step of forming a concentration gradient of the impurity by the layer 20 along the in-plane direction as the substrate between the collector layer 13 and the emitter layer 14.例文帳に追加

このイオン注入層２０により、コレクタ層１３とエミッタ層１４との間で、半導体基板の面内方向に不純物の濃度勾配を形成する。 - 特許庁

To suppress a decrease in strength of an exposure light between a projection optical system and a photosensitive substrate, and to suppress the nonuniformity of impurity concentration therebetween to the minimum.例文帳に追加

投影光学系と感光性基板間の露光光の強度低下を抑制し、且つ、その間の気体の濃度の不均一性を最低限に抑える。 - 特許庁

To provide an optical fiber array which prevents breakage of optical fibers and stress concentration and has a high optical fiber adhesion reliability, and a substrate for the optical fiber array.例文帳に追加

光ファイバの破損、応力集中を防止でき、かつ光ファイバの接着信頼性の高い光ファイバアレイ及び光ファイバアレイ用の基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of preventing reduction in the concentration of a surfactant included in processing liquid caused by regeneration of the processing liquid.例文帳に追加

処理液の再生により処理液に含まれる界面活性剤の濃度が低くなるのを防止することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To prevent concentration of stress to a terminal by inertia by a measure on structure of an electromagnetic relay itself in a substrate mounting type electromagnetic relay.例文帳に追加

基板実装型の電磁継電器において、電磁継電器自体の構造上の方策により、慣性による端子への応力集中を防止できるようにする。 - 特許庁

Impurity ion implantation is performed with a first concentration in order to form sources/drains 116 in the semiconductor substrate with the gate structures 120 serving as masks.例文帳に追加

前記ゲート構造１２０をマスクとして前記半導体基板にソース／ドレーン１１６を形成するために第１濃度で不純物イオン注入を行う。 - 特許庁

The metal ions having electro-negativity higher than that of the semiconductor substrate and added to the etchant 5 deposite as metal by taking electrons selectively from an N type region of high electron concentration.例文帳に追加

エッチング液５に、電気陰性度が半導体基板４の電気陰性度より大きい金属イオン（Ｃｕイオン）を含ませることを特徴とする。 - 特許庁

A shallow n-type low-concentration impurity diffusion region EX1 is formed in the semiconductor substrate 1S right below the auxiliary gate electrodes AG1, AG2.例文帳に追加

補助ゲート電極ＡＧ１、ＡＧ２の直下にある半導体基板１Ｓ内には浅いｎ型低濃度不純物拡散領域ＥＸ１が形成されている。 - 特許庁

An element isolation region is formed on a semiconductor substrate 10, on which a high concentration impurity diffusion semiconductor layer 1 and a semiconductor active layer 2 are laminated.例文帳に追加

高濃度不純物拡散半導体層１、半導体活性層２が積層された半導体基板１０に素子分離領域が形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a solar battery which enables simple manufacturing processes and a high dopant concentration of a semiconductor substrate surface layer.例文帳に追加

製造工程が簡便であって、半導体基板表層のドーパント濃度を高濃度にすることができる、太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

On the surface of the substrate, there is formed a third semiconductor layer doped with the first dopant in a medium concentration and subjected to a small convex and concave processing.例文帳に追加

上記基板の表面上には、第１ドーパントで中濃度にドープされ、さらに微小凹凸加工されている第３半導体層を形成する。 - 特許庁

On the other hand, a shallow N+ type semiconductor 3 is formed by diffusing high concentration N type impurities from one surface side of the N- type semiconductor substrate.例文帳に追加

また，Ｎ−型半導体基板の上記一方の表面側から高濃度のＮ型不純物を拡散して，浅いＮ＋型半導体を形成する。 - 特許庁

To provide a laser annealing device which can reduce an oxygen concentration on a substrate in a heating region without needing a large quantity of inert gas.例文帳に追加

多量の不活性ガスを要することなく、加熱領域内における基板上の酸素濃度を低減することができるレーザーアニール装置を提供する。 - 特許庁

The cleaning method is characterised by being provided with a process (step S23) for processing a substrate with the aqueous oxalic acid solution with a concentration of 1 to 10 % at a temperature of 30 to 50 °C.例文帳に追加

基板を濃度が１〜１０％で、温度が３０〜５０℃の蓚酸水溶液によって処理する工程（ステップＳ２３）を具備したことを特徴とする。 - 特許庁

To prevent wire breaking troubles due to concentration of stresses on connections between a semiconductor chip and a mounting board, when the substrate having high thermal expansion shrinks.例文帳に追加

熱膨張が大きい基板が収縮した際における半導体チップと実装基板との間の接続部の応力集中に伴う断線事故を防止する。 - 特許庁

The magnetic material has such a structure that the ceramic film formed of SiN_X and/or SiO_2 wherein metal Si in the film has a gradient concentration in the thickness direction is formed on the surface of a substrate.例文帳に追加

磁性材料基板の表面に、被膜中の金属Siを厚み方向に濃度傾斜させたSiN_Xおよび／またはSiO_2からなるセラミック被膜を被覆する。 - 特許庁

To improve uniformity of line width in a substrate by supplying a developer, having an appropriate concentration that is suited to the characteristics of a photo resist film and the kind of baking pattern.例文帳に追加

フォトレジスト膜の特性や焼き付けパターンの種類などに応じた適正濃度の現像液を供給して基板内の線幅の均一性を向上する。 - 特許庁

p- type anode layers 2 are selectively formed in the surface on one side of the surfaces of an n- low-impurity concentration substrate 1. n- surfaces 3 being exposed without being formed with the layers 2 are covered with each insulative film 4.例文帳に追加

低不純物濃度のｎ^-基板１の一方の表面にアノードｐ層２がイオン注入と熱拡散とで選択的に形成される。 - 特許庁

Thereafter, ultrasonic wave is generated in the cleaning liquid having a varied concentration of dissolved gas and ultrasonic cleaning of the substrate W is carried out again.例文帳に追加

次に、前記ガス溶存濃度を変化させられた洗浄液に超音波が発生させられ、被処理基板Ｗが再び超音波洗浄される。 - 特許庁

To provide a substrate processing method by which a substance to be introduced is introduced into a thin film even when the film thickness is small or the concentration of the substance to be introduced is low.例文帳に追加

膜厚が薄い場合や導入物質の濃度が低い場合であっても、導入物質を導入することのできる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

The speed of response to a low-intensity light incidence in a readout period can be improved by reducing the capacity and anode resistance of the photodiode through the use of a laminated substrate formed of a p-type semiconductor substrate 141, and a p-type epitaxial layer 142 having a lower impurity concentration than the substrate 141 and formed thereon.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１４１の上にそれよりも不純物濃度が低いＰ型エピタキシャル層１４２を形成した積層基板を用いて、フォトダイオードの容量およびアノード抵抗を下げて、読み出し時の小光量での応答速度を向上させる。 - 特許庁

In a semiconductor substrate where an SiGe layer 2 is formed on an Si substrate 1, a crystal defect region 6 or a structure region 6a for facilitating generation or concentration of dislocation is formed on the interface of the Si substrate 1 and the SiGe layer 2.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に、ＳｉＧｅ層２が積層された半導体基板において、Ｓｉ基板１とＳｉＧｅ層２との界面に、転位を発生あるいは集中し易くするための結晶欠陥領域６あるいは構造領域６ａが形成されている。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride-based semiconductor substrate includes a process for growing the fourth GaN layer 27 containing Cl in a concentration of ≤3×10^15/cm^-3 on a sapphire substrate 21 by a hydride VPE (vapor phase epitaxy) method and a process for removing the sapphire substrate 21 from the fourth GaN layer 27.例文帳に追加

サファイア基板２１上にハイドライドＶＰＥ法によりＣｌの濃度が３×１０^15ｃｍ^-3以下である第４ＧａＮ層２７を成長させる工程と、第４ＧａＮ層２７からサファイア基板２１を除去する工程と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

This ceramic substrate for semiconductor production and inspection provided with a conductor inside or on the surface of a ceramic substrate contains a carbon, and its carbon concentration is ununiform inside the ceramic substrate.例文帳に追加

セラミック基板の内部または表面に導電体を有する半導体製造・検査用セラミック基板において、上記セラミック基板は、カーボンを含有し、かつ、上記カーボンの濃度がセラミック基板の内部で不均一であることを特徴とする半導体製造・検査用セラミック基板。 - 特許庁

When the cleaning conditions are corrected, the substrate W10 is recleaned or the next substrate W11 is cleaned after a cleaning control section 12 appropriately corrects the concentration, mixing ratio, temperature, and cleaning time of a cleaning solution SOLI in accordance with the cleanliness of the substrate W10.例文帳に追加

洗浄条件を修正する場合は、洗浄制御部１２によって、洗浄液ＳＯＬ１の濃度および混合比、温度、洗浄時間を、清浄度に応じて適宜修正した後、Ｗ１０の再洗浄、もしくは次の基板Ｗ１１の洗浄を行う。 - 特許庁

The segregation of the alkali metal to the ZnO-based semiconductor crystal-grown on the ZnO-based substrate is prevented because the ZnO-based substrate is formed such that the concentration of the alkali metal in the ZnO-based substrate is ≤1×10^14 cm^-3.例文帳に追加

ＺｎＯ系基板中に存在するアルカリ金属の濃度が１×１０^１４ｃｍ^−３以下に形成されているので、このＺｎＯ系基板上に結晶成長されるＺｎＯ系半導体に対してアルカリ金属の偏析を防止することができる。 - 特許庁

Further, the thin-film transistor has an undercoat film 11, formed on the insulating substrate 10 as the foundation of the semiconductor thin film 12 and for so storing therein the carbon penetrating from the side of the insulating substrate 10 as to set the value of its carbon concentration to a value lower than that of the insulating substrate 10.例文帳に追加

この薄膜トランジスタはさらに半導体薄膜１２の下地として絶縁基板１０上に形成され絶縁基板１０側から侵入する炭素を収容して絶縁基板１０よりも低い炭素濃度に設定されるアンダーコート膜１１を備える。 - 特許庁

Further, a second extension substrate 11 that is an extension substrate for impedance change type moisture sensors is detachably connected to the universal substrate 7 in addition to the main configuration, and an impedance change type moisture sensor 19 for measuring vapor concentration that is a sub measurement target is connected to the second extension substrate 11.例文帳に追加

更に、そのメインの構成に加え、汎用基板７にインピーダンス変化式湿度センサ用拡張基板である第２拡張基板１１が着脱可能に接続され、その第２拡張基板１１に、副測定対象である水蒸気濃度を測定するためのインピーダンス変化式湿度センサ１９が接続された構成を有する。 - 特許庁

Excitation light having energy that is lower than the band gap energy of a substrate is applied from the rear side of the substrate and photoluminescence is detected from the rear of the substrate in a method for non-destructively inspecting the carrier concentration of the semiconductor epitaxial film formed on the front of the substrate via a buffer layer by photoluminescence.例文帳に追加

基板の表面にバッファ層を介して形成された半導体エピタキシャル膜のキャリア濃度をフォトルミネッセンスで非破壊検査する方法において、該基板のバンドギャップエネルギーより低いエネルギーをもつ励起光を該基板の裏面側から照射し、フォトルミネッセンスを該基板の裏面から検出することを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor device 1 comprises a photo diode 2 consisting of a high-concentration N-type silicon substrate 5, a first low-concentration N-type epitaxial layer 6, a second low-concentration N-type epitaxial layer 7 and a P-type anode unloading region 8, and a semiconductor integrated circuit formed on a P-type well region 9 in the layer 6.例文帳に追加

半導体装置１を、高濃度Ｎ型シリコン基板５、第１低濃度Ｎ型エピタキシャル層６、第２低濃度Ｎ型エピタキシャル層７およびＰ型アノード取り出し領域８から成るフォトダイオード２と、第１低濃度Ｎ型エピタキシャル層６のＰ型ウェル領域９に形成した半導体集積回路とから構成する。 - 特許庁

The manufacturing process of a semiconductor chip of 0.18 μm or less of a working line width using the copper wiring and the low dielectric constant insulation film whose dielectric constant is 3.0 or less is provided with the constitution of the substrate carrying container maintaining, particularly, particle concentration in environmental gas, humidity, organic matter concentration and ion gas concentration at least a constant value or less.例文帳に追加

銅配線と比誘電率３．０以下の低誘電率絶縁膜を用いた加工線幅０．１８μｍ以下の半導体チップの製造工程において、特に環境気体中の粒子濃度、湿度、有機物濃度、イオン性ガス濃度を少なくとも１つ一定値以下に維持する基板搬送容器の構成を備えた。 - 特許庁

In another structure of the recordable optical recording medium, (2) the oxygen concentration distribution of the first recording layer is decreased from a contact surface with the second recording layer toward the substrate, and the oxygen concentration distribution of the second layer is decreased from a contact surface with the first recording layer oppositely to the substrate.例文帳に追加

（２）第一の記録層の酸素濃度分布が、第二の記録層との接触面から基板側に向って減少しており、第二の記録層の酸素濃度分布が、第一の記録層との接触面から基板と反対方向に向って減少している請求項１〜３の何れかに記載の追記型光記録媒体。 - 特許庁

A TiO_2-containing quartz glass substrate has the thermal expansion coefficient at 15-35°C within ±200 ppb/°C, the TiO_2 concentration of 4-9 wt.%, and the TiO_2 concentration distribution, in the surface vicinity region within 50 μm of depth from the substrate surface on the side where transfer patterns are formed, within ±1 wt.%.例文帳に追加

１５〜３５℃における熱膨張係数が±２００ｐｐｂ／℃以内であり、ＴｉＯ_2濃度が４〜９ｗｔ％であり、転写パターンを形成する側の基板表面から深さ５０μｍまでの表面近傍領域におけるＴｉＯ_2濃度分布が、±１ｗｔ％以内であることを特徴とするＴｉＯ_2含有石英ガラス基板。 - 特許庁

A surface silicon layer and a buried oxide film are removed, an opening is formed so that a supporting substrate can be exposed, the supporting substrate in the opening is provided with low concentration diffuse layers whose conductive types are opposite and identical to that of the supporting board, and a pn junction diode is formed in the low concentration diffuse layers so that a semiconductor device can be constituted.例文帳に追加

表面シリコン層と埋込酸化膜を除去し開口部を設けることで、支持基板を露出させ、開口部内の支持基板に支持基板と逆導電型と同導電型の低濃度拡散層を設け、低濃度拡散層内にＰＮ接合ダイオードを形成することを特徴とする半導体装置を使用する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor element, a low-concentration doped diamond layer 4 which has a cross section including a direction perpendicular to a surface of a substrate 1 and having a trapezoidal shape of an upper bottom side shorter than a lower bottom side, is formed on the substrate 1 by an epitaxial growth method.例文帳に追加

基板１上に、エピタキシャル成長により、基板１の表面に対して垂直な方向を含む断面が下底よりも上底が短い台形形状である低濃度ドープダイヤモンド層４を形成する。 - 特許庁

To provide a spin coater and a spin-coating method, in each of which the concentration of a catalyst in a liquid coating film on a substrate is uniformized and the whole surface of the substrate can be dried surely without leaving an undried portion behind.例文帳に追加

基板上の液膜の触媒濃度の均一化を図るとともに、未乾燥部分をなくし、基板全体を確実に乾燥させることができる回転塗布装置及び回転塗布方法を提供する。 - 特許庁