「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Filler 5 is contained in a solder bump 6 and a solder joint 17 which connect a connection electrode 3 of a semiconductor chip 2 and a substrate 11, and the filler has a larger concentration on the side of the connection electrode 3 than on the filler concentration at the substrate 11 side in the solder joint 17.例文帳に追加

半導体チップ２の接続電極３と基板１１とを接続するはんだバンプ６やはんだ接合部１７にフィラー５を含有させ、はんだ接合部１７における接続電極３側部分のフィラーの密度を基板１１側のフィラー密度より大きくした。 - 特許庁

The substrate cleaning method comprises a step of increasing a concentration of gas dissolved in cleaning liquid in a cleaning tank 12 to a saturated concentration, and a step of irradiating ultrasonic waves to the cleaning liquid in the cleaning tank to clean a substrate W immersed in the cleaning liquid in the cleaning tank.例文帳に追加

基板洗浄方法は、洗浄槽１２内の洗浄液に溶解したガスの溶存濃度を飽和濃度にする工程と、洗浄槽内の洗浄液に超音波を照射して、洗浄槽内の洗浄液に浸漬された基板Ｗを洗浄する工程と、を備える。 - 特許庁

While the substrate is held horizontally in a stationary state or in a rotated state, the substrate is preferably subjected to puddle cleaning by feeding little by little heated concentrated sulfuric acid (concentration is 90 wt.% or more, temperature is 70 to 120°C), and ozone water held in low temperature (concentration of ozon is 10 ppm or more, temperature is 10 to 30°C).例文帳に追加

好ましくは、基板を水平に静止または回転させた状態で、熱濃硫酸（濃度９０ｗｔ％以上、温度７０℃〜１２０℃）と低温保持されたオゾン水（オゾン濃度１０ｐｐｍ以上、温度１０℃〜３０℃）を少量ずつ供給してパドル洗浄を行う。 - 特許庁

To provide a solid electrolyte type gas sensor and a gas concentration measuring apparatus of high measuring precision and measuring sensitivity for a gas concentration reduced in temperature differences between both faces and on the same face of a solid electrolyte substrate inside, in a limiting current type gas sensor using a solid electrolyte substrate.例文帳に追加

固体電解質基板を用いた限界電流型のガスセンサーにおいて、固体電解質基板内部の両面間及び同一面内の温度差を小さくし、ガス濃度の測定精度及び測定感度が高い、固体電解質型ガスセンサー及びガス濃度測定装置を提供する。 - 特許庁

Before start of a process for supplying the ultraviolet light and the ozone-containing gas to the substrate 10, the ozone-containing gas is introduced intermittently into the ozone processing furnace 2, and the temperature of the substrate 10 before start of the process is detected based on the ozone concentration measured by the ozone concentration measuring part 3 in each introduction.例文帳に追加

基板１０に紫外光及びオゾン含有ガスを供するプロセスの開始前にオゾン処理炉２はオゾン含有ガスを間欠的に導入し、この導入毎にオゾン濃度測定部３によって測定されたオゾン濃度に基づきプロセス開始前の基板１０の温度を検出する。 - 特許庁

Side surfaces of the laminate and side surfaces of the n-type high concentration layer 12a each have a portion forming wall surfaces continuing to each other and reaching from the surface of the substrate 11 to the p-type high concentration layer 12e without causing a step difference.例文帳に追加

当該積層体の側面及びｎ型高濃度層１２ａの側面は、互いに連続して基板１１表面からｐ型高濃度層１２ｅまで段差なく到達する壁面を形成する部分を有する。 - 特許庁

Next, sodium hypochlorite aqueous solution is injected into and mixed with the sludge having a sludge concentration of 2,000 to 26,000 mg/L so as to set an effective chlorine concentration to 300 to 1,600 mg/l, thereby converting the sludge to a substrate.例文帳に追加

次いで、汚泥濃度２０００〜２６０００ｍｇ／Ｌの汚泥に対して、有効塩素濃度を３００〜１６００ｍｇ／Ｌになるように次亜塩素酸ナトリウム水溶液を注入して攪拌し、汚泥を基質化する。 - 特許庁

The LDD region 12LD has an impurity concentration profile where impurity concentration becomes lower from the interface to the gate insulating film 14 to that to the support substrate 10 in the thickness direction of the semiconductor thin film 12.例文帳に追加

ＬＤＤ領域１２ＬＤは不純物濃度が半導体薄膜１２の厚さ方向においてゲート絶縁膜１４との界面から支持基板１０との界面に向かって低くなる不純物濃度プロファイルを有する。 - 特許庁

In this epitaxial wafer having the double heterostructure, the ratio of the carrier concentration C2 of the p-type GaAs substrate 4 to the carrier concentration C1 of the p-type GaAlAs clad layer 3 is so determined as to have the relation 25≤ C2/C1≤ 70.例文帳に追加

このダブルヘテロ構造をしたエピタキシャルウェハにおいて、ｐ型ＧａＡｓ基板４のキャリア濃度Ｃ２とｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３のキャリア濃度Ｃ１との比が２５≦Ｃ２／Ｃ１≦７０の関係にあるように定める。 - 特許庁

B(boron) and N(nitrogen), which have concentration peak at a position nearer to the surface of a semiconductor substrate than to the position of the concentration peak of the B and electrically inactivates the B, are introduced into the channel of the MISFET.例文帳に追加

ＭＩＳ型ＦＥＴのチャネルには、Ｂ（ボロン）と、このＢの濃度ピーク位置よりも前記半導体基板表面に近い位置に濃度ピークを有し、Ｂを電気的に不活性化させるＮ（窒素）とが導入されている。 - 特許庁

A high-concentration n-type single crystal semiconductor layer 8, an n-type single crystal semiconductor layer 4, a p-type single crystal semiconductor substrate 1 and a high-concentration p-type single crystal semiconductor layer 10 are function as a photoelectric conversion layer.例文帳に追加

高濃度ｎ型の単結晶半導体層８、ｎ型の単結晶半導体層４、ｐ型の単結晶半導体基板１、高濃度ｐ型の単結晶半導体層１０は、光電変換層として機能する。 - 特許庁

The GaAs substrate 13 has an n-type carrier concentration of 5×10^16 cm^-3 or higher and 2×10^18 cm^-3 or lower, or a p-type carrier concentration of 5×10^18 cm^-3 or higher and 3×10^19 cm^-3 or lower.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１３は、５×１０^16ｃｍ^-3以上２×１０^18ｃｍ^-3以下のｎ型キャリア濃度または５×１０^18ｃｍ^-3以上３×１０^19ｃｍ^-3以下のｐ型キャリア濃度を有する。 - 特許庁

The temperature of a target is raised in advance until the concentration of inert gas mixed in the film reaches the concentration of ≤1/2 that when the temperature of the target is maintained at room temperature, and then, the film deposition on the substrate is started.例文帳に追加

膜中に混入する不活性ガスの濃度が、ターゲットを室温に保った場合と比べて２分の１以下の濃度となる温度まで、ターゲットの温度を予め上昇させた後、基板への成膜を開始する。 - 特許庁

The p-conductivity type layer contains, at least, a first dopant element and a second dopant element which are set different from each other in concentration and vary in concentration in the direction of thickness of the substrate.例文帳に追加

ｐ導電型の層は、少なくとも第一のドーパント元素、および第二のドーパント元素を含み、第一および第二ドーパント元素の濃度分布が互いに異なり、かつ基板に垂直な方向に対して変化している。 - 特許庁

The concentration of the hydrogen atom (about 6×10^21cm^-3) of an interface between the n-type single crystal silicon substrate 1 and the undoped amorphous silicon film 2a is higher than the concentration of hydrogen atom in the undoped amorphous silicon film 2a.例文帳に追加

そして、ｎ型単結晶シリコン基板１とノンドープ非晶質シリコン膜２ａとの界面の水素原子濃度（約６×１０^２１ｃｍ^−３）が、ノンドープ非晶質シリコン膜２ａ中の水素原子濃度よりも高い。 - 特許庁

This method for controlling the enzyme activity comprises regulating an enzyme concentration and the substrate concentration in an enzyme reaction liquid under an optimum condition or an identical condition and irradiating the liquid with the magnetic field.例文帳に追加

本発明は、酵素反応液を、最適な条件又は同一の条件下において、酵素濃度、基質濃度を調節し、磁界を照射することにより酵素活性の調節が可能となる制御方法である。 - 特許庁

To provide a low concentration boron-doped silicon single crystal epitaxial wafer which is formed by epitaxial growth using a substrate which is a high concentration boron-doped silicon single crystal wafer and does not cause miss-fit dislocation.例文帳に追加

本発明は、高濃度にボロンドープされたシリコン単結晶ウェーハであって、該ウェーハを基板に用いてエピタキシャル成長されたミスフィット転位の発生しない低濃度のボロンドープシリコン単結晶エピタキシャルウェーハを提供する。 - 特許庁

A high concentration N type layer 3 is formed on the surface side of a silicon substrate 1 by implanting arsenic (or antimony) ions, and an epitaxial layer 4 is formed on the high concentration N type layer 3 by epitaxial growth.例文帳に追加

シリコン基板１の表面側に、砒素（またはアンチモン）がイオン注入されて高濃度Ｎ型層３が形成され、この高濃度Ｎ型層３上にエピタキシャル層４がエピタキシャル成長して形成されている。 - 特許庁

To enhance throughput while using an inexpensive oxygen concentration measuring instrument by measuring the oxygen concentration of a load lock chamber under a state of reduced pressure in substrate treating equipment equipped with a load lock chamber.例文帳に追加

ロードロック室を具備した基板処理装置に於いて、減圧状態でのロードロック室の酸素濃度の測定を、常圧で実施し、安価な酸素濃度測定器の使用を可能とすると共にスループットの向上を図るものである。 - 特許庁

A contacted area between a P-type silicon substrate 1 and an N-type low-concentration well region 2 is reduced by forming a trench on the silicon substrate at a charge accumulation region 6 of a MOS type capacitor, so that the MOS type capacitor with a reduced leakage current from the N-type low-concentration well region 2 to the P-type silicon substrate 1 can be obtained.例文帳に追加

ＭＯＳ型のキャパシタの電荷蓄積領域６のシリコン基板にトレンチを設けることにより、Ｐ型シリコン基板１とＮ型低濃度ウェル領域２の接触面積を減少させたから、Ｎ型低濃度ウェル領域２からＰ型シリコン基板１へのリーク電流を低減させたＭＯＳ型キャパシタを得ることが出来る。 - 特許庁

By adjusting relative movement speed between the substrate 11 and the evening plate 12, concentration degree of abrasive grains in the abrasive grain layers can be adjusted.例文帳に追加

また、基材１１と均し板１２の相対移動速度を調整することにより、砥粒層の砥粒集中度を調整することもできる。 - 特許庁

To provide a color filter substrate which is excellent in adhesion between a protective film and a support body even in the case of a high pigment concentration, and leaves no development residue.例文帳に追加

高い顔料濃度であっても、保護膜及び支持体との密着性に優れ、現像残渣の無いかカラーフィルター基板を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate concentration determination method capable of determining the supply state of sample liquid easily and surely, and having high precision and little dispersion.例文帳に追加

試料液の供給状態を容易かつ確実に判別することができ、高精度で、ばらつきが少ない基質濃度定量法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus which homogenizes and stabilizes the concentration of an organic solvent in an atmosphere containing an organic solvent such as IPA(isopropyl alcohol) or the like.例文帳に追加

ＩＰＡ等の有機溶剤を含む雰囲気における有機溶剤濃度を均一かつ安定なものとした基板処理装置を提供する。 - 特許庁

In the first electrode 2, a portion on the side of the organic layer 3 is higher than a portion on the side of the substrate 1 in the concentration of the conductive substance.例文帳に追加

前記第１電極２内において前記基板１側に比べて前記有機層３側の方が前記導電性物質の濃度が高い。 - 特許庁

Further, second impurities are injected into the semiconductor substrate so that the concentration distribution becomes maximum at a second depth shallower than the first depth.例文帳に追加

半導体基板に、第１の深さよりも浅い第２の深さにおいて濃度分布が最大になるように第２の不純物を注入する。 - 特許庁

To irradiate a substrate with a laser beam in a stable atmosphere of low oxygen concentration without upsizing the whole device and without making the device specific.例文帳に追加

装置全体を大型化及び特殊装置とすることなく、安定した低酸素濃度の雰囲気中で基板に対してレーザ光を照射する。 - 特許庁

To provide a plasma doping method and apparatus capable of controlling the concentration of an impurity to be injected to a treatment substrate and the crystallized state.例文帳に追加

処理基板へ注入する不純物濃度及び結晶状態を制御することができるプラズマドーピング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

An oxidation degree adjusting layer is provided between the substrate and a ferromagnetic layer and average oxygen concentration of the ferromagnetic layer in a layering direction is specified to be ≤5at%.例文帳に追加

基板と強磁性層との間に酸化度調整層を設け、強磁性層の積層方向の平均酸素濃度を５at％以下とする。 - 特許庁

To provide a substrate treatment device which can effectively and efficiently suppresses the generation of dew concentration in the supply path of a material vapor.例文帳に追加

原料蒸気の供給経路内での結露発生を有効に、かつ効率良く抑制することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

A source 14 connected to another region of the elongated part 10 different from the charge concentration region 12 is formed above the substrate 1.例文帳に追加

基板１の上方には細長部１０における電荷集中領域１２とは異なる他の領域に接続するソース１４が形成されている。 - 特許庁

To provide a substrate processing device which can substitute the inside of a processing chamber by a low oxygen concentration atmosphere in a short time, and an atmosphere substituting method.例文帳に追加

短時間にて処理室内を低酸素濃度雰囲気に置換することができる基板処理装置および雰囲気置換方法を提供する。 - 特許庁

To provide a biosensor capable of speedily and highly accurately measurements by facilitating the dissolution of a reaction reagent system even in a sample liquid containing a high concentration of substrate.例文帳に追加

高濃度の基質を含む試料液でも、反応試薬系が容易に溶解し、迅速に高精度の測定が可能なバイオセンサを提供する。 - 特許庁

To suppress a decrease in strength of an exposure light between a projection optical system and a photosensitive substrate, and to suppress the nonuniformity of impurity concentration therebetween to the minimum.例文帳に追加

投影光学系と感光性基板間の露光光の強度低下を抑制し、且つ、その濃度分布の不均一性を最低限に抑える。 - 特許庁

An n type single-crystal silicon layer 12 is formed, and a groove 13 is provided on a first principal plane of a high concentration n type single-crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

高濃度のｎ型単結晶シリコン基板１１の第１主面上にｎ型単結晶シリコン層１２を形成し、溝１３を設ける。 - 特許庁

The injecting contact region 3, 4 is doped with a dopant of the first conductivity P^+ type at a higher dopant concentration than the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

上記注入接触領域３，４は、半導体基板１よりも高いドーパント濃度で第１導電型Ｐ^＋のドーパントでドープされる。 - 特許庁

Since the bus bar electrodes (3) and the silver electrodes (7) are not superposed on each other via the silicon substrate (1), the concentration of stress can be alleviated.例文帳に追加

バスバー電極（３）と銀電極（７）とがシリコン基板（１）を挟んで重なることがないので応力の集中を緩和することができる。 - 特許庁

To provide an ozone generating device which can prevent breakage of a substrate or the like at the time of assembling and generate uniform and high concentration ozone stably.例文帳に追加

組立て時に基板等の破損を防止し、均一で高濃度のオゾンを安定して生成することができるオゾン生成装置を提供する。 - 特許庁

A low concentration source region 7a is formed by implanting phosphorus ion into a p-type semiconductor substrate 1 taking a spacer film 5 as a mask.例文帳に追加

スペーサ膜５をマスクとして、リンイオンをＰ型半導体基板１中にイオン注入することで、低濃度のソース領域７ａを形成する。 - 特許庁

An intensity of the light emitted to the substrate is controlled based on the ozone concentration or the ozone partial pressure measured by the ozone densitometer 13.例文帳に追加

前記基板に照射する光の強度はオゾン濃度計１３によって測定されたオゾン濃度またはオゾン分圧に基づき制御される。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of processing a plurality of substrates with a processing liquid with the same concentration in chambers.例文帳に追加

この発明は複数の基板をチャンバで同じ濃度の処理液で処理することができるようにした基板の処理装置を提供することにある。 - 特許庁

At a moment when a drop in the rate of increase of ozone concentration is detected, the control unit 7 stops irradiation of ultraviolet light to the substrate 11.例文帳に追加

制御部７は前記オゾン濃度の上昇速度の低下を検出した時点で基板１１に対する紫外光の照射を停止させる。 - 特許庁

To grow a silicon epitaxial layer by vapor phase in a steep impurity profile on the main surface of a silicon single crystal substrate doped at high concentration.例文帳に追加

高濃度にドープされたシリコン単結晶基板の主表面上に急峻な不純物プロファイルでシリコンエピタキシャル層を気相成長する。 - 特許庁

According to this, the concentration of dipotassium hydrogenphosphate (K2HPO4) that is the activity adjusting substrate is appropriately controlled to stabilize the number of microorganism.例文帳に追加

これにより、活性調整用基質であるリン酸水素２カリウム（K2HPO4）の濃度が適正に制御され、微生物の数を安定化させることができる。 - 特許庁

To provide a method of growing a thin oxynitride film on a substrate by adding a high concentration nitrogen to an oxynitrid film using a water-vapor thermal-oxidation process.例文帳に追加

水蒸気熱酸化を利用して酸窒化膜へ高濃度の窒素を加え、基板上へ酸窒化物薄膜を成長させる方法を提供する。 - 特許庁