「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To easily obtain in high productivity an epitaxial silicon single crystal wafer having high gettering ability, low in heavy metal impurity concentration and high in crystallinity even on a substrate of low boron concentration.例文帳に追加

低ボロン濃度の基板においても高いゲッタリング能力をもち重金属不純物濃度が低く結晶性に優れたエピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを、高生産性でかつ簡単に作製する。 - 特許庁

On the backside of the substrate, there are formed an emitter doped with a second dopant-type having a polarity reverse to that of the first dopant type in a high concentration and a base doped with the first dopant-type in a high concentration.例文帳に追加

上記基板の裏面には第１ドーパント型とは極性が逆の第２ドーパント型で高濃度にドープされたエミッタ、及び第１ドーパント型で高濃度にドープされたベースを形成する。 - 特許庁

To form a gate insulation film containing nitrogen where nitrogen concentration near the interface to a gate electrode at the opposite side is increased while suppressing an increase in nitrogen concentration near the interface to the silicon substrate of a gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜のシリコン基板との界面付近の窒素濃度の増加を抑制しつつ、逆側のゲート電極との界面付近の窒素濃度を高めた窒素含有ゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide an epitaxial substrate having an adjusted optional concentration profile of carbon other than the fixed concentration profile of carbon by the auto-dope from a jig, and to provide a liquid-phase-epitaxial growth method.例文帳に追加

治具からのオートドープによる固定されたカーボンの濃度プロファイルではなく、調整された任意のカーボン濃度プロファイルを有するエピタキシャル基板および液相エピタキシャル成長方法を提供する。 - 特許庁

A magnetic layer 4 based on Co and having 26-35 at.% concentration of Cr and 0.5-1 at.% concentration of Ta is disposed on a nonmagnetic substrate 2 as the recording layer of a magnetic recording medium.例文帳に追加

非磁性基板２上に、磁気記録媒体の記録層として、Ｃｏを主成分とし、Ｃｒの濃度が２６〜３５ａｔ％、Ｔａの濃度が０．５〜１ａｔ％である磁性層４を設ける。 - 特許庁

On the surface of the silicon substrate 11 corresponding to the shallow high-concentration diffusion layer 19 and the deep high-concentration diffusion layer 22, two-step structure silicide films 23 are formed having different thicknesses corresponding to depths of the high-concentration diffusion layers 19 and 22.例文帳に追加

そして、浅い高濃度拡散層１９および深い高濃度拡散層２２に対応するシリコン基板１１の表面部には、それぞれの高濃度拡散層１９，２２の深さに応じて厚さの異なる二段構造のシリサイド膜２３が形成されている。 - 特許庁

The method comprises the step of taking the ratio of sludge to the total volume of the mixed liquid as the volume ratio, calculating the coefficient of the volume concentration from the ratio of the concentration of the sludge to the volume ratio, and calculating the ratio of conversion into a substrate from the coefficient of the volume concentration.例文帳に追加

本発明は上記目的を達成するため、混合液の全容積に占める汚泥の割合を体積率とし、汚泥の濃度と体積率との比より体積濃度係数を算出し、体積濃度係数から汚泥の再基質化率を算出するものである。 - 特許庁

The silicon oxinitride film has a nitrogen concentration profile in which the nitrogen concentration in a region in contact with the substrate 1 is adjusted to 0-2 atm.% and that in a region which contains nitrogen at the highest concentration is adjusted to 5-20 atm.%.例文帳に追加

シリコン酸窒化膜は、Ｓｉ基板１に接する領域における窒素濃度が０atm ％より大きく２atm ％以下であり、かつ、最大窒素濃度を示す領域における窒素濃度が５atm％以上で２０atm ％以下であるような窒素濃度プロファイルを有している。 - 特許庁

When formed on a substrate, it is preferable that the porous titanium oxide coating film has a continuous or gradual concentration gradient such that the concentration of the titanium oxide structures (A) at a point away from the interface of the coating film and the substrate in the coating film becomes higher as the point becomes closer to the top surface of the coating film in the thickness direction of the coating film.例文帳に追加

基板上に形成される際には、膜厚方向に、基板との界面から最表面に近づくにしたがい、酸化チタン構造体（Ａ）の濃度が高くなる連続的又は段階的な濃度勾配を有することが好ましい。 - 特許庁

In the compound semiconductor crystal for a semiconductor element which is obtained by forming an epitaxial layer on a group III-V compound semiconductor substrate, the ratio of the concentration of oxygen to the concentration of silicon, accumulated in the interface between the substrate and the epitaxial layer, is controlled to ≥2.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上にエピタキシャル層を形成した半導体素子用の化合物半導体結晶において、基板とエピタキシャル層との界面に蓄積する酸素と硅素の濃度比（酸素／珪素）が２以上であるようにした。 - 特許庁

The surface conductor 5 formed as the sintered metal conductor is formed with a predetermined pattern so as to directly contact the ceramic substrate layers 2a, 2d, and its glass concentration on a side contacting the ceramic substrate layers 2a, 2d is larger than a glass concentration on the front surface side.例文帳に追加

焼結金属導体として形成される表面導体５は、所定のパターンでセラミックス基板層２ａ，２ｄ上に直接接して形成されており、且つセラミックス基板層２ａ，２ｄと接する側のガラス濃度が表面側のガラス濃度よりも大である。 - 特許庁

A concentration distribution of a dopant included in the first epitaxial layer 11 in a surface parallel with the surface of the substrate main body 13 is configured to match with a concentration distribution of the dopant included in the second epitaxial layer 12 in a surface parallel with the surface of the substrate main body 13.例文帳に追加

第１エピタキシャル層１１に含まれるドーパントの基板本体１３表面に平行な面における濃度分布は、第２エピタキシャル層１２に含まれるドーパントの基板本体１３表面に平行な面における濃度分布に合うように構成される。 - 特許庁

To provide a substrate dipping treatment device for dipping a substrate by precisely calculating liquid chemical treating time corresponding to the concentration of a diluted solution obtained by mixing a liquid chemical with pure water.例文帳に追加

薬液と純水とを混合して得られる希釈溶液の濃度変動に応じた薬液処理時間を正確に算出して基板の漬浸処理を行う基板漬浸処理装置を提供する。 - 特許庁

Since the carrier concentration gradient is formed, the breakdown voltage characteristic of the substrate 1 can be improved by a large amount without increasing the forward threshold voltage, when a backward voltage is impressed upon the substrate 1.例文帳に追加

キャリア濃度に勾配をつける構成であるため、順方向立ち上がり電圧を大きくせずに逆方向電圧印加時の耐圧特性を大きく改善することができる。 - 特許庁

After the surface of the silicon substrate is cleaned, the substrate is immersed in an aqueous solution HF of 0.5 vol% concentration, to remove impurities and a natural oxide film 9 on an active area 4.例文帳に追加

シリコン基板１の表面を洗浄した後、濃度０．５vol.％のＨＦ水溶液に５分間浸漬し、活性領域４上の不純物及び自然酸化膜９を除去する。 - 特許庁

To provide a substrate surface processing apparatus capable of suppressing degradation of an etching speed due to stay of a low-concentration medical solution, in a substrate surface processing apparatus of a horizontal transport method.例文帳に追加

水平搬送方式の基板表面処理装置において、低濃度薬液の滞留によるエッチング速度の低下を抑えることのできる基板表面処理装置を得ること。 - 特許庁

The mask layer is then patterned on the side of the silicon substrate 2 previously applied with a thermal oxidation film 3 and through holes 52 are opened in the silicon substrate 2 with high concentration alkaline liquid of KOH, for example, (Fig. (C)).例文帳に追加

予め熱酸化膜３がついていたシリコン基板２側のマスク層をパターニングし、ＫＯＨ等の高濃度アルカリ液にてシリコン基板２に貫通穴５２を開口する（図１（Ｃ））。 - 特許庁

The drift diffusion region 10 has a substrate inner region 11, and a surface region 12 which contains first conductive type impurities at a higher concentration than the substrate inner region 11.例文帳に追加

また、ドリフト拡散領域１０は、基板内部領域１１と、基板内部領域１１よりも高濃度の第１導電型不純物を含む表面領域１２とを有している。 - 特許庁

The conductive substrate 1 is an n-type [0001] plane direction SiC substrate, and the donor-doped nitride semiconductor film layer 10 is an AIN added with Si of a concentration of 5×10^21 cm^-3.例文帳に追加

導電性基板１はｎ型{０００１}面方位ＳｉＣ基板、ドナー添加窒化物半導体膜層１０は濃度５×１０^21ｃｍ^-3のＳｉを添加したＡｌＮである。 - 特許庁

The dislocation concentration of the substrate is propagated also to the laminated structure, and the dislocation concentrated area is generated at a site positioned at the upper side of the dislocation concentrated area of the substrate also in the laminated structure.例文帳に追加

基板の転位集中は積層構造にも伝搬して、積層構造にも、基板の転位集中領域の上方に位置する部位に、転位の集中した領域が生じる。 - 特許庁

During plasma discharging, the surface of a treatment substrate is irradiated with lasers having a certain excitation wavelength, and the concentration of an impurity on the surface of the treatment substrate and the crystallized state are measured by scattered light.例文帳に追加

プラズマ放電中に、ある励起波長のレーザを処理基板表面に照射し、処理基板表面の不純物濃度及び結晶状態を、散乱光によって測定する。 - 特許庁

To provide a method for producing a nano-carbon material composite substrate which can suitably perform electric field concentration on a nano-carbon material which forms a film on the substrate.例文帳に追加

基板上に成膜するナノ炭素材料への電界集中を好適に行なうことの出来るナノ炭素材料複合基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a non-cyanide electroless gold-plating solution which is excellent in solution stability, and can perform a plating without impairing a substrate even when the substrate is composed of an Ni-P plated metal layer of phosphate medium in concentration.例文帳に追加

液安定性に優れ、また中リン濃度のNi-Pめっき金属層からなる下地であっても該下地を荒らすことなくめっきが行える非シアン無電解金めっき液を提供する。 - 特許庁

To provide a packaging method and packaging structure of electronic components which can prevent the concentration of stress, for example, in the corners of an LSI mounted on a package substrate, and to provide the package substrate.例文帳に追加

本発明は、例えばパッケージ基板のＬＳＩの角部に応力が集中するのを防止できる電子部品の実装方法、実装構造及びパッケージ基板の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a V-grooved substrate for which stresses can be reduced as a whole by preventing concentration of stresses on fibers, a method for manufacturing the same, and an optical-fiber array using the V-grooved substrate.例文帳に追加

ファイバーへの応力集中を防止し、全体としての応力も少なくすることができるＶ溝基板とその製造方法及びＶ溝基板を用いた光ファイバーアレイを提供する。 - 特許庁

To provide a method for doping Mg into a silicon substrate and a silicon compound semiconductor substrate sufficiently, and a thermoelectric conversion material having low electric resistance and abundant carrier concentration.例文帳に追加

シリコン基板やシリコン化合物半導体基板にマグネシウムを十分にドープさせる方法、並びに、低い電気抵抗と豊富なキャリア濃度を備えた熱電変換材料を提供する。 - 特許庁

To manufacture a metal fine particle dispersed film in which metal fine particles can be dispersed in a high concentration without blushing a polycarbonate substrate as the substrate of an optical disk.例文帳に追加

光ディスクの基板としてのポリカーボネート基板を白化させることなく、かつ金属微粒子を高濃度に分散可能な金属微粒子分散膜を作製することを目的とする。 - 特許庁

A silicon substrate 10 to be used for sticking is a single crystal Si substrate with an interstitial oxygen concentration measured by an infrared absorption method of 1×10^18 cm^-3 or less.例文帳に追加

貼り合わせ用に用いるシリコン基板１０は、赤外吸収法で測定された格子間酸素濃度が１×１０^１８ｃｍ^−３以下の単結晶Ｓｉ基板である。 - 特許庁

Crystal-defect is introduced into the semiconductor substrate 1 so that the resistance value of the same becomes not less than two times of a resistance value determined by the concentration of impurities added to the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１は、その抵抗値が半導体基板１に添加された不純物濃度で決まる抵抗値の２倍以上となるように結晶欠陥が導入されている。 - 特許庁

To provide a device measuring accurately a concentration of an etching liquid component, when performing etching processing to a substrate with a circulating etching liquid, while conveying the substrate.例文帳に追加

基板を搬送しながら基板に対しエッチング液を循環させつつ供給してエッチング処理する場合に、エッチング液成分の濃度を正確に測定できる装置を提供する。 - 特許庁

The substrate is obtained by being annealed under the atmosphere of inert gas having ≤7% oxygen concentration after the substrate is molded of the thermoplastic resin.例文帳に追加

そのような基板は、熱可塑性樹脂から記録媒体用基板を成形した後に、酸素濃度が０．７％以下の不活性ガス雰囲気下でアニールすることによりことに提供される。 - 特許庁

This cleaning method of a quartz substrate for photomask has a characteristic using a low-concentration hydrofluoric acid as a cleaning solvent in a cleaning method of the quartz substrate for photomask by cleaning solvent.例文帳に追加

フォトマスク用石英基板を洗浄液により洗浄する方法において、前記洗浄液として低濃度フッ酸を用いることを特徴とするフォトマスク用石英基板の洗浄方法。 - 特許庁

To provide a substrate structure capable of controlling the threshold voltage of a MOS transistor, without depending on the substrate concentration and readily suppressing short-channel effect caused by reducing the channel length.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの閾値電圧を基板濃度に依ることなく制御でき、チャネル長が極微細化した場合のショートチャネル効果の抑制が容易となる基板構造を提供する。 - 特許庁

To provide heat treatment equipment in which flaws of a substrate, caused by the local concentration of its own weight of the substrate and the heat treatment, can be prevented, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

局所的な基板自重の集中および熱処理により発生する基板の傷を防止することができる熱処理装置及び半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

An electron transfer speed in a semiconductor substrate is increased by giving an impurity concentration of the semiconductor substrate a concentration gradient from a standard concentration to a high concentration with depth, to quickly transfer electrons at a part deeper than a depletion part in a surface direction, and electron recovery is made to be fast by shortening a lifetime of a stray electron, thereby a time resolution is improved.例文帳に追加

半導体基板の不純物濃度を深度が深くなるに従って標準的な濃度より高濃度へと移行する濃度勾配をつけることにより、半導体基板中での電子移動速度を増し、空乏層より深部の電子をすばやく表面方向に移動させ、かつ、迷走する電子の寿命を短時間とすることで電子回収の高速化を図り、時間分解能を向上させるようにするものである。 - 特許庁

To provide a substrate washing method capable of continuously performing the peeling and removal of the pollutant on a substrate from the surface of the substrate and the extrusion of the pollutant to the outside of the substrate using only pure water but not using a chemical liquid of a high concentration without using a plurality of chemical liquid tanks, pin water discharge devices and the like, and a substrate washing apparatus.例文帳に追加

高濃度の薬液ではなく純水のみを用い、しかも複数の薬液槽、純水吐出装置などを用いることがなく、かつ基板汚染物の基板表面からの剥離除去と基板外への排除とを連続して行い得る基板洗浄方法および基板洗浄装置を提供する。 - 特許庁

To make the surface of a substrate more uniformly chemical-treated while easily avoiding gases from remaining on the surface of the substrate and the concentration and temperature of the chemical solution from varying between the edge part and the central part of the substrate.例文帳に追加

基板の表面に気体が残ったり、薬液濃度並びにその温度が基板の端部と中央部で異なったりすることを容易に回避しつつ、基板表面により均一に薬液処理を行うことができるようにする。 - 特許庁

The semiconductor substrate comprises an SiGe layer SG formed on an Si substrate 1 and a region 1a having a higher impurity concentration than other region is patterned on the surface of the Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層ＳＧを備えた半導体基板であって、前記Ｓｉ基板表面に、他の領域よりも不純物濃度を高くした高濃度領域１ａをパターン状に形成した領域を備えている。 - 特許庁

A low concentration layer 11 is formed on the main plane of a semiconductor substrate 1, by forming a gate electrode 7G on the principal plane of a semiconductor substrate 1 and introducing impurities into the semiconductor substrate 1 by using the gate electrode 7G as a mask.例文帳に追加

半導基板１の主面上にゲート電極７Ｇを形成した後、ゲート電極７Ｇをマスクとして不純物を半導体基板１に導入することにより半導体基板１の主面に低濃度層１１を形成する。 - 特許庁

A diamond wiring substrate 10 has a diamond substrate 1 and implantation layers 2, 3, 4, where a metallic element exists in the thickness of 10 nm or larger and concentration of 1020 cm-3 or higher in the diamond substrate 1.例文帳に追加

本発明のダイヤモンド配線基板１０は、ダイヤモンド基板１と、そのダイヤモンド基板１中に、金属元素が１０ｎｍ以上の厚みでかつ１０^20ｃｍ^^-3以上の濃度で存在してなる注入層２、３、４とを備えている。 - 特許庁

In the substrate processing method, a first nozzle supplies an etchant to the center of a rotating substrate, and a second nozzle supplies an etching disturbing fluid, diluting the concentration of the etchant, at a position apart from the center of the substrate.例文帳に追加

本発明による基板処理方法は、第１ノズルが回転する基板の中心にエッチング液を供給し、第２ノズルが基板の中心から離れた位置で前記エッチング液の濃度を希釈するエッチング妨害流体を供給する。 - 特許庁

Hydrogen or halogen is contained on an interface between the Ge substrate 10 and the protection film 30, alternatively a semiconductor layer which is higher in the impurity concentration than the Ge substrate 10 is provided between the Ge substrate 10 and the protection film 30.例文帳に追加

そして、Ｇｅ基板１０と保護膜３０との界面に水素又はハロゲンが含有され、または、Ｇｅ基板１０と保護膜３０との間にＧｅ基板１０よりも不純物濃度が高い半導体層が設けられる。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor single crystal substrate, in which the carrier concentration in the substrate plane is more uniformed with respect to the compound semiconductor single crystal substrate produced by a VB (Vertical Bridgman) method or a VGF (Vertical Gradient Freeze) method.例文帳に追加

ＶＢ法、ＶＧＦ法によって製造された化合物半導体単結晶基板において、化合物半導体単結晶基板面内のキャリア濃度をより均一化した化合物半導体単結晶基板を提供する。 - 特許庁

A substrate having an oxygen concentration not larger than 3.0 × 10^16/cm^3 is used as a substrate 1 of an epitaxial wafer for field effect transistors wherein a III-V group compound semiconductor is grown on the semi-insulating GaAs substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をエピタキシャル成長させた電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの基板１に、酸素濃度が３．０×１０^１６／ｃｍ^３以下の基板を用いる。 - 特許庁

Thereby, the reactive gas concentration on the surface of the substrate can efficiently be stabilized, and a high-quality optical thin film can be deposited.例文帳に追加

これによって基板表面の反応性ガス濃度を効率よく一定に保つことができ、高品質な光学薄膜を形成できる。 - 特許庁