「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a substrate processing apparatus for supplying a combustible processing fluid or its vapor to a substrate for processing, which is capable of lowering a concentration of an inflammable gas in exhaust by cooling the exhaust from a periphery of the substrate.例文帳に追加

可燃性の処理流体又はその蒸気を基板に供給して処理を行う装置において、基板周辺からの排気を冷却することにより排気中の引火性のガスの濃度を低下することを可能にした基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To prevent oxidation of a substrate due to dissolved oxygen in rinse liquid by suppressing increase in concentration of dissolved oxygen in rinse liquid after discharging rinse liquid from a nozzle toward the substrate, and to suppress adhesion of contaminant to the substrate.例文帳に追加

ノズルから基板に向けてリンス液を吐出した後にリンス液中の溶存酸素濃度が上昇することを抑制することで、リンス液中の溶存酸素による基板の酸化を防止するとともに、基板への汚染物質の付着を抑制する。 - 特許庁

To simplify an apparatus constitution, deal with a request for inspecting a defect as a glass substrate is moved, correct a flexure of the glass substrate, and improve the detection accuracy of the defect without generating excess stress concentration on a side of the glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板を移動させながら欠陥の検査を行う要請にも簡易な装置構成で応じつつ、ガラス基板の辺に過度な応力集中を生じさせることなく、ガラス基板の撓みを矯正して欠陥の検出精度を向上させる。 - 特許庁

An oxygen-rich layer (4) having an oxygen concentration higher than the other depth regions (16 and 17) of a semiconductor substrate (1) is formed to the specified depth region (15) of the semiconductor substrate (1), and the semiconductor substrate (1) is irradiated with a radiation and a recombination region (5) is formed to the oxygen-rich layer (4).例文帳に追加

半導体基板(1)の所定の深さ領域(15)に半導体基板(1)の他の深さ領域(16,17)より酸素濃度の高い酸素富裕層(4)を形成し、半導体基板(1)に放射線を照射して、酸素富裕層(4)に再結合領域(5)を形成する。 - 特許庁

In a semiconductor substrate 22 (a heavily-doped p-type substrate 23, whereon a high concentration n-type epitaxial layer 24 and a hightly-doped n-type epitaxial layer 25 are deposited), a p-type channel layer 26 is formed and trenches 29 are formed shallow.例文帳に追加

半導体基板２２（高濃度ｐ型基板２３に高濃度ｎ型エピタキシャル層２４，低濃度ｎ型エピタキシャル層２５を有する）にｐ型チャネル層２６を形成し、トレンチ２９を浅く形成する。 - 特許庁

To provide equipment wherein the amount of an organic solvent supplied to a substrate treatment part can be controlled and the concentration of the organic solvent in gas supplied to the substrate treatment part can be controlled to be constant.例文帳に追加

基板処理部へ供給される有機溶剤量を制御できるとともに、基板処理部へ供給される気体中の有機溶剤の濃度を一定に保つことができる装置を提供する。 - 特許庁

The host material is deposited to a substrate W by a vacuum deposition method capable of performing high speed-high precision film deposition, and the guest material is deposited to the substrate W by an OVPD (Organic Vapor Phase Deposition) method which exhibits excellent concentration controllability.例文帳に追加

高速かつ高精度の成膜が可能な真空蒸着法によりホスト材を基板Ｗに付着し、また濃度制御性に優れたＯＶＰＤ法によりゲスト材を基板Ｗに付着する。 - 特許庁

Trace impurity concentration distribution in a micro region of the semiconductor substrate 13 can thereby be measured by measuring the thickness at a wet etched semiconductor substrate part by energy filter method.例文帳に追加

これにより、ウェットエッチングした半導体基板部分のエネルギーフィルタ法による膜厚測定から、半導体基板１３における微少領域の微量な不純物濃度分布を測定することが可能となる。 - 特許庁

Accordingly, when the substrate is heated to the specified temperature or over, the atmosphere around the substrate is always put in low-oxygen concentration atmosphere, so a specified film low in dielectric constant can be made.例文帳に追加

したがって、基板が所定の温度以上に加熱される際には、基板の周囲の雰囲気を常に低酸素濃度雰囲気にしているので、誘電率の低い所定の膜を形成することができる。 - 特許庁

To provide a method for processing a semiconductor substrate which processes the semiconductor substrate with a solution having an extremely low concentration of CN^-ion to remove metallic contaminations therefrom, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体基板を、ＣＮ^−イオン濃度が極低濃度の溶液で処理して、金属汚染を除去する半導体基板の処理方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Specific signal patterns, in which short cut is caused, are arranged on both ends of a flexible substrate, and multiple short cut parts are provided at the front and the back of a stress concentration part of the flexible substrate.例文帳に追加

フレキシブル基板の両端に、それぞれが短絡している特定の信号を配線するとともに、短絡部をフレキシブル基板の応力集中箇所の前後に複数個所設けることを特徴とする。 - 特許庁

The underlying region 12 is contiguous to the SiC single crystal substrate 1 in the direction perpendicular to the principal face, and has an impurity concentration higher than that in the SiC single crystal substrate 1.例文帳に追加

下地領域１２は、主表面に対して垂直な方向においてＳｉＣ単結晶基板１に隣接し、ＳｉＣ単結晶基板１における不純物濃度より高い不純物濃度を有する。 - 特許庁

To provide a vertical gallium nitride semiconductor device structured to be able to realize an n-type gallium nitride film that has a desired low carrier concentration on an n-type gallium nitride substrate, and an epitaxial substrate for the vertical gallium nitride semiconductor device.例文帳に追加

所望の低キャリア濃度を有するｎ^−型窒化ガリウム膜をｎ型窒化ガリウム基板上に実現できる構造を有する縦型窒化ガリウム半導体装置のためのエピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁

Thus, a structure can be readily formed using the FZ wafer, wherein a peak impurity concentration resides proximate to a center of a substrate and is decreasingly graded toward both of the principal planes of the substrate.例文帳に追加

これにより、ＦＺウエーハを用いて容易に基板の中央付近に不純物濃度のピークを有し、基板の両主面に緩やかに不純物濃度が減少する構造を形成することができる。 - 特許庁

Density unevenness of a sticking substrate 24b is determined by measuring concentration data of the delivered sticking substrate 24b by concentration measuring head 108a, 108b, calculating block average data of the measured concentration data by a measured data processing device 136, calculating difference data of the block average data, calculating the absolute value of the difference data, and comparing the absolute value and predetermined threshold data.例文帳に追加

濃度計測ヘッド１０８ａ、１０８ｂは、搬送される貼り付け基板２４ｂの濃度データを計測し、計測データ処理装置１３６は、計測した濃度データのブロック平均データを算出し、ブロック平均データの差分データを算出し、差分データの絶対値を算出し、絶対値を所定の閾値データと比較することにより、貼り付け基板２４ｂの濃度むらを判定する。 - 特許庁

The discrete device is equipped with one conductivity-type semiconductor substrate which is doped as high in concentration as prescribed, a one conductivity-type epitaxial layer lower in concentration than the one conductivity-type semiconductor substrate, a one conductivity-type diffusion layer which is higher in concentration than the one conductivity-type epitaxial layer, and electrodes which are all formed on the same side.例文帳に追加

所定の濃度を有する一導電型の半導体基板と、前記一導電型の半導体基板よりは濃度の低い前記一導電型のエピタキシャル層と前記一導電型のエピタキシャル層を貫通し、前記一導電型のエピタキシャル層よりは濃度の高い前記一導電型の拡散層とを備え、ディスクリートデバイスの電極を同一面に形成したディスクリートデバイス。 - 特許庁

Further, a high concentration impurity region is partially formed in a silicon substrate, and a plurality of times of processing for forming a silicon layer on that substrate and partially forming a high concentration impurity region therein are carried out, and then porous regions are formed in the high concentration impurity regions respectively to manufacture the three dimensional porous structure having a plurality of porous regions having different three dimensional structures respectively.例文帳に追加

また、シリコン基板中に部分的に高濃度不純物領域を形成し、その基板上にシリコン層を形成して部分的に高濃度不純物領域を形成する処理を複数回行い、その後、高濃度不純物領域に多孔質領域を形成することによって三次元構造の異なる複数の多孔質領域を有する三次元多孔質構造体を作製する。 - 特許庁

The method for measuring the dopant concentration of epitaxial layer measures the dopant concentration of epitaxial layer which is formed on a silicon substrate and is of the same conductive type to the substrate, by using a C-V method, in which an electrode of 1.5 mm or smaller in diameter is formed on the epitaxial layer, and a C-V characteristic is obtained using the electrode, then the dopant concentration is measured.例文帳に追加

シリコン基板上に形成され、該シリコン基板と同じ導電型を有するエピタキシャル層のドーパント濃度をＣ−Ｖ法により測定するエピタキシャル層のドーパント濃度測定方法であって、少なくとも、前記エピタキシャル層上に直径１．５ｍｍ以下の電極を形成し、該電極を用いてＣ−Ｖ特性を求めてドーパント濃度を測定するエピタキシャル層のドーパント濃度測定方法。 - 特許庁

In a method for forming a polycrystalline silicon layer on the glass substrate, a thin film layer is formed on the glass substrate 50 by preheating the glass substrate 50, depositing an amorphous silicon precursor layer on the substrate at a primary temperature, and annealing the substrate in thermal processing chambers 52, 54, 56, 58 at a secondary temperature sufficiently higher than the primary temperature to substantially reduce hydrogen concentration in the precursor layer.例文帳に追加

ガラス基板５０を予熱し、その基板上に非結晶シリコン先駆層を一次温度で堆積させ、熱処理チャンバ５２，５４，５６，５８内において基板を一次温度よりも十分に高い二次温度でアニーリングして先駆層内における水素濃度を実質的に減少させることによってガラス基板５０上に薄膜層を形成できる。 - 特許庁

In the ceramic jointed body, the ceramic body is jointed to the bottom surface of the ceramic substrate in which a conductor is provided on the surface or at the inside of the ceramic substrate, and the ceramic substrate contains carbon in such a manner that the concentration at the inside of the substrate of the carbon is higher than that in the vicinity of the surface of the substrate.例文帳に追加

その表面または内部に導電体が設けられたセラミック基板の底面に、セラミック体が接合されたセラミック接合体であって、前記セラミック基板は、カーボンを含有し、前記セラミック基板の内部におけるカーボンの濃度は、前記セラミック基板の表面近傍におけるカーボンの濃度よりも高いことを特徴とするセラミック接合体。 - 特許庁

A semiconductor layer formation process is performed, where a semiconductor layer 13 made of an n-type low-resistance region having higher impurity concentration than a semiconductor substrate 1 at the scheduled formation part (inside the semiconductor substrate 1 at one surface side of the semiconductor substrate 1) of the electrical heating element 3 at one surface side of the semiconductor substrate 1 made of a p-type silicon substrate.例文帳に追加

ｐ形シリコン基板からなる半導体基板１の一表面側における発熱体３の形成予定部位（半導体基板１の上記一表面側における半導体基板１内）に半導体基板１よりも不純物濃度が高いｎ形の低抵抗領域からなる半導体層１３を形成する半導体層形成工程を行う。 - 特許庁

The optical pattern etching method includes steps of: forming a photosensitive hydrofluoric acid etching material on a semiconductor or quartz glass substrate; exposing the substrate along a pattern; heating the substrate; subjecting the substrate to development by using an alkali developing solution; and subjecting the substrate to hydrofluoric acid etching by using a solution having ≥30% to ≤50% concentration of hydrofluoric acid.例文帳に追加

光パターンエッチング方法は、半導体または石英ガラスからなる基板上に感光性フッ酸エッチング材料を形成する工程と、基板をパターン露光する工程と、基板を加熱する工程と、基板にアルカリ現像液を用いて現像を施す工程と、基板にフッ酸濃度30％以上50％以下の溶液を用いてフッ酸エッチングを行う工程とを備える。 - 特許庁

On an active matrix substrate 1, a source area and a drain area include a low concentration source area and a low concentration drain area at parts facing an end of a gate electrode to lower the electric field strength at a drain end.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１では、ドレイン端における電界強度の緩和のために、ソース領域およびドレイン領域には、ゲート電極の端部に対峙する部分が低濃度ソース領域、および低濃度ドレイン領域になっている。 - 特許庁

The maximum concentration of the overlapped place 4 is set to 1 to 10 times larger than the concentration of the n-type semiconductor substrate 100, thus improving the reverse recovery characteristics, and reducing the leakage current and a voltage for generating ringing.例文帳に追加

この重なり箇所４の最高の濃度を、ｎ半導体基板１００の濃度の１倍から１０倍とすることで、逆回復特性の改善と漏れ電流を低下させ、リンギングが発生する電圧を低下させることができる。 - 特許庁

To provide a concentration distribution mask that performs exposure to correct distortion of an optical imaging pattern due to an optical interference effect when a microlens array having a lens pitch of 1 μm or less is formed on a substrate of an imaging device using the concentration distribution mask.例文帳に追加

撮像デバイスの基板上にレンズのピッチが１μｍ以下のマイクロレンズアレイを、濃度分布マスクを用いて形成する際に、光の干渉効果による光の結像パターンの歪みを補正した露光をする濃度分布マスクを得る。 - 特許庁

An impurity region sandwiched between the p-body regions 9 of plural semiconductor devices is formed of an N--type layer 5 of a low concentration impurity region which is near to the surface of a substrate 6 and an N+-type layer 4 of a high concentration impurity region.例文帳に追加

複数の半導体素子のＰボディ領域９間に挟まれた不純物領域が、基板６表面から低濃度不純物領域であるＮ^-層５、高濃度不純物領域であるＮ^+型層４で構成されている。 - 特許庁

In an impurity concentration profile 10 in a silicon substrate after high concentration ions are injected, a region whose impurity concentration is higher than the specified value 12 is a passive region 14 where silicon crystals are made amorphous and are not diffused, and a region whose impurity concentration is lower than the specified value 12 is a crystal region or a diffusion region 16 where diffusion is occurred.例文帳に追加

高濃度イオン注入後のシリコン基板中の不純物濃度プロファイル１０において、指定濃度１２よりも高い不純物濃度からなる領域では、シリコン結晶がアモルファス化された拡散の行われない不動領域１４とし、指定濃度１２よりも低い濃度からなる領域が結晶領域として拡散の行われる拡散領域１６とする。 - 特許庁

An n+ layer 15 is provided on the part opposed to the circumferential face P1oof the second main face, and has an impurity concentration higher than that of the n-substrate 11.例文帳に追加

ｎ＋層１５は、第２主面の内周面Ｐ１ｉに対向する部分の上に設けられ、ｎ−基板１１よりも高い不純物濃度を有している。 - 特許庁

Upon the recycling, the product material can be removed from the surface of the glass substrate 12 by successively using a plurality of acids which are different in a concentration or a kind.例文帳に追加

この再生処理に際しては、濃度又は種類の異なる複数の酸を順次使用して、ガラス基板１２上から形成物を除去することができる。 - 特許庁

For that purpose, the GaN substrate is made to contain at least one element among Si, Ge, O, and B in a concentration of 5×10^19 cm^-3 or above.例文帳に追加

そのために、ＧａＮ基板にＳｉ、Ｇｅ、Ｏ、Ｂのうち少なくとも一つ以上の元素を５×１０^19ｃｍ^-3以上の濃度で含有させる。 - 特許庁

The protective member 14 having this structure has a high mechanical strength because of the difficulty of local concentration of stress, thereby the rigidity of the mounting substrate 14A is increased.例文帳に追加

このような構成の保護部材１４では局所的に応力が集中しにくいため機械的強度が高く、実装基板１４Ａの剛性が高くなる。 - 特許庁

Impurity diffusion regions 4-1, 4-2 of the same conductivity and different impurity concentration with respect to one another are formed on the surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の表面に互いに同じ導電型で不純物濃度が異なる不純物拡散領域４−１、４−２を形成する。 - 特許庁

The group IIIB element doped in the vicinity of the surface 1f of the silicon substrate 1 has concentration in the range of 10^17 cm^-3-10^20 cm^-3.例文帳に追加

シリコン基板１の表面１ｆ近傍にドープされた周期律表第３Ｂ族元素の濃度は１０^17ｃｍ^-3以上１０^20ｃｍ^-3以下である。 - 特許庁

A heavily-doped region 101, having a impurity concentration higher than that of another region, is partly formed at a semiconductor substrate 500 side of the photoelectric converter 502.例文帳に追加

光電変換部５０２のうち半導体基板５００側の一部に他の領域よりも不純物濃度の高い高濃度領域１０１を形成する。 - 特許庁

Subsequently, film deposition gas is supplied at a specified concentration to the dispersion head 152 in a film deposition process thus forming a BPSG film on a TFT array substrate 10.例文帳に追加

しかる後、成膜工程では、成膜ガスを所定濃度でディスパージョンヘッド１５２に供給し、ＴＦＴアレイ基板１０上にＢＰＳＧ膜を形成する。 - 特許庁

The peak of a concentration profile on impurities comprising the diffusion layers 13, 13b and 13c exists in the depth of ≥0.04 μm from the surface of the substrate 12.例文帳に追加

拡散層１３，１３ｂ，１３ｃを構成する不純物の濃度プロファイルのピークは、基板１２の表面から０．０４μｍ以上の深さにある。 - 特許庁

A high-concentration P-type impurity diffusion layer 3 is formed over the whole surface by the diffusion of the P-type impurity in the bottom face of the N^- type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ^-型シリコン基板１の底面内には、Ｐ型不純物の拡散によって、高濃度のＰ型不純物拡散層３が全面的に形成されている。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of improving uniformity of a metal catalyst deposited on a substrate at an extremely low concentration without reducing process efficiency.例文帳に追加

工程効率の低下なしに、基板に極低濃度に蒸着される金属触媒の均一度を向上することができるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

A heat treatment temperature is adjusted to conform to the oxygen concentration in sintering the silicon substrate 1 and the aluminum film 2 after formation of the aluminum film 2.例文帳に追加

また、アルミニウム膜２を形成した後、シリコン基板１とアルミニウム膜２とをシンタリングする際に、酸素濃度に合わせて、熱処理温度を調整する。 - 特許庁

Furthermore, the sheet concentration D_S of Si present in the interface between the semiconductor substrate and the semiconductor thin film is 2.3×10^12 cm^-2 or lower.例文帳に追加

また、半導体基板と半導体薄膜の界面に存在するＳｉのシート濃度Ｄ_ｓが２．３×１０^１２ｃｍ^−２以下となるようにする。 - 特許庁

To provide a substrate treatment device capable of preventing a drying failure caused by pure water by setting pure water concentration in a solvent as low as possible.例文帳に追加

溶剤中の純水濃度を極力低くすることにより、純水に起因する乾燥不良を防止することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

Thereafter, the surface of the substrate 1 is thermally oxidized in a dry oxidizing atmosphere which is reduced in oxygen concentration, and an element isolation thermal oxide film 5 is formed on the groove (i).例文帳に追加

その後、（ｉ）にてドライ酸化雰囲気中で酸素濃度を希釈して基板１の表面を熱酸化し、溝部分に素子分離熱酸化膜５を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate treatment apparatus which can prevent poor drying resulting from deionized water by reducing a concentration of the deionized water in a solvent as much as possible.例文帳に追加

溶剤中の純水濃度を極力低くすることにより、純水に起因する乾燥不良を防止することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

Running an alkylation substrate stream 68 from a fractionation column 40 of elevated temperature and suitable water concentration to the hot adsorbent bed may be advantageous.例文帳に追加

高温の精留塔４０からアルキル化物質ストリーム６８を流動させ、高温吸着床に好適な水分濃度を適用することで、利点が得られる。 - 特許庁

A shutter 7 for separating the substrate 1 from vapor 29 until the concentration of the mist for film deposition reaches the saturated condition.例文帳に追加

基板設置部２３には、成膜用の霧の濃度が飽和状態に達するまで基板１を蒸気２９から隔離するためのシャッタ７が設けられている。 - 特許庁