「substrate concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Moreover, the third adhesive functions as a stress buffer portion, and the stress concentration is suppressed at the side of the substrate 2.例文帳に追加

また、当該第３の接着剤が応力緩衝部分として機能して、基板２の側に応力集中が起きることも抑制できる。 - 特許庁

To improve drive capability without increasing impurity concentration of a channel part, in an Fin transistor formed on a bulk substrate.例文帳に追加

バルク基板上に形成されたＦｉｎトランジスタにおいて、チャネル部の不純物濃度を上昇させることなく、駆動能力を向上させる。 - 特許庁

On the reverse side of the silicon crystal substrate doped with phosphor and germanium to high concentration, the polysilicon layer is grown at a process temperature of <600°C.例文帳に追加

リンとゲルマニウムが高濃度ドープされたシリコン結晶基板の裏面側に、６００℃未満のプロセス温度でポリシリコン層を成長させる。 - 特許庁

It is not necessary to ion-implant a high-concentration impurity, so that a semiconductor substrate surface does not become amorphous in the regions.例文帳に追加

高濃度不純物のイオン注入を行う必要がないことから、この領域の半導体基板表面がアモルファス化することがない。 - 特許庁

To form a thin film in a short time by improving a generation concentration of plasma when forming the thin film on a substrate using the plasma.例文帳に追加

プラズマを用いて基板に薄膜を形成するとき、プラズマの発生密度を向上させて薄膜の形成を短時間で済ませる。 - 特許庁

To provide an epitaxial substrate reducing influence of carrier compensation in a region of a carrier concentration of 1×10^16 cm^-3 or less.例文帳に追加

１×１０^１６ｃｍ^−３以下のキャリア濃度の領域でキャリア補償の影響を低減可能なエピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising a high-voltage resistance MOS transistor which is formed on a silicon substrate, including high-concentration oxygen impurity.例文帳に追加

高濃度の酸素不純物を含むシリコン基板上に形成した高耐圧ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid chemical coating method for applying a liquid chemical in a uniform concentration on the whole surface of a substrate.例文帳に追加

本発明の解決課題は、基板の表面全面に均一な濃度で薬液を塗布する薬液塗布方法を開発することにある。 - 特許庁

It is preferable to use the nonwoven fabric as the wiping cloth by using the fabric as the wiping cloth substrate impregnated and held with the alcoholic liquid having the prescribed concentration.例文帳に追加

この不織布を拭き布基材とし、所定濃度のアルコール液が含浸及び保液させて、拭き布として用いるのが好ましい。 - 特許庁

A base layer, which includes NiFeCr where the concentration of Cr is within the range of 7-35 atom%, is arranged on a nonmagnetic substrate.例文帳に追加

ＮｉＦｅＣｒからなり、Ｃｒの濃度が７〜３５原子％の範囲内である下地層が、非磁性基板上に配置されている。 - 特許庁

It is also effective to lower a deionized water temperature at the time of rinse, in order to accelerate an organic solvent steam concentration to water content on the substrate 5.例文帳に追加

また、基板上水分へ有機溶剤蒸気濃縮を促進する為、リンス時の純水温度を低下させることも有効である。 - 特許庁

The concentration of the developer liquid is specified to be the higher (C1<C2<C3...<Cn shown in the figure) for the developer sprayed in the lower side when a substrate is vertically disposed.例文帳に追加

基板を縦配置した場合に、下側にて噴霧する現像液ほど高現像液濃度（Ｃ_1＜Ｃ_2＜Ｃ_3…＜Ｃ_n )に規定してある。 - 特許庁

To provide an evaluating and controlling method for the gas concentration and substrate temperature in a film deposition system in which a TiN film is deposited by CVD.例文帳に追加

ＣＶＤによりＴｉＮ膜を成膜する成膜装置のガス濃度および基板温度の評価・調整方法を提供する。 - 特許庁

Otherwise, the substrate cleaning time can be changed according to the result obtained by detecting the concentration of a certain component of the cleaning liquid.例文帳に追加

あるいは、洗浄液中の成分濃度を検出し、得られた結果に応じて基板の洗浄時間を変化させるようにしても良い。 - 特許庁

The thermal oxidation process is carried out under an atmosphere in which a substrate surface temperature is ≥850°C, and water concentration is ≥7% and ≤20%.例文帳に追加

熱酸化工程は、基板表面温度を８５０℃以上とし、水分濃度が７％以上で２０％以下の雰囲気下で行う。 - 特許庁

To provide an ion implantation device capable of enhancing uniformity of impurity concentration when impurity ions are injected into a substrate.例文帳に追加

基板へ不純物イオンを注入する際に不純物濃度の均一性を向上させることができるオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial substrate including a gallium nitride based semiconductor film capable of providing an excellent surface morphology and an excellent carrier concentration.例文帳に追加

良好な表面モフォロジ及び良好なキャリア濃度を提供できる、窒化ガリウム系半導体膜を含むエピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a high-concentration layer for source and drain is formed on the main plane of the semiconductor substrate 1, after the second sidewall 13 is removed.例文帳に追加

その後、第２サイドウォール１３を除去した後、半導体基板１の主面に、ソースおよびドレイン用の高濃度層を形成する。 - 特許庁

A constituent humor containing an amine compound for the substrate comprising silver or silver alloy is applied in an atmosphere wherein an oxygen concentration is 5 vol.% or below.例文帳に追加

銀又は銀合金含有基板に対してアミン化合物含有組成液を、酸素濃度５体積％以下の雰囲気で使用する。 - 特許庁

A high-concentration impurity layer 18 is formed on the surface of a semiconductor substrate 10 by using the sidewall spacer 16, the offset spacer 13 and the gate electrode 12 as masks.例文帳に追加

サイドウォールスペーサ16、オフセットスペーサ13、及びゲート電極12をマスクに半導体基板10の表面に、高濃度不純物層18を形成する。 - 特許庁

A high concentration n type single-crystal silicon layer 18 from the first principal plane of the semiconductor layer 12 to the semiconductor substrate 11 is formed.例文帳に追加

半導体層１２の第１主面から半導体基板１１に至る高濃度のｎ型単結晶シリコン層１８を形成する。 - 特許庁

A dopant concentration of the silicon substrate 10 is in the range of 1.0×10^13 atoms/cm^3 to 1.0×10^15 atoms/cm^3.例文帳に追加

シリコン基板１０のドーパント濃度は，１．０×１０^13ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3 〜１．０×１０^15ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3 の範囲内である。 - 特許庁

Thereafter, the pressure in the vacuum vessel 1 is lowered and the low concentration plasma doping is performed on a substrate 9 loaded on a sample electrode 6.例文帳に追加

その後、真空容器１内の圧力を下げ、試料電極６上に載置された基板９に対して低濃度のプラズマドーピングを行う。 - 特許庁

The substrate 10 is exposed to an atmosphere having a concentration of basic ions controlled to be in a prescribed range in a first booth 30 (figure 1 (B)).例文帳に追加

塩基性イオン濃度が所定範囲内に管理された第１ブース３０の内部で、基板１０をその雰囲気に晒す（図１（Ｂ））。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of reducing nitrogen concentration on the interface between a semiconductor substrate and a gate insulation film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜との界面の窒素濃度の低減が可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A P+ semiconductor layer 4 is formed by diffusing high concentration N type impurities from the other surface side of the N- type semiconductor substrate.例文帳に追加

上記Ｎ−型半導体基板の他方の表面から高濃度のＰ型不純物を拡散して，Ｐ＋型半導体層を形成する。 - 特許庁

According to the method for manufacturing the ink jet head, a channel substrate to which movable plates are formed is formed by a single crystal silicon substrate, and a high concentration p type diffusion layer which becomes the movable plate is formed by heating at a time of bonding an electrode substrate having counter electrodes formed and the channel substrate each other.例文帳に追加

本発明のインクジェットヘッド製造方法によれば、可動板が形成される流路基板を単結晶シリコン基板で作製し、対向電極が形成された電極基板と流路基板との接合時の加熱によって可動板となる高濃度ｐ型拡散層を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device 10 comprises: a semiconductor substrate 12; an epitaxial layer 14 on a surface of the semiconductor substrate 12, which has a dissociation temperature lower than that of the semiconductor substrate; a zone 16 of increased carrier concentration, which is formed in the substrate; and a metal layer 18.例文帳に追加

半導体デバイス１０は、半導体基板１２と、該半導体基板の表面上にあり、半導体基板の解離温度未満の解離温度を有するエピタキシャル層１４と、半導体基板内に形成された漸増キャリヤー濃度帯１６と、金属層１８とから構成される。 - 特許庁

A substrate processing device has a transfer roller 6 of the substrate 3 substantially in the horizontal direction, an air knife nozzle 3 for flowing mixed gas containing water soluble organic solvent at the concentration range of 0.05% to 90% under the substrate vapor pressure on the surface of the substrate 3 after washing transferred substantially in the horizontal direction.例文帳に追加

基板３を略水平方向に搬送用ローラ６と、略水平方向に搬送される洗浄後の基板３表面に、水溶性有機溶剤を飽和蒸気圧の０．０５％〜９０％の濃度範囲で含む混合気体を狭い空間から吹き付けるエアナイフノズル３を有する。 - 特許庁

By the manufacturing method of a transparent substrate with a circuit pattern, a circuit pattern is formed on the transparent substrate by the irradiation of a laser beam of a wavelength of 1,064 nm on the transparent substrate with a thin film having a transparent conductive film with a carrier concentration of 5×10^19/cm^3 or higher on the transparent substrate.例文帳に追加

透明基板上にキャリア濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以上である透明導電膜を有する薄膜付き透明基板に、波長が１０６４ｎｍのレーザ光を照射して前記透明基板上に回路パターンを形成する、回路パターン付き透明基板の製造方法。 - 特許庁

In a structure of the lateral double diffusion MOS transistor formed on a p-type semiconductor substrate 7, a high concentration p-type diffusion layer 10 serving as an electrode of a low concentration p-type well layer 11 is formed in contact with a high concentration n-type diffusion layer 9 serving as a source region.例文帳に追加

ｐ型半導体基板上７に形成された横型二重拡散ＭＯＳトランジスタを構成において、ソース領域となる高濃度ｎ型拡散層９に接するように、低濃度ｐ型ウエル層１１の電極となる高濃度ｐ型拡散層１０を形成する。 - 特許庁

The P-type second low-concentration diffusion region 9 is formed by implanting N-type impurity ions for forming the N-type low-concentration diffusion region 11 and P-type impurity ions for forming the P-type low-concentration diffusion region 7 repeatedly into a semiconductor substrate, and thermally diffusing them.例文帳に追加

Ｐ型第２低濃度拡散領域９は、Ｎ型低濃度拡散領域１１を形成するためのＮ型不純物イオンとＰ型低濃度拡散領域７を形成するためのＰ型不純物イオンが半導体基板に重複して注入され、かつ熱拡散されて形成されたものである。 - 特許庁

To provide a developer supply system capable of highly accurately detecting the alkali concentration and the dissolved resin concentration in developer recovered from the developing process of a liquid crystal substrate and a printed board, and capable of supplying the developer of more accurately adjusted concentration to the developing process.例文帳に追加

液晶基板やプリント基板の現像プロセスから回収された現像液のアルカリ濃度および溶解樹脂濃度をより高精度に検出でき、一層正確に濃度調節された現像液を現像プロセスへ供給できる現像液の供給装置を提供する。 - 特許庁

As a result, accumulation of the ammonia (NH_3) in the ultrahigh vacuum container is alleviated, so that the concentration of nitrogen (N) in a crystal growth layer on the ZnO substrate can be set to a desired concentration, and in addition the concentration of nitrogen (N) can be formed uniformly from the surface along the depth direction.例文帳に追加

その結果、超高真空容器内におけるアンモニア（ＮＨ_３）の蓄積が緩和されて、ＺｎＯ基板上の結晶成長層内の窒素（Ｎ）の濃度を所望する濃度に設定し、且つ表面から深さ方向に対して窒素（Ｎ）の濃度を均一に形成することが可能となった。 - 特許庁

By utilizing a high concentration impurity leading process for forming source-drain areas of TFTs 30, 80, 90 on the same substrate 10b, the high concentration n-type area 52 and the high concentration p-type area 53 of a diode element 50 are formed and an intrinsic area 51 is formed between these areas 52, 53.例文帳に追加

同一基板１０ｂ上にＴＦＴ３０、８０、９０のソース・ドレイン領域を形成するための高濃度不純物導入工程を利用して、ダイオード素子５０の高濃度Ｎ型領域５２および高濃度Ｐ型領域５３を形成し、かつ、それらの間に真性領域５１を形成する。 - 特許庁

Both the concentration of arsenic at a maximum concentration portion and that of phosphorus at a maximum concentration portion are at least 1026 atom/m^3 and up to 1027 atom/m^3, and the depth of the maximum concentration portion of phosphorus from the surface of the silicon substrate is up to that of the maximum concentration portion of arsenic.例文帳に追加

シリコン基板と、前記シリコン基板の一主面側に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に積層して形成されたゲート電極と、ひ素およびリンを含有する拡散層とを備え、ひ素の最高濃度部の濃度とリンの最高濃度部の濃度がともに1026原子/m3以上1027原子/m3以下であり、なおかつリンの最高濃度部の前記シリコン基板表面からの深さがひ素の最高濃度部の深さ以下であるようにする。 - 特許庁

An adjustment region 10 having a short life time is formed in a region that is across an electrode edge when a source electrode 4 is projected into a semiconductor substrate 1 and includes a boundary section 6 between a high-concentration p-type well region 20 positioned in the depth direction of the substrate and a low-concentration semiconductor layer.例文帳に追加

ライフタイムの短い調整領域１０を、ソース電極４を半導体基板１内へ投影させた場合の電極端部を跨いだ領域で、かつ、基板深さ方向に位置する高濃度のｐ型ウェル領域２０と低濃度の半導体層との境界部６を含む領域に形成する。 - 特許庁

The inversion voltage of the second nMOSFET is decided by impurity concentration of the substrate area 1a and the pocket area 9, so, by utilizing the low-concentration substrate area 1a as a channel area, a depletion layer capacity becomes less, resulting in improved sub-threshold characteristics and a reduced leak current.例文帳に追加

第２ｎＭＯＳＦＥＴの反転電圧は、基板領域１ａとポケット領域９の不純物濃度によって定まるので、低濃度の基板領域１ａをチャネル領域として利用することで、空乏層容量が小さくなり、サブスレッショルド特性を改善し、リーク電流を低減できる。 - 特許庁

Thus an n-type impurity region is formed wherein an n-type high-concentration impurity region 336 doped with only n-type impurities on the substrate 301 and an n-type low-concentration impurity region 337 doped with n-type impurities and p-type impurities on the substrate 301 are adjacent to each other.例文帳に追加

これにより、基板３０１にｎ型不純物のみを導入したｎ型高濃度不純物領域３３６と、基板３０１にｎ型不純物とｐ型不純物とを導入したｎ型低濃度不純物領域３３７とが隣接してなるｎ型不純物領域を形成する。 - 特許庁

The copper concentration in molten solder is estimated according to the molten state of the copper pattern formed on the substrate, by bringing the copper pattern formed on the substrate into contact with the fused solder, while utilizing the relation that the rate of dissolution of solid metal is dependent on the solute concentration in fluid metal.例文帳に追加

固体金属の溶解速度が液体金属中の溶質濃度に依存していること利用し、基板上に形成された銅パターンと溶融はんだと接触させ、上記基板上に形成された銅パターンの溶解状態により溶融はんだ中の銅濃度を推定する。 - 特許庁

A process control system 1 is equipped with: an ozone processing furnace 2 wherein the ozone-containing gas is supplied to the substrate 10, and irradiated with ultraviolet light; and an ozone concentration measuring part 3 for detecting the temperature of the substrate 10 based on an ozone concentration in the ozone-containing gas discharged therefrom.例文帳に追加

プロセス制御システム１は、基板１０に対してオゾン含有ガスが供されると共に紫外光が照射されるオゾン処理炉２と、これから排出されたオゾン含有ガス中のオゾン濃度に基づき基板１０の温度を検出するオゾン濃度測定部３を備える。 - 特許庁

The display device has: the first substrate 1; the first electrode 2 formed on the first substrate; and an electrolyte solution layer 5 formed so as to be in contact with the first electrode and containing an oil-soluble surfactant with a concentration higher than the critical micelle concentration.例文帳に追加

本発明の表示装置は、第１の基板１と、前記第１の基板上に形成された第１の電極２と、前記第１の電極に接触するように形成され、臨界ミセル濃度以上の油溶性界面活性剤を含んだ電解質溶液層５とを有する。 - 特許庁

A solution containing an N-hydroxy cyclic imide of higher concentration than its feed concentration is retained in a reaction system, when the organic substrate is continuously oxidized by feeding the organic substrate along with the N-hydroxy cyclic imide, a transition metal compound and an oxygen containing gas into the reaction system.例文帳に追加

有機基質を、Ｎ−ヒドロキシ環状イミド、遷移金属化合物および酸素含有ガスと共に反応系内に供給しながら、連続式反応により酸化するに際し、反応系内にＮ−ヒドロキシ環状イミドをその供給濃度より高い濃度で含む液を存在させる。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming a first insulating film 3 on an n-type high concentration substrate 1 after growing an I-layer 2 having a relatively low impurity concentration on the main surface of the substrate 1, and exposing the I-layer 2 in a peripheral portion by removing an unnecessary portion of the film 3.例文帳に追加

ｎ型高濃度基板１の主面上に相対的に不純物濃度が低いＩ層２を成長させた後、ｎ型高濃度基板１上に第１絶縁膜３を形成し、第１絶縁膜３の不要部分を除去して、周辺部分のＩ層２を露出させる。 - 特許庁

For instance, a conductive n^+-type AlGaN layer of the high impurity concentration (Al composition >0) and an AlBGaN layer of the low impurity concentration (Al composition ≥0; B composition ≥0) are sequentially formed on the surface of the conductive SiC substrate, and the ohmic electrode is formed on the back of the conductive SiC substrate.例文帳に追加

例えば、導電性ＳｉＣ基板の表面上に不純物濃度の高い導電性のｎ^＋型ＡｌＧａＮ層（Ａｌ組成＞０）と、不純物濃度の低いＡｌＢＧａＮ層（Ａｌ組成≧０、Ｂ組成≧０）を順次形成し、導電性ＳｉＣ基板の裏面にオーミック電極を形成する。 - 特許庁