「wiring region」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a connection structure which can enhance peel strength by reinforcing connection by an anisotropic conductive material with a simple configuration, and to provide an electronic apparatus having that connection structure in a connection structure where a flexible printed wiring board and a printed wiring board, each having a connection region in which an electrode terminal is arranged, are interconnected electrically in the connection region with the anisotropic conductive material interposed therebetween.例文帳に追加

電極端子を配置してなる接続領域を、互いに備えるフレキシブルプリント配線板とプリント配線板とが、異方性導電材を介して、前記接続領域で相互に電気接続されてなる接続構造において、異方性導電材による接続を簡易な構成で補強できることで、剥離強度を強くすることができる接続構造及び該接続構造を備える電子機器の提供を課題とする。 - 特許庁

Since the metal thin film region 2 is formed so that it may be avoided that the electrode pad and the wiring region are disposed at a directly upper part of the optical waveguide core 1, an overlapping region between the optical waveguide 1 and the metal thin film 2 generated in a conventional two input two output type optical switch is not generated.例文帳に追加

電極パッドと配線領域とが光導波路コア１の直上に配置されるのを避けるようにして金属薄膜領域２が形成されているため、従来の２入力２出力型光スイッチでは、光導波路コア１と金属薄膜領域２との重複領域を生じるのに対して、本発明においては、このような重複領域を生じない。 - 特許庁

Since stress applied to the region of the wiring board 1, where the sensor element 2 and the semiconductor element 3 are disposed, is reduced by the reinforcing outer connection pad 6, formed in the region opposite to the region where the sensor element 2 and the semiconductor element 3 are disposed, a part of the outer connection pad 6 can be prevented from peeling off due to increased stress.例文帳に追加

センサ素子２および半導体素子３が配置された領域と対向する領域に形成された補強用外部接続パッド６により、配線基板１のセンサ素子２および半導体素子３が配置されている領域に加わる応力が小さくなるので、一部の外部接続パッド６において応力が大きくなって剥がれてしまうことを防止することができる。 - 特許庁

An image-pickup region formed by a photo diode 1, a vertical transfer channel 2, and a vertical transfer electrode 98 on it, and a wiring region formed by a wiring 6 for applying a vertical transfer electrode voltage formed at the periphery of the image-pickup region are provided on an N-type silicon wafer 11.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板１１上に、フォトダイオード１と垂直転送チャネル２とその上の垂直転送電極９が形成された撮像領域と、この撮像領域の外周部であって、垂直転送電極電圧印加用配線６の形成された配線領域とを備え、撮像領域では、Ｎ型シリコン基板１１と垂直転送電極９との間にシリコン窒化膜１６が形成され、配線領域ではＮ型シリコン基板１１と垂直転送電極９との間にはシリコン窒化膜１６が形成されていない。 - 特許庁

To provide a multiple-patterning ceramic wiring board that stably and firmly sucks a ceramic mother board to a suction table for fixing without shaking when fixing the ceramic mother board onto the suction table for mounting an electronic component, and can accurately and easily mount the electronic component in each wiring substrate region.例文帳に追加

電子部品を搭載するための吸引テーブル上に固定した際に、セラミック母基板がぐらつくことがなく吸引テーブルに安定して強固に吸引固定され、各配線基板領域に電子部品を正確かつ容易に搭載することが可能な多数個取りセラミック配線基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a multiple patterning wiring substrate the matrix substrate of which is formed by a sintered body of a non-metallic inorganic material and which is cut with excellent workability while suppressing the occurrence of troubles such as chipping by means of the dicing machining of the matrix substrate at the boundary of a wiring substrate region.例文帳に追加

非金属無機材料の焼結体で母基板が形成された多数個取り配線基板であって、配線基板領域の境界において母基板をダイシング加工により、チッピング等の不具合の発生を抑制しながら、作業性を良好として切断することが可能な多数個取り配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide a multiple-patterning ceramic wiring board in which a ceramic mother board can be stably and firmly sucked and fixed onto a suction table without shaking while fixing the board onto the suction table for mounting an electronic component, and an electronic component can be accurately and easily mounted in each wiring board region.例文帳に追加

電子部品を搭載するための吸引テーブル上に固定した際に、セラミック母基板がぐらつくことがなく吸引テーブルに安定して強固に吸引固定され、各配線基板領域に電子部品を正確かつ容易に搭載することが可能な多数個取りセラミック配線基板を提供すること。 - 特許庁

A part of the metallic wiring 18 is disposed in a region between the pair of compact lands so as to be insulated by the solder resist film 19, and the metallic bump 20 formed on the compact land 17B is connected to the auxiliary land 17C across the upper side of the metallic wiring 18 positioned between the pair of compact lands.例文帳に追加

金属配線１８の一部は、小型ランド対の間の領域において、ソルダレジスト膜１９によって絶縁された状態で配置されており、小型ランド１７Ｂの上に形成された金属バンプ２０は小型ランド対の間に位置する金属配線１８の上側を跨いで補助ランド１７Ｃと接続されている。 - 特許庁

A first TFT 43 and a second TFT 44, adjacent to each other in a first direction A1 in which signal wiring 35 extends, share a source region 23 integral with one semiconductor piece 22 and electrically connected to the signal wiring 35, and are formed symmetrically with respect to a reference plane P1.例文帳に追加

信号配線３５の延びる第１方向Ａ１に隣接する２つの第１ＴＦＴ４３および第２ＴＦＴ４４が、１つの半導体片２２に一体にして、信号配線３５に電気的に接続されるソース領域２３を共有するとともに、基準平面Ｐ１に関して対称な形状に形成される。 - 特許庁

The electronic device module comprises a first substrate having a first wiring layer and a first alignment mark exhibiting transparency in a visible region, and a second substrate provided to face a part of the first substrate and having a second wiring layer and a second alignment mark disposed to face the first alignment mark.例文帳に追加

電子デバイスモジュールは、第１の配線層と、可視域において透明性を有する第１のアライメントマークとを有する第１の基板と、この第１の基板の一部に対向して設けられると共に、第２の配線層と、第１のアライメントマークに対向配置された第２のアライメントマークとを有する第２の基板とを備えたものである。 - 特許庁

The optical sensor 1 has a photoelectric conversion device region 3 and a connection pad 4 on the underside of a semiconductor substrate 2, and also has wiring 9 connected to the connection pad 4 through insulation films 5, 7 and a columnar electrode 12, as an external connection electrode, connected to the wiring 9 below the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

光センサ１を、半導体基板２の下面に光電変換デバイス領域３および接続パッド４を有し、且つ、半導体基板２下に絶縁膜５、７を介して接続パッド３に接続された配線９および該配線９に接続された外部接続用電極としての柱状電極１２を有するものとする。 - 特許庁

First and second external terminals 132a and 132b and discrete wiring structures (for example, first and second wiring structures 130a and 130b) are formed on the first and second regions 102 and 104 in order to wire again a plurality of pads 18 for circuit element connection on the first region 102.例文帳に追加

第１領域１０２上の複数の回路素子接続用パッド１８を再配線するため、第１及び第２領域１０２及び１０４上に、第１及び第２外部端子１３２ａ及び１３２ｂと、個別の配線構造（例えば第１及び第２配線構造１３０ａ及び１３０ｂ）を形成してある。 - 特許庁

A TaN film 7 and a Cu film 8 are installed inside a recessed part for wiring 5 arranged inside the film 2 through the film 3, inside a recessed part for dummy wiring 6, which is arranged inside the film 2 through the film 3 within a prescribed range from a region where the recessed part 5 is formed, and on the surface of the SiC film 3.例文帳に追加

膜３を貫通して膜２の内部にかけて設けた配線用凹部５の内側、および凹部５が形成されている領域から所定の範囲内で膜３を貫通して膜２の内部にかけて設けたダミー配線用凹部６の内側、およびＳｉＣ膜３の表面上にＴａＮ膜７およびＣｕ膜８を設ける。 - 特許庁

To provide a manufacturing method taking an improvement in yield into consideration by directing a cooling nozzle toward a non-wiring region side, then discharging cold air, thereby preventing heat and cold in photoelectric conversion elements in performing heating by irradiation with a laser and cutting a substrate to photoelectric conversion element regions and non-wiring regions by the thermal stress generated by rapid cooling.例文帳に追加

本発明の目的は、レーザ照射による加熱を行い、急冷却によって熱応力で光電変換素子領域と非配線領域を切断させる際に、冷却ノズルを非配線領域側に向けて吐出し、光電変換素子に熱冷を防ぐことにより歩留り向上を考えた製造方法である。 - 特許庁

To efficiently manufacture an inkjet recording head in which a head substrate is fitted on a base plate, and an electric wiring substrate connected to the head substrate is fitted in a surrounding region of the head substrate on the base plate, while accuracy of arrangement of the head substrate and adhesiveness of the electric wiring substrate onto a supporting plate are ensured.例文帳に追加

ベース板上にヘッド基板を取り付け、ヘッド基板に接続される電気配線基板を、ベース板の、ヘッド基板の周囲の領域に取り付けた支持板上に取り付けたインクジェット記録ヘッドにおいて、ヘッド基板の配置精度や電気配線基板の、支持板への密着性を確保しながら効率的な製造を可能とする。 - 特許庁

In the inspecting region 50, the first metal plating 38 and the first wiring 27 which is adjacent to the plating 38 are exposed to the outside, the difference in height of each surface is measured, the second metal plating 41 and the third wiring 29 which is adjacent to the plating 41 are exposed to the outside, and the difference in height of each surface is measured.例文帳に追加

従って、検査領域５０内に、第１金属メッキ３８とこれに隣接する第１配線２７とを外部に露出させ、その各表面の高低差を計測し、また第２金属メッキ４１とこれに隣接する第３配線２９を外部に露出させ、その各表面の高低差を計測する。 - 特許庁

In a semiconductor device having a multilayer wiring structure composed of a plurality of wiring layers and pad regions 13 disposed around an inner region 11 on the surface central part, various elements such as inter- power-source capacitances 19, protective elements 31 and input/output elements forming I/O regions 12 are formed below the pad regions 13.例文帳に追加

複数の配線層からなる多層配線構造を有し、表面中央部の内部領域１１の周囲にパッド領域１３が配置された半導体装置において、パッド領域１３の下方に、電源間容量１９や保護素子３１やＩ／Ｏ領域１２を形成する入出力素子等の各種素子を形成した。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which by designing a novel architecture for a gate structure composed of a gate electrode and gate wiring, a gate electrode for a MOSFET in the element region can be set to an optimum film thickness from the viewpoint of leakage and characteristics, and the gate wiring has a MOSFET with a high yield with no unfinished silicide.例文帳に追加

ゲート電極及びゲート配線からなるゲート構造を新規な構成にすることによって素子領域のＭＯＳＦＥＴのゲート電極がリーク、特性の観点から最適な膜厚に設定でき、ゲート配線がシリサイド未形成のない歩留まりの高いＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A common wiring line for supplying an electric power to an individual wiring line 102 consists of a diffusion preventing layer 104 formed to a partial region centering a via hole 232, a first metal 105 which coats its top surface and side surface, and further a second metal 106 layered on the first metal.例文帳に追加

個別配線１０２に電力を供給するための共通配線は、ビアホール２３２を中心とした一部領域に形成された拡散防止層１０４と、その上面および側面を被覆する第１の金属１０５と、更に第１の金属に積層された第２の金属１０６とから構成される。 - 特許庁

In this construction, since the wiring substrate 6 and the circuit board 8 are arranged on the non-light-emitting face side of the light-emitting panel 5 respectively, the light-emitting region in the light-emitting face side can be enlarged, and since the wiring substrate 6 and the circuit board 8 are not superimposed, the thickness of the lighting device 1 can be thinned.例文帳に追加

この構成によれば、配線基板６及び回路基板８がいずれも発光パネル５の非発光面側に配置されるので、発光面側における発光領域を大きくすることができ、また、配線基板６と回路基板８とが重なり合わないので、照明装置１の厚みを薄くすることができる。 - 特許庁

In a designing stage for automatic disposition and wiring, a wiring connection region 13 having a plurality of conductive patterns is formed preliminarily (designed and disposed), along the arrangement of connection wires 111, 121 of the gate array IC circuit 11 and the macro cell 12 to collectively guarantee connection between the IC circuit 11 and the macro cell 12.例文帳に追加

そこで、自動配置配線の設計段階において、ゲートアレイ集積回路１１とマクロセル接続端部１２の各接続配線１１１，１２１の配列に沿うように、導電パターンを複数有する配線接続領域１３を予め構成（設計配置）し、両者の接続をまとめて保証する。 - 特許庁

A temperature detecting device selectively supplies either pixel data for display or pixel data for temperature detection to each EL element to which the lead out wiring line of the anode potential is connected, when a plurality of EL elements to which lead out wiring lines of anode potentials are connected are discretely disposed in an effective pixel region.例文帳に追加

有効表示領域内に陽極電位の取り出し用配線が接続されたＥＬ素子が分散的に複数個配置されている場合、陽極電位の取り出し用配線が接続されたＥＬ素子のそれぞれに対し、表示用の画素データ又は温度検出用の画素データのいずれか一方を選択的に供給する。 - 特許庁

An electronic apparatus 1 has: a semiconductor chip 10 having a function region 10a at a desired position; a wiring board 30 bonded with the semiconductor chip 10 mechanically and electrically in a form of lamination layer; at least one first junction member 50 that bonds the semiconductor chip 10 and the wiring board 30; and a second junction member 70 that bonds the semiconductor chip 10 and the wiring board 30.例文帳に追加

電子装置１は、所望する位置に機能領域１０ａを有する半導体チップ１０と、半導体チップ１０と機械的且つ電気的に積層状に接合する配線基板３０と、半導体チップ１０と配線基板３０とを接合する少なくとも１つの第１の接合部材５０と、半導体チップ１０と配線基板３０とを接合する第２の接合部材７０と、を具備する。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with a semiconductor substrate 1, gate electrodes 3, an impurity diffusion region 4, at least a wiring layer 6 formed through the intermediary of an interlayer insulating film 5, containing relay pins connected electrically to the gate electrodes 3, and an uppermost wiring layer 8 formed through the intermediary of an interlayer insulating film 7, containing wiring patterns which are electrically connected to the relay pins respectively.例文帳に追加

半導体基板１と、複数のゲート電極３と、不純物拡散領域４と、層間絶縁膜５を介して形成され、複数のゲート電極にそれぞれ電気的に接続された複数の中継ピンを含む少なくとも１層の配線層６と、層間絶縁膜７を介して形成され、複数の中継ピンにそれぞれ電気的に接続された複数の配線パターンを含む最上層の配線層８とを具備する。 - 特許庁

The spare element region has p-channel transistor regions 111 to 113, n-channel transistor regions 121 to 123, a plurality of gate electrodes 131 to 134 and 141 to 144 prepared on the p-channel transistor regions and n-channel transistor regions, bypass wires 151 to 155 formed on a wiring layer higher than the gate electrodes, and a principal wiring layer located still higher than the bypass wiring.例文帳に追加

予備素子領域は、Ｐチャンネルトランジスタ領域１１１〜１１３と、Ｎチャンネルトランジスタ領域１２１〜１２３と、Ｐチャンネルトランジスタ領域上及びＮチャンネルトランジスタ領域上に設けられた複数のゲート電極１３１〜１３４、１４１〜１４４と、ゲート電極よりも上層の配線層に形成されたバイパス配線１５１〜１５５と、バイパス配線よりも上層に位置する主配線層とを備える。 - 特許庁

The wiring pattern 15 is provided with extended parts 15b passing the part connected with the bump 21 and extending to the inside of an IC mounted region J and the extended parts 15b are formed while being separated into at least two groups.例文帳に追加

配線パターン１５はバンプ２１と接続する部分を越えてＩＣ実装領域Ｊの内部へ延びる延在部分１５ｂを有し、それらの延在部分１５ｂは少なくとも２つの群に分離して形成される。 - 特許庁

In a mounting region A1 corresponding to the semiconductor package, a vent 14 penetrating the rear face with respect to a main surface is formed from the main surface of a drawing by avoiding the connection terminals 11 and the wiring pattern 12.例文帳に追加

半導体パッケージに応じた実装用領域Ａ１において、接続端子１１及び配線パターン１２を避けて、図の主表面から、主表面に対する裏面に貫通する通気孔１４が設けられている。 - 特許庁

This wiring body 1, in contrast to prior art, comprises an electric insulating layer 3 provided with a through-hole 31 for ensuring spatial insulation distance in a both side exposed region 89A, and a conductive layer 2 for P pole.例文帳に追加

配線体１は、従来例に対し、両面露出領域８９Ａに空間絶縁距離を確保するための貫通孔３１が形成された電気絶縁層３と、Ｐ極用の導電層２を用いる。 - 特許庁

The liquid crystal display device 18 has a structure of a liquid crystal panel 2 and a wiring board 3 disposed facing each other in which a driving IC 8 is mounted in the nondisplay region on the upper glass substrate 4 of the liquid crystal panel 2.例文帳に追加

液晶表示装置１８は液晶パネル２と配線基板３とを対向配設した構造であって、液晶パネル２の上ガラス基板４の非表示領域６に駆動用ＩＣ８を実装している。 - 特許庁

Then, each of a part of the wiring laminated part 30 and the sacrifice layer 5 is removed to expose the release requiring region T to form an opening part C1 and release the movable electrode 50 into a movable state.例文帳に追加

そして、配線積層部３０および犠牲層５の一部をリリース必要領域Ｔを露出するように除去して開口部Ｃ１を形成することにより可動電極５０を可動な状態にリリースする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a gate structure that can reduce the parasitic capacitance between a gate electrode and a source/drain diffusion region (including its wiring) and can make a transistor element to operate at a high speed, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

ゲート電極とソース／ドレイン拡散領域（及びその配線を含む）との間の寄生容量を低減でき高速動作が可能となるゲート構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device in which the reaction between a metallic material of wiring and an electrode connected to a semiconductor region hardly occurs in high-temperature operation, and strain hardly occurs in the high-temperature operation.例文帳に追加

高温動作において配線の金属材料と半導体領域に接続する電極との反応が生じにくく、かつ、高温動作において歪みが生じにくい電力用半導体装置を実現する。 - 特許庁

The wiring board can provide a sufficiently high attenuation at a particular frequency in a frequency region lower than the pass band of the surface acoustic wave filter element to thereby attenuate an unnecessary signal at the frequency band lower than the pass band.例文帳に追加

弾性表面波フィルタ素子の通過帯域より低周波帯域の特定の周波数で十分な減衰量が得られ、通過帯域よりも低周波帯域の不要な信号を減衰させることができる。 - 特許庁

Then a polishing stopper film 40 is formed on the insulating film 30, and a damascene region which is provided through the stopper film 40 is formed at part of the insulating film 30 for forming wiring.例文帳に追加

第１層間絶縁膜３０の上にポリシングストッパ膜４０を形成し、配線を形成するために第１層間絶縁膜３０の一部にポリシングストッパ膜４０を貫通して設けられるダマシン領域を形成する。 - 特許庁

One or more lower level BEOL metal wiring layers are designed so as to be patterned symmetrically, aligned, so as to operate on the light-shielding layer which balances the amount of incident light arriving at a photosensitive region.例文帳に追加

一つ以上の下部レベルＢＥＯＬ金属配線層が対称的にパターンされ配列されて感光領域に到達する入射光の量の均衡を合わせる光遮蔽層に動作するようにデザインされる。 - 特許庁

By observing the marked region M of a laminated wiring board 1 formed in this manner from the upper side in the drawing while lighting it from the backside thereof, the identification information of the hole pattern 31 can be read in clear contrast.例文帳に追加

かかる積層配線板１のマーキング領域Ｍを，背後からバックライト照明しつつ図１中上方から観察することにより，明確なコントラストで穴パターン３１の識別情報を読み取ることができる。 - 特許庁

To provide a multiple wiring board, where the area of a mounting region in an electronic component is maintained and miniaturization is made and the occurrence of warpage is reduced, and also to provide a package for storing the electronic component and to provide an electronic device.例文帳に追加

電子部品の搭載領域の面積を維持しつつ小型化を図るとともに、反りの発生を低減させた多数個取り配線基板、電子部品収納用パッケージおよび電子装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a miniaturized and highly integrated semiconductor device which is designed according to a restrictive design rule and suppresses occurrence of a failure in a boundary part between an active region and a power supply wiring and a peripheral part of the same.例文帳に追加

ＲＤＲに従い設計され、活性領域と電源配線との境界部や周辺部における不具合の発生が抑制された、小型化かつ高集積化された半導体装置を提供する。 - 特許庁

A first metal wiring region is ensured in the row direction between a first contact layer of the first to the third diffusion layers and a second contact layer of a gate layer, and between the first contact layer and the first/second word lines.例文帳に追加

第１〜第３拡散層の第１コンタクト層とゲート層の第２コンタクト層との間、第１コンタクト層と第１／第２ワード線との間に、行方向に沿って第１のメタル配線領域が確保される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of so forming the connection surface of a connection electrode that it does not lie off the formation region of metal wiring in a contact for conductive connection between wires.例文帳に追加

配線間を導通接続するコンタクト部において、接続電極の接続面が金属配線の形成領域からはみ出ることなく形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, the aluminum film 15a is subjected to etching treatment using the via plug 17 as a mask with reference to the position of the via plug 17, so that an unnecessary region in the aluminum film 15a is removed and lower layer aluminum wiring 15 is formed.例文帳に追加

そのあと、ビアプラグ１７の位置を基準に、ビアプラグ１７をマスクとしてアルミ膜１５ａにエッチング処理を施し、アルミ膜１５ａにおける不要な領域を除去して下層アルミ配線１５を形成する。 - 特許庁

To provide a technology for preventing mulfunctions due to simultaneous change of signals, when a wiring group, which is necessary for the chip operation in an initial state of a layout design, is formed at a specific region.例文帳に追加

レイアウトデザインの初期状態においてチップ動作上必須となる配線群を特定の領域に形成する場合における信号の同時変化による誤動作を防ぐための技術を提供することにある。 - 特許庁

The die attach material 1 covers from the bottom face of the semiconductor element opposite to the surface of the wiring board or the lead frame to the side face connected to the bottom face to a peripheral region 1a of the surface connected to the side face.例文帳に追加

ダイアタッチ材１は、配線基板もしくはリードフレーム表面に対向する半導体素子の底面から前記底面に繋がる側面及び前記側面に繋がる表面の周辺領域１ａまで被覆している。 - 特許庁

To provide a solid-state image-pickup device and a method for manufacturing the same, capable of providing a reduced dark current effect obtained from a hydrogen treatment effect on a wiring region and preventing image defects due to increased noise on a peripheral section of an image.例文帳に追加

配線領域にも水素処理効果による暗電流低減効果が得られ、画像周辺部のノイズ増加による画像欠陥を防止できる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The picture display panel has a structure where a wiring structure 3, an electrode 5 for connection, an insulation layer 17, a protective insulation layer 18 and an insulation layer 19 are successively laminated on a substrate 21 in a terminal region 2 of the picture display panel.例文帳に追加

画像表示パネルの端子領域２において、基板２１上に配線構造３および接続用電極５、絶縁層１７、保護絶縁層１８、絶縁層１９を順次積層した構造を有する。 - 特許庁