「wiring region」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

On the substrate contact surface of a bonding tool 12 for connecting wiring formed on the substrate and the bump electrode of the semiconductor chip, a substrate deformation prevention 12a is formed in a contact region with a substrate center that becomes the inside of the arrangement region of the bump electrode for preventing the deformation of the substrate, and the semiconductor chip is connected to the substrate.例文帳に追加

そして、前記基板に形成された配線と半導体チップのバンプ電極とを接続するボンディングツール１２の基板接触面に、バンプ電極の配置領域の内側となる基板中央部との接触領域に基板変形防止部１２aを形成し、基板の変形を防止して、基板に半導体チップを接続する。 - 特許庁

A board for wiring has a first connection terminal 1, a second connection terminal 2, and an external electrode terminal 3 electrically connected to the second connection terminal 2 in a region to be an individual piece after dicing, and also has a terminal 8 for inspection to be electrically connected to the second connection terminal 2 outside the region to be the individual piece after dicing.例文帳に追加

ダイシング後に個片部となる領域内に、第１の接続用端子１と、第２の接続用端子２と、第２の接続用端子２と電気接続される外部電極用端子３とを備え、ダイシング後に個片部となる領域外に、第２の接続用端子２と電気接続させる検査用端子８を備える。 - 特許庁

In such a constitution, the configuration that the active layer exists on the under part of wiring and is extended to the outer part is not used, therefore, an aperture region is improved, at the same time, the opaque metal pattern is further disposed on the surrounding of the pixel electrode and, thereby, an alignment margin can be minimized to enlarge the aperture region.例文帳に追加

このような構成によって、アクティブ層が配線の下部に存在して外部へと延長された形態ではないので、開口領域を改善すると同時に、画素電極の周辺に不透明な金属パターンをさらに構成することによって、アラインマージンを最小にできるので、開口領域がさらに拡大される。 - 特許庁

Thus, since the ferromagnetic material diffused (migrated) from the TMR element 4 hardly reaches the semiconductor layer 6 by interposing the wiring layer 7 between the magnetic material layer 8 and the semiconductor layer 6, the diffusion of the ferromagnetic material to the drain region 32a and the source region 32c can be reduced.例文帳に追加

このように、磁性材料層８と半導体層６との間に配線層７を挟むことにより、ＴＭＲ素子４から拡散（マイグレーション）した強磁性材料が半導体層６へ達しにくくなるので、ドレイン領域３２ａ及びソース領域３２ｃへの強磁性材料の拡散を低減できる。 - 特許庁

Next, each of a part of the protective membrane 20 and the wiring laminated part 30 above the center of a release requiring region T is removed up to such a depth that prevents the movable electrode 50 from being exposed to form a plurality of preliminary opening parts C1b arranged at a predetermined interval in the release requiring region T and having a substantially rectangular shape in plan view.例文帳に追加

次に、リリース必要領域Ｔの中央上方の保護膜２０、配線積層部３０の一部を可動電極５０を露出しない深さに除去することにより、リリース必要領域Ｔ内に所定の間隔を設けて複数配設されたが平面視略矩形状の予備開口部Ｃ１ｂを形成する。 - 特許庁

To prevent brightness and darkness patterns caused by the pattern section made of wiring and circuit elements provided on the frame region in electrooptical equipment such as a liquid crystal device or the like, from being projected in the vicinity of the frame of a display image and to improve the light shielding performance of the circuit elements provided in the frame region with respect to returned light beams.例文帳に追加

液晶装置等の電気光学装置において、額縁領域に設けられた配線や回路素子からなるパターン部に起因した明暗パターンが表示画像の縁付近に映し出されることを防止し、額縁領域に設けられた回路素子における戻り光に対する遮光性能を向上させる。 - 特許庁

Of a plurality of diffused layer regions 2 and 3 formed within a semiconductor device 10, the region 2 has impurity concentration higher than that of the other region 3, and the sectional area of a first contact wiring layer 4 for connection to the region 2 having the higher impurity concentration is arranged to be larger than that of a second contact wiring layer 5.例文帳に追加

半導体装置内に形成された複数の拡散層領域２、３の内の少なくとも一部の拡散層領域２に於ける不純物濃度が、その他の部分に於ける拡散層領域３に於ける不純物濃度よりも高くなる様に構成されており、且つ当該不純物濃度の高い拡散層領域２に接続される第１のコンタクト配線４の断面積が、当該不純物濃度の低い拡散層領域３に接続される第２のコンタクト配線５の断面積よりも大きくなる様に構成されている半導体装置１０。 - 特許庁

The method of manufacturing the printed circuit board includes the processes of: preparing a printed wiring board having the land; applying solder over a region of the land except a region behind a heel of the lead terminal; placing a surface mounting component with the lead terminal on the printed wiring board; applying solder over the lead terminal; and soldering the lead terminal to the land by irradiating the applied solder with a light beam.例文帳に追加

プリント回路板の製造方法は、ランドを有するプリント配線板を準備する工程と、ランドのうちリード端子の踵部後方の領域を除く領域上に半田を塗布する工程と、リード端子を有する表面実装部品をプリント配線板上に載せる工程と、リード端子上に半田を塗布する工程と、塗布された半田に光ビームを照射することによりリード端子をランドに半田付けする工程とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes a layout region having regularity in one chip, and a layout region without having regularity, and includes lower conductive layers 11, an interlayer dielectric formed on the lower conductive layers 11, upper wiring layers M1 formed thereon, and two connection plugs 10 arranged to electrically connect the lower conductive layers 11 to the upper wiring layers M1 at the substantially shortest distances.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体装置１は、ワンチップに規則性を有するレイアウト領域と、規則性のないレイアウト領域を備える半導体装置であって、下層導電層１１と、下層導電層１１上に形成された層間絶縁膜と、その上に形成された上層配線層Ｍ１と、下層導電層１１と上層配線層Ｍ１とを、実質的に最短距離で電気的に接続するように配設した接続プラグ１０とを備える。 - 特許庁

When a metal wiring layer connected with a gate layer is formed above the gate layer in order to transmit an electric signal to the gate layer of a MOS transistor formed in a functional circuit region adjacent to the cell formation region of an SRAM memory cell, the metal wiring layer is arranged in a layer different from a wordline layer formed above the gate layer at a metal damascene process using a second metal damascene process.例文帳に追加

ＳＲＡＭメモリセルのセル形成領域に隣接した機能回路領域に形成されるＭＯＳトランジスタのゲート層に電気的信号を伝達するために前記ゲート層と接続される金属配線層を前記ゲート層の上方に形成する場合に、前記ゲート層の上方に金属ダマシン工程で形成されるワードライン層とは互いに異なる層で第２の金属ダマシン工程を用いて前記金属配線層を配置する。 - 特許庁

A wiring structure includes a substrate having a first region where a lot of structures are formed with a minute pitch and a second region formed into a flat shape, and a conductive layer where a layer of a conductive material of the same material is formed on both the first and second regions and the conductive material is continuously formed to configure a writing pattern on the second region.例文帳に追加

配線構造体は、微細ピッチで構造体が多数形成された第１の領域と、平面状に形成された第２の領域とを有する基体と、第１の領域、および第２の領域共に同一材料の導電材料が成膜されており、第１の領域、および第２の領域のうち該第２の領域に導電材料が連続的に形成されて、配線パターンをなす導電層とを備える。 - 特許庁

The method includes: a step of preparing a liquid jet recording head with an electric wiring member with a connection opening that communicates a region surrounded by the recording element substrate, a support part and a plurality of electrode leads with air; a step of applying the sealing material to a surface of the plurality of electrode leads; and a step of suctioning air in the region from the communication opening and introducing the sealing material to the region.例文帳に追加

記録素子基板と支持部と複数の電極リードとに囲まれる領域と大気とを連通する連通口を備える電気配線部材を備える液体噴射記録ヘッドを用意する工程と、複数の前記電極リードの表面に封止材を塗布する工程と、前記連通口から前記領域の空気を吸引し、前記領域に前記封止材導入する吸引工程と、を備える。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an MOS transistor whose drain region is an impurity diffusion region formed in the first region of the SOI substrate with an active layer insulated and separated from a support substrate by a buried oxide film and separated into a plurality of regions including the first and the second regions by a field oxide film having a thickness reaching the buried oxide film; and a first wiring layer.例文帳に追加

半導体装置は、埋め込み酸化膜によって支持基板から絶縁分離されるとともに、埋め込み酸化膜にまで達する厚さを有するフィールド酸化膜によって、第１および第２の領域を含む複数の領域に分離された活性層を有するＳＯＩ基板の、第１の領域に形成された不純物拡散領域をドレイン領域とするＭＯＳトランジスタと、第１の配線層とを有する。 - 特許庁

In the wiring board 8 wherein its external connecting terminals are provided in its opposite surface to its surface having a semiconductor-chip mounting region 2 for mounting thereon a semiconductor chip 1, there are disposed in the chip-mounting region for mounting thereon the semiconductor chip 1 dummy wirings 6 having such shapes that all their ends included in themselves are opened in the inside of the semiconductor-chip mounting region 2.例文帳に追加

半導体チップ１を搭載するための半導体チップ搭載領域２を有する面とは反対面に外部接続端子が設けられている配線基板８において、半導体チップ１を搭載するための半導体チップ搭載領域２に、自身に含まれる全ての配線の末端が半導体チップ搭載領域２内では開放されている形状のダミー配線６が配置されている。 - 特許庁

An ejection head 33 having an ejection opening diameter of 20 μm or less imparts a plurality of liquid drops of a solution containing fine particles onto a substrate 14 to form a pattern wiring or a device on the substrate 14 and an electrode region.例文帳に追加

吐出口径がΦ２０μｍ以下の噴射ヘッド３３によって微粒子含有溶液の液滴を基板１４上に複数滴噴射付与し、基板１４上と電極領域にパターン配線あるいはデバイスを形成する。 - 特許庁

The wiring board 50 is provided with an insulating layer 52, a connection land 54 provided on one surface 52a of the insulating layer 52, and a copper layer 58 provided in a predetermined region R2 on the other surface 52b of the insulating layer 52.例文帳に追加

配線板５０は、絶縁層５２と、絶縁層５２の一方の面５２ａ上に設けられた接続ランド５４と、絶縁層５２の他方の面５２ｂにおける所定の領域Ｒ２上に設けられた銅層５８とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device containing a transistor having a gate form that can connect source and body-contacting regions to each other without using any wiring nor projecting its gate portion to the source region side, and to provide a semiconductor storage device using the semiconductor device.例文帳に追加

ソース領域側にゲート部分を突出させずに、ソース領域とボディコンタクト領域とを配線を用いずに接続できるゲート形状を有するトランジスタを含む半導体装置及び半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

In a connection region 6 of a printed-wiring board 1, a connection terminal 3A has a nearly fixed basic width, and has projections 31a-38a projecting vertically to the extension direction of a wire 3 at a nearly equal interval.例文帳に追加

プリント配線板１の接続領域６において、接続端子部３Ａは、略一定の基本幅を有し、配線３の延長方向に対して垂直方向に突出した突出部３１ａ〜３８ａを略等間隔に備えている。 - 特許庁

The outline of a resist pattern comprising a resist film 3 is retreated in a place where a certain interval or below is left between a part situated on an active region 2 within a position where gate wiring 1 is situated and a position where the resist pattern is situated.例文帳に追加

ゲート配線１の配置予定位置のうち活性領域２上に位置する部分とレジスト膜３からなるレジストパターンの配置予定位置とが一定距離以上接近している箇所においては、レジストパターンの輪郭を後退させる。 - 特許庁

In the PMOS region IP, an N guard ring is formed around the rim part of an N-type well and is connected to a wiring ring A0 of a first metal layer through a contact 10 while a first circuit 4P is formed at the inside of the ring.例文帳に追加

ＰＭＯＳ領域１Ｐは、Ｎ型ウエルの周縁部にＮ^+ガードリングが形成され、これがコンタクトＣ１０を介しメタル１層目の配線リングＡ０に接続され、該リングの内側に第１回路４Ｐが形成されている。 - 特許庁

In a part of the region for a wafer 1, films constituting base films (2-7) to be arranged under an aluminum wiring film 8 are combined and laminated on the wafer 1 so that the laminates are different from each other in height.例文帳に追加

ウエハ１の一部領域において、アルミ配線膜８の下に配置する下地膜（２〜７）を、ウエハ１上に、下地膜（２〜７）を構成する各膜を組み合わせて積層することによりそれぞれ高さが異なるように配置する。 - 特許庁

Between the connection pad and the active element forming region, there is formed a reinforcement structure which is respectively provided on at least one wiring layer and consists of a dummy pattern that doesn't contribute to a logic function of the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

接続パッドと活性素子形成領域との間には、少なくとも１つの配線層のそれぞれに設けられた、半導体集積回路の論理機能に寄与しないダミーパターンからなる補強構造が形成されている。 - 特許庁

To provide a resin composition capable of forming a printed wiring board for optical members, having high heat resistance, high light reflectivity in the visible-light region, and light reflectivity which less declines in by heat treatment or light irradiation treatment.例文帳に追加

耐熱性が高く、可視光領域において光反射率が高く、また、加熱処理や光照射処理による光反射率の低下が少ない光学部材用プリント配線板を形成可能な樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

In a step 56 of executing arc-shaped processing of start/end portion, a layout data file 32 is rewritten so that an arc is added to a part containing the vertex and a part corresponding to a region surrounded by the arc and two lines is added to wiring.例文帳に追加

始終端部円弧化処理を行なうステップ５６では、頂点を含む部分に円弧を付加し、円弧及び２本の線で囲まれた領域に相当する部分が配線に付加されるようにレイアウトデータファイル３２を書き換える。 - 特許庁

On the other hand, in the peripheral circuit region (recess part), an MOC transistor is element-separated by a locus 6, and lead-out wiring 41, 42 are installed on the inter-layer insulating layer 21 for a gate electrode 17, a source and a drain 18.例文帳に追加

一方、周辺回路領域（凹部）においては、ＭＯＳトランジスタがロコス６で素子分離され、ゲート電極１７及びソース及びドレイン１８に対して、層間絶縁層２１上に引き出し配線４１，４０が設けられている。 - 特許庁

The first, second, and third dummy metal layers 20, 21, 22 are electrically insulated from the semiconductor element and wiring of the integrated circuit region 31 by the first to third interlayer insulating films 12, 14, 16.例文帳に追加

第１ダミー金属層２０、第２ダミー金属層２１、第３ダミー金属層２２は、集積回路領域３１の半導体素子や配線とは第１乃至第３の層間絶縁膜１２，１４，１６によって電気的に絶縁されている。 - 特許庁

To provide a printed board assembly with a new structure which restrains increase in the size in the height direction and limitation on a wiring region of a printed board, and includes two printed boards that are mutually connected and disposed orthogonally.例文帳に追加

高さ方向のサイズ増大とプリント基板上の配索領域の制限とを何れも抑えつつ、相互に接続されて直交配置された二枚のプリント基板を備えた、新規な構造のプリント基板組立体を提供すること。 - 特許庁

The thermal conductor 22 is arranged in the inside of at least either of the wiring board 20 and the resin layer 30, at least in a part of a region A, where the IDT electrodes 13a are arranged, when viewed in a plan view.例文帳に追加

熱伝導体２２は、平面視したときにＩＤＴ電極１３ａが設けられている領域Ａの少なくとも一部において、配線基板２０及び樹脂層３０のうちの少なくとも一方の内部に設けられている。 - 特許庁

Also, a first insulating layer 150 having an opening where a leading region of the first wiring layer 140 is exposed is provided on one main surface of the insulating resin layer 130, and a leading portion is provided on the opening.例文帳に追加

また、絶縁樹脂層１３０の一方の主表面に第１の配線層１４０の引き出し領域が露出する開口部を有する第１の絶縁層１５０が設けられており、この開口部に引き出し部が設けられている。 - 特許庁

The protective film 10 has an opening 11 for exposing a terminal formation region of the backside wiring layer 9, a first projection 12 provided at its periphery, and a second projection provided on an outer-edge side of the first projection 12.例文帳に追加

保護膜１０は裏面配線層９の端子形成領域を露出させる開口部１１と、その周囲に設けられた第１の凸部１２と、第１の凸部１２より外縁側に設けられた第２の凸部とを有する。 - 特許庁

The organic EL display device in one mode forms a dummy barrier rib 10c, with substantially the same shape as a negative electrode barrier rib 10a at a side opposite to a terminal side of a positive electrode wiring 1 outside a display region 24.例文帳に追加

本発明の一態様にかかる有機ＥＬ表示装置は、表示領域２４外で陽極配線１の反端子部側に、陰極隔壁１０ａと実質的に同一の形状を有するダミー隔壁１０ｃを形成する。 - 特許庁

This display has a signal processing circuit of thin-film elements, and at least a part of the signal processing circuit is formed in a region where the wiring connection section extends along a side of the substrate.例文帳に追加

本発明の表示装置は、信号処理回路を薄膜素子で構成し、且つ、信号処理回路の少なくとも一部が、配線接続部が形成されている領域を基板の一辺に沿って伸長した領域に形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus in which insulation films are practically equally high in the element isolation region, which has multiple single crystal semiconductor layers with different film thicknesses, and which has a structure enabling easy minute wiring, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

素子分離領域の絶縁膜高さが実質的に一様であり、膜厚の異なる複数の単結晶半導体層を有し、微細な配線加工が容易な構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To enable a silicide layer with uniform film thickness and film quality to be formed on a source-drain region, restrain junction leak in a MOS structure low and ensure good electrical connection between the silicide layer and metallic wiring.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域上に膜厚及び膜質の均一なシリサイド層を形成することができ、ＭＯＳ構造における接合リークを低く抑えることができ、且つシリサイド層と金属配線との良好な電気的接続を確保する。 - 特許庁

A titanium silicide layer 18 can increase margin to fine line effect by more than the actual wiring width by the increase amount of the surface area of a silicon region of a foundation, due to irregularities of the polysilicon surface 16a and the silicon surface 16b.例文帳に追加

ポリシリコン面１６ａ、及びシリコン面１６ｂの凹凸により下地のシリコン領域の表面積が増加した分だけ、チタンシリサイド層１８は、実際の配線幅よりも細線効果に対するマージンを増やすことができる。 - 特許庁

Next, in the outside of the panel region 1P, a short circuit is performed between a plurality of the scanning lines 11, a short circuit is performed between a plurality of the data lines 12, and further wiring 30 for the short circuit short-circuited between the scanning line 11 and the data line 12 is formed.例文帳に追加

次に、パネル領域１Ｐの外側において、複数の走査線１１間を短絡し、複数のデータ線１２間を短絡し、さらに走査線１１とデータ線１２との間を短絡する短絡用配線３０が形成される。 - 特許庁

A peripheral protective barrier which is arranged to surround the inner element region 104 and is constituted of a wiring layer and a via layer is disposed by detaching it from the chip end part 102 by a distance of 30um or the peripheral protective barriers are doubly constituted.例文帳に追加

内部素子領域１０４取り囲むように配置される、配線層とビア層によって構成される外周防護壁を、チップ端部１０２から３０ｕｍの距離を離して配置し、又は、外周防護壁を２重以上構成する。 - 特許庁

In order to lower the contact resistance, a high carrier concentration region, where the carrier concentration of an n-type or p-type impurity is equal to or higher than 1021 cm-3, is formed close to a semiconductor surface (to within 10 nm) which is in contact with a wiring metal.例文帳に追加

接触抵抗を低下させるために、配線金属と接触する半導体表面近傍（１０ｎｍ以内）にｎ型またはｐ型不純物によるキャリア濃度が１０^21ｃｍ^-3以上の高キャリア濃度領域を形成する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device that has sensitivity unevenness and color unevenness reduced and is reduced in chip size by flattening a film formed on a multilayer wiring layer in an effective pixel region, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

有効画素領域において多層配線層上に形成される膜を平坦化することにより、感度ムラや色ムラを低減すると共に、チップサイズを縮小することができる固体撮像装置と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of inductors L1 and L2 are arranged in the chip peripheral region of an interposer in plan view as external elements of a semiconductor chip 30 on the interposer mounted on a mother board, and are formed utilizing a substrate wiring layer thereof.例文帳に追加

複数のインダクタＬ１とＬ２が、マザーボードに搭載されたインターポーザ上の半導体チップ３０の外付け素子として、平面視でインターポーザのチップ周辺領域に配置され、その基板配線層を利用して形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can be reduce the capacitance, such as the gate electrode-drain wiring capacitance, gate electrode-drain diffusion region capacitance, gate electrode-drain electrode capacitance, etc., and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

ゲート電極−ドレイン配線間容量、ゲート電極−ドレイン拡散領域間容量及びゲート電極−ドレイン電極間容量などの素子容量を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a breakage of a wiring under a defective part even if an over coating film formed in a non panel forming region of a glass substrate having a size corresponding to plural numbers of liquid crystal display panels has the defective part such as a pinhole.例文帳に追加

液晶表示パネル複数個分に対応する大きさのガラス基板の非パネル形成領域に形成されたオーバーコート膜にピンホール等の欠陥部があっても、当該欠陥部下の配線に断線が生じないようにする。 - 特許庁

To effectively arrange a large quantity of capacity patterns in a semiconductor integrated circuit device having a cell base design region, which is subjected to automatic arrangement wiring by suing a CAD tool.例文帳に追加

本発明は、ＣＡＤツールを使用して自動配置配線される、セルベース設計領域を有する半導体集積回路装置において、容量パターンを大量に、かつ、効果的に配置できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

To build up a wireless communication system for suppressing a wiring cost by utilizing a wireless relay station even when a blind region from a base station apparatus exists and for not causing useless traffic by utilizing a routing control table.例文帳に追加

無線中継局を利用することで基地局装置から見通しのきかない領域が存在する場合にも配線コストを抑制し、また経路制御テーブルを利用することで無駄なトラフィックを発生させない無線システムを構築する。 - 特許庁

The mother board 101 has a thickness of a residual part where the grooves 104a and 104b are formed thicker in the dummy region 103b between the wiring board regions 102 than on the outer rim of the regions 102.例文帳に追加

母基板１０１は、分割溝１０４ａ，１０４ｂが形成された箇所の残余部分の厚みが、配線基板領域１０２の外縁より配線基板領域１０２同士の間のダミー領域１０３ｂの方が厚くなっている。 - 特許庁