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「wiring substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(111ページ目) - Weblio英語例文検索
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wiring substrateの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 9428



例文

The process for manufacturing a semiconductor device comprises a step for mounting a semiconductor chip 30 having an electrode 32 in a region 31 of a wiring board 10 having a base substrate 12 and a wiring 20 for mounting the semiconductor chip, and connecting the electrical connection 22 of the wiring 20 electrically with the electrode 32 while opposing each other.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、ベース基板12と配線20とを有する配線基板10の半導体チップを搭載するための領域31に、電極32を有する半導体チップ30を搭載して、配線20の電気的接続部22と電極32とを対向させて電気的に接続することを含む。 - 特許庁

According to this solar cell module 100 using this element formation substrate wiring string 1 and this method of manufacturing the same, the solar cells 10a, 10b, 10c are integrated with the wiring sheet 20 in advance, causing no displacement of the solar cells 10a, 10b, 10c from the wiring sheet 20.例文帳に追加

これにより、この素子形成基板配線ストリング1を用いた太陽電池モジュール100およびその製造方法によれば、予め太陽電池セル10a,10b,10cが配線シート20に一体化されているために、太陽電池セル10a,10b,10cが配線シート20に対してずれることはない。 - 特許庁

The suspension substrate 11 includes a first insulating layer 10, a spring metal layer disposed on one surface of the first insulating layer 10, a first wiring layer 14 disposed on the other surface of the first insulating layer 10, and a second wiring layer 15 insulated from the first wiring layer 14.例文帳に追加

本発明によるサスペンション用基板1は、第1絶縁層10と、この第1絶縁層10の一方の面に設けられたバネ性金属層11と、第1絶縁層10の他方の面に設けられた第1配線層14と、この第1配線層14に対して絶縁された第2配線層15とを備えている。 - 特許庁

A plurality of LSI chips 30A-30D are arranged on a silicon interposer 20 with a wiring pattern 26a and each of the LSI chips is connected to the other LSI chips via the wiring pattern 26a, and the plurality of LSI chips and a base substrate 10 are electrically connected to each other via a portion excluding the wiring pattern 26a.例文帳に追加

配線パターン26aを有するシリコンインタポーザ20上に、複数のLSIチップ30A〜30Dが配置されており、各LSIチップが、配線パターン26aを介して他のLSIチップと接続され、かつ、複数のLSIチップとベース基板10とが、配線パターン26a以外の部分を介して電気的に接続される。 - 特許庁

例文

In the flexure substrate for suspension where the front and rear surface of wiring of a flying lead part is exposed, a concentration of stress is eased to solve the problem by forming an opening so constituted as to distribute a force applied to the wiring at an opening end edge part of the flying lead part in a plane direction and a thickness direction of the wiring.例文帳に追加

フライングリード部の配線表裏面が露出したサスペンション用フレキシャー基板において、フライングリード部の開口端縁部において配線に加わる力を、配線の平面方向や厚さ方向に分散させる構成にした開口を形成することで、応力の集中を緩和させて、上記課題を解決する。 - 特許庁


例文

To provide a suspension flexure substrate, suspension, suspension with a head, and a hard disk drive which are capable of preventing detachment of a wiring due to an undercut on the bottom of the wiring and also preventing increase in impedance due to the cross-sectional shape of the wiring, without any additional complicated processes.例文帳に追加

本発明は、複雑な工程を増やすことなく、配線底部のアンダーカットに起因する配線の剥離を防止しつつ、配線の断面形状に起因するインピーダンスの増大も防止することができるサスペンション用フレキシャー基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブを提供することを目的とするものである。 - 特許庁

The adhesive sheet member 15 is set to a thickness by which expansion and contraction in a surface direction (shearing direction) of the adhesive surface 15a at the side of the wiring parts 13a and 13b is constrained at the side of the substrate 11, and regardless of changes in the thermal environment, the set wiring distance between the wiring parts 13a and 13b can be held within an allowable value.例文帳に追加

接着シート部材15は、配線部13a,13b側の粘着面15aの面方向(剪断方向)の伸縮が基板11側で拘束される肉厚に設定され、熱環境の変化に係わらず配線部13a,13bの規定の配線間隔を許容値内に保持することができる。 - 特許庁

This method for forming the fine wiring comprises a step of (a) treating at least one side of a wiring pattern to be formed on a base substrate with alkali metal hydroxide solution, and (b) treating hydrophobic ink in accordance to the wiring pattern to be formed.例文帳に追加

本発明の一側面によれば、(a)アルカリ金属水酸化溶液によってベース基材上に形成しようとする配線パターンの少なくとも一側を処理する段階、及び(b)上記形成しようとする配線パターンに沿って疎水性インクを処理する段階を含む微細配線の形成方法が提供される。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes an interlayer insulating film 104 formed on a substrate (not shown) and having a wide wiring groove 106 formed at the surface, and wide wiring 120 formed by filling the wide wiring groove 106 of the interlayer insulating film 104 and composed of a barrier metal film 110 and a copper film 116.例文帳に追加

半導体装置100は、基板(不図示)上に形成され、太幅配線溝106が表面に形成された層間絶縁膜104と、層間絶縁膜104の太幅配線溝106を埋め込んで形成され、バリアメタル膜110および銅膜116により構成された太幅配線120とを含む。 - 特許庁

例文

The burr removing apparatus includes a stage 1 on which a plurality of printed wiring boards can be mounted in one line and cutting and grinding tools 3a and 3b for removing the burr and removes the burr generated at the outer peripheral edge of the printed wiring board when making a multiple chamfering substrate provided with the plurality of printed wiring boards w into individual pieces.例文帳に追加

プリント配線板を一列に複数枚載置可能なステージ1と、上記バリを除去する切削研磨工具3a、3bとを有して、プリント配線板wを複数具備した多面取り基板を個片化する際にプリント配線板の外周縁に生じたバリを除去するバリ除去装置とした。 - 特許庁

例文

Alternatively, the wiring substrate is manufactured by exposing a part of the uppermost layer wiring layer as the pad by sandblast treatment that employs mask for sandblast, having an opening unit wider than the part is to be exposed as the pad for the uppermost layer wiring layer.例文帳に追加

あるいは、最上層配線層全体を覆う絶縁樹脂層上に形成した、最上層配線層のパッドとして露出させるべき部分より広い開口部を持つサンドブラスト用マスクを使用するサンドブラスト処理により、最上層配線層の一部をパッドとして露出させる方法により配線基板を製造する。 - 特許庁

A plating wiring pattern 11 indicates a wiring pattern for electrolytic plating conducted with the connecting electrode or the external electrode and by applying a voltage through an electrode 11a for plating while immersing the ceramic substrate 3 in an electrolytic liquid, metal plating of gold or aluminum can be applied to electrode portions or connection wiring portions.例文帳に追加

11は接続電極や外部電極と導通している電解メッキ用配線パターンを示し、セラミック基板3を電解液中に浸してメッキ用電極11aを介して電圧を加えることによって、各電極部や接続配線部分に金又はアルミ等の金属メッキを施すことができる。 - 特許庁

The slit 16 for surrounding respective wiring substrates is formed on the resin substrate 10 with a plurality of wiring substrates incorporated thereinto while remaining the hanging units, so that respective wiring substrates are jointed by one piece or a plurality of hanging units and the inner wall surface of the slit 16 is covered by a resin layer 24.例文帳に追加

複数枚の配線基板が作り込まれた樹脂基板10に、前記配線基板の各々が一本又は複数本の釣部によって繋がれるように、前記釣部を残して配線基板の各々を囲むスリット16が形成され、且つスリット16の内壁面が樹脂層24によって覆われていることを特徴とする。 - 特許庁

In the multipiece wiring board having a plurality of wiring board regions 11, and a dummy region 12 at the periphery thereof on a mother substrate 10, a plurality of through-holes 21 having a through conductor 20 internally are formed in the wiring board regions 11 while being arranged, and a plurality of holes 30 are formed in the dummy region 12.例文帳に追加

母基板10に、複数個の配線基板領域11と、その外周部にダミー領域12を有する複数個取り配線基板であって、配線基板領域11に配列形成された、貫通導体20を内部に有する複数の貫通孔21とダミー領域12に形成された複数の孔部30と、を備える。 - 特許庁

The power semiconductor module includes an insulating substrate containing wiring layers, provided on an insulating board and the main surface of the insulating board, a semiconductor device fixed on the wiring layers, and an internal electrode where the main surface of the insulating board has an almost parallel jointing surface on it and the composition plane is connected to the wiring layers with a solder layer.例文帳に追加

パワー半導体モジュールが、絶縁板と絶縁板の主表面に設けられた配線層とを含む絶縁基板と、配線層上に固定された半導体素子と、絶縁板の主表面に略平行な接合面を有し、配線層上に接合面が半田層で接続された内部電極とを含む。 - 特許庁

The method includes a wiring pattern forming step of ejecting, to a recipient layer formed on a substrate, droplets of a solution containing conductive microparticles dispersed by means of a dispersing agent to form a desired wiring pattern, and a solvent supplying step of further supplying a solvent of the solution at least to the wiring pattern.例文帳に追加

基板に設けられた受容層上に、分散剤を用いて導電性微粒子を分散させた溶液の液滴を射出して所望の配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、少なくとも前記配線パターン上に、前記溶液の溶媒をさらに供給する溶媒供給工程と、を備えている。 - 特許庁

To provide a method for substrate treatment which obtains successful connection between lower layer Cu wiring and upper layer Cu wiring in a damascene method by simultaneously carrying out reduction treatment to an oxidized Cu exposure surface and degassing an SOD film by the same process in spite of reducing wiring resistance by using the SOD film.例文帳に追加

本実施形態の基板処理方法によれば、SOD膜を用いて配線抵抗の低減化を図るも、酸化したCu露出表面の還元処理及び当該SOD膜の脱ガスを同一工程で同時に実行し、ダマシン法における下層Cu配線と上層Cu配線との間の良好な接続を実現する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a lower layer interlayer insulation film 11 provided on a substrate 10, a lower layer wiring 16 consisting of a lower layer barrier metal layer 14 formed along the wall surface of the lower layer wiring groove 13 of the insulation film 11 and a copper film 15, an upper layer plug 22a, and an upper layer wiring 22b.例文帳に追加

半導体装置は、基板10の上に設けられた下層層間絶縁膜11と、下層層間絶縁膜11の下層配線溝13の壁面に沿って形成された下層バリアメタル層14及び銅膜15とからなる下層配線16と、上層プラグ22a及び上層配線22bとを備えている。 - 特許庁

The ultrasonic probe includes a semiconductor substrate, on which a cMUT type vibrator placed on a backing layer is formed, and a wiring board for external wiring, and electrode terminals of the vibrator and lead electrodes of the wiring board are bonded in order from the terminal side having higher height from a placing face of the backing layer to the terminal side having lower height.例文帳に追加

バッキング層上に載置されたcMUT型の振動子が形成された半導体基板及び外部配線の配線基板とを備え、振動子の電極端子と配線基板のリード電極のボンディングは、バッキング層の載置面からの高さが低い端子側から高い端子側にボンディングされてなる構成とする。 - 特許庁

In an FPC substrate 400, copper foil bonded to both faces of a base film 410 having insulating property and flexibility without a bonding layer is patterned, an input wiring 420a and an output wiring 420b are formed on the mounting face of an electronic part and a dummy wiring layer 422 on a face opposite to the mounting face.例文帳に追加

FPC基板400は、絶縁性および可撓性を有するベースフィルム410の両面に接着層なしで接合された銅箔をパターニングして、電子部品の実装面に入力配線420aおよび出力配線420bを、実装面とは反対側の面にダミー配線層422を、それぞれ形成したものである。 - 特許庁

A TCP 1 has the tape substrate 5 including a conductive copper wiring line 5d formed on a base material 5c, a solder resist film 5e formed on the copper wiring line 5d, and copper foil 3 formed on the solder resist film 5e; and a semiconductor chip 2 electrically connected onto the copper wiring line 5d through an Au bump 6.例文帳に追加

基材5c上に形成された導電性の銅配線5dと、銅配線5d上に形成されたソルダレジスト膜5eと、ソルダレジスト膜5e上に形成された金属箔3とを含むテープ基板5と、銅配線5d上にAuバンプ6を介して電気的に接続された半導体チップ2とを有したTCP1である。 - 特許庁

A array substrate 2 is provided with a TFT 10 arranged for each pixel; a scanning signal wiring 11 connected with the TFT 10, a video signal wiring 12, and a pixel electrode 13; a counter electrode 14 opposing the pixel electrode 13; and common signal wiring 15 electrically connected with the counter electrode 14.例文帳に追加

アレイ基板2には、一画素毎に設けられたTFT10と、TFT10に接続された走査信号配線11、映像信号配線12、および画素電極13と、画素電極13に対向する対向電極14と、対向電極14に電気的に接続された共通信号配線15とが設けられている。 - 特許庁

The wiring substrate is composed of a plurality of insulative layers and wiring of a rectangular cross section formed on a surface of the insulative layer, and a wire width of the wiring in a plane view is 30 μm or less and a difference between a maximum wire width and a minimum wire width is 8 μm or less.例文帳に追加

また本発明は、複数の絶縁層と、該絶縁層の表面に形成された断面矩形状の配線とを含み、平面視による前記配線の直線部分の線幅が30μm以下であって最大線幅と最小線幅との差が8μm以下であることを特徴とする配線基板である。 - 特許庁

When the wiring 14 is formed on the interlayer film 11b, an opening 15 to an Si substrate 1 is formed after penetrating the interlayer film 11b, the shielding film 12, the interlayer film 11a, the interlayer film 4b, the shielding film 7 and the interlayer film 4, so as to avoid a gate silicon 2, a wiring 10 and the wiring 14 which form the circuit.例文帳に追加

層間膜11b上に配線14が形成されると、回路を形成するゲートシリコン2、配線10および配線14を避けるように、層間膜11b、遮蔽膜12、層間膜11a、層間膜4b、遮蔽膜7および層間膜4を貫通して、Si基板1に達する開口部15を形成する。 - 特許庁

This optical module comprises a wiring board 30 including a base board 32 and a wiring pattern 34 formed on the base board 32, an optical chip 10 including the optical component 12 and an electrode 24 for electrically connecting the optical component 12 and the wiring pattern 34, and a substrate 40 holding the lens 42 that converges light beams on the optical component 12.例文帳に追加

光モジュールは、基板32及びそれに形成された配線パターン34を含む配線基板30と、光学的部分12と、光学的部分12及び配線パターン34を電気的に接続する電極24と、を含む光学チップ10と、光学的部分12に集光するレンズ42を保持する基材40と、を含む。 - 特許庁

When a first nozzle 47 relatively moving with respect to a substrate 9 while discharging a paste 7 for forming a first finger wiring pattern 71a by coating reaches on a second bus wiring region 73bA or on a second bus wiring pattern 73b, discharge of the paste 7 from the first nozzle 47 is stopped.例文帳に追加

第1のフィンガー配線パターン71aを塗布形成するために、ペースト7を吐出しつつ基板9に対して相対移動する第1ノズル47が第2のバス配線領域73bA上または第2のバス配線パターン73b上に到達したときに、第1ノズル47からのペースト7の吐出を停止する。 - 特許庁

This multi-wiring board comprises a mother substrate 101 wherein a plurality of wiring-board regions 102 are arranged and formed in a matrix form in the central part thereof, and a backup marginal region 103 is formed in the peripheral part thereof; and a peripheral metallized layer 104 formed to surround the wiring-board regions 102.例文帳に追加

中央部に複数の配線基板領域102が縦横に配列形成されているとともに、外周部に捨て代領域103が形成された母基板101と、捨て代領域103に、配線基板領域102を取り囲むように形成された外周メタライズ層104とを具備している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a wiring board which can prevent the generation of foreign substances by preventing fragments or powder adhering to the cutting face of a laminated substrate from being dispersed to reduce the occurrence of a fault such as a wiring defect caused by the foreign substances without increasing a manufacturing process, and to provide the wiring board.例文帳に追加

製造工程を増加させることなく、積層基板の切断面に付着した破片や粉末を飛散させないようにして異物の発生を防ぐことができ、異物に起因する配線欠陥などの不良の発生を低減できる配線基板の製造方法及び配線基板を提供する。 - 特許庁

From this fact, the depth of a connection hole 133 connecting an upper wiring layer 137 with the substrate 101 is formed shallow, the simultaneous opening of the connection hole 133 with a connection hole 132 connecting an upper wiring layer 136 with a lower wiring layer 134 is facilitated, and the state of connection between wirings in the hole 132 and the hole 133 becomes a satisfactory.例文帳に追加

このことにより、上層配線137と半導体基板101との接続孔133深さが浅くなり、接続孔133と、上層配線136と下層配線134との接続孔132との同時開口が容易となり、接続孔132や133における配線間の接続状態が良好なものとなる。 - 特許庁

To supply a construction method in which laminating-bonding is easily performed even a circuit board having a high-density and fine wiring pattern, and a build-up circuit board, by resolving connection failure caused by dimensional position accuracy generated by connection between circuit boards in the case of building up, even when a wiring width is narrow and wiring density increases on a substrate.例文帳に追加

配線幅が細くなり、基板上の配線密度がアップしても、ビルドアップの際の回路基板間の接続で発生する寸法位置精度から生じる接続不良を解消し、高密度微細な配線パターンを持つ回路基板でも容易に積層貼りあわせが可能である工法とビルドアップ回路基板を供給する。 - 特許庁

To provide wiring substrate equipment composed of two differential signal lines wired so as to be parallel to each other, wherein a difference of wiring path lengths is absorbed for a pair of differential signal lines about which regions with different mutual wiring path lengths are prepared to resolve a delay time difference in signals propagation, thereby improving the quality of signal transmission.例文帳に追加

本発明は、互いに並行して配線される2本の差動信号線からなり、互いの配線路長が異なる領域が形成される差動信号線対に対し配線路長の相違を吸収して、信号伝播の遅延時間差を解消し、信号伝送品質の向上化を得る配線基板装置を提供する。 - 特許庁

The method for forming electrical isolation includes a step of forming multiple wiring lines 16 on the surface of the substrate, and that of a primary layer 48 composed of amorphous carbon by PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) method so that air may be filled and air gap may be arranged between adjoining wiring lines under the primary layer 48 on the wiring lines 16.例文帳に追加

複数の配線ライン16を基板表面の上に形成すること、および前記配線ライン16の上に、第1層48の下であって隣りあう配線間には、空気が満たされ空隙を設けるように、非晶質炭素である第1層48をプラズマ助長化学気相(PECVD)により形成すること、を含む。 - 特許庁

This semiconductor device includes first and second wiring layers L4, L5 each having a hollow structure and stacked vertically so as to be adjacent to each other on a semiconductor substrate S, a dummy pattern P formed in the first wiring structure L4 and not working as a signal line, and a conductive pattern P formed in the second wiring layer L5.例文帳に追加

本発明の例に係る半導体装置は、半導体基板S上に互いに上下に隣接してスタックされる中空構造の第1及び第2配線層L4,L5と、第1配線層L4内に形成され、信号線として機能しないダミーパターンPと、第2配線層L5内に形成される導電パターンPとを備える。 - 特許庁

A projected dike 16a is provided so as to surround at least a part of an electrode 51 provided on a final substrate 50, and the liquid material containing a conductive material is coated in a wiring region surrounded by the dike 16a, whereby an electric wiring 53 is formed in the wiring region.例文帳に追加

最終基板50上に設けられた電極51の少なくとも一部を囲むように凸形状の堤防部16aを設け、堤防部16aに囲まれる領域である配線領域内に導電性材料を含む液状体材料を塗布することにより、配線領域内に電気配線53を形成する。 - 特許庁

In the glass ceramic wiring board obtained by forming a wiring conductor and the resistor connected to the wiring conductor on the surface of an insulating substrate comprising of glass ceramics, the resistor comprises glass of 10 to 50 mass% and ruthenium oxide of 50 to 90 mass%, and the mean particle diameter of ruthenium oxide is 0.6 to 0.9 μm.例文帳に追加

ガラスセラミックスから成る絶縁基体の表面に配線導体と配線導体に接続された抵抗体とが形成されたガラスセラミックス配線基板において、抵抗体は10〜50質量%のガラスと50〜90質量%の酸化ルテニウムとからなり、酸化ルテニウムの平均粒径が0.6〜0.9μmである。 - 特許庁

To provide a packaging method of an electronic device that can accurately align a discharge head, a wiring pattern on a substrate, and a connection terminal of the electronic device when using a droplet discharge method for forming connection wiring, and can achieve a reliable packaging structure by reliable connection wiring obtained by the accurate alignment.例文帳に追加

液滴吐出法を用いて接続配線を形成する際に、吐出ヘッドと、基板上の配線パターンと、電子デバイスの接続端子とを正確に位置合わせすることができ、これにより得られる信頼性に優れた接続配線によって高信頼性の実装構造を実現し得る電子デバイスの実装方法を提供する。 - 特許庁

Sections among the fine wiring 2 are filled selectively with the material of a liquid by a slip coating method utilizing a capillary phenomenon by forming a water-repellent film 7 to the wiring and the surface of a substrate before the formation of the inter-wiring insulating films 4 (SOG films) formed by the coating of the material of the liquid.例文帳に追加

液体の材料の塗布によって形成される配線間絶縁膜4(SOG膜)形成前に、撥水膜7を配線と基板表面に形成することにより、その後、毛細管現象を利用したスリットコート法を行えば、液体の材料が選択的に微細な配線2間にのみ充填される。 - 特許庁

In the COF substrate, the shape of a corner portion connecting the test pad TP to the wiring L is formed so that the arc of a circle having a larger distance as a radius, out of a distance between adjacent test pads TP and TP and a distance between the wiring L and the test pad TP, may contact the test pad TP and a straight line portion of the wiring L.例文帳に追加

テストパッドTPと配線Lをつなぐコーナー部の形状を、隣接するテストパッドTP,TP間の間隔または配線LとテストパッドTPとの間の間隔のうちの、大きい方の間隔を半径とする円の円弧が、テストパッドTP及び配線Lの直線部と接するように、形成したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a display apparatus which has a display device including a first substrate having an electrode terminal at the outer edge and a second substrate placed opposite to the first substrate so that the electrode terminal is exposed, wherein a wiring connection part and also the end of the second substrate can be coated with a resin layer.例文帳に追加

外縁部に電極端子を有する第1の基板と、電極端子を露出させるように対向配置した第2の基板とからなる表示デバイスを有する表示装置の製造方法において、配線接続部および第2の基板の端部までを樹脂層で被覆することが可能な表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A transfer source substrate is provided with the substrate 100, a plurality of thin film circuits 102 of transfer objects formed on the substrate through a peeling layer 101, inspection circuits 11 to 13 which are formed on the substrate and inspect a circuit operation, and wiring connecting the respective thin film circuits 102 and the inspection circuits 11 to 13.例文帳に追加

本発明の転写元基板は、基板100と、この基板上に剥離層101を介して形成された転写対象となる複数の薄膜回路102と、上記基板上に形成された、回路動作を検査する検査回路11〜13と、各薄膜回路102と上記検査回路11〜13とを接続する配線と、を備える。 - 特許庁

This display device comprises a panel substrate as a display screen, display elements vertically and horizontally arranged on the panel substrate, and a drive circuit substrate provided with a drive circuit for driving the display elements, and the above panel substrate is subdivided into plural areas by driving wiring for driving the display elements, and plural drive circuit substrates are arranged correspondingly to each area.例文帳に追加

表示画面となるパネル基板と、パネル基板上に縦横に配された表示素子と、表示素子を駆動させる駆動回路を備えた駆動回路基板とを有し、上記パネル基板は、表示素子を駆動するための駆動配線によって複数の領域に細分化されており、それぞれの領域に対応した複数の駆動回路基板が配されている。 - 特許庁

An apparatus comprises a vertical varnish applicator which supplies a printed-wiring substrate 7 between application rolls of a pair and applies varnish 78, a suspension conveyer 3 which holds the substrate 7 pushed out above from the applicator and conveyes the suspended substrate 7, and a dryer 64 which supplies air from above to the substrate 7 being conveyed.例文帳に追加

一対の塗布ロール11の間にプリント配線基板7を供給してワニス78を塗布する縦型ワニス塗布装置1と,縦型ワニス塗布装置から上方へ押出されたプリント配線基板7を保持し,吊り下げた状態で搬送する吊り下げ搬送機3と,搬送中のプリント配線基板7に上方より風を送る乾燥機64〜67とよりなる。 - 特許庁

The ceramic circuit substrate 10 is provided with the ceramic substrate 12 having opposed first surface and second surface, a wiring conductor 14 formed on the first surface of the ceramic substrate 12 wherein its principal component is tungsten or molybdenum and a copper layer 16 formed on the second surface of the ceramic substrate 12 wherein the copper layer 16 is provided with heat-resistant and impact resistant characteristics.例文帳に追加

セラミック回路基板10は、対向する第1面と第2面を有するセラミック基板12と、セラミック基板12の第1面に形成されたタングステン又はモリブデンを主成分とする配線導体14と、セラミック基板12の第2面に形成された銅層16を備え、銅層16は耐熱衝撃特性を有している。 - 特許庁

The manufacturing method comprises the steps of forming an electronic circuit on the surface of a semiconductor substrate, forming an electrode pad rearranged by distributing an electrode terminal of the electronic circuit on the semiconductor substrate through wiring, and forming an alignment mark for a reference of a cutting position when cutting off the semiconductor substrate in the vicinity of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面に電子回路を形成し、この電子回路の電極端子を半導体基板上で配線を介して分散することによる再配置させた電極パッドを形成すると共に、半導体基板の外周部近傍に、半導体基板を切断分離する際、切断位置の基準となる位置合わせマークを形成する。 - 特許庁

This multi-layered flexible wiring board 1 is provided with a corrugated part 35 at the edge part of a 2nd flexible substrate element piece 20 constituting the border between a laminated part 36, where the 2nd flexible substrate element piece 20 is present and an exposed part 37 where the 2nd flexible substrate element piece 20 is absent on the top surface of a 1st flexible substrate element piece 10.例文帳に追加

本発明の多層フレキシブル配線板1では、第一のフレキシブル基板素片10の表面の、第二のフレキシブル基板素片20の存する積層部分36と、第二のフレキシブル基板素片20の存しない露出部分37との境界を構成する、第二のフレキシブル基板素片20の縁部分に波状の部分35が設けられている。 - 特許庁

The electro-optical device 10 is provided with a substrate 12, a plurality of OLED elements 14 formed on the substrate 12, a sealing body 24 fitted to the substrate 12 so that it seals the OLED element 14 in cooperation with the substrate 12, a circuit element 28 for driving or controlling the OLED element 14 and a wiring board 27 fitted to the sealing body 24.例文帳に追加

電気光学装置10は、基板12と、基板12に形成された複数のOLED素子14と、基板12と協働してOLED素子14を封止するように基板12に取り付けられた封止体24と、OLED素子14を駆動または制御するための回路素子28と、封止体24に取り付けられた配線基板27とを備える。 - 特許庁

Two conductors 32 and 32 become metal wiring 34 integrated in an electrically conducting state, and the two resinous films 20 and 20 are heat-sealed together while the metal wiring 34 is buried into a resinous material, thus turning into a flexible substrate 40.例文帳に追加

2つの導体32,32は電気的に導通した状態で一体化した金属配線34となり、2枚の樹脂フィルム20、20は樹脂材料中に金属配線34を埋設した状態で一体に熱融着してフレキシブル基板40となる。 - 特許庁

The mounting substrate has connecting wiring (50) connecting a data input-output terminal (10c) for the first semiconductor device (3) and the data input-output terminal (11d) for the second semiconductor device (4), and has branch wiring (51) to a test terminal (12t) from an intermediate section.例文帳に追加

実装基板に第1の半導体デバイス(3)のデータ入出力端子(10c)と第2の半導体デバイス(4)のデータ入出力端子(11d)と接続する接続配線(50)を有し、途中からテスト端子(12t)に至る分岐配線(51)を有する。 - 特許庁

Next, a spiral-like wiring pattern 20 for wiring the IC chip is formed with a thin film on the surface of the disk substrate 10 so that the edges 20a and 20b are located to be superimposed on the bumps 13a and 13b, respectively (step S11).例文帳に追加

次に、ICチップの配線用のスパイラル状の配線パターン20を、その端部20aおよび20bがバンプ13aおよび13b上にそれぞれ重なって配置されるように、ディスク基板10の表面に薄膜形成する(ステップS12)。 - 特許庁

例文

To provide a manufacturing method of a wiring board capable of inexpensively manufacturing with a relatively reduced number of processes a wiring board including a surface conductor such as a bump on the surface of a substrate body consisting of glass-ceramic for example while restraining firing shrinkage.例文帳に追加

例えば、ガラス−セラミックからなる基板本体の表面にバンプなどの表面導体を有する配線基板を、焼成収縮を抑制し且つ比較的少ない工数により安価に製造できる配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁




  
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