例文 (999件) |
wiring substrateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9428件
Wiring 41, an electrode terminal 42 or the like composed of an electrically conductive film having light transparency are formed on a substrate 39.例文帳に追加
基板39に光透過性の導電膜からなる配線41及び電極端子42等を形成する。 - 特許庁
To provide a method for selectively forming aluminum wiring within a contact hole or groove of a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板のコンタクトホールまたは溝内にアルミニウム配線を選択的に形成する方法を提供する。 - 特許庁
EPOXY RESIN COMPOSITION FOR IMPRREGNATING GLASS FIBER SUBSTRATE AND PREPREG, LAMINATED SHEET AND PRINTED WIRING BOARD USING THE SAME例文帳に追加
ガラス繊維基材含浸用エポキシ樹脂組成物ならびにそれを用いたプリプレグ、積層板及びプリント配線板 - 特許庁
The second gap is provided between second wiring, which connects between the plurality of diodes, and the semiconductor substrate.例文帳に追加
第二の空隙部は、複数のダイオードの間を接続する第二の配線と半導体基板の間に設けられる。 - 特許庁
The chip resistor and the chip thermister are mounted on a flexible substrate and wire-bond connected to wiring electrodes.例文帳に追加
さらに、チップ抵抗器およびチップサーミスタを、フレキシブル基板上に搭載して配線電極にワイヤーボンド接続する。 - 特許庁
EPOXY RESIN COMPOSITION FOR IMPREGNATION OF ORGANIC FIBER SUBSTRATE, AND PREPREG, LAMINATED SHEET AND PRINTED WIRING BOARD USING THE SAME例文帳に追加
有機繊維基材含浸用エポキシ樹脂組成物ならびにそれを用いたプリプレグ、積層板及びプリント配線板 - 特許庁
A semiconductor device has a silicon substrate 11 comprising a MOS element and multilayer wiring regions L1 and L2.例文帳に追加
半導体装置は、MOS素子を含むシリコン基板11および多層の配線領域L1,L2を有する。 - 特許庁
Each bus wiring 28 is buried to an interlayer dielectric 30 formed on the semiconductor-substrate chip 1.例文帳に追加
各バス配線28は、半導体基板チップ1の上に形成された層間絶縁膜30に埋め込まれている。 - 特許庁
A connection terminal 3 connected to a corresponding wiring pattern 2 is formed at an end of the substrate 1.例文帳に追加
フレキシブル基板1の先端部には、対応する配線パターン2が接続された接続端子3が形成されている。 - 特許庁
A semiconductor chip 2 is mounted to a chip mounting part 3b' of a chip mounting surface 3b of the wiring substrate 3.例文帳に追加
配線基板3のチップ実装面3bにおけるチップ実装部3b’には半導体チップ2が実装されている。 - 特許庁
An interlayer insulating film 14 is formed after forming the wiring 16 and the TiN film 18 on the semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板上に配線16とTiN膜18を形成した後、層間絶縁膜14を形成する。 - 特許庁
A harness 51 connecting to the wiring substrate 4 is held by harness holding projections 37, 38 integrally formed with the base body 2.例文帳に追加
配線基板4に接続するハーネス51も、ベース体2に一体に形成したハーネス保持突起37,38により保持する。 - 特許庁
The anode cell 30 and the driver IC are electrically connected through the inner wiring for the anode inside the substrate 16.例文帳に追加
基板16の内部のアノード用内部配線を介してアノードセル30とドライバICとを電気的に接続する。 - 特許庁
On the counter substrate (20), the counter electrode (21) is formed avoiding the area faced to such wiring.例文帳に追加
対向基板(20)上には、このような配線に対向する領域を避けて対向電極(21)が形成される。 - 特許庁
A first insulation film 102 is formed on a silicon substrate 101 and a wiring 107 is formed thereon (a).例文帳に追加
シリコン基板101上に第1の絶縁膜102を形成し、かつ、その上に配線107を形成する(a)。 - 特許庁
A semiconductor chip 10 having a bump 12 is mounted face down on a substrate 20, on which a wiring 22 is formed.例文帳に追加
バンプ12を有する半導体チップ10を、配線22が形成された基板20にフェースダウン実装する。 - 特許庁
The core substrate for manufacturing wiring board has an inner core 39, an outer core, and an inner core conductor layer 80.例文帳に追加
本発明の配線基板製造用コア基板は、インナーコア39とアウターコアとインナーコア導体層80とを有する。 - 特許庁
Next, a circuit pattern 11 formed on a substrate 10 is mounted on the exposed wiring 2 and the protection film 4.例文帳に追加
次に露出した配線2と保護膜4上に、基板10に形成された回路パターン11を設置する。 - 特許庁
This semiconductor device 11 is equipped with a wiring substrate 13, a semiconductor element 12, a metal cap 14, and resin 21.例文帳に追加
半導体装置11は、配線基板13と、半導体素子12と、メタルキャップ14と、樹脂21とを備えている。 - 特許庁
To prevent corrosion of a substrate electrode of a wiring board where a semiconductor chip is mounted.例文帳に追加
本発明は、半導体チップが搭載される配線基板の基板電極の腐食を防止することを目的とする。 - 特許庁
According to this method, the TAB substrate 6 can be manufactured in which the breakage or the turning up of the wiring 29 is eliminated.例文帳に追加
これによって、配線29の破損や捲れをなくしたTAB基板6を製造することができる。 - 特許庁
To more simply perform fine wiring of copper to a silicon nitride film in a thin film transistor substrate of a display device.例文帳に追加
表示装置の薄膜トランジスタ基板において、窒化ケイ素膜上への銅の微細配線を、より簡易に行う。 - 特許庁
The end face 6a of the wiring substrate 12A positioned on the circuit formation surface of the semiconductor element 1 is an inclined surface.例文帳に追加
半導体素子1の回路形成面上に位置する配線基板12Aの端面6aは傾斜面である。 - 特許庁
CAPACITOR FOR COMPONENT INCORPORATING SUBSTRATE, WIRING BOARD INCORPORATING PASSIVE ELEMENT INCORPORATING THE SAME, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
部品内蔵基板用コンデンサ及びそれを内蔵した受動素子内蔵配線基板並びにその製造方法 - 特許庁
A metal layer 14 and an insulation layer 16 are successively arranged between a substrate 12 and the second wiring part 18a.例文帳に追加
基板12と第二の配線部18aの間に金属層14及び絶縁層16を順次設ける。 - 特許庁
A composite plate 79 is fixed to an electrode land 82 installed in a substrate having electric wiring with solder 81.例文帳に追加
電気配線を有する基板に設けられた電極ランド82に、半田81により複合板79を固着する。 - 特許庁
The chip capacitors 20 are housed in a thick core substrate 30, so the printed wiring board is not required to be thicker.例文帳に追加
また、厚いコア基板30内にチップコンデンサ20を収容するためプリント配線板を厚くすることがない。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH REINFORCEMENT, WIRING BOARD CONSISTING OF SEMICONDUCTOR ELEMENT, REINFORCEMENT AND SUBSTRATE, AND ITS PRODUCING PROCESS例文帳に追加
補強材付き半導体素子、半導体素子と補強材と基板とからなる配線基板及びその製造方法 - 特許庁
LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, SEMICONDUCTOR ELEMENT, SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT, COATED METALLIC GRAIN FOR WIRING SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
液晶表示装置、半導体素子、半導体素子用基板及び半導体素子配線用被覆金属粒子 - 特許庁
The semiconductor substrate 2 has a through wiring layer 6 connecting the first principal plane 2a to a second principle plane 2b.例文帳に追加
半導体基板2は第1の主面2aと第2の主面2bとを繋ぐ貫通配線層6を有する。 - 特許庁
PHOTOMASK FOR EXPOSURE OF SOLDER RESIST AND WIRING SUBSTRATE EXPOSED USING THE SAME OR METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加
ソルダーレジスト露光用フォトマスク及びそれを用いて露光処理を行った配線基板もしくはその製造方法 - 特許庁
A semiconductor chip 1 is held by a collet 7 and an interval with a wiring substrate 2 is controlled constant.例文帳に追加
半導体チップ1がコレット7に保持され、配線基材2との間隔が一定になるように制御されている。 - 特許庁
A multilayer wiring layer 400, a first inductor 310, and a second inductor 320 are formed on a substrate 10.例文帳に追加
基板10上には、多層配線層400、第1インダクタ310、及び第2インダクタ320が形成されている。 - 特許庁
CURABLE RESIN COMPOSITION, CURED PRODUCT OF THE SAME, PRINTED WIRING SUBSTRATE, ESTER COMPOUND, AND ESTER-BASED RESIN AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
硬化性樹脂組成物、その硬化物、プリント配線基板、エステル化合物、エステル系樹脂、及びその製造方法 - 特許庁
To provide a multilayer wiring substrate having surface connection terminals with the superior reliability of connection with a chip component.例文帳に追加
チップ部品との接続信頼性に優れた面接続端子を有する多層配線基板を提供すること。 - 特許庁
The MEMS chip 110 has a bump electrode 150A, and the wiring substrate 130 has a bump electrode 150B.例文帳に追加
MEMSチップ110はバンプ電極150Aを有し、配線基板130はバンプ電極150Bを有している。 - 特許庁
To improve bonding strength between a ceramic layer and a wiring conductor in a laminated equipped with a multilayer ceramic substrate.例文帳に追加
多層セラミック基板に備える積層体において、セラミック層と配線導体との接合強度の向上を図る。 - 特許庁
The example of one configuration of the semiconductor device includes a semiconductor substrate 1, and signal wiring 3.例文帳に追加
本発明に係る半導体装置の一構成例では、半導体基板1と、信号配線3とを備えている。 - 特許庁
The wiring board includes: a conductor pattern 110; an electronic component having an electrode (terminal electrode 210); and a substrate.例文帳に追加
配線板が、導体パターン110と、電極(端子電極210)を有する電子部品と、基板と、を備える。 - 特許庁
METHOD FOR INSPECTING WIRING FORMATION PROCESS, PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR EVALUATION, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
配線形成工程の検査方法、半導体装置の製造方法、評価用半導体基板、及び半導体装置 - 特許庁
After a transfer electrode and a wiring are formed on a semiconductor substrate 30, a flattened film 32 is formed.例文帳に追加
半導体基板30上には、転送電極や配線を形成した後、平坦化膜32が形成される。 - 特許庁
This is a semiconductor device 1 in which two or more packages 3a and 3b are laminated in sequence on a primary wiring substrate 2.例文帳に追加
第1の配線基板2上に複数のパッケージ3a,3bが順次積層された半導体装置1である。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF WIRING BOARD, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR CHIP MOUNTED SUBSTRATE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR PACKAGE例文帳に追加
配線基板の製造方法、半導体チップ搭載基板の製造方法及び半導体パッケージの製造方法 - 特許庁
An array substrate 3 has the power supply wiring 250 which supplies a predetermined potential to the counter-electrode.例文帳に追加
アレイ基板3は、対向電極に対して所定電位を供給するための給電配線250を備えている。 - 特許庁
Then, the flying reed terminal of the flexible wiring base 2 is connected to the electrode terminal of the element substrate 3 electrically.例文帳に追加
その後、フレキシブル配線基材2のフライングリード端子と、素子基板3の電極端子とを電気的に接続する。 - 特許庁
The substrate has a multilayer structure in which a wiring pattern is formed, and has a rectangle shape in plan view.例文帳に追加
基板は、配線パターンが形成された多層構造で、平面視において略長方形形状を呈する。 - 特許庁
The bias circuit and wiring layer of a high frequency circuit are arranged vertical to the face of a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板の面に対して垂直方向に高周波回路のバイアス回路と配線層とを配設する。 - 特許庁
To stably form a metal layer for applying a capping on Cu wiring formed on a substrate.例文帳に追加
基板上に形成されたCu配線にキャップするための金属層を安定して形成させることを目的とする。 - 特許庁
The semiconductor thin film 4 is formed via a gate insulating film 3 covering a gate wiring 2 on a substrate 1.例文帳に追加
基板1上のゲート配線2を覆う状態でゲート絶縁膜3を介して半導体薄膜4を形成する。 - 特許庁
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