例文 (999件) |
wiring substrateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9428件
The semiconductor device includes: a substrate; interlayer dielectrics 51, 52 formed on the substrate; Cu wiring 1 buried in the interlayer dielectrics 51, 52; and a second barrier insulating film 4 formed on the Cu wiring 1.例文帳に追加
本発明の半導体装置は、基板と、基板上に形成された層間絶縁膜51、52と、層間絶縁膜51、52に埋め込まれたCu配線1と、Cu配線1上に形成された第二のバリア絶縁膜4と、を有する。 - 特許庁
To provide a substrate, in which after forming a wiring protection film on the surface of a wiring, an insulating film between the wirings is removed efficiently, and then, the insulating film can be formed on the surface of the substrate, while forming a void of a desired shape between the wirings.例文帳に追加
配線の表面に配線保護膜を形成した後、配線間の絶縁膜を効率よく除去し、しかも、その後、配線間に所望形状の空隙を形成しながら、基板の表面に絶縁膜を成膜できるようにする。 - 特許庁
The unit 20 has the magnetic sensor 23, a bridge-shaped magnetic substance 25, a permanent magnet 25, and a magnetic substance 24 that are arranged on the surface of the wiring substrate 21 or in the wiring substrate 21 and substitute a magnetic circuit.例文帳に追加
回転検出ユニット20は、配線基板21の表面又は内部に、磁気センサ23、ブリッジ状磁性体25、永久磁石22及び磁性体24を配置して構成されており、これらの部材により磁気回路が形成される。 - 特許庁
On a substrate with a metal wiring pattern coated with an electrically insulating resin formed on the substrate, an integrated circuit that is an electronic component is made to face a metal wiring pattern electrode coated, with the predetermined electrically insulating resin that has been positioned.例文帳に追加
基板上に電気絶縁樹脂で被覆された金属配線パターンが形成された基板に、電子部品である集積回路を位置決めされた所定の電気絶縁樹脂で被覆された金属配線パターン電極と対向させる。 - 特許庁
First, in the processes 1 to 4, drive circuits 26, heating parts 31, individual wiring electrodes 32, common wiring electrodes 33 and partitions 34 are formed on the substrate 25, and ink supply channel 27 and ink feed holes 28 are also formed on the substrate 25.例文帳に追加
先ず工程1〜工程4で基板25に駆動回路26、発熱部31、個別配線電極32、共通配線電極33及び隔壁34を形成し、更にインク供給溝27及びインク給送孔28を形成する。 - 特許庁
An optical fiber wiring board 1 and an optical fiber electrical wiring composite substrate 2 comprise an optical fiber 30, and a mirror member 120 having an optical path converting mirror 122 at an end portion 32 of the optical fiber 30, on a first substrate 10.例文帳に追加
光ファイバ配線板1及び光ファイバ電気配線複合基板2は、第1基板10上に、光ファイバ30と、光ファイバ30の端部32に光路変換用のミラー122を有するミラー部材120とを備える。 - 特許庁
When the TAB substrate 6 is ruptured from a TCP 32, a perforation 33 and a perforation 34 are provided on the rupturing lines of a wiring 29 formed on the TAB substrate 6 to permit the reduction of a stress impressed on the wiring 29.例文帳に追加
TCP32からTAB基板6を破断する際に、TAB基板6上に形成された配線29の破断線上に孔33及び孔34を設け、配線29にかかる応力を低減させることができる。 - 特許庁
The method for manufacturing a substrate for an inkjet head comprises a step for forming a layer (208), on the pad part (103) of an electrode wiring, for preventing contamination to occur in a substrate manufacturing process, and a step for removing the layer (208) prior to the connection between the pad part and the wiring member.例文帳に追加
電極配線のパッド部(103)上に基板製造プロセスで生じる汚染を防止するための層(208)を形成する工程と、パッド部と配線部材との接続に先立って層(208)を除去する工程とを具える。 - 特許庁
To provide a highly reliable wiring substrate with a highly reliable conductor pattern preventing occurrence of cracks, disconnection, short-circuit and the like, and to provide a ceramics molding favorably used to manufacture the wiring substrate.例文帳に追加
クラック、断線、短絡等の発生が防止された、信頼性の高い導体パターンを備えた信頼性の高い配線基板を提供すること、また、前記配線基板の製造に好適に用いることのできるセラミックス成形体を提供すること。 - 特許庁
To provide a wiring substrate with high reliability including a highly-reliable conductor pattern and preventing cracks, disconnection, short circuit or the like, and to provide a method of efficiently manufacturing the wiring substrate.例文帳に追加
クラック、断線、短絡等の発生が防止された、信頼性の高い導体パターンを備えた信頼性の高い配線基板を提供すること、前記配線基板を効率よく製造することのできる製造方法を提供すること。 - 特許庁
The lower device part 12A has a second wiring substrate 17A located in a lower part of the upper device part 11A, a semiconductor element 15A and a connection electrode 26 formed in an upper surface 24A of the second wiring substrate 17A.例文帳に追加
また、下部装置部12Aは、上部装置部11Aの下部に位置する第2の配線基板17A、半導体素子15A、及び第2の配線基板17Aの上面24Aに形成された接続用電極26を有する。 - 特許庁
To materialize a semiconductor device capable of optimizing a soft layer of a wiring substrate forming a semiconductor device and mechanical property of a resin, and securing electric connection of an electric pad on the wiring substrate to a bump electrode with high reliability.例文帳に追加
半導体装置を形成する配線基板の柔軟層と樹脂の機械的性質を適正化し、配線基板上の電極パッドとバンプ電極との電気的接続を高信頼度で確保できる半導体装置を実現する。 - 特許庁
The semiconductor device 1 is provided with a substrate 2 formed of silicon, a lower insulating layer 3 provided on the substrate 2 that does not not include metal wirings, and a wiring layer 4 provided on the lower insulating layer 3 that includes a metal wiring 6.例文帳に追加
半導体装置1において、シリコンからなる基板2と、基板2上に設けられ金属配線を含まない下地絶縁層3と、下地絶縁層3上に設けられ金属配線6を含む配線層4とを設ける。 - 特許庁
To easily align electrode terminal parts of a liquid crystal panel and a wiring board with each other, for connecting lead terminals formed on a transparent substrate forming a liquid crystal panel with lead terminals formed on the wiring substrate.例文帳に追加
液晶表示パネルを構成する透明基板に形成されたリード端子と配線基板に形成されたリード端子とを接続するにあたり、容易に液晶表示パネルと配線基板の電極端子部の位置合わせをすること。 - 特許庁
A semiconductor substrate is provided with: a plurality of through electrodes reaching a surface electrode from a backside thereof; a back wiring network which is formed at the backside of the semiconductor substrate and is connected to the through electrode; and an insulating film covering the back wiring network.例文帳に追加
半導体基板には、その裏面から表面電極に達する複数の貫通電極と、半導体基板の裏面に形成され貫通電極に接続する裏面配線網と、裏面配線網を覆う絶縁膜と、を有する。 - 特許庁
To form an insulation film on the surface of a substrate after surely cleaning the surface of a substrate wherein a wiring protective film is selectively formed on the exposed surface of wiring, while reducing a risk of current leak among wirings.例文帳に追加
配線の露出表面に配線保護膜を選択的に形成した基板の表面を、配線間に電流リークが発生するリスクを低減しつつ確実に洗浄し、しかる後、基板の表面に絶縁膜を形成できるようにする。 - 特許庁
To prevent low dielectric film from being peeled in a semiconductor device equipped with a low dielectric film wiring laminate structural part composed of a laminate structure a silicon substrate, a low dielectric film provided on the silicon substrate, and wiring.例文帳に追加
シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、低誘電率膜が剥離しにくいようにする。 - 特許庁
An electronic device includes a first substrate 10 in which a first wiring pattern 12 having a plurality of first terminals 14 is formed, and a second substrate 20 in which a second wiring pattern 22 having a plurality of second terminals 24 is formed.例文帳に追加
電子デバイスは、複数の第1の端子14を有する第1の配線パターン12が形成された第1の基板10と、複数の第2の端子24を有する第2の配線パターン22が形成された第2の基板20と、を含む。 - 特許庁
To remove irregularities on a joint part caused by the wiring thickness by performing wiring from an electrode comprising a working electrode 2, a counter electrode 3 and a reference electrode 4 on the base substrate 5 to an external terminal 8 inside the base substrate 5.例文帳に追加
下地基板5上の作用極2、対極3および参照極4からなる電極から外部端子8への配線を下地基板5の内部で行うことにより、配線の厚みによる接合部分の凹凸を無くす。 - 特許庁
To reduce the size of wiring connected to a drive source of an actuator, to prevent the enlargement of a connector on a control substrate connected to the wiring, and to obtain the commonality of the control substrate at apparatuses different in the number of the actuators.例文帳に追加
アクチュエータの駆動源に接続される配線を小径化し、当該配線と接続される制御基板上のコネクタの大型化防止を可能とし、さらには、アクチュエータ数が異なる各機器での制御基板の共通化を可能にする。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a wiring board that can favorably form insulating resin layers on a core substrate and via holes prepared thereon when manufacturing a wiring board having a core substrate in which a ceramic sub-core is housed.例文帳に追加
セラミック副コアが収容されたコア基板を備える配線基板を製造するにあたって、コア基板上の絶縁樹脂層及びそれに設けられるビア孔を良好に形成することができる配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a photosetting/thermosetting resin composition for printed wiring substrate, with which crack resistance in a long-term reliability test is improved, and a printed wiring substrate with which long-term reliability is improved, constituted by forming solder resist coating from that composition.例文帳に追加
長期信頼性試験におけるクラック耐性に優れたプリント配線板用の光硬化性・熱硬化性樹脂組成物及びそれによりソルダーレジスト皮膜が形成されてなる長期信頼性の高いプリント配線板を提供する。 - 特許庁
To provide a packaging structure manufacturing method wherein a wiring board to be mounted on a substrate is reduced in external dimensions in the process of mounting a wiring board on a substrate, and to provide a packaging structure, an electro-optical apparatus, and electronic equipment.例文帳に追加
基板に配線基板を実装する場合に、実装する配線基板の外形を小さくすることが可能な実装構造体の製造方法、実装構造体、電気光学装置、および電子機器を提供することを目的とする。 - 特許庁
On the surface (main surface) at a side that is not mounted onto the first individual piece semiconductor substrate 1 on a second individual piece semiconductor substrate 5, a wiring pattern 6 and a second insulating film 7 for protecting the wiring pattern 6 are provided.例文帳に追加
該第2の個片半導体基板5の、第1の個片半導体基板1上に搭載されていない側の面(以下、主面と称する。)には、配線パターン6と、該配線パターン6を保護するための第2の絶縁膜7が設けられている。 - 特許庁
The double-sided flexible board provided with the heat conductive design includes a substrate 14, the wiring layer 12 and the heat radiation layer 18 provided on both surfaces of the substrate, and the heat conductive through-hole 16 for conducting the wiring layer and the heat radiation layer.例文帳に追加
熱伝導設計を具えた両面フレキシブル基板は、基板14、該基板の両面上に設けられた配線層12と放熱層18、及び配線層と放熱層を導通させる熱伝導貫通孔16を包含する。 - 特許庁
In the flexible substrate 22, a wiring line 26 (an independent stripe pattern) which is not connected to an electrode of the panel is provided outside of wiring lines 23 and 24 and in the neighbor of the metal plate 21 to which at least the flexible substrate 22 is attached.例文帳に追加
フレキシブル基板22において、配線(23,24)の外側に、パネルの電極と接続されない配線(独立した線状のパターン)26を、少なくともフレキシブル基板22を取り付ける金属板21の端部近傍に設ける。 - 特許庁
With respect to the wiring substrate, each thin-film metal layer 4 is formed in the periphery of each via opening 2 of the surface of a ceramic substrate 1, and each wiring conductor 5 is formed so as to cover the surfaces of the thin-film metal layer 4 and each via conductor 3.例文帳に追加
配線基板は、セラミック基板1の表面のビア開口2の周囲に薄膜金属層4が形成され、薄膜金属層4および前記ビア導体3表面を覆うように配線導体5が形成されている。 - 特許庁
Any one of a thick wiring metal layer, a rear-polished substrate, and a wiring layer above the substrate is used as an inductor; and any one of an MEMS switch, a mechanical switching switch, an FET switch, and a diode switch is used as a switching element.例文帳に追加
インダクタに厚膜の配線金属層、裏面研磨の基板、基板から浮かした配線層のいずれかを、また、スイッチ素子にMEMSスイッチ、機械的切替え形スイッチ、FETスイッチ、ダイオードスイッチのいずれかを使用する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which has a low-dielectric-constant film-wiring laminated structure part comprising a silicon substrate, a laminated structure of a low-dielectric-constant film and a wiring provided on the silicon substrate, the low-dielectric-constant film being made hard to peel.例文帳に追加
シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、低誘電率膜を剥離しにくいようにする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a multi-unit wiring substrate, which includes a product region where a plurality of wiring-substrate portions are arranged vertically and horizontally and a tab part which is arranged along the periphery of the product region, with the tab part causing no deflection.例文帳に追加
複数の配線基板部分を縦横に配列してなる製品領域と、該製品領域の周囲に沿って配置した耳部とを備え、かかる耳部に反りが生じない多数個取り配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
Thereby, a resin for sealing can be filled up between the first sealing body 2e of the TSOP2 when sealing memory module 3 with resin and the wiring substrate 7 making it possible to prevent the deformation of the first sealing body 2e and the wiring substrate 7.例文帳に追加
これにより、メモリモジュール3の樹脂封止の際に、TSOP2の第1封止体2eと配線基板7の間に封止用樹脂を充填することができ、第1封止体2eや配線基板7が変形することを防止できる。 - 特許庁
To provide a wiring formation method capable of easily forming a wiring having high conductivity with high adhesiveness to a substrate, without addition of another process to form an adhesion layer etc. on a resin substrate.例文帳に追加
樹脂基板上に、接着層等を形成するための別の工程を加えることなく、基板との密着性の高い導電性配線を簡単に形成することができる配線形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
A through-hole 11 is formed on the wiring substrate 1 to penetrate it in the thickness direction on the outer side of the opening 10 formed on the wiring substrate 1, and the seal resin 6 is filled in the through-hole 11.例文帳に追加
さらに、配線基板1には、配線基板1に形成された開口10よりも外側に、厚さ方向に貫通した貫通孔11が形成されており、この貫通孔11内に封止樹脂6が充填されている。 - 特許庁
The semiconductor substrate is provided with a metallic wiring layer formed on the same through a flattening film and a registration mark formed by engraving the semiconductor substrate up to a depth to leave the level difference of the metallic wiring layer.例文帳に追加
半導体基板上に平坦化膜を介して形成された金属配線層と、前記金属配線層の段差を残すことが可能な深さまで前記半導体基板を堀込むことにより形成された位置合わせマークを備える。 - 特許庁
The solar battery module includes a hard substrate, wiring formed on the hard substrate, a back surface electrode type solar battery cell electrically connected on the wiring, and a sealer installed on the back surface electrode type solar battery cell.例文帳に追加
硬質基板と、硬質基板上に形成された配線と、配線上に電気的に接続された裏面電極型太陽電池セルと、裏面電極型太陽電池セル上に設置された封止材とを備えた太陽電池モジュールである。 - 特許庁
The method for using the anisotropic electroconductive paste comprises connecting an electric circuit wiring formed on one substrate to an electric circuit wiring formed on the other substrate with the anisotropic electroconductive paste.例文帳に追加
また、本発明の異方性導電ペーストの使用方法は、異方性導電ペーストによって、一方の基板上に形成される電気回路配線と、他方の基板上に形成される電気回路配線とを接続することを特徴とする。 - 特許庁
A method for manufacturing a semiconductor device comprises a process for cleaning a semiconductor substrate having a copper electric wiring by a cleaning liquid for the semiconductor substrate, containing a saccharide and a basic compound, having the copper electric wiring.例文帳に追加
糖類と、塩基性化合物とを含有してなる銅配線を有する半導体基板用洗浄液および当該洗浄液で銅配線を有する半導体基板を洗浄する工程からなる半導体デバイスの製造方法の提供。 - 特許庁
To reduce the exfoliation of low-dielectric constant films in a semiconductor device having a silicon substrate and a low-dielectric constant film wiring laminated structure part made up of a laminated structure of the low-dielectric constant films and wiring which are provided on the silicon substrate.例文帳に追加
シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、低誘電率膜が剥離しにくいようにする。 - 特許庁
To solve such the problem of the conventional semiconductor device that when a gap between a semiconductor element and the mounting surface of a wiring substrate becomes narrow, a liquid-state under-filling agent hardly enters the gap between the semiconductor element and the mounting surface of the wiring substrate.例文帳に追加
半導体素子と配線基板の搭載面との間隔が狭くなったとき、液状のアンダーフィル剤が半導体素子と配線基板の搭載面との間隙内に進入し難い従来の半導体装置の課題を解決する。 - 特許庁
The solid imaging element 2 is attached to a back surface of the wiring substrate 1 with a conductive material 5, and it is also sealed to the back surface of the wiring substrate 1 with the seal resin 6 formed around the solid imaging element 2.例文帳に追加
固体撮像素子2は、配線基板1の裏面に、導電性部材5による接着されているのに加え、固体撮像素子2の周囲に形成された封止樹脂6により、配線基板1の裏面に封止されている。 - 特許庁
The ink-jet recording head is composed so as to eliminate a chip plate by fixing a wiring substrate 300 only with a support member 200 while arranging an HB and the support member on the same plane on the wiring substrate by a combination with rear-face electrode mounting.例文帳に追加
裏面電極実装との組み合わせにより、HBと支持部材200を配線基板300上に同一面に配置し、支持部材のみにより配線基板を固定することで、チッププレートを廃止する構成とする。 - 特許庁
This manufacturing method of the wiring board includes a process for forming a plurality of patterned wiring on a substrate, a process for depositing the insulating film on the wiring, a process for arranging the wiring in environment for allowing the wiring to be subjected to etching treatment, and a process for forming a conductive layer for electrically connecting the wiring to a contact hole provided in the insulating film.例文帳に追加
基板上に、パターニングされた複数の配線を形成する工程と、前記配線上に絶縁膜を成膜する工程と、前記基板を、前記配線をエッチング処理する環境に配置する工程と、前記配線と、前記絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して電気的に接続する導電層を形成する工程と、を備えた配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
The semiconductor device includes: a plurality of first wiring layers 12 formed on an optional level layer on a substrate and formed of patterns having wiring widths and pitches smaller than those of a solution limit of an exposure technology; and second wiring layers 14 formed between the plurality of first wiring layers 13 in the same level layer and having a wiring width larger than that of each of the first wiring layers 13.例文帳に追加
半導体装置は、基板上の任意のレベル層に設けられ、かつ露光技術の解像限界より小さい配線幅及び間隔を有するパターンで形成された複数の第1の配線層12と、同一レベル層内で複数の第1の配線層13の間に設けられ、かつ第1の配線層13より大きい配線幅を有する第2の配線層14とを含む。 - 特許庁
The multilayer printed wiring board 1 comprises a wiring body portion Aw constituted by laminating a plurality of wiring substrates (wiring substrates 10, 20 and 21), and a coupling portion Ac formed by extending the wiring substrate 10, and coupled with an extra plate portion Ad arranged contiguously to the periphery of the wiring body portion Aw through the coupling portion Ac thus constiting a work to be processed.例文帳に追加
多層プリント配線基板1は、複数の配線基材(配線基材10、配線基材20、21)を積層して構成された配線本体部Awと、配線基材10を延長して形成された連結部Acとを備え、配線本体部Awの周囲に隣接して配置された捨て板部Adに連結部Acを介して連結され、加工ワークを構成している。 - 特許庁
In the stage wherein the wiring is formed on the substrate, wiring is applied with an electrical signal to go into a predetermined potential state; the secondary electron emitted by irradiating the wiring in the potential state with the electron beam is detected; and the defect of the wiring is detected, based on the signal intensity of the secondary electron.例文帳に追加
基板に配線が形成された段階において、この配線に電気信号を印加して所定の電位状態とし、この電位状態の配線に電子線を照射して放出される二次電子を検出し、この二次電子の信号強度に基づいて配線の欠陥検出を行う。 - 特許庁
This connection structure includes a first wiring board 1 with a conductor pattern 3 formed on a polyimide film 2 and a second wiring board 4 with a conductor pattern 6 formed on a glass substrate 5, wherein the first wiring board 1 and the second wiring board 4 are electrically connected through this thermosetting anisotropic conductive film 7.例文帳に追加
ポリイミドフィルム2上に導体パターン3が形成された第1配線板1と、ガラス基板5上に導体パターン6が形成された第2配線板4とを備え、第1配線板1と第2配線板4とが熱硬化性の異方性導電フィルム7により電気的に接続されている。 - 特許庁
The invention also relates to a copper laminated plate wherein an ultrathin copper foil with a carrier is laminated on a resin substrate, a printed wiring board wherein a wiring pattern is formed on the ultrathin copper foil of the copper laminated plate, and a multilayer printed wiring board composed by laminating a plurality of the printed wiring boards.例文帳に追加
本発明はまた、キャリア付き極薄銅箔が、樹脂基材に積層されている銅張積層板、前記銅張積層板の極薄銅箔上に、配線パターンが形成されたプリント配線板、並びにプリント配線板を複数積層して形成される多層プリント配線板である。 - 特許庁
A wiring condition processing section 120 obtains the delay on a virtual wiring length on the basis of arrangement information 220 on the substrate of a semiconductor device, and when the above delay exceeds a reference, information that indicate the duty factor of a wide wiring are obtained and added to path information for the formation of wiring condition information 230.例文帳に追加
配線条件処理部120は、半導体素子の基板上の配置情報220に基づいて、仮想配線長のディレイ値を求め、これが基準値を越えている場合、幅広配線の使用率を示す情報を求め、パス情報に追加して配線条件情報230を作成する。 - 特許庁
The composite layer formed of the insulating layer and wiring layer includes the wiring (the wiring layer) formed by a printing method on curable insulating resin (the insulating layer) formed on the substrate by the printing method, wherein the wiring contains at least one or more elements out of Cu, Ag, Au, Al, Ni, Co, Pd, Sn, Pb, In, and Ga.例文帳に追加
基板上に印刷法により形成した硬化性絶縁樹脂(絶縁層)上に、Cu、Ag、Au、Al、Ni、Co、Pd、Sn、Pb、In、Gaの内少なくともひとつ以上の元素を含む配線(配線層)を印刷法により形成した、絶縁層と配線層の複合層。 - 特許庁
The multilayer wiring substrate 10 has a first insulating layer 12, a first wiring pattern 14 formed on the first insulating layer 12, a second insulating layer 13 covering the first wiring pattern 14, and a second wiring pattern 14 formed on the second insulating layer 13.例文帳に追加
多層配線基板10は、第1の絶縁層12と、第1の絶縁層12上に形成された第1の配線パターン14と、第1の配線パターン14を覆う第2の絶縁層13と、第2の絶縁層13上に形成された第2の配線パターン14とを備える。 - 特許庁
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