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「wiring substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(72ページ目) - Weblio英語例文検索
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「wiring substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(72ページ目) - Weblio英語例文検索


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wiring substrateの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 9428



例文

The composite wiring board is constituted by putting a hard printed wiring board 7 which has a wiring part 8 on one surface and a flexible substrate 1 which has wire parts 2 on both surfaces and a hole 3 penetrating the substrate from the wire part on one surface to that on the other surface one over the other in one body across an adhesive sheet 4.例文帳に追加

複合配線板は、片面に配線部8を有する硬質プリント配線板7と、両面に配線部2を有していて一方の面から他方の面の配線部に達する穿孔3を有するフレキシブル基板1とを、接着剤シート4を介して一体的に重合することにより構成されている。 - 特許庁

The input terminals 43 in the upper side semiconductor mounting area 37 and the external connection terminals 46 are connected via input wiring 48, 52 arranged on the upper face of the active substrate 32 and vertical conduction materials 49, 51 for connecting between the input wiring 50 arranged on the bottom face of the counter substrate 33 and each wiring.例文帳に追加

上側の半導体チップ搭載領域37内の入力端子43と外部接続端子46とは、アクティブ基板32の上面に設けられた入力配線48、52、対向基板33の下面に設けられた入力配線50および各配線間を接続する上下導通材49、51を介して接続されている。 - 特許庁

The substrate press piece 5b and substrate support piece 5c of the cut and raised portion 5 stop the wiring board 3 from moving up and down, and the contact member 25 stops the wiring board 3 from laterally moving, so that the wiring board 3 can be easily and securely attached to the chassis 2 without using any screw.例文帳に追加

切り起こし部5の基板押え片5bと基板支持片5cによって配線基板3の上下方向の動きが止められ、当止部材25で配線基板3の横方向の動きが止められるので、ビスを使用しなくても簡単かつ確実に配線基板3をシャーシ2に取付けることができる。 - 特許庁

An electronic device comprises: a semiconductor device; a wiring board 24 where a wiring pattern 26 including a plurality of substrate electrodes 30 is formed and the semiconductor device is mounted so that the plurality of wires 20 face the plurality of substrate electrodes 30; and an adhesive 32 for bonding the semiconductor device to the wiring board 24.例文帳に追加

電子デバイスは、半導体装置と、複数の基板電極30を含む配線パターン26が形成されて複数の配線20と複数の基板電極30が対向して接触するように半導体装置が搭載された配線基板24と、半導体装置と配線基板24とを接着する接着剤32と、を有する。 - 特許庁

例文

The wiring layer 33 provided on one surface 43 of the second insulating film 41 is along one surface 36 of a semiconductor substrate 31, and the wiring layer 33 provided in the first through hole 38 is extended in the thickness direction T of the semiconductor substrate 33, thus extending the wiring layers 33 in a direction orthogonally crossing each other.例文帳に追加

第2絶縁膜41の一表面43上に配設される配線層33は、半導体基板31の一表面36に沿い、第1貫通孔38内に配設される配線層33は半導体基板33の厚み方向Tに延びるので、これらの配線層33は互いに直行する方向に延びている。 - 特許庁


例文

A flexible arbitrary wiring circuit attached substrate (30x) includes an extension part (37) extending from a stuck portion, and this extension part (37) is stuck on a rear side (14) by being folded back on the rear side of the mother board printed wiring board (10), while turning a conductive layer (32x) of the wiring circuit attached substrate (30x) as the outside.例文帳に追加

可撓性を有する任意の配線回路付き基材(30x)が貼り合わせ部から延長した延長部(37)を有し、この延長部(37)が、配線回路付き基材(30x)の導電層(32x)を外側にしてマザーボードプリント配線板(10)の裏側へ折り返されて裏面(14)に貼り合わされた。 - 特許庁

To provide a printed wiring board in which disconnection of conductor wiring formed from a conductive ink or release from a substrate is sufficiently reduced even when using a printing method such as ink jet printing or offset printing, a method of manufacturing the same, and a substrate to be used for such a printed wiring board.例文帳に追加

インクジェット印刷法やオフセット印刷法等の印刷法を用いる場合であっても、導電性インクから形成される導体配線の断線又は基板からの剥離が十分に低減されている印刷配線板、その製造方法及びかかる印刷配線板に用いる印刷配線板用基板を提供すること。 - 特許庁

In addition, in the manufacture method of a multilayer wiring circuit substrate, immediately prior to the above-described laminating, blackening reduction processing is performed for the top surface of the bump 6 of one copper framework 1, and one or both surfaces of the copper foil 2 to be laminated on the bump top and of a wiring film 11 of another wiring circuit forming substrate 10.例文帳に追加

また、多層配線回路基板の製造方法において、上記積層直前に、一つの銅部材1のバンプ6の上面と、それに積層される銅箔2又は別の配線回路形成用基板10の配線膜11の表面の一方又は両方に対して黒化還元処理する。 - 特許庁

A semiconductor device comprising a substrate, an insulating film 2 formed on the substrate, and a wiring film 5 formed on the insulating film 2 is further provided with anti-diffusion films 4 and 6 for preventing the diffusion of constitutional components of the wiring film 5 and the periphery of the wiring film 5 is surrounded by the anti-diffusion films 4 and 6.例文帳に追加

基板と、前記基板上に設けられた絶縁膜2と、前記絶縁膜2に設けられた配線膜5とを備えた半導体装置であって、 前記配線膜5の構成成分の拡散を防止する拡散防止膜4,6を備えてなり、 前記拡散防止膜4,6によって前記配線膜5の周囲が囲まれてなる。 - 特許庁

例文

An optical wiring plate 1 is provided with an optical wiring 3 by which optical signals are propagated in its inside and its surface and in a substrate 2, an optical deflector 4 which is arranged along the extended direction of the optical axis of the optical wiring 3 and a convex lens 5 which is arranged on the surface of the substrate 2 to make the optical signals into approximately parallel light beams 50.例文帳に追加

光配線板1は、基板2とその内部又は表面に光信号を伝播させる光配線3と、光配線3の光軸の延長上に配される光偏向器4と、基板2の表面に配された光信号を略平行光50とするための凸レンズ5とを備えている。 - 特許庁

例文

To make a low low-dielectric constant film hardly peeled off, in a semiconductor device comprising a low-dielectric film wiring lamination structural part composed of a lamination structure formed of a silicon substrate and the lamination structure of the low-dielectric constant film and wiring which are formed on the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、低誘電率膜が剥離しにくいようにする。 - 特許庁

The support substrate 10 has a drawing area 10A including an area where drawing wiring drawn out from the sealing area S is formed and driving means (an IC chip 20, a flexible substrate 21, etc.) are connected to or mounted on the drawing wiring.例文帳に追加

支持基板10は、封止領域Sから引き出された引出配線が形成されると共にこの引出配線に対して駆動手段(ICチップ20、フレキシブル基板21等)を接続又は実装する領域を含む引出領域10Aを有する。 - 特許庁

To provide a multiple patterning wiring substrate effectively suppressed in occurrence of warpage and penetration of water into space between insulating layers and a method of manufacturing the same, and to provide a wiring substrate suppressed in occurrence of warpage and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

反りの発生および絶縁層の層間への水分の浸入が効果的に抑制された多数個取り配線基板およびその製造方法、ならびに反りの発生が抑制された配線基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the wiring relay substrate 5 is folded in turn to be in a layered structure for each adjacent unit so that the wiring device 10 is contained in a width of one substrate unit, processing and man-hour after installation is reduced for simplification, and improvement in assemblability and reliability.例文帳に追加

配線中継基板5は、隣接するユニット毎に順次、折り返されて層状に構成され、配線装置10が1個の基板ユニットの幅に収められるので、配設後の加工や工程を低減、簡素化し、組立性、信頼性が高まる。 - 特許庁

The bonding material 25b for bonding the electronic element 24 and wiring 25a is arranged at least to one of the element 24 formed on a first substrate 40 and the wiring 25a formed on a second substrate 20.例文帳に追加

第1基板40上に形成された電子素子24と、第2基板20上に形成された配線25aとの少なくとも一方に対して、電子素子24と配線25aとを接合するための接合材25bを転写法により配置する。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises a flexible wiring board 1 having an opening, a solid-state imaging element substrate 10 flip-chip mounted on the flexible wiring board 1, and a resin mold frame part 18 formed on a rear surface of the solid-state imaging element substrate 10.例文帳に追加

固体撮像装置が、開口部を持つフレキシブル配線板1と、フレキシブル配線板1にフリップチップ実装された固体撮像素子基板10と、固体撮像素子基板10の裏面に形成された樹脂モールド枠部18とを具備する。 - 特許庁

The light emitting device has a substrate 10, a wiring layer 19 formed on the substrate 10, an insulating layer 20 formed on the wiring layer 19, an OLED 70 formed on the insulating layer 20, and a second electrode layer 24 as a cathode of the OLED 70.例文帳に追加

基板10と、基板10上に形成された配線層19と、配線層19上に形成された絶縁層20と、絶縁層20上に形成されたOLED70と、OLED70の陰極となる第2電極層24とを有する。 - 特許庁

The semiconductor chip mounting substrate is a multi-layer substrate where insulating layers 2a, 2b and wiring layers 3a, 3b and 3c are alternatively laminated, and wirings composed of the wiring layers are electrically connected through inter-layer connecting via holes 4.例文帳に追加

半導体チップ実装用基板は、絶縁層2a,2bと配線層3a,3b,3cを交互に積層した多層基板であって、層間導通用ビアホール4により各配線層3a,3b,3cによる配線が電気的に接続されている。 - 特許庁

To make it possible to accurately cut a wiring pattern formed on a surface of a substrate by a laser beam while the substrate is being made to run at a high speed, and also to control to surely prevent the laser beam from being emitted on the part where the wiring pattern is not formed.例文帳に追加

基板を高速で走行させる間に、この基板の表面に形成されている配線パターンをレーザビームにより正確に切断でき、かつ配線パターンが形成されていない部分には確実にレーザビームが照射されないように制御する。 - 特許庁

To provide a wiring board for reducing the connection resistance between a through hole conductor with a lid being formed on a through hole substrate and a conductor formed on an insulating layer being laminated to the through hole substrate, and the manufacturing method of the wiring board.例文帳に追加

スルーホール基板に形成された蓋付スルーホール導体と、スルーホール基板に積層された絶縁層の上に形成された導体層との間の接続抵抗を低くすることができる配線基板及び配線基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The movable light emitting performance device includes an LED substrate for movement mounted with LEDs, and left wiring 111 whose one end is connected to the substrate is pulled out to the back side through a left first wiring passing hole 110 formed in a back unit box 46.例文帳に追加

可動発光演出装置は、LEDを実装した可動用LED基板を備え、該基板に一端が接続する左配線111は、裏ユニットボックス46に形成した左第1配線通孔110を介して裏側に引き出される。 - 特許庁

To provide a low dielectric constant film that is less apt to peel off, in a semiconductor device including a silicon substrate and a low dielectric constant film wiring line laminated structure portion constituted of a laminated structure of a low dielectric constant film and a wiring line provided on the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、剥離しにくい低誘電率膜を提供する。 - 特許庁

At least a plurality of measurements for conduction resistance are carried out, by changing the holding positions of holding members 22, 22, ... for holding the wiring substrate 11 and exciting them and then making the positions of the belly and the node of the wiring substrate unit 10 change.例文帳に追加

また、配線基板11を保持すると共に加振する保持部材22・22・・・の保持位置を変更させることで、前記配線基板ユニット10の振動の腹と節の位置を変化させて、少なくとも複数回の導通抵抗の測定を行う。 - 特許庁

The case 20 has a wiring substrate housing part 24, the housing 30 has a circuit board housing part 32, and the wiring substrate 6 and the circuit board 8 are housed not to be interposed each other when the light source part 2 and the mounting part 3 are mounted.例文帳に追加

ケース20は配線基板収容部24を有し、ハウジング30は回路基板収容部32を有し、配線基板6及び回路基板8が光源部2及び装着部3の装着状態で互いに重なり合わないよう収容される。 - 特許庁

On the upper surface of the silicon substrate 1, the low dielectric constant film wiring laminated structure part 3 including the laminated structure of the low dielectric constant film 4 and the wiring 5 is formed so that its side surfaces are substantially flush with the side surfaces of the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板1の上面には低誘電率膜4と配線5との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部3がその側面がシリコン基板1の側面と実質的に面一となるように設けられている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate (20); first insulating films (21, 22) formed on the semiconductor substrate; the Cu wiring (25) embedded in the first insulating films; and a second insulating film (27) formed on the Cu wiring.例文帳に追加

半導体基板(20)と、前記半導体基板上に形成された第1の絶縁膜(21,22)と、前記第1の絶縁膜に埋め込まれたCu配線(25)と、前記Cu配線上に形成された第2の絶縁膜(27)を具備する半導体装置である。 - 特許庁

The memory card 1 is composed of a wiring substrate 2 mainly made of glass epoxy resin, a plurality of semiconductor chips (3C, 3F) mounted on the main surface, and a mold resin 4 that encapsulates the wiring substrate 2 and the semiconductor chips (3C, 3F).例文帳に追加

メモリカード1は、ガラスエポキシ樹脂を主体とした配線基板2と、その主面上に実装された複数枚の半導体チップ(3C、3F)と、配線基板2および半導体チップ(3C、3F)を封止するモールド樹脂4とで構成されている。 - 特許庁

To provide a press fit terminal press-fit into a through hole of a wiring substrate of an electronic control device used under high temperature environment inside an automobile and suppressing any damage of the wiring substrate caused by press-fitting when being press-fit to the through hole.例文帳に追加

本発明は、自動車内の高温環境下で使用される電子制御装置の配線基板のスルーホールに圧入保持され、スルーホールに圧入される際に、圧入による配線基板への損傷を抑制したプレスフィット端子を提供する。 - 特許庁

To prevent increase in substrate thickness, as much as possible, while making it possible to form each of first and second wirings of different thickness in one-time patterning on a wiring substrate having wirings of different thickness on one surface of a wiring formation layer.例文帳に追加

配線形成層の一面上に異なる厚さの配線を有する配線基板において、厚さの異なる第1の配線および第2の配線のそれぞれを1回のパターニングで形成可能なものとしつつ、基板厚さの増加を極力防止する。 - 特許庁

The semiconductor device includes light-receiving sections 2a, 2b photoelectrically converting incident light L on a rear surface of a semiconductor substrate 1, and includes insulating films 7, 10a formed on a surface of the semiconductor substrate and a wiring layer 8 including a wiring film 9.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板1の裏面への入射光Lを光電変換する受光部2a、2bを含み、半導体基板の表面上に形成された絶縁膜7、10aと、配線膜9を含む配線層8とを備える。 - 特許庁

In the thin film transistor array substrate 100, a gate wiring comprising a gate line 121 and a gate electrode 123 is formed on an insulating substrate and a semiconductor layer 150 consisting of amorphous silicon is formed on a gate insulating film 140 covering the gate wiring.例文帳に追加

薄膜トランジスタアレイ基板100には、絶縁基板上にゲート線121、ゲート電極123を含むゲート配線が形成され、これを覆うゲート絶縁膜140上には非晶質シリコンからなる半導体層150が形成されている。 - 特許庁

Flexible leads of a coil are connected to a printed wiring board 62 serving as a substrate for connection directly or from a relay substrate 51 to which the leads are connected via a flexible electric wire, a magnet wire, and a flexible printed wiring board 61.例文帳に追加

可撓性を有するコイルの引出線を直接、又はこの引出線を接続した中継基板51から可撓性のある電線、マグネットワイヤ、フレキシブルプリント配線基板61を介して接続用基板となるプリント配線基板62へ接続する。 - 特許庁

To prevent damage to a flexible cable by making flexible cable, for connecting a printed wiring substrate arranged in a deeper part of a chassis case in a disk device to the printed wiring substrate arranged in a disk tray, not exposed from between the disk tray and the chassis case.例文帳に追加

ディスク装置におけるシャーシケースの奥部に配設した印刷配線基板とディスクトレイに配設した印刷配線基板とを接続するフレキシブルケーブルが、ディスクトレイとシャーシケースとの間から露出しないようにし、フレキシブルケーブルの損傷を未然に防止する。 - 特許庁

The wiring electrodes and the substrate electrodes are bonded through a bonding material such as solder, etc. Preferably the bonding material has a lower tensile strength than those of the substrate electrode and the wiring electrode and is a solder material or it has an insulation layer in the gap between the n-type and p-type rod-like elements.例文帳に追加

望ましくは接合部材は基板電極と配線電極に比べ、引っ張り強度が低い、さらに接合部材はハンダ材料である、あるいはn型棒状素子とp型棒状素子との間隙には絶縁層を有する。 - 特許庁

To provide a forming method of an outgoing wiring, which effects the forming of leader wiring and connection to a substrate simultaneously while retaining collimation between a test piece and the substrate, and a manufacturing method of the test piece for scanning-type probe microscope to which this forming method is applied.例文帳に追加

引出配線の形成と基板との接合を同時に行い、かつ試料と基板の平行性を保持する引出配線の形成方法及びこの形成方法を適用した走査型プローブ顕微鏡用試料の作成方法を提供する。 - 特許庁

A second interlayer insulating film and first wiring, or a second wiring layer and a hard mask are formed on the surface of a silicon substrate 2, the silicon substrate 2 is conveyed to a reaction chamber S, and N_2 gas excited by microwaves is introduced to the reaction chamber S.例文帳に追加

第2層間絶縁膜と第1配線、あるいは、第2配線層とハードマスクをシリコン基板2の表面に形成し、そのシリコン基板2を反応室Sに搬送させ、その反応室Sに、マイクロ波によって励起されたN_2ガスを導入する。 - 特許庁

In the meantime, the substrate 16 is attached to the work stage 55 of a stage unit 9 to be drive-controlled corresponding to wiring pattern data inputted by CAD or the like and a wiring pattern is formed on the substrate 16 by the ejected alloy.例文帳に追加

一方、上記基板16は、CAD等で入力された配線パターンデータに対応して駆動制御されるステージユニット9のワークステージ55に取り付けられており、上記吐出された合金により基板16上に配線パターンが形成される。 - 特許庁

A semiconductor device is provided with a substrate 1, a metal wiring 3 formed on the substrate 1 and whose immediately upper part as well as the immediately lower part is covered by high melting point metal films 2, 4, and the interlayer insulating film 5 formed by the plasma CVD method so as to cover the metal wiring 3.例文帳に追加

基板1と、この基板1上に形成され、直上直下が高融点金属膜2,4で覆われたメタル配線3と、このメタル配線3を覆うようにプラズマCVD法により形成された層間絶縁膜5とを有する。 - 特許庁

To obtain the wiring board which can tightly be joined to a substrate of a protection glass, a resistance body, a Cu plating layer, and a wiring conductor for a ceramic insulating substrate and suitable to a hybrid integrated circuit board equipped with a reliable thick-film resistance body layer.例文帳に追加

セラミック絶縁基板に対して保護ガラス−抵抗体−Cuめっき層−配線導体の基板に対して強固な接合が得られ、信頼性の高い厚膜抵抗体層を具備した混成集積回路基板に適した配線基板を得る。 - 特許庁

The mounting and wiring of the flip chip and the connection of a fine-pitch semiconductor chip are made possible by connecting the inner and outer pads of the flip chip to the pads of different layers of the sub-substrate, and making the wiring from each layer of the sub-substrate.例文帳に追加

フリップチップの内側と外側のパッドをサブ基板の異なる層のパッドに接続し各層から配線をすることにより、千鳥パッド配置の狭ピッチ、多ピンのフリップチップの実装と配線を可能とし、微細ピッチの半導体チップの接続を可能とする。 - 特許庁

To provide a wiring substrate which restrains generation of tensile stress and compressive stress of conductive film wiring formed on a substrate and can reduce stress even if generated, and an electro-optic device and an electronic apparatus using it.例文帳に追加

基板上に形成した導電膜配線の引張り応力および圧縮応力の発生を抑制し、仮に応力が発生してもそれを低減することのできる配線基板、それを用いた電気光学装置及び電子機器を提供する。 - 特許庁

The flexible wiring substrate 5 is constituted by forming separately a head part substrate 51 provided with a circuit pattern in which various electrical parts mounted on the head apparatus 1 are placed or connected and a transmission line substrate 52 forming a transmission line coupling a circuit substrate 7 placed on the equipment main body and the head part substrate 51, and connecting the head part substrate and the transmission substrate 52 by joint.例文帳に追加

ヘッド装置1に搭載される各種電気部品が設置、あるいは接続される回路パターンを備えるヘッド部基板51と、機器本体に設置される回路基板7及び前記ヘッド部基板51間を結ぶ伝送路を形成する伝送路基板52とを分割して形成し、ヘッド部基板51と伝送路基板52とを接合により繋げてフレキシブル配線基板5を構成している。 - 特許庁

In a semiconductor device equipped with a semiconductor chip C and a package substrate P loaded with the chip, the package substrate P is provided with an internal terminal 30 connected to the semiconductor chip C, surface wiring 52 connected to the internal terminal 30, back face wiring 54 connected to an external terminal 40, and a contact 56 connected to the surface wiring 52 and the back face wiring 54.例文帳に追加

半導体チップCとこれが搭載されるパッケージ基板Pとを備えた半導体装置であって、パッケージ基板Pは、半導体チップCに接続される内部端子30と、内部端子30に接続される表面配線52と、外部端子40に接続される裏面配線54と、表面配線52と裏面配線54とを接続するコンタクト56とを備える。 - 特許庁

The flexible printed wiring board has an insulating substrate 11, and a wiring pattern 12 formed of a conductor layer provided on one surface of the insulating substrate 11, wherein the wiring pattern 12 includes inner leads 21 for mounting the semiconductor chip and outer leads 22, 23 for input and output wire connection, and a metal layer 15 is adhered to the wiring pattern 12 via an insulating adhesion layer 14.例文帳に追加

絶縁基材11と、この絶縁基材11の一方面に設けられた導電体層からなる配線パターン12とを具備し、前記配線パターン12は半導体チップ搭載用のインナーリード21と、入出力配線接続用のアウターリード22,23とを有し、当該配線パターン12上に絶縁性接着層14を介して金属層15が接着されている。 - 特許庁

A chip unit 10 includes a semiconductor chip 11, a metal wiring 23 for supporting the semiconductor chip, a wiring supporting substrate 22 for supporting the metal wiring 23, a heat sink member 21 coupled to the wiring supporting substrate 22 so as to transfer heat, and a heat pipe 40 coupled to the heat sink member 21 so as to transfer heat and meandering in a longitudinal direction in a flow passage 51.例文帳に追加

チップユニット10は、半導体チップ11と、半導体チップを支持する金属配線23と、金属配線23を支持する配線支持基板22と、配線支持基板22に熱伝導可能に連結されたヒートシンク部材21と、ヒートシンク部材21に熱伝導可能に連結され、流路51内で縦方向に蛇行するように形成されたヒートパイプ40とを備えている。 - 特許庁

The multilayer printed-wiring board 1 is manufactured, where the prepreg containing resin and fiber is laminated on the wiring circuit 4 of an internal layer circuit board 6 having a substrate 2 and the wiring circuit 4 provided on the substrate 2, and a laminated structure while the multilayer printed-wiring board 1 has a laminated structure in which the internal layer circuit board 6 is integrated with the hardened body 8 of the prepreg.例文帳に追加

実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法では、基板2と基板2上に設けられた配線回路4とを有する内層回路基板6の配線回路4上に、樹脂及び繊維を含有するプリプレグを積層し、内層回路基板6とプリプレグの硬化体8とを一体化してなる積層構造を備える多層プリント配線板1が製造される。 - 特許庁

To prevent wiring accuracy from being lowered by etching fine wiring already, molded as well when etching a thin metal layer in semi-additive method (FAM: foil additive method) for forming fine wiring, by removing the thin metal layer on the surface of an insulating substrate after adding the thin metal layer on the surface of the substrate, and forming a wiring pattern with electric plating.例文帳に追加

絶縁基板表面に薄手の金属層を付加し、電気めっきにより配線パターンを形成後、基板表面の薄手金属層を除去して微細配線を形成するセミアデイテイブ(FAM:Foil Additive Method)工法において、薄手金属層のエッチング時に既に成形した微細配線をもエッチングして、配線精度の低下を招くことを防止する。 - 特許庁

In the substrate connection structure, a flexible wiring board 29 having wiring patterns 32a and 32b formed thereon and an element substrate 21 having an electro-optical element formed thereon are joined with an adhesive layer 27 therebetween, and the flexible wiring board 29 has a bend portion 40 bending toward the element substrate 21, and a part of the adhesive layer 27 is stored in the bend portion 40.例文帳に追加

配線パターン32a、32bが形成された可撓性配線基板29と、電気光学素子が形成された素子基板21と、が接着層27を介して接合された基板接続構造体であって、可撓性配線基板29は、素子基板21の側方に屈曲部40を有し、当該屈曲部40は接着層27の一部を収容することを特徴とする。 - 特許庁

A flexible wiring board includes an insulating substrate provided with a wiring pattern including a connector terminal pattern formed on its main surface, a conductive layer covering the connector terminal pattern, and an insulating protective layer covering a part of the wiring pattern, wherein the insulating substrate has a through hole at a stepped part formed by the insulating protective layer and the insulating substrate between the connector terminals.例文帳に追加

コネクタ端子パターンを含む配線パターンが主面に形成される絶縁性基板と、前記コネクタ端子パターンを覆う導電層と、前記配線パターンの一部を覆う絶縁性保護層とを備え、 前記絶縁性基板は、前記コネクタ端子間で、前記絶縁性保護層と前記絶縁基板とにより形成される段差部に貫通孔を有することを特徴とする。 - 特許庁

例文

To provide a manufacturing method of a semiconductor device whose warpage amount is small and in which a wiring mother substrate can be enlarged, even if the difference in the thermal expansion coefficients between sealing resin and a wiring mother substrate is large, and which has inexpensive manufacturing cost and has less individual differences of warpages, in a manufacturing method of the semiconductor device for manufacturing the sealing resin in the wiring mother substrate by a mold manufacturing method.例文帳に追加

モールド工法によって配線母基板に封止樹脂を製造する半導体装置の製造方法において、封止樹脂と配線母基板の熱膨張係数の差が大きくても、半導体装置の反り量が小さく、配線母基板を大型化させることが可能となり、製造原価が低く、かつ、反りの個体差が少ない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁




  
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