「connection element」に関連した英語例文の一覧と使い方(59ページ目) - Weblio英語例文検索

An automatic vertical tower crane is installed on a top of a mast, a tie-free jib is provided to be extended by a counter jib rearward of a connection point of it to the top of the mast, and an end part of the counter jib is connected to a bogie truck element of the crane by a rear tie.例文帳に追加

自動直立タワークレーンが、マストの頂部に取り付けられ、カウンタージブによって、マストの頂部に対するその接続ポイントの後方に向かって、延長される、タイフリーのジブを有し、カウンタージブの端部が、後部タイによって、クレーンのボギートラック要素に接続される。 - 特許庁

This inductance element 13b has high performance of attenuation characteristics exceeding attenuation characteristics of a conventional article which do not have the copper foil 23 having the terminal 21 for ground connection, and can be made compact on the whole by making the magnetic material core 14b smaller.例文帳に追加

このインダクタンス素子１３ｂの場合、減衰特性は接地接続用端子２１を有する銅箔２３を持たない従来品の減衰特性を上回る高性能なものとなり、且つ磁性体コア１４ｂを小さ目にして全休の小型化も図り得る。 - 特許庁

The headphone 1 is provided with input-output terminal receiving parts 44 and 45 for an analog signal line and has a slot (external storage element mounting part)27 for a memory stick for fetching music data to the hard disk player 12, a terminal connection receiving part 23 for a USB cord or the like.例文帳に追加

ハードフォン１はアナログ信号ライン用入、出力端子受け部４４、４５を備えると共に、ハードディスクプレーヤー１２に音楽データを取り込むためのメモリースティック用スロット（外部記憶素子装着部）２７、ＵＳＢコード用端子接続受け部２３などを有する。 - 特許庁

In the analog capacitive element added to a DRAM cell part, a lower electrode 5 is formed with a gate electrode 4, the side wall insulating film 9 of a connection hole with a capacity insulating film 10 and an upper electrode 12 with a bit line by common materials/patterning.例文帳に追加

ＤＲＡＭセル部に対して、付け加わるアナログ容量素子を、下部電極５はゲート電極４と、接続孔の側壁絶縁膜９は容量絶縁膜１０と、上部電極１２はビット線と、それぞれ共通の材料・パターニングにより作製する構造とする。 - 特許庁

The wire terminal 10 comprises a terminal mounting section 12 having a mooring element 24 mechanically mounted to a terminal component, a wire connection 14 having a flat crimp element 30 having slots connected to the wire, a wire retention 16 having first and second retention elements 36, 40 for retaining the wire between both while the wire is bent nearly at right angle.例文帳に追加

電線端子１０は、端末部品に機械的に取り付けられる係留要素２４を有する端末取付部１２と、電線に接続されるスロット付き平板状の圧接要素３０を有する電線接続部１４と、両者間に電線を略直角に曲折させた状態で保持する第１及び第２保持要素３６、４０を有する電線保持部１６とを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a microelectronic device which has a top surface wide enough to make excellent electric connection between a first electric element and a second electric element distributed to a first layer and a second layer stacked one over the other on a substrate, and also has an interconnection having a cross section small enough not to cause damage due to thermal expansion.例文帳に追加

基板上に上下に積層された第１の階層と第２の階層とにそれぞれ分配された第１の電気素子と第２の電気素子との間の良好な電気的接続を可能にするほどに広い上面を有し、かつ熱膨張に伴う損傷を生じないほどに小さな断面を有する相互配線を備えたマイクロ電子デバイスを製造する方法を提供する。 - 特許庁

The connection switching part 16 switches the switching state to a first state where the electrical potential controller 15 and the pair of reception electrodes are connected in a transmission period where a ultrasonic wave is transmitted from the transmission element 21, and switches the switching state to a second state where the electrical potential controller 15 and the pair of reception electrodes are disconnected in a reception period where the ultrasonic wave is received at the reception element 31.例文帳に追加

接続切換部１６は、送信素子２１から超音波が送信される送信期間において、電位制御部１５と一対の受信電極とが接続される第一状態に切り換え、受信素子３１で超音波が受信される受信期間において、電位制御部１５と一対の受信電極とが切断される第二状態に切り換える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can minimize cross talk noise caused by a high speed switching semiconductor element in the semiconductor device in which a portion of an external connection terminal arranged in a standing state on a rewiring part electrically connected to an electrode terminal which is formed in the electrode terminal forming surface of the semiconductor element is extended along the rewiring part.例文帳に追加

半導体素子の電極端子形成面に形成された電極端子と電気的に接続されている再配線部に立設された外部接続端子の一部が、再配線部に沿って延在されている半導体装置において、スイッチング速度が高速の半導体層を搭載した場合に発生するクロストークノイズを可及的に減少し得る半導体装置を提供する。 - 特許庁

The circuit device 1 comprises: an insulating base material 4 composed of a resin layer 36 filled with a fibrous filler 35; projection parts 11, 12, 13 and 14 provided on the insulating base material 4 and functioning as electrodes for connection; the semiconductor element 2 to be flip-chip mounted; and under fill 29 filled between the semiconductor element 2 and the insulating base material 4.例文帳に追加

本発明の回路装置１は、繊維状充填材３５が充填された樹脂層３６から成る絶縁基材４と、絶縁基材４に設けられて接続用の電極として機能する突出部１１、１２、１３、１４と、フリップチップ実装される半導体素子２と、半導体素子２と絶縁基材４との間に充填されるアンダーフィル２９とを具備する。 - 特許庁

A lithium secondary battery is provided in which at least a part of connection between a collector and a battery terminal is made through the current breaking element, in the one including the current breaking element usable for the secondary battery made of resin mold body with a conductive path formed deforming between 105 and 130°C, a negative electrode, a positive electrode, a separator and nonaqueous electrolyte solution.例文帳に追加

導電路が形成された１０５〜１３０℃の間で熱変形を起す樹脂成形体からなる二次電池に使用可能な電流遮断素子、および負極、正極、セパレ−タ−および非水電解液を含むリチウム二次電池において、集電体と電池端子の接続の少なくとも１部が前記電流遮断素子を介して行われているリチウム二次電池。 - 特許庁

To prevent a solder connection place from being broken owing to a difference in coefficient of thermal expansion from a holder interposed between the lead pins and printed board of a display element when the display element held on the holder is electrically connected to the printed board.例文帳に追加

ホルダ上に保持される表示素子をプリント基板に電気的に接続する際、簡単な構成でありながら表示素子に設けたリードピンをプリント基板に設けたリードピン挿通孔に位置合わせを良好にしつつ、表示素子のリードピンとプリント基板との間に介在されるホルダとの熱膨張率の違いによる半田接続箇所の破損を予防することのできる表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In an overcurrent tripping element of a circuit breaker, in order to prevent that variations in the operating time of the overcurrent tripping occurs since the degree of curving changes caused by a temperature rise in the bimetal 8, a gauge 12 which shows a connection position with the flexible copper wire 7 is installed at the overcurrent tripping element 9, and the welding position of the bimetal and the flexible copper wire is restricted.例文帳に追加

本発明に係る回路遮断器の過電流引き外し素子では、バイメタル８の温度上昇値によって湾曲の度合いが変化して、過電流引き外しの作用時間にばらつきが出てしまうのを防ぐために、過電流引き外し素子９に、可撓銅線７との接続位置を示すゲージ１２を設け、バイメタルと可撓銅線との溶接位置を限定したことを特徴とする。 - 特許庁

This electric connection device 600 has the organic electroluminescent element and a connector 700 for electrically connecting the second substrate 50 to the electrode inside the first substrate 121 having the electrode connected to the organic electroluminescent element, and a connector terminal 710 of the connector 700 is electrically connected to the electrode of the first substrate 121 by ultrasonic welding.例文帳に追加

有機電界発光素子と有機電界発光素子に接続された電極を有する第１基板１２１の内の電極に対して、別の第２基板５０を電気的に接続するためのコネクタ７００を有する電気的接続装置６００であり、第１基板１２１の電極に対して、コネクタ７００のコネクタ端子７１０が超音波溶接により電気的に接続されている。 - 特許庁

In the semiconductor device including an N-type MOS transistor 701 for an internal element and a P-type MOS transistor 711 for an internal element provided in an internal circuit region and an N-type MOS transistor 721 for ESD protection provided between an external connection terminal and the internal circuit region, a gate electrode of the N-type MOS transistor 721 for ESD protection is formed of P-type polysilicon.例文帳に追加

内部回路領域に内部素子のＮ型ＭＯＳトランジスタ７０１と内部素子のＰ型ＭＯＳトランジスタ７１１を有し、外部接続端子と前記内部回路領域との間にＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタ７２１を有する半導体装置において、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタ７２１のゲート電極はＰ型のポリシリコンにより形成した。 - 特許庁

In a direction perpendicular to an optical axial direction of laser light projected from a semiconductor laser element 1, the mount 10 of the semiconductor laser element 1 in a first lead 2 has a portion overlapping with a second lead 3, and holds the first lead 2 and the second lead 3 integrally by a resin member 5 so that the first lead 2 and the second lead 3 do not come into electrical connection.例文帳に追加

半導体レーザ素子１が出射するレーザ光の光軸方向と直交する方向において、第１リード２における半導体レーザ素子１の搭載部１０が、第２リード３と重なっている部分を有すると共に、第１リード２と第２リード３とが電気接続しないように、第１リード２と第２リード３とを樹脂部材５で一体に保持する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a package substrate for mounting a semiconductor element which is capable of making a fine and adhesive external circuit because undercut hardly occurs, improving a yield by suppressing adhesion of resin powder when an insulation layer is laminated, and ensuring reliability of connection with the semiconductor element because unevenness is hardly generated on a surface of the external circuit.例文帳に追加

アンダーカットが生じ難いことにより微細で密着力のある外層回路が形成可能であり、絶縁層と積層する際の樹脂粉の付着を抑制することにより歩留まり向上が可能であり、外層回路表面の凹凸が生じ難いことにより半導体素子との接続信頼性を確保可能な半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A superconducting lead wire 8 from a detection coil 7 is soldered to the superconducting connection 9 of a superconducting connecting substrate 10 for relay, and the input coil pad 1a of the SQUID element 1 and the superconducting connecting substrate 10 are connected with each other by bonding wires 11, and the output of the SQUID element 1 is connected to the detection circuit of a substrate 14 by Al bonding wires 13.例文帳に追加

検出コイル７からの超電導線８を、中継用の超電導接続基板１０の超電導接続部９にハンダ付けを行ない、ＳＱＵＩＤ素子１の入力コイルパッド１ａと超電導接続基板１０を超電導ボンディングワイヤ１１で接続し、ＳＱＵＩＤ素子１の出力を基板１４の検出回路に、Ａｌボンディングワイヤ１３で接続する。 - 特許庁

In the space light modulator 1 including a light modulating element 50 with pixels 4 two-dimensionally arranged, the light modulating element 50 has two spin injection light modulating elements 5 and 6 made to face the sides of respective magnetization inversion layers 53 and 63 sandwiching a connection layer 55, made of a non-magnetic metal and respective magnetization fixation layers 51 and 61 have magnetization directions fixed to be anti-parallel to each other.例文帳に追加

２次元配列された画素４に光変調素子５０を備える空間光変調器１であって、光変調素子５０は、２つのスピン注入光変調素子５，６を、それぞれの磁化反転層５３，６３の側を対向させて非磁性金属からなる接続層５５を挟んで備え、それぞれの磁化固定層５１，６１はその磁化方向が互いに反平行に固定される。 - 特許庁

The semiconductor device comprises first and second wiring resin films 3, 3a between which a semiconductor element 1 is to be put, wiring patterns 4, 4a which are respectively formed on the exposed surfaces of the first and second wiring resin films 3, 3a between which the semiconductor element 1 is put, and external connection terminals 8 formed on the exposed surface of the wiring patterns of the second wiring resin film 3a.例文帳に追加

半導体素子１を挟み込む第１及び第２の配線用樹脂フィルム３、３ａと、前記半導体素子を挟み込んだ第１及び第２の配線用樹脂フィルムの露出した表面にそれぞれ形成された配線パターン４、４ａと、前記第２の配線用樹脂フィルムの配線パターンの露出した表面に形成された外部接続端子８とを有する。 - 特許庁

The resin 11 is filled into a gap S between the first semiconductor element 5 and the second semiconductor element 9 while a protuberance 16, projected from at least one side of the opposing surfaces 5a, 9a against the other surface so as to occupy one part in the height direction of the gap S, is arranged in a region at the outside of a connecting region 14 having the bump connection 10.例文帳に追加

第１の半導体素子５と第２の半導体素子９との隙間Ｓには樹脂１１が充填され、かつそれらの対向面５ａ、９ａの少なくとも一方から他方に向けて突出させると共に、隙間Ｓの高さ方向の一部を占有する突起１６が、バンプ接続体１０を有する接続領域１４より外側の領域に配置されている。 - 特許庁

The cooler 30 has one heat pipe 40 with coolant passages formed inside, and including a first cooling part 40A for cooling the first heat generating element, a second cooling part 40B for cooling the second heat generating element, and a blocking part 43d for blocking the connection between the coolant passages of the first cooling part 40A and the coolant passages of the second cooling part 40B.例文帳に追加

冷却装置３０は、冷媒通路が内部に形成された１本のヒートパイプ４０であって、第１発熱体を冷却するための第１冷却部４０Ａと、第２発熱体を冷却するための第２冷却部４０Ｂと、第１冷却部４０Ａの冷媒通路と第２冷却部４０Ｂの冷媒通路との連通を封止する封印部４３ｄとを含むヒートパイプを有する。 - 特許庁

This caseless resistor comprises a resistor elements, formed to have a prescribed resistance value and connecting terminals that are respectively connected to both ends of the resistor element, wherein the resistor element and each part of the connection terminals, from which a part near the end for fixing to a substrate is excluded, are coasted only with cement but are not coated with insulating paint or an insulating case.例文帳に追加

所定の抵抗値をもつように形成された抵抗素子と、該抵抗素子の両端部にそれぞれ接続された接続端子とからなる抵抗器であって、前記抵抗素子と、接続端子の基板に固定する側の端部近傍を除く部分を、絶縁塗料又は絶縁ケースで覆うことなくセメントのみで被覆したことを特徴とするケースレス型抵抗器。 - 特許庁

A switching circuit 21, having a MOSFET 9, is provided with a light-emitting element 6 that is lighted or put out in response to an input signal and with an avalanche photodiode array 7 consisting of a single avalanche photodiode or more in series connection, receiving a light from the light-emitting element 6 and connected between a gate G and a drain D of the MOSFET 9.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ9 を有するスイッチ回路21は、入力信号に応答して点灯若しくは消灯する発光素子6 と、発光素子6 からの光を受光する１個又は直列接続された複数個のアバランシェフォトダイオードから成るアバランシェフォトダイオードアレイ7 であって、ＭＯＳＦＥＴ9 のゲートG とドレインD との間に接続されるアバランシェフォトダイオードアレイ7 とを備えて成る。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor element 11 having bumps 12 formed at least on the surface, a resin layer 13 sealing the surface of the semiconductor element 11 on which the bumps 12 are formed such that the forward end part of the bump 12 projects, and protrusion electrodes 90 for external connection formed at the forward end part of the bumps 12 projecting from the resin layer 13.例文帳に追加

少なくとも表面上にバンプ１２が形成されてなる半導体素子１１と、このバンプ１２の先端部が突出するように半導体素子１１のバンプ１２が形成された面を封止する樹脂層１３と、この樹脂層１３から突出したバンプ１２の先端部に形成された外部接続用突起電極９０とを具備し、かつ、外部接続用突起電極９０をバンプとする。 - 特許庁

The area separating part 4 divides the image into plural blocks in order to process area separation, obtains the feature quantities of a frequency area and a real space area in each block, connects the two feature quantities and judges to which one of plural characteristic areas being mutually different in characteristic at least one partial element in the block belongs based on a connection feature quantity which is obtained as the result of connection.例文帳に追加

領域分離部４は、いわゆる領域分離処理のために、前記画像を複数のブロックに分割し、該各ブロックの周波数領域および実空間領域の特徴量を求め、該２つの特徴量を結合して、結合の結果得られる結合特徴量に基づき、該ブロック内の少なくとも一部分素が、特性が相互に異なる複数の特性領域のうちのいずれに属するかを判断する。 - 特許庁

ESD protection of an output circuit is performed by connecting an ESD protection diode to an external connection terminal receiving an output of an external output circuit in a semiconductor device and also by individually arranging a resistive element as an ESD protection resistance between each output terminal of a plurality of output transistors driven in parallel by an output control signal and the external connection terminal in the external output circuit.例文帳に追加

半導体装置における外部出力回路の出力を受ける外部接続端子にＥＳＤ保護用ダイオードを接続すると共に、前記外部出力回路には、出力制御信号によって並列的に駆動される複数の出力トランジスタの出力端子と前記外部接続端子との間に個別にＥＳＤ保護抵抗としての抵抗素子を配置して、出力回路のＥＳＤ保護を行う。 - 特許庁

This portable telephone 1 includes an operation part side case 2 having a connection part 100 for connecting the outside with the inside, a circuit 70 disposed in the operation part side case 2, a reference potential part 75 disposed in the operation part side case 2, and a conductive antenna element 60 disposed opposite to the connection part 100 and electrically connected to the reference potential part 75.例文帳に追加

本発明の携帯電話機１は、外部と内部とを連通させる連通部１００を備えた操作部側筐体２と、操作部側筐体２の内部に配置される回路部７０と、操作部側筐体２の内部に配置される基準電位部７５と、連通部１００に対向して配置されるとともに、基準電位部７５に電気的に接続される導電性のアンテナエレメント６０と、を備える。 - 特許庁

The high-frequency circuit includes a transmission circuit TX, a reception circuit RX, a transmission terminal 1 connected to an antenna ANT, a reception terminal 3, and an antenna terminal 2 and switches the connection between the transmission circuit TX and the antenna ANT and the connection between the antenna ANT and the reception circuit RX, and is installed with an inductive element 13 between the antenna terminal 2 and the ground level.例文帳に追加

送信回路ＴＸ、受信回路ＲＸ及びアンテナＡＮＴに接続される送信端子１、受信端子３及びアンテナ端子２を有し、前記送信回路ＴＸと前記アンテナＡＮＴとの接続及び前記アンテナＡＮＴと前記受信回路ＲＸとの接続を切り換える高周波回路において、前記アンテナ端子２とグランド電位との間にインダクタンス素子１３を配置した。 - 特許庁

A preferable manufacturing method for the switched-connection element is when forming an antiferromagnetic thin film layer, to heat a substrate up to a specified temperature preset so as to form the regular phase of the Mn-Ir alloy, and to apply annealing treatment to it after the antiferromagnetic thin film layer has been formed.例文帳に追加

上記交換結合素子の好適な製造方法としては、反強磁性薄膜層を形成する際に、基板を、Mn-Ir合金の規則相を形成するために予め定めた所定の基板温度となるように加熱し、かつ反強磁性薄膜層の形成後に、アニール処理を行う。 - 特許庁

To provide a multilayer piezoelectric element including a unit stack in which multilayer piezoelectric units (referred to as simply unit) are stacked on one another, capable of maintaining an electrical connection between first exterior unit electrodes or between second exterior unit electrodes in a good condition, even if the unit is extended and contracted, and capalbe of preventing short circuiting.例文帳に追加

積層型圧電ユニット（以下、単にユニットともいう）を積み重ねたユニット積層体を含み、ユニットが伸縮しても、第１外側ユニット電極同士、あるいは第２外側ユニット電極同士間の導通を良好に維持し、かつ短絡も防止できる積層型圧電素子を提供する。 - 特許庁

Some the elements of these functional elements 7, 11 are movably connected to the carrier panel 9 by connection and guide means 65, 67 guiding the functional element from a first pre-mounting position to a second operating action position along a motion guided relating to the carrier panel 9.例文帳に追加

本発明によれば、これらの機能要素（７、１１）のいくつかの要素は、機能要素をキャリア・パネルに対して案内される運動に沿って、第１の前取付け位置から第２の作動動作位置まで導く結合および案内手段（６５、６７）によって可動的にキャリア・パネル（９）に結合される。 - 特許庁

To provide a bonding wire for a semiconductor element and its manufacturing method which can synthetically improve a junction property of a wedge junction part or a fatigue characteristic, a suppression of a wire flow, or a leaning property of a ball upright part in order to materialize a narrow pitch connection, and moreover has industrially excellent mass production.例文帳に追加

狭ピッチ接続を実現するために、ウェッジ接合部の接合性あるいは疲労特性、ワイヤ流れの抑制、ボール直立部のリーニング性、等が総合的に改善でき、しかも工業的に量産性にも優れた、半導体素子用ボンディングワイヤ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Switching command means 53 of a control part 50 transmits a switching signal to a data write part 40 in predetermined write timing of the position data relative to the image data so as to switches a connection source of an analog signal from the side of the image pickup element 10 to the side of the position sensor 20.例文帳に追加

制御部５０の切り替え指令手段５３は、画像データに対する位置データの所定の書き込みタイミングで、データ書込部４０に対して、アナログ信号の接続元を、撮像素子１０側から位置センサ２０側に切り替えるように切り替え信号を送信する。 - 特許庁

The method comprises a step of transferring elements 1 to an adhesive-coated transfer board en bloc which are to be diced on a dicing sheet with connection terminals 11 formed on the surface facing a non-dicing sheet, and a step of picking up each element 1 from the transfer board to mount it on a circuit board 2.例文帳に追加

ダイシングシート上でダイシングされると共に非ダイシングシート側の面に接続端子１１が形成された素子１を、接着剤が塗布された転写基板に一括して転写する工程と、上記転写基板から各素子１をピックアップして回路基板２上に実装する工程とを含む。 - 特許庁

The EL module 1 is provided with an EL panel 2 equipped with an EL element part 21 and its electrode extraction part 22, an electric power supply part 3 having conductors 31 for feeding power to the EL panel 2, and connection electrodes 4 for connecting the electrode extraction part 22 and the conductors 31.例文帳に追加

ＥＬモジュール１は、ＥＬ素子部２１とその電極取り出し部３とを有するＥＬパネル２と、ＥＬパネル２に給電するため導電体３１を持つ電気供給部３と、電極取り出し部３と導電体３１とを接続するための接続電極４とを備える。 - 特許庁

The flow passage 17 is formed in a part of an upper surface of an inner wall 22 to communicate the fuel inflow port 13 with the inside 16 of the filter element 15, and it is closed with an upper cover part 20 from which a connection pipe 26 having the fuel outflow port 14 at an upper part is protruded.例文帳に追加

流路１７は、内壁２２の上面の一部に、燃料流入口１３とフィルタエレメント１５の内側１６とを連通するように形成され、上部に前記燃料流出口１４を有する接続管２６が突出する上部蓋部２０により閉塞される。 - 特許庁

According to such a constitution, when the wire bonding or the like is carried out on the upper electrode layer employing a wire, damage generated on the connection between the wire and the upper electrode layer will not affect whereby the highly reliable nitride semiconductor laser element can be realized without generating the leak path of current.例文帳に追加

このような構成によると、上部電極層上にワイヤを用いてワイヤボンディングなどを実施した場合、ワイヤと上部電極層との接合部発生するにダメージの影響を受けず、電流のリークパスが発生することのない、信頼性の高い窒化物半導体レーザ素子を実現できる。 - 特許庁

And then, a position and size designating portion 73 of the mask image information preparing program 70 conducts the position designation and the size designation to display each selected element image in connection with the position and the size of a notice image area to be noticed in the original image.例文帳に追加

そして、マスク画像情報作成プログラム７０の位置及び大きさ指定部７３が、原画像において着目されるべき着目像領域の位置及び大きさと関連付けて、選択された要素画像それぞれを表示させる位置指定及び大きさ指定を行う。 - 特許庁

The pyroelectric type infrared detector has on a base a pyroelectric type infrared sensor element 1, a FET 2, a resistor 3, a resistor for coping with high frequency noise, and a capacitor 4, and performs electrical connection using conductive adhesive resistant to a re-flow temperature of about 260°C and solder.例文帳に追加

焦電型赤外線検出器は、焦電型赤外線センサ素子１、ＦＥＴ２、抵抗３、高周波ノイズ対策用の抵抗、コンデンサ４が、ベース上に搭載され、約２６０℃のリフロー温度に耐え得る導電性接着剤、及び、はんだにて電気的接続を行っている。 - 特許庁

Then the semiconductor 1 is brought into contact with the frame body 4 to determine the position of the semiconductor element 1 with respect to the lead frame 2, and also suspended and supported by the lead frame 2 by being bonded with the frame body 4 and electric connection part 5 interposed.例文帳に追加

そして、前記半導体素子１の前記枠体４への当接によって当該半導体素子１の前記リードフレーム２に対する位置が定まり、前記枠体４および前記電気接続部５を介在させた接合により前記半導体素子１が前記リードフレーム２に吊り下げ支持されるようにする。 - 特許庁

To provide a droplet ejection head where preventing such a problem as to generate separation due to the obtained insufficient connection strength for a flexible substrate when especially connecting a drive circuit part and a drive element with the flexible substrate, and a droplet ejection apparatus equipped with this droplet ejection head.例文帳に追加

特に駆動回路部と駆動素子とをフレキシブル基板で接続した場合に、フレキシブル基板について十分な接続強度が得られず、これにより剥離が生じるなどの不都合を防止した、液滴吐出ヘッド、及びこの液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置を提供する。 - 特許庁

Conductive wirings 5 and 7, external connection terminals 10 and insulation films 4, 6 and 9 common to two semiconductor elements 1 are arranged on the circuit forming plane 12 of a semiconductor element group 11 consisting of the two semiconductor elements 1 not separated mechanically from each other and then they are packaged.例文帳に追加

導電性配線５、７、外部接続用端子１０及び２個の半導体素子１に共通の絶縁性膜４、６、９を、機械的には互いに分離されてはいない２個の半導体素子１からなる半導体素子群１１の回路形成面１２上に配置し、パッケージングする。 - 特許庁

In the storage space 5i of the package 5, the light emitting element 2, a first circuit board 11 with a first wiring circuit, a second circuit board 12 with a second wiring circuit, and a connection board for electrically connecting the first and second wiring circuits are provided.例文帳に追加

パッケージ５の収容空間５ｉには、発光素子２と、第１の配線回路が形成された第１の回路基板１１と、第２の配線回路が形成された第２の回路基板１２と、前記第１の配線回路と前記第２の配線回路を電気的に接続する接続基板１３と、を備える。 - 特許庁

The high-frequency module 21 has at least one of the antenna ports ANT1, ANT2 and external connection ports EXT1, EXT2, and two reception signal transmission paths differently having one main switching element between the reception ports Rx1 and Rx2.例文帳に追加

高周波モジュール２１は、アンテナ用ポートＡＮＴ１，ＡＮＴ２や外部接続用ポートＥＸＴ１，ＥＸＴ２の少なくともいずれか１つのポートと、受信用ポートＲｘ１およびＲｘ２との間に、１つの主スイッチング素子をそれぞれ別々に有する２つの受信信号伝送経路を有している。 - 特許庁

To provide a battery capable of preventing overcharging or the like by constituting an external insulating plate 7 with a negative temperature characteristic member such as NTC thermistor, without externally fitting an element component of the negative temperature characteristic member outside the battery nor housing it inside a battery vessel for connection.例文帳に追加

外部絶縁板７をＮＴＣサーミスタ等の負温度特性部材で構成することにより、この負温度特性部材の素子部品を電池の外部に外付けしたり、電池容器内部に収納して接続することなく、過充電等を防止することができる電池を提供することを目的とする。 - 特許庁