「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

At least one of the source region 106 and the drain region 106 has a second face for coming into contact with contact wiring; the second face inclines with respect to a first face AA' and intersects with the surface of the element isolation region at not higher than 80 degrees.例文帳に追加

ソース領域１０６およびドレイン領域１０６の少なくとも一方は、コンタクト配線と接触するための第２の面を有し、第２の面は、第１の面ＡＡ’に対して傾いており、第２の面は、素子分離領域の表面と８０度以下の角度で交差する。 - 特許庁

Second silicon layers 5 under bird's beaks in the LOCOS oxide film 7 which are brought into contact with a source region 9 and a drain region 11 except for the first silicon layers 21 under bird's beaks have the same conduction types as the source region 9 and the drain region 11 and have thinner impurity concentrations compared to those of the source region 9 and the drain region 11.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ酸化膜７のバーズビーク下のシリコン層であってソース領域９及びドレイン領域１１と接し、かつ第１バーズビーク下シリコン層２１を除く位置の第２バーズビーク下シリコン層５はソース領域９及びドレイン領域１１と同じ導電型でソース領域９及びドレイン領域１１よりも薄い不純物濃度で形成されている。 - 特許庁

The interlayer insulating film 7 has a contact hole 8' that reaches the surface of a drift region 12 passing through the interior of the opening 8 in the gate electrode 9, and part of the upper wiring 6 makes contact with the surface of the drift region 12 via the contact hole 8' to serve as a Schottky electrode.例文帳に追加

この層間絶縁膜７は、ゲート電極９の開口部８の内部を通ってドリフト領域１２の表面に達するコンタクトホール８’を有し、上部配線６の一部は、コンタクトホール８’を介してドリフト領域１２の表面に接触し、ショットキー電極として機能する。 - 特許庁

The oxygen sensor element has a contact portion 100 that includes a region of contact between an inner surface 102 and the heater 19 and an opposed region including an outer surface 101, and the measuring electrode 11 is formed so as to include at least part of the contact portion 100.例文帳に追加

内側面１０２とヒータ１９とが接触する領域及びこの領域と対向する外側面１０１とを含む領域とよりなる接触部１００を有しており、かつ測定電極１１は接触部１００の少なくとも一部を含むように形成されている。 - 特許庁

A contact region 9 and the contact region 16 have an engraved or carved projected part of a conductive material of a casing constituent component and the projected part compensates for the thickness of the material of the surface coating only on the contact surface and the casing constituent components come into abutment with one another, respectively, on a flat surface.例文帳に追加

接触部位９，１６が、ケーシング構成部品の伝導性材料に刻印または打印された隆起部を有し、該隆起部が接触面でのみ表面被覆の材料厚さを補償して、ケーシング構成部品がそれぞれ平らな面の上で互いに当接する。 - 特許庁

In neither the contact hole for a source nor a source cell at its peripheral part, a body contact region to be at the substrate potential is provided, a body contact region 14 is provided outside the source cell, and another electrode 15 is extended from the source electrode.例文帳に追加

ソース用コンタクトホール内及びその周辺部であるソースセルの内部には基板電位をとるためのボディコンタクト領域が設けられずにソースセルの外部においてボディコンタクト領域１４が設けられ、ボディコンタクト領域１４から、ソース電極とは別の電極１５が延設されている。 - 特許庁

Physical quantity generated in at least one of a contact region of the rugged surface model or a contact region of the structural body model is calculated (step S105) and is acquired (step S106) by bringing the rugged surface model and the structural body model into contact with each other (step S104).例文帳に追加

次に、前記凹凸表面モデルと前記構造体モデルとを接触させ（ステップＳ１０４）、前記凹凸表面モデルの接触領域、又は前記構造体モデルの接触領域のうち少なくとも一方に生ずる物理量を計算し（ステップＳ１０５）、取得する（ステップＳ１０６）。 - 特許庁

Since the contact surface 25 is formed into the certain shape in the plate thickness direction by the plural outer edge surfaces continued in the plate thickness direction by the close folding back, the whole region of the contact surface 25 functions as an effective contact region with the conductive path.例文帳に追加

接触面２５は、密着折り返しにより板厚方向に連なった複数の外縁面２３Ａ，２４Ａにより板厚方向において一定形状に形成されているので、その接触面２５の全領域が導電路３２との実効接触領域として機能する。 - 特許庁

Erosion is generated in a comparatively dense contact hole forming area by forming a comparatively dense contact hole in one region in the interlayer insulating film, forming a comparatively coarse contact hole in the other region, and implementing CMP to the surface of the interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜中の一方領域においてコンタクトホールを比較的密に形成し、他方領域においてはコンタクトホールを比較的疎に形成して、層間絶縁膜の表面にＣＭＰを施すことにより、比較的密なコンタクトホールの形成部分にエロージョンを発生させる。 - 特許庁

A non-contact region A1, which will not contact the internal periphery 20a of the frame 19, is formed at the external periphery 15 of the stator core 5, corresponding to the ring-shaped recess 16, and a pair of press-insertion regions B1, B2 are formed on both sides with the non-contact region A1, interposed therebetween in the axial direction Z1.例文帳に追加

環状凹部１６に対応するステータコア５の外周１５には、フレーム１９の内周２０ａと非接触となる非接触領域Ａ１が形成されており、非接触領域Ａ１を軸方向Ｚ１に挟んだ両側には、一対の圧入領域Ｂ１，Ｂ２が形成されている。 - 特許庁

The test circuit includes: a contact chain 50 which contains a plurality of serially-connected contact resistances R; transistors TR in which a source region 17a is electrically connected to a connection point P of the adjacent contact resistances R; and a fuse 22 whose one end is electrically connected to a drain region 17b.例文帳に追加

直列に接続された複数のコンタクト抵抗Rを含むコンタクトチェーン５０と、隣り合うコンタクト抵抗Rの接続点Pに、ソース領域１７ａが電気的に接続されたトランジスタTRと、ドレイン領域１７ｂに一端が電気的に接続されたヒューズ２２とを有する試験回路による。 - 特許庁

In an upper layer of the N-type region 5a, an N-type doped silicon film 11 having an impurity concentration higher than the N-type region 5a and equivalent to those of the N-type regions 6, 8 is formed in contact with the N-type region 5a.例文帳に追加

Ｎ型領域５ａの上層には、不純物濃度がＮ型領域５ａより高く、Ｎ型領域６，８と同程度のＮ型ドープトポリシリコン膜１１がＮ型領域５ａに接触して形成されている。 - 特許庁

In a GGnMOS transistor PT, an n^+ drain region DR brought into a first n^- high pressure use impurity region HNDF has the whole of its lower end central part LC in contact with a p-type well region HPW.例文帳に追加

ＧＧｎＭＯＳトランジスタＰＴにおいて、第１のｎ^-高圧用不純物領域ＨＮＤＦに取り囲まれたｎ^+ドレイン領域ＤＲの下端中央部ＬＣの全体がｐ型ウエル領域ＨＰＷと接している。 - 特許庁

An n^- type impurity region 7 is formed at the inner side (channel side) of a part situated, at the end part of the source region 4 or the drain region 5 from among the layer 6, so as to come into contact with the end part of the layer 6.例文帳に追加

また、ｐ^-型拡散層６のうちソース領域４又はドレイン領域５の端部に位置する部位の内側（チャネル側）に、ｐ^-型拡散層６の端部に接するようにｎ^-型不純物領域７を形成する。 - 特許庁

At the surface layer part of the epitaxial layer 3, an N^+ type source region 9 and a body contact region 10 which penetrates the center part of the N^+ type source region 9 along the layer thickness are formed between mutually adjacent trenches 6.例文帳に追加

エピタキシャル層３の表層部には、互いに隣り合うトレンチ６間において、Ｎ^+型のソース領域９、およびソース領域９の中央部を層厚方向に貫通するボディコンタクト領域１０が形成されている。 - 特許庁

To prevent deterioration of reliability caused by the direct contact of a silicon nitride film with the surface of the source/drain region of a high breakdown voltage transistor of a peripheral circuit region, with the composition forming the silicon nitride film in a memory cell region.例文帳に追加

メモリセル領域にシリコン窒化膜を形成する構成で、周辺回路領域の高耐圧トランジスタのソース／ドレイン領域の表面に直接シリコン窒化膜が接することで信頼性が劣化するのを改善する。 - 特許庁

One part of the P-type collector region 303a is a part other than the part flat with the upper surface of a silicon substrate 301 and a part in contact with the drain region 306b in the collector region 303a.例文帳に追加

Ｐ型コレクタ領域３０３ａの一部分は、コレクタ領域３０３ａのうちシリコン基板３０１の上面と面一である部分およびドレイン領域３０６ｂに接している部分以外の部分である。 - 特許庁

A strong adhesive region 5 is provided on a face opposite to the face in contact with a frame 4 of a screen 2, along at least one long side of the pattern region 3, slightly separated from the boundary of the pattern region 3.例文帳に追加

スクリーン２の枠４に接している面とは反対側の面に、少なくともパターン領域３の長辺の１つに沿って強粘着領域５がパターン領域３の境界から若干離間して設けられている。 - 特許庁

In the second resist patterning step, a second resist pattern 12 having an opening pattern 112 in the first region R1 of the contact hole formation region, and having a third opening pattern 112 in the second region R2 is formed.例文帳に追加

第２のレジストパターン形成工程では、コンタクトホール形成領域の第１の領域Ｒ１に開口パターン１１２を有し、第２の領域Ｒ２に第３の開口パターン１１２を有する第２のレジストパターン１２を形成する。 - 特許庁

A p-well region 12, a source region 13, and a p^+ contact region 15 are formed as the ion implanting layer by conducting the ion implantation after growth of an epitaxial growth layer 11 on a 4H-SiC substrate 10.例文帳に追加

４Ｈ−ＳｉＣ基板１０の上にエピタキシャル成長層１１を成長させた後、イオン注入を行なって、イオン注入層であるｐウェル領域１２，ソース領域１３，ｐ^＋コンタクト領域１５を形成する。 - 特許庁

An isolation insulating film 26 is formed so that an active region of a first access transistor TrA1 and a substrate contact region Rsub can be integrated with each other in a plan view.例文帳に追加

第１のアクセストランジスタＴｒＡ１の活性領域と基板コンタクト領域Ｒｓｕｂが平面視して一体になるように分離絶縁膜２６を形成する。 - 特許庁

In an isolation region making contact with a P-type impurity layer P13 functioning as the drain region of a PMOS transistor QP1 in a Y-direction, an FTI structure is adopted.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタＱＰ１のドレイン領域として機能するＰ型不純物層Ｐ１３にＹ方向で接する分離領域には、ＦＴＩ構造が採用される。 - 特許庁

By making the sea-island structure in this way, the contact area between the region containing the first phosphor and the region containing the second phosphor is reduced.例文帳に追加

このように海島構造にすることにより、第１の蛍光体を含有する領域と第２の蛍光体を含有する領域の接触面積が低減される。 - 特許庁

The drive surface may have a cone-shape annular surface on the inside surface of the elastic body, and the dust collecting hole may be provided on a region having an inner diameter larger than the contact region.例文帳に追加

また、駆動面は、弾性体の内面においてすり鉢状の環状面を有し、集塵穴は、内径が接触領域より大きい領域に設けられてもよい。 - 特許庁

In a power MOS transistor 31, a drain lead-out region 49 is formed in a surface of a drain region 41 fitting to the width of a contact hole 48.例文帳に追加

パワーＭＯＳトランジスタ３１では、ドレイン領域４１の表面にドレイン導出領域４９をコンタクトホール４８の幅に合わせて最小限に形成されている。 - 特許庁

After a gate electrode 4a is formed, an RIE process is so carried out that a region for forming a contact hole 5 becomes a projected smooth surface in the active region 3.例文帳に追加

ゲート電極４ａを形成した後に、活性領域３のコンタクトホール５を形成する領域の表面を上に凸の滑らかな表面となるようにＲＩＥ加工する。 - 特許庁

The first suction side region (45) is made lower than the portion of the first suction side region (45) in the first sidewall face (42), so that it does not contact with a gate (51) of the gate rotor (50).例文帳に追加

第１吸入側領域（45）は、第１側壁面（42）のうち第１吸入側領域（45）の部分より低くなっており、ゲートロータ（50）のゲート（51）と接触しない。 - 特許庁

Thus, connection between the board and the integrated circuit die is not performed in the region that does not have any contact, that is, a region to which stress due to a thermal expansion difference is applied.例文帳に追加

これにより、該接点のない領域すなわち熱膨張差による応力が加わる領域では、基板と集積回路ダイとの間の接続は行われない。 - 特許庁

In addition, in the first region 20A and in the second region 20B, some tubes 43-46 are provided such that the tubes are in contact with the main surfaces 30a and 30b of the leaf spring 30.例文帳に追加

そして、第１領域２０Ａおよび第２領域２０Ｂにおいて、チューブ４３〜４６が板バネ３０の主表面３０ａ，３０ｂに接するように設けられている。 - 特許庁

Then, the high concentration P type diffusion region 9 for the body contact is formed at the part where the source diffusion region 3 is removed inside the hollow part of the gate electrode 3.例文帳に追加

そして、ゲート電極３の中抜き部分内のソース拡散領域３を除外した箇所に、高濃度Ｐ型のボディーコンタクト用拡散領域９を形成する。 - 特許庁

A contact layer 1 made of a p-type impurity region and an emitter layer 4 made of an n-type impurity region are formed on the main surface of the body layer 2.例文帳に追加

また、ボディ層２の主表面には、Ｐ型不純物領域からなるコンタクト層１と、Ｎ型不純物領域からなるエミッタ層４とが形成されている。 - 特許庁

An ohmic contact region 15 is formed in the gate electrode 11 across the N-type region 11a and the P-type regions 11b on the LOCOS oxide film 3.例文帳に追加

ゲート電極１１にはＬＯＣＯＳ酸化膜３上でＮ型領域１１ａ及びＰ型領域１１ｂに跨ってオーミックコンタクト領域１５が形成されている。 - 特許庁

The leak preventing wall 5 of the sanitary napkin is constituted so that an inner surface region 5A becoming a skin contact surface is formed of a hydrophilic sheet 6 and an outer surface region 5B is formed of a hydrophobic sheet 7.例文帳に追加

生理用ナプキンの防漏壁５は、肌接触面となる内面域５Ａが親水性シート６で形成され、外面域５Ｂが疎水性シート７で形成されている。 - 特許庁

The contact region contacts a source on a sidewall part and contacts a p-well on a bottom part by forming the trench penetrating a source region vertically to the trench MOS structure.例文帳に追加

前記コンタクト領域は、ソース領域を貫いたトレンチを前記トレンチＭＯＳ構造に対して垂直に形成し、側壁部でソースコンタクトを底部でｐウエルのコンタクトをとる。 - 特許庁

By arranging the interconnection of the electrostatic clamp and the electrical connector in the low field region, triple points (points of contact between a conductor, a solid insulator, and gas) may be present in that region.例文帳に追加

低電界領域に相互接続を配置することによって、三重点（導体、固体絶縁体およびガス間の接触点）がその領域内に存在しうる。 - 特許庁

The area of openings of the plurality of slits 13 included in the contact starting region 11 is smaller than the slits 13 included in the inspection region 12.例文帳に追加

接触開始領域１１に含まれる複数のスリット１３の開口部の面積は、検査領域１２に含まれる複数のスリット１３の開口部の面積よりも小さい。 - 特許庁

The columnar spacer 25 is formed in such a manner as to have a region superposed, in each pixel, with a contact hole 19 arranged in the first substrate 1 and a region not superposed therewith.例文帳に追加

柱状スペーサ２５は、第１の基板１に設けられるコンタクトホール１９と各画素内で重なる領域と重ならない領域とを有するように形成される。 - 特許庁

The semiconductor substrate includes: a unit region in contact with at least any one of the plurality of groove portions; and a wiring electrode with a portion thereof arranged within the unit region.例文帳に追加

半導体基板は、複数の溝部のいずれか少なくとも一つに接する単位領域と、その単位領域内に一部が配置されている配線電極とを有している。 - 特許庁

On a first region R1 of a surface 301S1, an anode electrode or an ohmic drain electrode 302 having ohmic contact with the first region R1 is formed.例文帳に追加

表面３０１Ｓ１の第１領域Ｒ１上には、第１領域Ｒ１とのオーミック接触を有する陽極電極ないしはオーミックドレイン電極３０２が形成される。 - 特許庁

On a second region R2 of the surface 301S1, a cathode electrode or an ohmic source electrode 303 having ohmic contact with the second region R2 is formed as well.例文帳に追加

表面３０１Ｓ１の第２領域Ｒ２上にも、第２領域Ｒ２とのオーミック接触を有する陰極電極ないしはオーミックソース電極３０３が形成される。 - 特許庁

A first impurity diffusion region 33 is formed to the notch 19A of the narrow region 32 in a part of a layer other than the contact layer 19 of a semiconductor multilayer structure 10A.例文帳に追加

半導体積層構造１０Ａのコンタクト層１９以外の層の一部には、狭領域３２の切込み１９Ａに、第１不純物拡散領域３３を形成する。 - 特許庁

A source electrode 12 is arranged on the p^+-type body contact region 6 and the n^+-type source region 7 separatedly from the gate electrode 10 by an interlayer insulation film 11.例文帳に追加

ソース電極１２は、ｐ^+型ボディコンタクト領域６およびｎ^+型ソース領域７の上に、層間絶縁膜１１によってゲート電極１０と離れて設けられている。 - 特許庁

The channel layer 26 is formed with a heavily- doped n-type region 27 and a heavily-doped p-type region 28, and electrodes 34a and 34b are formed through contact holes 33.例文帳に追加

チャネル層２６には高濃度ｎ型領域２７及び高濃度ｐ型領域２８が形成され、コンタクト孔３３を通じて電極３４ａ，３４ｂが形成されている。 - 特許庁

The first sliding surface 2A of the shoe 2 to be brought into sliding contact with the sliding surface 3A of the washer 3 has a central region 2a which is swelled outward than an outside region 2b.例文帳に追加

ワッシャ３の摺接面３Ａと摺接するシュー２の第１摺接面２Ａは、その中央側の領域２ａを外方側の領域２ｂよりも膨出させている。 - 特許庁

Two conductive layers (metal layers) functioning as electrodes are brought into contact with each other and then an interface region is corroded (i.e. oxidized) to form a region having high electric resistance.例文帳に追加

電極として機能する二つの導電層（金属層）を接触させ、界面領域を腐食（酸化ともいう）させることにより、電気抵抗が高い領域を形成する。 - 特許庁