「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目)

半導体装置の製造方法は、第１導電型領域と第２導電型領域とに対して共通のコンタクトホールを形成するホール形成工程と、前記第１導電型領域および前記第２導電型領域の少なくとも一方に対して不純物を注入する注入工程と、前記コンタクトホールに導電材料を充填してシェアードコンタクトプラグを形成するプラグ形成工程とを含む。 - 特許庁

A semiconductor device 1 comprises: source metal embedded in a source contact groove penetrating through a source region 4 to reach a channel region 5; and a gate insulating film 8 formed on a side wall of a gate trench 7 formed so as to penetrate through the source region 4 and the channel region 5, and reach a drain region 6.例文帳に追加

半導体装置１は、ソース領域４を貫通してチャネル領域５に達するソースコンタクト溝内に埋め込まれたソースメタルと、ソース領域４およびチャネル領域５を貫通してドレイン領域６に達するように形成されたゲートトレンチ７の側壁に形成されたゲート絶縁膜８とを含む。 - 特許庁

In the transistor 30, a distance parallel to the principal plane of the body silicon layer 23 between a high concentration collector region 32 and a base region 33, which are in contact with a low concentration collector region 31 formed in the body silicon layer 23, is longer than a distance between the high concentration collector region 32 and the base region 33.例文帳に追加

また、トランジスタ３０では、ボディシリコン層２３に設けられた低濃度コレクタ領域３１に接する、高濃度コレクタ領域３２及びベース領域３３において、ボディシリコン層２３の主表面に対して平行方向の距離が、高濃度コレクタ領域３２及びベース領域３３よりも離れて設けられている。 - 特許庁

A p-type guard ring region 9 provided enclosing an outermost peripheral portion of the p type base region 4 is provided to have a longer depth-directional distance from a top surface in the p type base region 4 than the p type base region 4, and is also in contact with the outermost peripheral portion of the p type base region 4.例文帳に追加

ｐ型ベース領域４の最外周部を取り囲むように設けられたｐ−型ガードリング領域９がｐ型ベース領域４よりもｐ型ベース領域４の上面からの深さ方向距離が長くなるように設けられ、且つｐ型ベース領域４の最外周部と接触している。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which the depth of an element isolation region is adjusted for each of different element formation regions such as a contact region, selective gate region, and memory cell region, for easy embedding of an insulating film for each element isolation region, resulting in improved reliability in electrical characteristics of element isolation regions.例文帳に追加

コンタクト領域、選択ゲート領域及びメモリセル領域等の異なる素子形成領域毎に素子分離領域の深さを調整して、素子分離領域毎に絶縁膜の埋め込みを容易にし、各素子分離領域の電気的特性の信頼性を向上する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A plurality of low concentration impurity regions 30 which are formed of impurities of the same conductivity type as a drain region 21 and have impurity concentration lower than the drain region 21 are installed in a P well region 12 formed in a semiconductor substrate 11, so that they are brought into contact with an LDD region 17-2 and the drain region 21.例文帳に追加

半導体基板１１に形成されたＰウェル領域１２に、ドレイン領域２１と同じ導電型の不純物よりなり、ドレイン領域２１よりも不純物濃度が低い低濃度不純物領域３０をドレイン領域２１及びＬＤＤ領域１７−２と接触するように複数設けた。 - 特許庁

In a body region 30 of an insulated gate semiconductor device 20 which is constituted as a trench IGBT and in the body region 30 in a bonded part to an emitter region 32, a high concentration region 34 is formed by using P-type semiconductor whose impurity concentration is higher than that of the body region 30, so as not to be in contact with trench gates 28.例文帳に追加

トレンチＩＧＢＴとして構成された絶縁ゲート型半導体装置２０のボディ領域３０とエミッタ領域３２との接合部分のボディ領域３０内にトレンチゲート２８とは接触しないようボディ領域３０より不純物濃度が高いｐ型半導体により高濃度領域３４を形成する。 - 特許庁

A trench region 6 is formed in a P-type silicon substrate 1, a dielectric film 7 is formed on the lower part and lower sidewall of the trench region 6, a first insulating film 9 and a contact region are formed on the upper sidewall of the trench region 6, and a conductor film 8 is formed in the trench region 6.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１中にトレンチ領域６が形成され、トレンチ領域６の下部および側壁下部には誘電体膜７が形成され、トレンチ領域６の側壁上部には第１の絶縁膜９およびコンタクト領域が形成され、トレンチ領域６内は導電体膜８が形成されている。 - 特許庁

In an inner pipe 14 of a storage pipe 6, a circumference length of a polyhedron region 16 is not equal to a circumference length of a smooth region 18, and an outer circumference surface 18a of the smooth region 18 is in surface-contact with an inner circumference surface 12a of an outer pipe 12 with an entire circumference, together with contact of vertexes 16e of the polyhedron region 16 by enlarging and reducing the diameter.例文帳に追加

収納管６の内管１４は多面体領域１６の周長と平滑領域１８の周長とは同一のままとせず、拡径や縮径を実行することにより多面体領域１６の頂点１６ｅの接触と共に、平滑領域１８の外周面１８ａを、外管１２の内周面１２ａに全周で面状接触させている。 - 特許庁

The phase change memory device 1 includes: a phase change region 15a; a first insulating layer 13 disposed below the phase change region 15a so as to contact the phase change region 15a; and a conductor layer 11 disposed below the first insulating layer 13 so as to contact the first insulating layer 13 and having at least partially disposed immediately below the phase change region 15a.例文帳に追加

相変化メモリ装置１は、相変化領域１５ａと、相変化領域１５ａの下に、相変化領域１５ａに接して配される第１絶縁層１３と、第１絶縁層１３の下に第１絶縁層１３に接して配されると共に、少なくとも一部が相変化領域１５ａの真下に配される導体層１１と、を備える。 - 特許庁

On the insulating interlayer film 110, there are formed: data wiring 114a connected with drain region 105D through a first contact hole 112a on the drain region 105D, and a pixel electrode 114b formed on the same layer as data wiring 114a and connected with the source region 105S through a second contact hole 112b on source region 105S.例文帳に追加

層間絶縁膜１１０上に、ドレーン領域１０５Ｄ上の第１コンタクトホール１１２ａを通じて、ドレーン領域１０５Ｄと連結されるデータ配線１１４ａと、データ配線１１４ａと同一な層で、ソース領域１０５Ｓ上の第２コンタクトホール１１２ｂを通じて、ソース領域１０５Ｓと連結される画素電極１１４ｂを形成する。 - 特許庁

Since the source diffusion layer 15a and the well contact layer are adjacent to each other along the lengthwise direction, the forming region of source contact layers 14a, 14b in contact with them can be reserved in the lengthwise direction.例文帳に追加

ソース拡散層１５ａおよびウェルコンタクト層は、上記長手方向に沿って隣接しているため、これらに接するソースコンタクト層１４ａ、１４ｂの形成領域を上記長手方向に確保することができる。 - 特許庁

A first metal wiring region is ensured in the row direction between a first contact layer of the first to the third diffusion layers and a second contact layer of a gate layer, and between the first contact layer and the first/second word lines.例文帳に追加

第１〜第３拡散層の第１コンタクト層とゲート層の第２コンタクト層との間、第１コンタクト層と第１／第２ワード線との間に、行方向に沿って第１のメタル配線領域が確保される。 - 特許庁

Subsequently, etching is performed from the p-contact layer 9 to the n-contact layer 5 on the inner surface of the cut trench 50 to form an n-side electrode forming region 51 where the n- contact layer 5 is exposed.例文帳に追加

このようにして割り溝５０を形成した後、割り溝５０の内面のｐ−コンタクト層９からｎ−コンタクト層５までをエッチングし、ｎ−コンタクト層５が露出してなるｎ側電極形成領域５１を形成する。 - 特許庁

An evaluation value of the contact state to evaluate the true contact state in the contact region of the rugged surface model and the structural body model is determined from the acquired physical quantity (step S107).例文帳に追加

そして、取得した前記物理量から、前記凹凸表面モデルと前記構造体モデルとの接触領域における真実接触状態を評価するための接触状態の評価値を求める（ステップＳ１０７）。 - 特許庁

A contact pin break preventing diaphragm 8 of an organic material is stacked on a wiring board 4, and minute contact pins 7 manufactured by plating or wire bonding are formed to a contact region 9.例文帳に追加

配線基板４上に有機材料からなるコンタクトピン破壊防止隔壁８を積層し、コンタクト領域９にはめっき法もしくはワイヤボンデイング法で作成した微細なコンタクトピン７を形成させた構造とする。 - 特許庁

After a trench 14 for contact is formed through anisotropic etching using an interlayer dielectric 11 having a narrow opening width as a mask, the trench 14 for contact is widened in width through isotropic etching and the interlayer dielectric 11 having a narrower opening width than the trench 14 for contact is used as a mask to perform ion implantation for contact region formation in a well region.例文帳に追加

狭い開口幅の層間絶縁膜１１をマスクとして異方性エッチングによりコンタクト用トレンチ１４を形成した後、等方性エッチングをおこないコンタクト用トレンチ１４の幅を広げ、コンタクト用トレンチ１４よりも狭い開口幅の層間絶縁膜１１をマスクとして、ウェル領域内にコンタクト領域形成のためのイオン注入を行う。 - 特許庁

The contact hole which is formed in an interlayer insulating film 36 covering a MOS type transistor and a trench isolation structure 41 extends to a part of the source/drain region 34 and a part of the trench isolation structure 41 of the MOS type transistor, and an electrode plug 49 for contact which is in contact with the source/drain region 34 is formed in an aperture part of the contact hole.例文帳に追加