「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

The substrate potential contact region 9b has a dimension L that allows a PN junction between the substrate potential region 11b and the drain region 11d to obtain an intended PN junction withstanding voltage and is arranged at a distance from the drain region 11d.例文帳に追加

基板電位用コンタクト領域９ｂは、基板電位用領域１１ｂとドレイン領域１１ｄのＰＮ接合が所望のＰＮ接合耐圧を得ることができる寸法Ｌでドレイン領域１１ｄとは間隔をもって配置されている。 - 特許庁

A second contact part 76 electrically connecting the common electrode 72 and the side wiring 22 is positioned in a second end region 28 distinguished from a region on the pixel region 12 side with a second straight lone L_2 passing the outside of the pixel region 12.例文帳に追加

共通電極７２とサイド配線２２を電気的に接続する第２のコンタクト部７６は、画素領域１２の外側を通る第２の直線Ｌ_２によって画素領域１２側の領域から区別された第２の端部領域２８に位置してなる。 - 特許庁

To attain the miniaturization of a pixel and to improve an image pick-up property by reducing an arranging area of a contact when forming a contact for a shield electrode and a contact for a p-type well region in the same pixel.例文帳に追加

同一画素内のシールド電極用のコンタクト部とＰ型ウェル領域用のコンタクト部を形成する場合にコンタクト部の配置面積を縮小して、画素の微細化や撮像特性の向上を図る。 - 特許庁

In this NPN-type bipolar transistor equipped with an operation region, a collector contact part (10), a base contact part (11) and an emitter contact part (12) are disposed on the surface of an epitaxial layer (2) formed on a semiconductor substrate (1).例文帳に追加

動作領域を備えたＮＰＮ型のバイポーラトランジスタにおいて、半導体基板（１）上に形成したエピタキシャル層（２）の表面に、コレクタコンタクト部（１０）、ベースコンタクト部（１１）、エミッタコンタクト部（１２）を設ける。 - 特許庁

The mating latch element 12 is latched with a latch element 13 formed in the central region 10, irrespective of the structure of the pressure contact end 8 and the contact end 9, when the contact 2 is positioned in the insertion position.例文帳に追加

相手ラッチ要素１２は、コンタクト２が挿入位置に位置する際に、圧接端８及び接触端９の構造とは無関係に中央領域１０に形成されたラッチ要素１３とラッチ係合する。 - 特許庁

A contact electrode 120 is formed on the contact layer 110 of post structure P, and a pad electrode 130 connected electrically with the contact electrode 120 is formed in the pad forming region Q.例文帳に追加

ポスト構造Ｐのコンタクト層１１０上にコンタクト電極１２０が形成され、パッド形成領域Ｑにコンタクト電極１２０と電気的に接続されるパッド電極１３０が形成されている。 - 特許庁

A drain region of the N-type MOS transistor for protection against ESD is electrically connected to a drain contact region formed of an impurity diffusion region identical in conductivity with the drain region via a drain extension region formed of an impurity diffusion region identical in conductivity with the drain region disposed on a side face and a lower face of a trench isolation region.例文帳に追加

ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域は、トレンチ分離領域の側面および下面に設置されたドレイン領域と同一の導電型の不純物拡散領域によって形成されたドレイン延設領域を介して、ドレイン領域と同一の導電型の不純物拡散領域によって形成されたドレインコンタクト領域と電気的に接続している半導体装置とした。 - 特許庁

A contact pattern for defining a contact hole 66 including a contact spacer 64 formed at the sidewall of the contact pattern 62 and penetrating the first insulating layer and exposing a lower region of the first insulating layer while being in contact with the outer circumferential surface of a third insulating layer pattern 60a is formed on each wire.例文帳に追加

その側壁に形成されたコンタクトスペーサ６４を含み、第３絶縁層パターン６０ａの外周面に接しながら前記第１絶縁層を貫通して前記第１絶縁層の下部領域を露出させるコンタクトホール６６を限定するコンタクトパターンがそれぞれ配線の上に形成される。 - 特許庁

Thus, since the sidewall can be utilized as the source region, the contact area as the source electrode is increased.例文帳に追加

これによりサイドウォール部もソース領域として活用できるので、ソース電極とのコンタクト面積が増大する。 - 特許庁

A dummy wiring pattern 16d is formed as corresponding to a non-display region and in contact with a sealing material 16s.例文帳に追加

非表示領域に対応しシール材１６ｓに接するようにダミー配線パターン１６ｄが形成されている。 - 特許庁

A region of contact is formed for the passage of a recording medium by the fixing belt 13 and the pressurizing member.例文帳に追加

定着ベルト１３及び加圧部材によって、記録媒体を通過させるための接触領域が形成される。 - 特許庁

SiN liners used as DSLs are successively deposited in the shared contact region and are left as a laminate.例文帳に追加

ＤＳＬで使用するＳｉＮライナをシェアードコンタクト領域において順次に堆積させて積層体として残す。 - 特許庁

A spring force of the bending region 32b is made larger than the spring forces of the first and the second contact piece parts 34, 35.例文帳に追加

曲り領域３２ｂのばね力を１及び第２の接片部３４，３５のばね力よりも大きくする。 - 特許庁

The well 3 and the substrate contact 6 are electrically connected with a resistance region 19 formed between them.例文帳に追加

ウェル３と基板コンタクト６は、それらの間に形成される抵抗領域１９により電気的に接続される。 - 特許庁

A second trench 8 is formed to be in contact with the n^+-type source region 7, and reach the n^--type drift layer 3.例文帳に追加

第２トレンチ８は、ｎ^+型ソース領域７に接し、ｎ^-型ドリフト層３に達するように設けられている。 - 特許庁

Thereafter, a capping control section controls the cap to be brought into contact with the first region, and temporary capping is performed (S6).例文帳に追加

この後、キャッピング制御部が、キャップと第１領域とが当接するように制御し、仮キャッピングを行う（Ｓ６）。 - 特許庁

The first FP electrode 17a comes into contact with a surface of the inside (p) partition region 12c, or is floated.例文帳に追加

第一ＦＰ電極１７ａは、内側のｐ仕切り領域１２ｃ表面に接触させ、或いは浮遊させる。 - 特許庁

The insulating member 18 is formed in the region corresponding to the upper electrode layer 15 wherewith the bump 20 comes into contact.例文帳に追加

絶縁部材１８は、バンプ２０が当接する上電極層１５に対応する領域に設けられている。 - 特許庁

Further, a fifth line HS5 and a second contact part CN2 are formed in the periphery of the display pixel region HG.例文帳に追加

また表示画素領域ＨＧの周辺には、第５の配線ＨＳ５と第２のコンタクトＣＮ２を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an area of contact between a source region and source wiring can be enlarged.例文帳に追加

ソース領域とソース配線との接触面積の増大を図ることができる、半導体装置を提供すること。 - 特許庁

The slipper seal makes contact with the inner peripheral surface of the cylinder at a belt-like region to make one round of its inner peripheral surface.例文帳に追加

スリッパシールは、シリンダの内周面に、その内周面を一周する帯状の領域において接触する。 - 特許庁

A source electrode 6 is so formed as to contact it with both the source regions 12 and the channel region 11.例文帳に追加

ソース電極６は、ソース領域１２およびチャネル領域１１の双方に接触するように形成される。 - 特許庁

In the method, first contact plugs 105a and 105b connect between the bit line 102b and the semiconductor region 109b.例文帳に追加

ビット線１０２ｂと半導体領域１０９ｂは第１のコンタクトプラグ１０５ａ、１０５ｂで接続される。 - 特許庁

The first p-type semiconductor anode region 204 is electrically connected to an anode contact area 218.例文帳に追加

第１のｐ型半導体陽極領域２０４は陽極接触領域２１８に電気的に接続される。 - 特許庁

An inter-layer insulating layer 9 is formed which has a contact hole 9a reaching the n-type source/drain region 4.例文帳に追加

このｎ型ソース／ドレイン領域４に達するコンタクトホール９ａを有する層間絶縁層９が形成される。 - 特許庁

A recessed portion 23a is also formed at the end of a contact region of the metal wiring 23 with the insulating resin layer 26.例文帳に追加

金属配線２３の絶縁樹脂層２６との接触領域の端部にも凹部２３ａが形成されている。 - 特許庁

The phosphor layer is disposed between and in contact with the active region and an exterior medium.例文帳に追加

蛍光体層は、アクティブ領域と外部媒体との間にあってその双方に接触するように配置される。 - 特許庁

The source/drain forming processing of a p channel MOS transistor is used to form a base contact region 92.例文帳に追加

ＰチャンネルＭＯＳ型トランジスタのソース・ドレイン形成処理を流用してベースコンタクト領域９２を形成する。 - 特許庁

A central absorption region 11 with a fixed area is provided in a range which is surrounded by a contact bonded part 9.例文帳に追加

圧着部９で囲まれた範囲に所定面積の中央吸収領域１１が設けられている。 - 特許庁

The insulated gate electrode portion 10a faces the surface of the contact region 18 with a gate insulating film 4 interposed therebetween.例文帳に追加

絶縁ゲート電極部１０ａは、ゲート絶縁膜４を介してコンタクト領域１８の表面に対向している。 - 特許庁

Consequently, a diffusion layer contact pattern is not required, and the active region can be reduced in size.例文帳に追加

これにより、拡散層コンタクトパターンが不必要となるとともに、活性領域を縮小することが可能となる。 - 特許庁

A seal securing member 36 is positioned within the inner region of the housing and secured into contact with the cable socket body.例文帳に追加

シール固定部材をハウジングの内部領域内に配置し、ケーブル・ソケット本体に接触するように固定する。 - 特許庁

Alternatively, the discharge regulating member is disposed in the upstream side of the discharge region in contact with the photoreceptor.例文帳に追加

また、放電規制部材は、感光体に接触し、放電領域の上流側に配置することを特徴とする。 - 特許庁

Then, the semiconductor device further includes a conductive layer 8 embedded in the opening groove and electrically connected with the contact region 4.例文帳に追加

そして、開口溝内に埋設され、コンタクト領域４と電気接続された導電層８をさらに備える。 - 特許庁

The second grounding portion 11b is brought into contact with the grounding region 15a present on the front surface of the printed board 13.例文帳に追加

前記第２の接地部位１１ｂは、前記プリント基板１３の表面の接地領域１５ａに接する。 - 特許庁

The heating member 32 is arranged so as to be in contact with the liquid crystal cell 16 outside the display region S.例文帳に追加

加熱部材３２は、表示領域Ｓよりも外側で液晶セル１６に当接するように設けられる。 - 特許庁

Thereafter, a nitride etch barrier layer 20 is formed, a contact region 21 is opened and filled with a polysilicon layer 22.例文帳に追加

全面を窒化物エツチ・バリア層２０を付着させ、コンタクト領域２１を開口してポリシリコン層２２を充填する。 - 特許庁

A source/drain electrode is positioned on the region exposed in the source/drain contact hole of the semiconductor layer.例文帳に追加

前記半導体層の前記ソース/ドレインコンタクトホール内に露出した領域上にソース/ドレイン電極が位置する。 - 特許庁

A magnetic head non-contact region 18 of the protective layer 13 is selectively hardened in an adequate hardness.例文帳に追加

また、保護層１３における磁気ヘッド非接触領域１８を、適切な硬度で選択的に硬質化する。 - 特許庁

A contact region, i.e., a diffusion layer 13, is formed beneath an interlayer insulation film 12 formed on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１上の層間絶縁膜１２下層にコンタクト領域である拡散層１３が形成されている。 - 特許庁

(3) The dispersion of the thickness of the separator in the contact region 40 of the MEA is preferably made 0.07 mm or less.例文帳に追加

（３）ＭＥＡ当接領域４０でのセパレータの厚さのばらつきを好ましくは０．０７ｍｍ以下とした。 - 特許庁

An electric charge built up in the channel region 7 is drawn out from a contact 10 through the p^+ diffusion area 14.例文帳に追加

チャネル領域７に蓄積した電荷はＰ^+拡散領域１４を介してコンタクト１０から引き抜かれる。 - 特許庁

The width A of the contact part is set larger than the width B of the reflection suppressing region in the optical axis direction.例文帳に追加

光軸方向において、接触部の幅Ａを反射抑制領域の幅Ｂよりも大きく設定する。 - 特許庁

The third electrically conductive film 273 is made to be in contact with the second electrically conductive film 272 in the pad formation region.例文帳に追加

第３導電膜２７３は、当該パッド形成領域内において第２導電膜２７２と接触する。 - 特許庁

The periphery of the base part of the nozzle member 11 attached to the loading end of a heating cylinder 1 is set as the contact region with the mold 2.例文帳に追加

加熱筒１の先端に取付けたノズル部材１１の基部周囲を金型２との当接部位とする。 - 特許庁