「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

A metal having a larger work function than the channel region is formed in the contact region in case of electron conductivity type and a metal having a smaller work function than the channel region is formed in case of hole conductivity type.例文帳に追加

電子電動型であればチャネル領域よりも仕事関数の大きな金属、正孔伝導型であればチャネル領域よりも仕事関数の小さな金属をボディ・コンタクト領域に形成する。 - 特許庁

On the surface part of a semiconductor substrate 1, an n-type source region 2, a p-type substrate contact region 7 adjacent to it and a p-type anti-punch-through region 9 surrounding them are formed.例文帳に追加

半導体基板１の表面部にはＮ型ソース領域２とそれに隣接するＰ型基板コンタクト領域７と、それらを囲むようにＰ型アンチパンチスルー領域９が形成されている。 - 特許庁

The first conductive layer 36 is in contact with at least a part of the emitter region 22 provided in the second region 4 and at least a part of the body region 24, and connected to the emitter electrode 12.例文帳に追加

第１導電層３６は、第２領域４に設けられたエミッタ領域２２の少なくとも一部及びボディ領域２４の少なくとも一部と接し、エミッタ電極１２に接続している。 - 特許庁

A group III nitride semiconductor region 29 including a contact layer 27 and a cladding layer 25 is etched by a mask 35a to form a group III nitride region 33c and an epitaxial region 29b.例文帳に追加

コンタクト層２７及びクラッド層２５を含むIII族窒化物半導体領域２９をマスク３５ａを用いてエッチングして、III族窒化物領域３３ｃ及びエピタキシャル領域２９ｂを形成する。 - 特許庁

The cell A has a P-type MIS transistor which includes a P-type source region 13PS, a P-type drain region 13PD, and a gate electrode 16A; and an N-type substrate contact region 13NSC.例文帳に追加

セルＡは、Ｐ型ソース領域１３ＰＳ及びＰ型ドレイン領域１３ＰＤと、ゲート電極１６Ａとを含むＰ型ＭＩＳトランジスタと、Ｎ型基板コンタクト領域１３ＮＳＣとを有している。 - 特許庁

A base material 51 of COF50x includes a first region 51x, and a second region 51y which is other than the first region 51x facing an actuator unit 17 and is formed with no contact point.例文帳に追加

ＣＯＦ５０ｘの基材５１は、アクチュエータユニット１７に対向する第１領域５１ｘ及び第１領域５１ｘ外にあって接点が形成されていない第２領域５１ｙを含む。 - 特許庁

To provide a thick liner film where stress is applied to a channel region, and to securely form a contact with respect to a source region and a drain region in a semiconductor device having a MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタを備える半導体装置において、チャネル領域に応力を印加する厚いライナー膜を設けると共に、ソース領域・ドレイン領域に対するコンタクトを確実に形成する。 - 特許庁

At a surface layer portion of a semiconductor substrate 2, a source region 13 and a drain region comprising a deep N-type well 8, an N-type well 10 and a contact region 11 are formed leaving a gap.例文帳に追加

半導体基板２の表層部には、ソース領域１３とディープＮ型ウェル８、Ｎ型ウェル１０およびコンタクト領域１１からなるドレイン領域とが間隔を空けて形成されている。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a substrate region and a source region shared by two adjacent cells and a common contact to both regions placed nearer to the inside of a cell than the center of the substrate region.例文帳に追加

この発明は、隣接するセル間でサブストレート領域およびソース領域を共有し、両領域に共通のコンタクトをサブストレート領域の中心からセルの内側よりに設けて構成される。 - 特許庁

The surface potential stabilization region 6 is extended from the second interface between the second electrode contact region 4 and the second electrode region 3 to the outer periphery of a chip without space for arrangement.例文帳に追加

表面電位安定化領域６は、第２電極コンタクト領域４と第２電極領域３との間の第２の界面からチップの外周部まで隙間無く伸延して配置されている。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has a basic layer part of an epitaxial layer 3 forming an N^--type region 4 and a P^--type body region 5 formed in contact with the N^--type region 4 in the epitaxial layer 3.例文帳に追加

半導体装置１では、エピタキシャル層３の基層部がＮ^−型領域４をなし、エピタキシャル層３には、そのＮ^−型領域４に接して、Ｐ^−型のボディ領域５が形成されている。 - 特許庁

In the intermediate region 9, n^+ impurity layers 3 are formed in a plurality of regions, connected between the channel proximity region 8 and the contact forming region 10, to make a ballast resistor regions 11.例文帳に追加

そして、中間領域９において、チャネル近接領域８とコンタクト形成領域１０との間に接続される複数の領域にＮ^＋不純物層３を形成し、バラスト抵抗領域１１とする。 - 特許庁

An n-type impurity region 28 is formed on a portion located at least at lower part of the gate insulator film 13a, of a portion that comes into contact with the element isolation region 32 in the active region 1a.例文帳に追加

活性領域１ａにおける素子分離領域３２に接する部分のうち少なくともゲート絶縁膜１３ａの下側に位置する部分に、ｎ型不純物領域２８が形成されている。 - 特許庁

The multipolar plug-in connector (10) is provided with a contact element (16) having a flat conductive region (18) with a broad side part (50) located at a contact column plane (14), and a flat plug-in region (30) formed in continuation of the conductive region (18).例文帳に追加

本発明は、コンタクト列平面（１４）に位置する幅広側部（５０）を有する平坦な伝導領域（１８）と、伝導領域（１８）に連続して形成された平坦なプラグイン領域（３０）と、を有するコンタクト要素（１６）を備えた多極プラグインコネクタ（１０）に関する。 - 特許庁

There are two or more points facing a center point of the light emission region E where the OLED 70 in a periphery of the contact region 81, and the periphery of the contact region 81 may be bent or refracted in the section formed by connecting those two or more points.例文帳に追加

コンタクト領域８１の周には、ＯＬＥＤ７０が配列される発光領域Ｅの中心点に面する点が２つ以上あり、コンタクト領域８１の周は、これら２以上の点を結ぶ区間において屈曲または屈折しているようにしてもよい。 - 特許庁

A contact hole 12 is bored in the source region 7 of a transistor 3 so as to reach the inside of the substrate potential fixing P+ layer 10 penetrating through the source region 7, so that both the source region 7 and the P+ layer 10 are fixed at a certain potential by the contact hole 12.例文帳に追加

そして、トランジスタ３のソース領域７側のコンタクトホール１２は、ソース領域７を貫通して基板電位固定用Ｐ^+層１０の内部にまで達しており、このコンタクト部分でソース領域７と基板電位固定用Ｐ^+層１０の双方の電位が固定される。 - 特許庁

The area of an i layer(intrinsic semiconductor layer) delay electricity storage region 13a in the intrinsic semiconductor layer 13 except a region in contact with the contact hole 6 and a region where the drain electrode 5 exists on the upper side is set, based on effective application voltage to a liquid crystal.例文帳に追加

真正半導体層１３における、コンタクトホール６との接触領域と上側にドレイン電極５が存在する領域とを除くｉ層遅延蓄電領域１３ａの面積は、液晶への実効印加電圧に基づいて設定されている。 - 特許庁

The metal inclusion layer 108 includes a first region 108a brought into contact with the wiring metal film 106, and a second region 108b that differs in the composition of the first region 108a while being brought into contact with the lower layer insulation film 102 without containing nitrogen substantially in the first region 108a at least.例文帳に追加

金属含有層１０８は、配線金属膜１０６と接する第１の領域１０８ａと、下層絶縁膜１０２と接するとともに第１の領域１０８ａと組成の異なる第２の領域１０８ｂとを含み、少なくとも第１の領域１０８ａにおいて窒素を実質的に含まない。 - 特許庁

This semiconductor device having high dielectric strength comprises a semiconductor region 2, a diffusion region 6 for contact, a isolation diffusion region 4, a field insulation film 16, a metal electrode 25 electrically connected to the diffusion region 6 for contact and a plurality of plate electrodes 18a, 19a formed under the floating condition.例文帳に追加

半導体領域２と、コンタクト用拡散領域６と、分離拡散領域４と、フィールド絶縁膜１６と、コンタクト用拡散領域６と電気的に接続された金属電極２５と、フローティング状態で形成された複数のプレート電極１８ａ、１９ａとを備えた高耐圧半導体装置である。 - 特許庁

Further, a P-type impurity region electrode contact and N-type impurity region electrode contact larger than the trenches are provided, electrodes are provided from both the thin film silicon layer and the substrate for the P-type impurity region and the N-type impurity region so that a large current can flow to the diode of the SOI device.例文帳に追加

さらにトレンチよりも大きいＰ型不純物領域電極コンタクトおよびＮ型不純物領域電極コンタクトを設けて、Ｐ型不純物領域、Ｎ型不純物領域とも薄膜シリコン層、半導体基板の両方から電極をとるようにし、ＳＯＩデバイスでありながらダイオードに大電流を流せるようにする。 - 特許庁

A crystal defect 25a having an energy level higher than the Fermi level of the second semiconductor region 24b is formed in at least one of the second semiconductor region 24b within a range where the second semiconductor region 24b is in contact with the gate insulating film 32 and the gate insulating film 32 within a range where the gate insulating film 32 is in contact with the second semiconductor region 24b.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３２に接する範囲の第２半導体領域２４ｂと第２半導体領域２４ｂに接する範囲のゲート絶縁膜３２との少なくとも一方に、第２半導体領域２４ｂのフェルミ準位よりも高いエネルギー準位を有する結晶欠陥２５ａが形成されている。 - 特許庁

As internal air temperature sensors 71 and 72 for detecting the temperature in the cabin, non-contact temperature sensors which detect the surface temperatures of a driver's seat side region Rl and a passenger's seat side region R2 without coming into contact with, based on infrared rays entering from the region R1 and the region R2 in the cabin are used.例文帳に追加

車室内の温度を検出する内気温センサ７１、７２としては、車室内の運転席側領域Ｒ１、助手席側領域Ｒ２から入射される赤外線に基づきこの領域Ｒ１、領域Ｒ２の表面温度を非接触で検出する非接触温度センサを用いている。 - 特許庁

The contact holes 36 and 38 are respectively formed into a thin contact hole forming region A and a thick contact hole forming region B, both of which are provided on the lower diffusion layer 24 through dry etching by using a resist 34 as a mask.例文帳に追加

レジスト３４をマスクとしてドライエッチングを行い、下部配線層２６上の薄い膜厚のコンタクトホール形成領域Ａにコンタクトホール３６を形成するとともに、下部拡散層２４上の厚い膜厚のコンタクトホール形成領域Ｂにコンタクトホール３８を形成する。 - 特許庁

The exposed region is formed in self-matching manner at the contact hole 26 while the width of a region I where the insulating film 24 at the edge of the contact hole 26 is covered with the upper layer wiring 32 is formed by self-matching manner to the width of the contact hole 26.例文帳に追加

また、上記露出領域はコンタクトホール２６に対して自己整合的に形成され、上層配線３２によってコンタクトホール２６の縁部の絶縁膜２４が覆われる領域Ｉの幅がコンタクトホール２６の幅に対して自己整合的に形成される。 - 特許庁

There is provided a semiconductor circuit comprising: a gate region shared between a first transistor and a second transistor; a gate insulating film arranged so as to contact the gate region; and a semiconductor layer arranged so as to contact the gate insulating film.例文帳に追加

半導体回路は、第１および第２のトランジスタで共有されるゲート領域と、ゲート領域に接するように配置されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜に接するように配置される半導体層と、を備える。 - 特許庁

The connection G1 is brought into contact with the region R1 of the suspension body 10 in the through-hole H11, and the connection G2 is brought into contact with the region RG1 of the suspension body 10 in the through-hole H12.例文帳に追加

接続部Ｇ１は、貫通孔Ｈ１１内においてサスペンション本体部１０の領域Ｒ１に接触し、接続部Ｇ２は、貫通孔Ｈ１２内においてサスペンション本体部１０の領域ＲＧ１に接触する。 - 特許庁

To prevent dispersion of a contact region in the longitudinal direction of a transfer roller, and to prevent transfer unevenness due to the dispersion of the contact region.例文帳に追加

本発明は、従来の技術を更に発展させたものであり、その目的は、転写ローラの長手方向における接触領域のばらつきを更に防止し、接触領域のばらつきに起因する転写ムラを防止する。 - 特許庁

In a region on top end 5t (top of end region 55) side than the contact part 5c of the connection part 5c, the width is narrower than the maximum width W1 of the connection part 5c at the position of the contact portion 52 throughout the total length.例文帳に追加

接続部５ｃの、接点部５２よりも先端５ｔ側の領域（先端領域５５）においては、その全長に亘って、接点部５２の位置における接続部５ｃの最大幅Ｗ１よりも幅が狭い。 - 特許庁

Then, the backflow passage is formed so that the diameter of an internal contact ball C1 in a scoop-up region T1 including each tongue 24 in the backflow passage L2 becomes smaller than the diameter of an internal contact ball C2 in an adjacent region T2.例文帳に追加

そして、還流路Ｌ２における各ベロ部２４を含む掬い上げ領域Ｔ１における内接球Ｃ１の直径が、隣接領域Ｔ２における内接球Ｃ２の直径よりも小さくなるように形成した。 - 特許庁

An n-buried layer 29 which is in contact with a bottom surface of the n-type impurity region 121 and has a side surface which does not come into contact with the side surface of the n-type impurity region 117 is formed in the major surface of the p^- substrate 200.例文帳に追加

ｐ^-基板２００の主面内には、ｎ型不純物領域１２１の底面に接し、ｎ型不純物領域１１７の側面に接しない側面を有するｎ埋め込み層２９が形成されている。 - 特許庁

Nip rolls 3, 4 are arranged in such a manner that a holding part 6 is made into the edge part on the side of the stretching roll 2 in a contact region 8, and further, a holding part 7 is made into the edge part on the side of the stretching roll 1 in a contact region 9.例文帳に追加

ここで、ニップロール３・４は、挟持部６が接触領域８延伸ロール２側の端部となるとともに、挟持部７が接触領域９の延伸ロール１側の端部になるように配置されている。 - 特許庁

A semiconductor device equipped with a self-aligned contact comprises a conductive region 31, a conductive line 34, and a contact plug 44 which electrically connects the conductive line 34 to the conductive region 31.例文帳に追加

本発明による自己整列コンタクトをもつ半導体素子は、導電領域３１、導電ライン３４、及び前記導電ライン３４と前記導電領域３１とを電気的に接続させるコンタクトプラグ４４を含む。 - 特許庁

The electronic pressure sensing device also includes a linker arm 115 having a tip 120 which is configured to touch a contact region 125 of the substrate, in which the contact region 125 is located near the transistor.例文帳に追加

電子圧力センシングデバイスはまた、基板の接触領域１２５であって、トランジスタの近傍に位置している接触領域１２５に接触するように構成されるチップ１２０を有するリンカーアーム１１５を備える。 - 特許庁

Then, the antenna of a non-contact communication medium reader/writer is successively moved through a predetermined standard moving path to each region (S34), and communication with the non-contact communication medium is tried in each region (S38).例文帳に追加

次いで、予め決めた標準的な移動経路によって非接触通信媒体リーダライタのアンテナを各領域に順番に移動させて（Ｓ３４）、各領域にて非接触通信媒体との通信を試みる（Ｓ３８）。 - 特許庁

An interface region as a contact between the upper surface of the first thin film and the lower surface of the second thin film or an interface region as a contact between the lower surface of the first thin film and the upper surface of the second thin film is doped with impurities.例文帳に追加

第１の薄膜の上面と第２の薄膜の下面とが接する界面領域又は第１の薄膜の下面と第２の薄膜の上面とが接する界面領域には、不純物がドープされている。 - 特許庁

The conductive type impurity region, which faces a contact 16 communicated to a source line 17a, and in contact with a source side n- impurity region 6, is programmed to a p-type or n-type according to the contents of stored data.例文帳に追加

ソース側のｎ−不純物領域６と接し、ソース線１７ａにつながるコンタクト１６と面した不純物領域の導電型が、記憶データの内容に応じてｐ型またはｎ型にプログラムされる。 - 特許庁

Thereafter, the remaining first inter-layer insulating film 12a and the second inter-layer insulating film 12b are tapered and etched, and a first contact hole lower region 16a and a second contact hole lower region 16b are formed.例文帳に追加

その後、残存している第１の層間絶縁膜１２ａ及び第２の層間絶縁膜１２ｂをそれぞれテーパーエッチングし、第１のコンタクトホール下部領域１６ａ及び第２のコンタクトホール下部領域１６ｂを形成する。 - 特許庁

A contact hole 4a reaching the emitter region 6a is formed in an insulating film 4 on the semiconductor substrate 1, and an emitter electrode 11a is connected to the emitter region 6a through the contact hole 4a.例文帳に追加

半導体基板１上の絶縁膜４にはエミッタ領域６ａに到達するコンタクトホール４ａが形成されており、エミッタ電極１１ａはコンタクトホール４ａを介してエミッタ領域６ａと接続されている。 - 特許庁

The cassette is provided with an X-ray image input means for converting the X-ray transmitted through an object to be inspected to the X-ray digital image and a contact region recognizing means for recognizing the region with which the object to be inspected comes into contact.例文帳に追加

被検査体を透過したＸ線をＸ線デジタル画像に変換するＸ線画像入力手段と、被検査体が接触している領域を認識する接触領域認識手段を備えるカセッテ。 - 特許庁

Nip rolls 3 and 9 are arranged so that the pinch part 5 is located in the end portion of the contact region 7 on the side of the stretch roll 2, and the pinch part 6 is located in the end portion of the contact region 8 on the side of the stretch roll 1.例文帳に追加

ここで、ニップロール３・９は、挟持部５が接触領域７の延伸ロール２側の端部になるとともに、挟持部６が接触領域８の延伸ロール１側の端部になるように配置されている。 - 特許庁

When a fourth region R4 is in contact with a first region L1 of a resistance applying part 33, slipping between the fourth region R4 and the first region L1 is restrained, and a container 20 is rotated clockwise (see Mark 5A).例文帳に追加

第４領域Ｒ４が抵抗付与部３３の第１領域Ｌ１に接触する状態にあると、第４領域Ｒ４と第１領域Ｌ１との間における滑りが抑制され、容器２０は、時計回りの回転を行う（符号５Ａ参照）。 - 特許庁

An insulating film and a conductor are provided above the second semiconductor region, and a second conductivity-type third semiconductor region and a fourth semiconductor region are provided coming into contact with the surface of the semiconductor and the side of the second semiconductor region.例文帳に追加

そして、第２の半導体領域の上方に絶縁膜と導電体を設け、半導体表面を含み第２の半導体領域の側面と接するように第２導電型の第３の半導体領域と第４の半導体領域を設ける。 - 特許庁

In the high voltage resistant p-channel MOS transistor formed on an SOI substrate, p^+-source regions 8, an n-type body region 4, and an n^+-body/contact diffusion region 10 are surrounded by a p^+-drain region 9 and a p-type drift region 5.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に形成される高耐圧ＰｃｈＭＯＳトランジスタであって、Ｐ^＋ソース領域８、Ｎ型ボディ領域４およびＮ^＋ボディ・コンタクト拡散領域１０を、Ｐ^＋ドレイン領域９およびＰ型ドリフト領域５で包囲している。 - 特許庁

An area of a first region where the first core 2a comes into contact with the optical luminescent part 42 is equal to or more than an area of a second region where the optical luminescent part 42 receives or emits the light, and the first region includes the second region.例文帳に追加

第１コア部２ａが光発光部４２と接する第１領域の面積は、光発光部４２が光を受光又は発光する第２領域の面積と同等以上であり、且つ、第１領域は第２領域を包含している。 - 特許庁

This aperture is formed longer in the direction parallel to the propagating direction of carrier moving within the channel region of the nMOS transistor Tr for an electric connecting region (contact plug forming region) to the source/drain region 5.例文帳に追加

この開口部は、ソース／ドレイン領域５に対する電気的な接続領域（コンタクトプラグの形成領域）に対してｎＭＯＳトランジスタＴｒのチャネル領域内を移動するキャリアの伝播方向に平行な方向に対して長く形成されている。 - 特許庁