「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To put it concretely, in the installation region 501, a reception antenna 331 and a non-contact IC tag 332 are installed.例文帳に追加

具体的には、この設置領域５０１には、受信アンテナ３３１と、非接触ＩＣタグ３３２とが設置されている。 - 特許庁

In this process, a region inside the outer edge of the conducting electrode 2 is caused to contact with the p-n junction 17.例文帳に追加

このとき、通電電極２を、該通電電極２の外縁よりも内部で、ｐ−ｎ接合部１７と接触させる。 - 特許庁

To provide a processor capable of processing the contact for the usability of a memory region from a coprocessor at high speed.例文帳に追加

コプロセッサからのメモリ領域の使用可否の連絡を高速に処理することが可能なプロセッサを提供すること。 - 特許庁

To prevent the formation of deep slits, even when a contact hole is moved into a trench separation region due to deviation in alignment.例文帳に追加

コンタクト孔がアライメントずれによってトレンチ分離領域にかかった場合でも深いスリットができないようにする。 - 特許庁

An ohmic contact region 3 is formed on the interface between the SiC substrate 1 and the metal film 2 by high-temperature annealing.例文帳に追加

高温アニ−ルによりＳｉＣ基板１と金属膜２との界面にオーミック接触領域３が形成される。 - 特許庁

An ohmic contact region 3 is formed on the interface between the SiC substrate 2 and the metal film 1 by high-temperature annealing.例文帳に追加

高温アニ−ルによりＳｉＣ基板２と金属膜１との界面にオーミック接触領域３が形成される。 - 特許庁

The metalized regions improve the conductivity in a contact region between the metal base material and the fluid distribution medium.例文帳に追加

金属化領域は、金属基材と流体分配媒質との間の接触領域での導電性を改善する。 - 特許庁

To evaluate tooth contact with high accuracy, by measuring the correct engaging region and surface pressure.例文帳に追加

正確な噛み合い領域及び面圧を測定できるようにすることにより、高精度に歯当りを評価できるようにする。 - 特許庁

At this time, the top end of a static elimination brush 110 arranged in the curvature region A comes into contact with the recording body P.例文帳に追加

このとき、上記曲率領域Ａに配置された除電ブラシ１１０の先端が記録体Ｐと接触する。 - 特許庁

At the sealing position, the sealing element 11 abuts on a housing 2 in a sealed condition to enclose the connection region 4 of the contact 8.例文帳に追加

封止位置において、シーリング要素１１は、ハウジング２と封止当接し、コンタクト８の接続領域４を取り囲む。 - 特許庁

Preferably, the space 64 is formed so that the non-contact region 84 covers edged parts 72, 74 of the opening 70 part.例文帳に追加

好適には、非接触領域８４が、開口７０部分の縁部７２，７４を覆うように空間６４が形成される。 - 特許庁

The IC package has a region in contact with an IC formed of the conductive resin molding.例文帳に追加

ＩＣと接触する部位が、上記導電性樹脂成型物で構成されてなることを特徴とするＩＣ包装体。 - 特許庁

Therefore, much currents can flow from the contact 90 to the support substrate 10 in the lower portion of the element-forming region.例文帳に追加

したがって、コンタクト９０から素子形成領域下部の支持基板１０にかけて多くの電流を流すことができる。 - 特許庁

The metal layer 51 is embedded in a second contact hole 50b to connect the dummy interconnection 52 to the n^+-type region 42.例文帳に追加

メタル層５１は、第２コンタクト孔５０ｂに埋入されてダミー配線５２をｎ^＋型領域４２に接続している。 - 特許庁

To provide a touch switch capable of downsizing a detection sensitivity deterioration region in which finger contact cannot be detected.例文帳に追加

指による接触を検出できない検出感度低下領域を小さくすることが可能なタッチスイッチを提供する。 - 特許庁

A recess 8a4 is provided adjacent to the slide surface (slide region) 8a2 of the bobbin 8, on which the contact point 7c3 slides.例文帳に追加

凹部８ａ４はボビン８の接点部７ｃ３が摺動する摺動面（摺動領域）８ａ２の近傍に設けられる。 - 特許庁

The welding electrode has a body having a shank and a contact region for placement against a workpiece during the welding.例文帳に追加

溶接電極は、軸部および溶接をする間に加工物に置くための接触領域を有した本体を有する。 - 特許庁

The light-reflecting layer 2 is brought into good ohmic contact with the semiconductor region 3, while having a reflectivity higher than Al.例文帳に追加

光反射層２はＡｌより高い反射率を有すると共に半導体領域３に良好にオーミック接触する。 - 特許庁

An electrode 17-1 forms a contact JC1-1 on a top face 13c-1 of the ridge portion of the first region 13a-1.例文帳に追加

電極１７−１は、第１領域１３ａ−１のリッジ部の上面１３ｃ−１に接触ＪＣ１−１を成す。 - 特許庁

The two memory cell arrays 11 connected to the different local sense amplifiers 12 are adjacently arranged without holding the contact region 17 between them.例文帳に追加

異なるローカルセンスアンプ１２に接続された２つのメモリセルアレイ１１は、コンタクト領域１７を挟まずに隣接している。 - 特許庁

A pattern dimension W2 of the contact window 19 is a half or less than the pattern dimension W1 of the emitter region 5.例文帳に追加

そのコンタクト窓１９のパターン寸法Ｗ２は、エミッタ領域５のパターン寸法Ｗ１に対して１／２以下である。 - 特許庁

According to the present invention, the e-fuse is in electrical contact with a dopant region that is located in the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明によると、ｅヒューズは、半導体基板内に配置されたドーパント領域と電気接触した状態にある。 - 特許庁

The shared contact holes SC1 and SC2 reach both gate electrode layers GE1 and GE2 and a drain region PIR.例文帳に追加

シェアードコンタクトホールＳＣ１、ＳＣ２は、ゲート電極層ＧＥ１、ＧＥ２とドレイン領域ＰＩＲとの双方に達している。 - 特許庁

Ions are implanted into the substrate 10 through the S/D contact opening 50, and a slightly doped drain region is formed.例文帳に追加

Ｓ／Ｄ接点開口部５０を通じてイオンを基板１０内に注入し、軽くドープしたドレーン領域を形成する。 - 特許庁

The inter-layer insulating film comprises a contact hole 30 reaching the impurity region 4 between the gate electrodes 9a and 9b.例文帳に追加

層間絶縁膜はゲート電極９ａおよび９ｂ間で不純物領域４に達するコンタクトホール３０を有する。 - 特許庁

The main part makes ohmic-contact with semiconductor substrate, in a region on the side opposite to the drain electrode for the gate electrode.例文帳に追加

主部は、ゲート電極に関してドレイン電極とは反対側の領域において半導体基板にオーミック接触する。 - 特許庁

Successively, the first nickel film 9 and the second titanium film 10 are left only on the p^+ contact region 6 by etching.例文帳に追加

ついで、エッチングにより、ｐ^+コンタクト領域６上にのみ、第１のニッケル膜９および第２のチタン膜１０を残す。 - 特許庁

A metal film 16 is formed in a region in which the flange 12 of the drum core 10 and the plate-like core 13 come into contact with each other.例文帳に追加

ドラムコア１０の鍔部１２と板状コア１３とが接触する領域には金属膜１６が設けられる。 - 特許庁

To provide an electronic thermometer which can accurately detect the state of contact of a temperature measuring part with a region to be measured.例文帳に追加

測温部と被測定部位の接触状態を精度良く検知することができる電子体温計を提供する。 - 特許庁

A first core layer in a second region A2 in contact with a first region A1 as a portion of a waveguide to be formed on the semiconductor substrate with respect to a wave guiding direction is removed to expose the end surface of the first core layer at a border between the first region and the second region.例文帳に追加

半導体基板の上に形成すべき導波路の導波方向に関する一部分である第１の領域Ａ１に接する第２の領域Ａ２の第１のコア層を除去し、第１の領域と第２の領域との境界に第１のコア層の端面を露出させる。 - 特許庁

An ohmic contact layer 214 is disposed on a region, except for the polysilicon channel region 212 and the amorphous-silicon hot-carrier inhibiting region 216 in the patterned insulating layer 206a, and a portion above the amorphous-silicon hot-carrier inhibiting region 216 in the patterned insulating layer 208.例文帳に追加

オーミック・コンタクト層２１４は、パターン化シリコン層２０６ａにおける、ポリシリコンチャネル領域２１２とアモルファスシリコンホットキャリア抑制領域２１６とを除いた領域の上に、及びパターン化絶縁層２０８におけるアモルファスシリコンホットキャリア抑制領域２１６上方の部分の上に、配置される。 - 特許庁

At a position spaced from the sense region in the direction perpendicular to the thickness direction of the semiconductor substrate, a cathode region (n+) is provided where current proportional to current which flows through the FWD element flows between the cathode region and a base contact region (p+) provided in the first principal plane side.例文帳に追加

また、半導体基板の厚さ方向に垂直な方向においてセンス領域とは離れた位置に、第１主面側に設けたベースコンタクト領域（ｐ＋）との間で、ＦＷＤ素子に流れる電流に比例した電流が流れるカソード領域（ｎ＋）が設けられている。 - 特許庁

In an HAD sensor, each light-receiving pixel PP located inside an imaging region 1A, a contact CC of a light-shielding conductive film 21 is made via the second conductivity-type region 30, which has conductive type identical to that of a light-receiving surface region 14 of the substrate surface side of a signal charge storage region 13 and has a higher density.例文帳に追加

撮像領域１Ａ内の各受光画素ＰＰのＨＡＤセンサにおいて信号電荷蓄積領域１３の基板表面側の受光表面領域１４と同じ導電型で、より高濃度な第２導電型領域３０を介して、遮光導電膜２１のコンタクトＣＣをとる。 - 特許庁

Related to a bipolar transistor, an external base region is formed of a base region 4B, having low impurity concentration and a heavily-doped external base region 8 with high impurity concentration, so that the resistive contact in the external base region is satisfactory, reducing parasitic capacity between a base and collector.例文帳に追加

バイポーラトランジスタは、外部ベース領域が不純物濃度が低いベース領域４Ｂ、及び、不純物濃度が高い高濃度外部ベース領域８で形成されるので、外部ベ−ス領域の抵抗性接触が良好となり、ベース・コレクタ間の寄生容量が低減する。 - 特許庁

For realizing a bipolar transistor with large channel width without outer wiring by fixing body potential, the transistor constituted of drain/source region-first gate 401-body contact region and the merged part of first conduction-type second region 123-second gate 402-source/drain region is realized.例文帳に追加

またボディ電位固定の外部配線無しに、チャネル幅の大きい両極性のトランジスタを実現する為に、ドレイン・ソース領域−第１ゲート４０１−ボディコンタクト領域と第１導電型の第２領域１２３の併設部分−第２ゲート４０２−ソース・ドレイン領域 からなるトランジスタの構成とする。 - 特許庁

A contacting property with a drain region 2a of a drain contact DC can be held, and an area contacting with a source region 2b of a local source line LSL1 is constituted so as to be narrowed by the residual-region section of a silicon nitride film 12 on the source region 2b on the source side.例文帳に追加

ドレインコンタクトＤＣのドレイン領域２ａに対する接触性を保持することができ、ソース側ではローカルソース線ＬＳＬ１がソース領域２ｂに対して接触する面積をソース領域２ｂ上のシリコン窒化膜１２の残留領域分だけ狭く構成できる。 - 特許庁

Since the thickness of the absorber in the gluteal cleft-facing region 25 is formed thinner than that in the blood-discharging orifice-facing region 23, a front medium height part 21 protruding on a skin contact surface side is provided to the blood-discharging orifice-facing region 23 but not formed in the gluteal cleft-facing region 25.例文帳に追加

臀部溝対応領域２５の吸収体厚を排血口対応領域２３の吸収体厚より薄く形成するため、排血口対応領域２３に肌当接面側に隆起する前方中高部２１を有し、臀部溝対応領域２５には中高部を形成しない。 - 特許庁

To reduce connection resistance between a source/drain region and an electrode by forming a high concentration contact region in the source/drain region by the minimum number of masks for realizing a manufacturing method capable of restoring the deterioration of the crystalline of the source/drain region, after impurity introduction also by low-temperature heat treatment.例文帳に追加

最小限のマスク数でソース・ドレイン領域に高濃度コンタクト領域を形成し、不純物導入後のソース・ドレイン領域の結晶性の劣化を低温熱処理でも回復可能なの製造方法を実現し、ソース・ドレイン領域と電極との接続抵抗を小さくする。 - 特許庁

The barrier conductor 8 on the bottom of a plug 11b is in contact with the n^--type semiconductor region 2 and the p^+-type semiconductor region 5 for connection with the p^+-type semiconductor region 5 in ohmic manner, and then Schottky junction is formed between the barrier conductor film and the n^--type semiconductor region 2.例文帳に追加

プラグ部１１ｂの底部のバリア導体膜８は、ｎ^−型半導体領域２とｐ^＋型半導体領域５の両者に接し、ｐ^＋型半導体領域５とオーミック接続するが、ｎ^−型半導体領域２との間にショットキ接合が形成されている。 - 特許庁

A reference electrode 38 is installed so as to come into contact with a solid polymer electrolyte membrane 26 in the first region 36a, and the first region 36a is set in an area smaller surface than that of the second region 36b and installed within the second region 36b to the stacking direction.例文帳に追加

第１領域３６ａには、固体高分子電解質膜２６に接触して参照電極３８が配設されるとともに、前記第１領域３６ａは、第２領域３６ｂよりも小さな表面積に設定され且つ積層方向に対して前記第２領域３６ｂ内に配置される。 - 特許庁

Boundary lines which come into contact with the decoration region in the non-decoration region are extended in a tire circumferential direction farther from the mark display region, respectively, from an end inside the tire diameter direction and an end outside the tire diameter direction in the non-decoration region, and cross each other.例文帳に追加

前記無装飾領域における前記装飾領域と接する境界線が、前記無装飾領域におけるタイヤ径方向内側の端部及びタイヤ径方向外側の端部からそれぞれ、前記標章表示領域から遠ざかるようにタイヤ周方向に延びてお互いに交わっている。 - 特許庁

In a region ranging over a photosensitive region of a photodiode 120 and an upper surface of a light screening film 190, a contact film 200 connecting a p+type region 120A of a photodiode 120 and a light screening film 190 is provided, and the p+type region 120A and the light screening film 190 are held at the same potential.例文帳に追加

フォトダイオード１２０の受光領域と遮光膜１９０の上面にわたる領域には、フォトダイオード１２０のＰ＋型領域１２０Ａと遮光膜１９０とを接続するコンタクト膜２００が設けられ、Ｐ＋型領域１２０Ａと遮光膜１９０とを同一電位に保持する。 - 特許庁

In a second conductivity-type region 30, a buried second-conductivity-type region 53 is formed, which projects inside of a channel layer 40, contacts a contact second-conductivity-type region 52, has a higher impurity concentration than the channel layer 40, and has a peak concentration in the second conductivity-type region 30.例文帳に追加

第２導電型領域３０に、チャネル層４０に突出すると共にコンタクト第２導電型領域５２に接し、チャネル層４０よりも不純物濃度が高いと共に第２導電型領域３０内にピーク濃度を有する埋込第２導電型領域５３を形成する。 - 特許庁

A first electrode 4 in contact with a hetero semiconductor region 3 is formed of a metal material which is so selected that the difference in work function between the first electrode 4 and a drift region 2 is larger than at least the difference in work function between the hetero semiconductor region 3 and the drift region 2.例文帳に追加

ヘテロ半導体領域３に接する第１の電極４は、第１の電極４とドリフト領域２の仕事関数差が少なくともヘテロ半導体領域３とドリフト領域２の仕事関数差よりも大きくなるように選択された金属材料により形成されている。 - 特許庁

A first conductivity diffusion region 14 constituting the well contact is formed within the same active region as the diffusion regions 8, 10 and 12, and separated from the second conductivity diffusion region 12 by a separation gate 13.例文帳に追加

ウェルコンタクトを構成する第１導電型の拡散領域１４は、拡散領域８、１０、１２と同一活性領域内に形成され、且つ、第２導電型の拡散領域１２に対して、分離ゲート１３により分離されている。 - 特許庁