「contact region」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

An N-type electric field moderation region 7 having an impurity concentration lower than the average impurity concentration of the N-type drift region 5 is formed so as to contact the side and the bottom of an N-type source region 13 side of the trench offset region 2.例文帳に追加

トレンチオフセット領域２のＮ型ソース領域１３側の側面及び底面に接するように、Ｎ型ドリフト領域５の平均不純物濃度よりも低い不純物濃度を持つＮ型電界緩和領域７が設けられている。 - 特許庁

A second electrode 11 is provided on the first n-type region 1 such that it is spaced apart from the p-type region 2 by the first n-type region 1 and at least a part thereof is in contact with the first n-type region 1.例文帳に追加

第２の電極１１は、第１のｎ型領域１によってｐ型領域２と隔てられかつ少なくとも一部が第１のｎ型領域１に接するように第１のｎ型領域１上に設けられている。 - 特許庁

A first electrode 2 for Schottky contact is connected with the N-type semiconductor region 5 and the P^+-type guard ring region 6, and a second electrode 3 is connected with the N^+-type semiconductor region 7 and the P^+-type semiconductor region 8.例文帳に追加

ショットキ接触用の第１の電極２がＮ型半導体領域５とＰ^＋型ガードリング領域６とに接続され、第２の電極３がＮ^＋型半導体領域７とＰ^＋型半導体領域８とに接続されている。 - 特許庁

Further, this problem is solved by disposing a bonding region in a hanging region as seen in a direction perpendicular to the torsion axis and parallel to the principal plane and/or disposing the bonding region in direct contact with the hanging region.例文帳に追加

また、結合領域がトーション軸に対して垂直かつ主平面に対して平行な方向で見て吊り下げ領域に配置されているか、および／または、吊り下げ領域に直接に接して配置されていることにより解決される。 - 特許庁

The detecting element (the p-n junction diode) D_j,_i which is composed of an anode region 51, a cathode region 52 and a cathode contact region 53 is housed at the inside of the diaphragm 1 which is used as the lid or the roof of a very small cavity region C_j,_i.例文帳に追加

アノード領域５１，カソード領域５２及びカソードコンタクト領域５３からなる検出素子（ｐｎ接合ダイオード）Ｄ_j,iが、微小空洞領域Ｃ_i,jの蓋若しくは屋根となるダイアフラム部１の内部に収納されている。 - 特許庁

The body contact region 30 is exposed on a surface of the body region 40, its impurity concentration is higher than that of the p-type body region 40, and its deepest portion L1 is deeper than the deepest portion L2 of the source region 20.例文帳に追加

ボディコンタクト領域３０は、ボディ領域４０の表面に露出しており、その不純物濃度がp型ボディ領域４０の不純物濃度よりも濃く、その最深部Ｌ１がソース領域２０の最深部Ｌ２よりも深い。 - 特許庁

An objective lens 15 is divided into an effective region R1 functioning as a lens and a non-effective region R2 other than the effective region and a part of the non-effective region R2 comes in contact with a lens setting table 16 to be mounted on the lens setting table 16.例文帳に追加

対物レンズ１５は、レンズとして機能する有効領域Ｒ１とそれ以外の非有効領域Ｒ２とに分けられ、非有効領域Ｒ２のうちの一部がレンズ設置台１６に接してレンズ設置台１６に搭載される。 - 特許庁

Both ends R11 and R13 (R21 and R23) of the first region in the direction along the outer edge of the film are in contact with the second region, and a gap (maximum value: 2R) is provided between the first region and the second region at a portion between the both ends R11 and R13 (R21 and R23).例文帳に追加

この第１領域のフィルム外縁に沿った方向の両端部Ｒ１１，Ｒ１３（Ｒ２１，Ｒ２３）は、第２領域に接触し、且つ、両端部Ｒ１１，Ｒ１３（Ｒ２１，Ｒ２３）間において、第１領域と第２領域との間には隙間（最大値２Ｒ）がある。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a conductive pad 15a having a transistor connection region 15b which overlaps a vertical transistor T in plan view and a contact region 15c which does not overlap the vertical transistor T in plan view and electrically connected to the vertical transistor T; and a contact 10 provided on a region including the contact region 15c and electrically connected to the contact pad 15a.例文帳に追加

縦型トランジスタＴと平面視で重なり合うトランジスタ接続領域１５ｂと、縦型トランジスタＴと平面視で重なり合わないコンタクト領域１５ｃとを有し、縦型トランジスタＴに電気的に接続された導電体パッド１５ａと、コンタクト領域１５ｃを含む領域上に設けられ、導電体パッド１５ａに電気的に接続されたコンタクト１０とを備えている半導体装置とする。 - 特許庁

The semiconductor device also has a first n-type main electrode region 3 formed in the base region 1, a second main electrode region 20 formed coming in contact with the bottom of the drift region 21, a gate insulation film 23 formed coming in contact with the surface of the base region 1, and a control electrode 24 formed on the upper side of the gate insulation film 23.例文帳に追加

さらに、ベース領域１の内部に配置されたｎ型の第１主電極領域３と、ドリフト領域２１の底面に接して設けられた第２主電極領域２０と、ベース領域１の表面に接して設けられたゲート絶縁膜２３と、ゲート絶縁膜２３の上部に配置された制御電極２４とを有している。 - 特許庁

A semiconductor substrate 11 comprises an n^+-type semiconductor region 13 for composing a source region, a p-type semiconductor region 12 for composing a base region surrounding the source region, and a source electrode 21 that is arranged in the source region and comes into contact with the p- and n^+-type semiconductor regions 12, 13.例文帳に追加

半導体基板１１は、ソース領域を構成するｎ＋型半導体領域１３と、ソース領域を囲繞するベース領域を構成するｐ型半導体領域１２と、当該ソース領域に配置されｐ型半導体領域１２とｎ＋型半導体領域１３とに接触するソース電極２１と、を備える。 - 特許庁

For example, an h-line stepper exposing machine is used, and the region for the contact hole 12 is exposed to 400 mg/cm2 irradiation while the rugged pattern in the pixel region is exposed to 160 mg/cm2 irradiation.例文帳に追加

例えば、ここではｈ線のステッパー露光機を用い、コンタクトホール１２部を４００mj／cm^2 で、画素領域内の凹凸を１６０mj／cm^2 で露光した。 - 特許庁

A part corresponding to a region for forming a via hole contact of the constrained layer 2 is cut off in a circle to be a non-printing region 31.例文帳に追加

拘束層２のビアコンタクトの形成領域に対応する部分は直径約２５０μｍの円形状に削除されて非印刷領域３１となっている。 - 特許庁

The memory of the non-contact communication medium is partitioned into a data region 32 storing data segmented into a plurality of items, and an index region 31.例文帳に追加

非接触通信媒体のメモリを、複数の項目に細分化されたデータを格納するデータ領域３２とインデックス領域３１とに区分する。 - 特許庁

A boundary between a black region and a white region provided on an original receiver glass 2 is detected by a contact image sensor 101, and it is used as a reference position.例文帳に追加

原稿台ガラス２上に設けた黒領域と白領域の境界をコンタクトイメージセンサ１０１で検出し、これを基準位置として用いる。 - 特許庁

A rubber member is brought into contact with a wiring board outside an element mounting region, and an unpolymerized component of a rubber member is transferred to outside the element mounting region.例文帳に追加

配線基板の素子搭載領域外に、ゴム部材を接触させ、前記ゴム部材の未重合成分を前記素子搭載領域外に転写させる。 - 特許庁

Thus, the end of the region 3 and that of the region 4, and the end of the electrode 7 and that of the contact hole are formed like self matching.例文帳に追加

これにより、ｐ型ベース領域３の端部とｎ^+型ソース領域４の端部、ゲート電極７の端部とコンタクトホールの端部とが自己整合的に形成される。 - 特許庁

A width of a ridge 20 is constant in an oscillator direction, and a modulation structure 2 between a wide region 31 and a narrow region 32 is formed on a contact layer 19.例文帳に追加

リッジ部２０の幅を共振器方向で一定とし、コンタクト層１９に、広領域３１と狭領域３２との変調構造２を形成する。 - 特許庁

Moreover, a second diffused region 50 is extended to a cell region 60 at the part of a first LOCOS oxide film end 37 and contact a source electrode 35a.例文帳に追加

更に第１のＬＯＣＯＳ酸化膜端３７の部分に第２の拡散領域５０をセル領域６０まで延ばし、ソース電極３５ａでコンタクトする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the manufacturing method of the same which prevents the salicidation of a diffusion region simply, by increasing the contact area between a strap unit and the diffusion region.例文帳に追加

ストラップ部と拡散領域との接触面積を増やし、拡散領域のサリサイド化を簡易に防ぐ半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A light-shielding layer is selectively provided so as to overlap with a contact hole for electrical connection to a source region or a drain region of a thin film transistor.例文帳に追加

薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域と電気的に接続するためのコンタクトホールと重なるように、遮光層を選択的に設ける。 - 特許庁

The heating roller 15a is in contact with the non-end part region 15i, while, a clearance G is formed between the heating roller 15a and the end part region 15h.例文帳に追加

加熱ローラ１５ａと非端部領域１５ｉとは接触している一方、加熱ローラ１５ａと端部領域１５ｈとの間は隙間Ｇになっている。 - 特許庁

The inner end 101e of a winding region and the leading-out wiring layer 10A are electrically coupled by a third connection part 9A in a contact region.例文帳に追加

巻き線領域の内側終端部１０１ｅと、引出配線層１０Ａとは、コンタクト領域において、第３接続部９Ａにより電気的に連結されている。 - 特許庁

The CMOS circuits (7 to 11), resistor (13) and capacitor (12) are respectively provided in a semiconductor region 2 surrounded by the diffusion region 6 for contact.例文帳に追加

コンタクト用拡散領域６に囲まれた半導体領域２に、ＣＭＯＳ回路（７〜１１など）、抵抗（１３など）、容量（１２など）が設けられている。 - 特許庁

Using this constitution, a prescribed potential can be surely and easily applied to the body region by using a first semiconductor layer 3 as a body contact region.例文帳に追加

上記構成によれば、第１の半導体層３をボディコンタクト領域として確実且つ容易にボディ領域に所定の電位を与えることができる。 - 特許庁

A P^+ type body contact part 72 is provided in a specific region outside of the source and drain regions 68, 69 through this power source path region 71.例文帳に追加

この電源経路領域７１を介してソース・ドレイン領域６８，６９から外側に所定領域にＰ^＋型のボディーコンタクト部７２が設けられている。 - 特許庁

A source electrode 111 which enter the layer 104 and the region 105 to directly contact the region 105.例文帳に追加

また、蓄積チャネル層１０４及びコンタクト領域１０５内まで侵入して、コンタクト領域１０５に直接接触するソース電極１１１が設けられている。 - 特許庁

Further, a region which is smaller in contact angle than a circumference is provided in a portion in the light shield region to suppress the movement of the ink droplet in the drying stage.例文帳に追加

また、遮光領域内の一部に接触角が周囲よりも小さくなる領域を設けて乾燥工程においてインク液滴の移動を抑制する。 - 特許庁

On the other hand, in the diode region 20, the concentration of holes in a peripheral part of the second contact region 47 can be prevented, during reverse recovery of the diode device.例文帳に追加

一方、ダイオード領域２０では、ダイオード素子の逆回復時に、第２コンタクト領域４７の周辺にホールが集中しないようにすることができる。 - 特許庁

(2) The dispersion (2α) of the thickness in the contact region 40 of the MEA is made smaller than the dispersion (2α) of thickness of the separator in the adhesion region 41.例文帳に追加

（２）ＭＥＡ当接領域４０でのセパレータの厚さのばらつき（２α）を、接着領域４１でのセパレータの厚さのばらつき（２α）より小さくした。 - 特許庁

The source electrode 4 is formed so as to contact the source region 16 and has an adhesion layer 41 in which the interface between the adhesion layer 41 and the source region 16 is silicided.例文帳に追加

ソース電極４は、ソース領域１６に接するように形成され、ソース領域１６との界面がシリサイド化された密着層４１を有する。 - 特許庁

A region R1 of at least part of a seal surface R encompassing an introduction port 1b and directly in contact with a dash panel is a high strength region R1.例文帳に追加

導入口１ｂを囲うと共にダッシュパネルと直接当接するシール面Ｒの少なくとも一部の領域Ｒ１が高強度領域Ｒ１とされている。 - 特許庁

The bending gives a sufficient normal-force to ensure a sure connection at the region of contact.例文帳に追加

曲がりはまた十分な法線力を与えて接触領域での確実な接続を確保している。 - 特許庁

Additionally, a transistor whose collector contact region 150-3 is surrounded by the base 130 is provided.例文帳に追加

さらに、コレクタコンタクト領域（１５０−３）がベース（１３０）により取り囲まれているトランジスタが提供される。 - 特許庁

A recessed portion 21c is formed at the end of a contact region of the heat sink 21 with the insulating resin layer 26.例文帳に追加

ヒートシンク２１の絶縁樹脂層２６との接触領域の端部には、凹部２１ｃが形成されている。 - 特許庁

A first conductivity type high concentration diffusion layer 111 is formed all over a contact region 120.例文帳に追加

コンタクト領域１２０の全域に第１導電型の高濃度拡散層１１１が形成されている。 - 特許庁

The secondary transfer belt 331 is in pressure contact with the intermediate transfer belt 311 in a secondary transfer region 92.例文帳に追加

二次転写ベルト３３１は、二次転写領域９２において中間転写ベルト３１１に圧接する。 - 特許庁

Each of the selector gate lines 6 has a contact hole forming region 6a that protrudes toward the other selector gate line.例文帳に追加

それぞれ選択ゲート線６は、他方に向かって突出するコンタクトホール形成領域６ａを有する。 - 特許庁

Then, a back contact with the TSV is formed through the window region formed in a buried oxide layer.例文帳に追加

そして、埋め込み酸化層に形成された窓領域を介して、ＴＳＶとのバックコンタクトを形成する。 - 特許庁

Through these contact holes, the above-mentioned source electrode is electrically connected to the source region 14.例文帳に追加

これらのコンタクト孔を介して、前記ソース電極が、ソース領域１４に電気的に接続されている。 - 特許庁

The current diffusion layer (6) also functions as a region where an ohmic contact is carried out with respect to a primary electrode (7).例文帳に追加

電流分散層（６）は第１の電極（７）をオーミックコンタクトさせる領域としても機能する。 - 特許庁

In the transfer region, the respective waveguide cores 110 and 115 come into contact with a polymer clad 125.例文帳に追加

転送領域内で、第１及び第２の導波路は指定された距離だけ離れて、平行である。 - 特許庁

A specified region of the insulating film is opened to form a contact hole that reaches the second metal film.例文帳に追加

次に、絶縁膜の所定領域を開口して、第２の金属膜に到達するコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

Near the surface of the contact layer 12, the n-type carrier increases and an n+ region 12a is formed.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層１２の表面近傍ではｎ型キャリアが増加してｎ^+ 領域１２ａが形成される。 - 特許庁

PROTUBERANT SILICIDE SOURCE/DRAIN TYPE MOS TRANSISTOR WITH EXPANDED SOURCE/DRAIN CONTACT REGION AND METHOD例文帳に追加

拡張されたソース／ドレインコンタクト領域を有する隆起シリサイドソース／ドレイン型ＭＯＳトランジスタおよび方法 - 特許庁